JP2006170533A - 被加熱体の乾燥方法、加熱炉、及びデバイスの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 被加熱体を減圧下で加熱乾燥するときに、漏れ電流による人体への影響を防止しながら、乾燥処理を中断することなく継続してできる乾燥方法、加熱炉、及びデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】 乾燥装置１００は、被加熱体を収容可能な収容室１１９と、この収容室１１９を加熱するヒータ１１２と、減圧する減圧ポンプ１１６と、圧力を検出する圧力検出部１１７と、漏れ電流を検出する漏電量検出部１１８とを備えている。漏電量検出部１１８が漏れ電流を検出して、その検出結果に基づいてヒータ１１２の通電をＯＦＦにし、圧力検出部１１７が圧力を検出して、その検出結果に基づいてヒータ１１２の通電をＯＮにする。つまり、乾燥装置１００は、減圧下で加熱乾燥するときに、ヒータ１１２の通電をＯＮとＯＦＦとの切り替えをする。
【選択図】 図１１

Description

本発明は、被加熱体の乾燥方法、加熱炉、及びデバイスの製造方法に関する。

一般に、各種の表示装置（電気光学装置）においては、カラー表示を可能にするためにカラーフィルタが設けられている。このカラーフィルタは、例えば、ガラスやプラスチックなどで構成された基板上に、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の各色のドット状のフィルタエレメントを、いわゆるストライプ配列、デルタ配列、モザイク配列などといった所定の配列パターンで配列させたものである。

また、表示装置としては、液晶装置やＥＬ（エレクトロルミネッセンス）装置などの電気光学装置を例として、ガラスやプラスチックなどで構成された基板上に、その光学状態を独立して制御可能な表示ドットを配列させたものがある。この場合、各表示ドットには液晶やＥＬ発光部が設けられる。表示ドットの配列態様としては、例えば、縦横の格子（ドットマトリクス）状に配列させたのものが一般的である。

カラー表示可能な表示装置においては、通常、例えば上記のＲ、Ｇ、Ｂの各色に対応する表示ドット（液晶やＥＬ発光部）が形成され、全色に対応する例えば３個の表示ドットによって一つの画素（ピクセル）が構成される。そして、一つの画素内に含まれる複数の表示ドットの階調をそれぞれ制御することによってカラー表示を行うことが可能になる。

例えば特許文献１に開示されているように、これらの表示装置の製造工程においては、感光性樹脂を基板上に塗布し、この感光性樹脂に露光処理及び現像処理を施すことにより、格子状の隔壁（バンク）を形成してから、この隔壁により画成された領域に、ヘッドなどによって吐出された液滴を着弾させ、乾燥させることによって表示要素（すなわち、上記のカラーフィルタのフィルタエレメントやＥＬ発光部の表示ドットなど）を形成する場合がある。この方法では、フォトリソグラフィ法などによって表示要素を各色毎にパターニングする必要がないので、容易に製造することができるという利点がある。そして、基板上に塗布された液状材料の塗布膜を真空加熱乾燥して、膜の厚さを均一にしていた（例えば、特許文献１参照）。

特開２００３−２７９２４５号公報

ところが、上記従来のカラーフィルタ或いは表示装置（電気光学装置）の製造方法においては、画素領域周辺にバンクと呼ばれる隔壁部を撥液性材料で形成しているのがほとんどであって、このバンク内に液状材料である機能液を配置して、塗布膜が均一になるように、炉内の温度制御をしながら真空度を変化させることができる加熱炉を用いて、機能液を乾燥していた。この加熱炉は、炉内を加熱するとともに、炉内の真空度を上げて（圧力を下げる）いくことができる減圧加熱乾燥法を採用している。この加熱炉を作動させるときに、炉内が、一定の真空度の範囲になったときに、ヒータに電気を流して加熱すると、配線部分から漏れ電流が発生することがわかった。なお、ヒータに電気を流して炉内を加熱している状態で、真空度を上げて（圧力を下げる）いく場合でも、一定の真空度の範囲になったときに、配線部分から漏れ電流が発生することがわかった。この現象は、炉内の圧力を下げていくと、ヒータの陰極にて電子がほんの少し引き出されて、電子は正電極（陽極）に向けて飛行する。途中、気体分子に衝突して分子から電子が叩き出される。これらの電子は陽極に流入する。一方、（＋）イオンは陽極に引き寄せられる。この時、陽極では電子をたたき出す（スパッタの原理）。この繰り返しで放電が持続する。なお、本現象は電極間のみならず、炉体（ＳＵＳ）や、その他の金属の間でも起こり、これが漏電の元になる。より圧力を下げて（真空度を上げる）いくと、気体の分子数が下がり、イオン数が激減することにより放電が止まることによって漏電がなくなる。

そして、この漏れ電流の値が１００ｍＡに到達すると、人体への影響を防ぐために、付属している漏電遮断器が作動して、加熱炉が停止するようになっていた。そして、加熱炉が停止すると、乾燥処理不足によって乾燥処理中のカラーフィルタ或いは表示装置（電気光学装置）が、不良になった。

本発明の目的は、被加熱体を減圧下で加熱乾燥するときに、漏れ電流による人体への影響を防止し、しかも、乾燥処理を中断することなく継続してできる乾燥方法、加熱炉、及びデバイスの製造方法を提供することである。

本発明の加熱炉は、被加熱体を収容可能な収容室と、前記収容室内に収容される前記被加熱体を加熱するためのヒータと、前記収容室内を減圧するための減圧ポンプとを備えた加熱炉において、前記収容室の圧力を検出する圧力検出部と、前記ヒータの通電下において収容室内を減圧することにより発生した漏れ電流を検出する漏電量検出部と、前記圧力検出部と前記漏電量検出部との各検出結果に基づき、前記ヒータの通電をＯＮ又はＯＦＦにする制御部と、を備えていることを特徴とする。

この発明によれば、収容室内を減圧しながら加熱していくときに、加熱炉から発生する漏れ電流が最大許容電流値に到達する前に、漏電量検出部の検出結果に基づいて、ヒータの電源を切ることができる。また、圧力検出部の検出結果に基づいて、ヒータの電源を入れることができる。

本発明の加熱炉は、前記制御部は、前記収容室の減圧をする減圧過程で少なくとも前記漏れ電流が許容値を超えることになる減圧領域である放電領域の間は前記ヒータの通電を停止するように制御することが望ましい。

この発明によれば、漏れ電流が発生しても、放電領域の間は前記ヒータの通電を停止するように制御できる。

本発明の加熱炉は、前記制御部は、前記漏電量検出部により検出された漏れ電流が、前記許容値以下となる設定電流値に達したら、前記ヒータの通電をＯＦＦにし、前記圧力検出部により検出された前記収容室内の圧力が、前記放電領域の下限値未満となる設定圧力値に達したら、前記ヒータの通電をＯＮにすることが望ましい。

この発明によれば、漏れ電流が、最大許容値を超える値に達したら、ヒータの通電をＯＦＦにして、収容室内の圧力が、放電領域の下限値未満となる設定圧力値に達したら、ヒータの通電をＯＮにするから、継続して乾燥処理をできるので、被加熱体の品質の安定化を図ることができる。

本発明加熱炉は、前記制御部は、前記圧力検出部により検出された前記収容室内の圧力が、前記放電領域の上限値を超える第１設定値に達したら、前記ヒータの通電をＯＦＦにし、前記放電領域の下限値未満となる第２設定値に達したら、前記ヒータの通電をＯＮにすることを特徴とする。

この発明によれば、収容室内の圧力が、放電領域の上限値を超える第１設定値に達したら、ヒータの通電をＯＦＦにして、放電領域の下限値未満となる第２設定値に達したら、ヒータの通電をＯＮにするから、継続して乾燥処理をできるので、被加熱体の品質の安定化を図ることができる。しかも、圧力の上限値と圧力の下限値とを設定しておけばよいので、管理がし易い。

本発明の基板の乾燥方法は、基体上の所定の領域に機能液が塗布された基板の乾燥方法であって、前記収容室を減圧する減圧工程と、前記収容室内の被加熱体をヒータで加熱する加熱工程と、前記ヒータの通電下で前記収容室内の減圧が進んだことにより発生した漏れ電流の検出値が、設定電流値に達したら、前記ヒータの通電をＯＦＦにする工程と、前記ヒータのＯＦＦ後、前記収容室内の減圧がさらに進み前記収容室内の圧力の検出値が、設定圧力値に達したら、前記ヒータの通電をＯＮにする工程と、を備えていることを特徴とする。

この発明によれば、収容室を減圧する減圧工程と、減圧工程と少なくとも一部重複し同時進行する工程であって収容室内の被加熱体をヒータで加熱する加熱工程と、ヒータの通電下で収容室内の減圧が進んだことにより発生した漏れ電流の検出値が、設定電流値に達したら、ヒータの通電をＯＦＦにする工程と、ヒータのＯＦＦ後、収容室内の減圧がさらに進み収容室内の圧力の検出値が、設定圧力値に達したら、ヒータの通電をＯＮにする工程と、を備えていて、設定電流値と設定圧力値とを予め決めておけばよいので、管理が簡単である。

本発明の基板の乾燥方法は、基体上の所定の領域に機能液が塗布された基板の乾燥方法であって、前記収容室を減圧する減圧工程と、前記収容室内の被加熱体をヒータで加熱する加熱工程と、前記ヒータの通電下で前記収容室内の減圧が進み前記収容室内の圧力の検出値が、第１設定値に達したら、前記ヒータの通電をＯＦＦにする工程と、前記ヒータの通電ＯＦＦ後、前記収容室内の減圧がさらに進み前記収容室内の圧力の検出値が、第２設定値に達したら、前記ヒータの通電をＯＮにする工程と、を備えていることを特徴とする。

この発明によれば、収容室を減圧する減圧工程と、減圧工程と少なくとも一部重複し同時進行する工程であって収容室内の被加熱体をヒータで加熱する加熱工程と、ヒータの通電下で収容室内の減圧が進み収容室内の圧力の検出値が、第１設定値に達したら、ヒータの通電をＯＦＦにする工程と、ヒータの通電ＯＦＦ後、収容室内の減圧がさらに進み収容室内の圧力の検出値が、第２設定値に達したら、ヒータの通電をＯＮにする工程と、を備えていて、第１設定値の圧力と第２設定値の圧力とを予め決めておけばよいので、管理がより簡単である。

本発明の基板の乾燥方法は、前記ヒータの通電をＯＦＦにする工程では、電流値が、８０ｍＡであることが望ましい。

この発明によれば、収容室内の漏れ電流の検出値が、８０ｍＡに到達したらヒータの通電をＯＦＦにできるから、漏電遮断器が働いて、装置が停止することがない。

本発明の基板の乾燥方法は、前記ヒータの通電をＯＦＦにする工程では、圧力値が、１０００Ｐａであることが望ましい。

この発明によれば、収容室内の圧力の検出値が、１０００Ｐａに到達したらヒータの通電をＯＦＦにすることができるから、漏れ電流値に変えて圧力値でも代用することができるので、簡単である。

本発明の基板の乾燥方法は、前記ヒータの通電をＯＮにする工程では、圧力値が、１Ｐａであることが望ましい。

この発明によれば、収容室内の圧力の検出値が、１Ｐａに到達したらヒータの通電をＯＮにすることができるから、被加熱体の乾燥処理を継続してできるので、被加熱体の品質の安定化を図ることができる。

本発明のデバイスの製造方法は、液滴吐出法によって基板上に画素を形成するデバイスの製造方法であって、前述の乾燥方法を用いたことを特徴とする。

この発明によれば、被加熱体を継続して乾燥処理をできるから、被加熱体の品質が安定する。そして、安定した品質が得られるデバイスの製造方法を提供できる。

以下、本発明の被加熱体の乾燥方法、加熱炉、及びデバイスの製造方法について実施形態を挙げ、添付図面に沿って詳細に説明する。なお、被加熱体としては基体上に液滴吐出方法によって機能液が塗布された基板を例に挙げて説明する。本発明の特徴的な構成及び方法について説明する前に、まず、液滴吐出方法で用いられる基体、液滴吐出法、液滴吐出装置、ＥＬ発光パネルの構造及び製造方法、カラーフィルタ基板の構造及び製造方法、について順次説明する。
＜基体について＞

液滴吐出による表示装置の製造方法で使用される基体としては、ガラス、石英ガラス、プラスチックなど各種のものを用いることができる。
＜液滴吐出法について＞

液滴吐出法の吐出技術としては、帯電制御方式、加圧振動方式、電気機械変換式、電気熱変換方式、静電吸引方式等が挙げられる。ここで、帯電制御方式は、材料に帯電電極で電荷を付与し、偏向電極で材料の飛翔方向を制御して吐出ノズルから吐出させるものである。また、加圧振動方式は、材料に３０ｋｇ／ｃｍ²程度の超高圧を印加してノズル先端側に材料を吐出させるものであり、制御電圧をかけない場合には材料が直進して吐出ノズルから吐出され、制御電圧をかけると材料間に静電的な反発が起こり、材料が飛散して吐出ノズルから吐出されない。また、電気機械変換方式は、ピエゾ素子（圧電素子）がパルス的な電気信号を受けて変形する性質を利用したもので、ピエゾ素子が変形することによって材料を貯留した空間に可撓物質を介して圧力を与え、この空間から材料を押し出して吐出ノズルから吐出させるものである。

また、電気熱変換方式は、材料を貯留した空間内に設けたヒータにより、材料を急激に気化させてバブル（泡）を発生させ、バブルの圧力によって空間内の材料を吐出させるものである。静電吸引方式は、材料を貯留した空間内に微小圧力を加え、吐出ノズルに材料のメニスカスを形成し、この状態で静電引力を加えてから材料を引き出すものである。また、この他に、電場による流体の粘性変化を利用する方式や、放電火花で飛ばす方式などの技術も適用可能である。液滴吐出法は、材料の使用に無駄が少なく、しかも所望の位置に所望の量の材料を的確に配置できるという利点を有する。なお、液滴吐出法により吐出される液体材料の一滴の量は例えば１〜３００ナノグラムである。

＜液滴吐出装置の構成＞
次に、液滴吐出装置の構成について説明する。図１は、液滴吐出装置ＩＪの全体構成を示す概略斜視図。図２は、液滴吐出装置の主要部を部分的に示す部分斜視図である。

液滴吐出装置ＩＪは、図１に示すように、液滴吐出ヘッドの一例としてヘッド２２を備えたヘッドユニット２６と、ヘッド２２の位置を制御するヘッド位置制御装置１７と、基板１２の位置を制御する基板位置制御装置１８と、ヘッド２２を基板１２に対して走査方向Ｘに走査移動させる走査駆動手段としての走査駆動装置１９と、ヘッド２２を基板１２に対して走査方向と交差（直交）するＹ方向に送る送り駆動装置２１と、基板１２を液滴吐出装置ＩＪ内の所定の作業位置へ供給する基板供給装置２３と、この液滴吐出装置ＩＪの全般の制御を司るコントロール装置２４とを有する。

上記のヘッド位置制御装置１７、基板位置制御装置１８、走査駆動装置１９、送り駆動装置２１の各装置は、ベース９の上に設置される。また、これらの各装置は、必要に応じてカバー１５によって覆われる。

図３は、ヘッドを示す図であり、同図（ａ）は概略斜視図、同図（ｂ）は、ノズルの配列を示す図である。ヘッド２２は、例えば、図３（ａ）に示すように、複数のノズル２７が配列されてなるノズル列２８を有する。ノズル２７の数は例えば１８０であり、ノズル２７の孔径は例えば２８μｍであり、ノズル２７のピッチは例えば１４１μｍである（図３（ｂ）参照）。図３（ａ）に示す基準方向Ｓは、ヘッド２２の標準の走査方向を示し、配列方向Ｔはノズル列２８におけるノズル２７の配列方向を示す。

図４は、ヘッドの主要部の構成を示し、同図（ａ）は、概略斜視図、同図（ｂ）は、断面図である。ヘッド２２は、ステンレス等で構成されるノズルプレート２９と、これに対向する振動板３１と、これらを互いに接合する複数の仕切り部材３２とを有する。このノズルプレート２９と振動板３１との間には、仕切り部材３２によって複数の液材料室３３と液溜り３４とが形成される。これらの液材料室３３と液溜り３４とは通路３８を介して互いに連通している。

振動板３１には、液材料供給孔３６が形成されている。この液材料供給孔３６には、材料供給装置３７が接続される。この材料供給装置３７は、Ｒ、Ｇ、Ｂのうちの一色、例えばＲ色のフィルタエレメント材料などで構成される液材料Ｍを液材料供給孔３６へ供給する。このように供給された液材料Ｍは、液溜り３４に充満し、さらに通路３８を通って液材料室３３に充満する。

ノズルプレート２９には、液材料室３３から液材料Ｍをジェット状に噴出するためのノズル２７が設けられている。また、振動板３１の液材料室３３に臨む面の裏面には、この液材料室３３に対応させて液材料加圧体３９が取り付けられている。この液材料加圧体３９は、図４（ｂ）に示すように、圧電素子４１並びにこれを挟持する一対の電極４２ａ及び４２ｂを有する。圧電素子４１は、電極４２ａ及び４２ｂへの通電によって矢印Ｃで示す外側へ突出するように撓み変形し、これにより液材料室３３の容積が増大する。すると、増大した容積分に相当する液材料Ｍが液溜り３４から通路３８を通って液材料室３３へ流入する。

その後、圧電素子４１への通電を解除すると、この圧電素子４１と振動板３１とは共に元の形状に戻り、これにより、液材料室３３も元の容積に戻るため、液材料室３３の内部にある液材料Ｍの圧力が上昇し、ノズル２７から液材料Ｍが液滴８となって噴出する。なお、ノズル２７の周辺部には、液滴８の飛行曲りやノズル２７の孔詰まりなどを防止するために、例えば、Ｎｉ−テトラフルオロエチレン共析メッキ層からなる撥液材料層４３が設けられる。

次に、図２を参照して、上記のヘッド２２の周囲に配置された、ヘッド位置制御装置１７、基板位置制御装置１８、走査駆動装置１９、送り駆動装置２１、及び、その他の手段について説明する。図２に示すように、ヘッド位置制御装置１７は、ヘッドユニット２６に取り付けられたヘッド２２を平面（水平面）内にて回転させるαモータ４４と、ヘッド２２を送り方向Ｙと平行な軸線周りに揺動回転させるβモータ４６と、ヘッド２２を走査方向Ｘと平行な軸線周りに揺動回転させるγモータ４７と、ヘッド２２を上下方向へ平行移動させるＺモータ４８とを有する。

また、基板位置制御装置１８は、基板１２を載せるテーブル４９と、このテーブル４９を平面（水平面）内にて回転させるθモータ５１とを有する。また、走査駆動装置１９は、走査方向Ｘへ伸びるＸガイドレール５２と、例えばパルス駆動されるリニアモータを内蔵したＸスライダ５３とを有する。このＸスライダ５３は、例えば内蔵するリニアモータの稼動により、Ｘガイドレール５２に沿って走査方向Ｘへ平行移動する。

さらに、送り駆動装置２１は、送り方向Ｙへ伸びるＹガイドレール５４と、例えばパルス駆動されるリニアモータを内蔵したＹスライダ５６とを有する。Ｙスライダ５６は、例えば内蔵するリニアモータの稼動により、Ｙガイドレール５４に沿って送り方向Ｙへ平行移動する。

Ｘスライダ５３やＹスライダ５６内においてパルス駆動されるリニアモータは、該モータに供給するパルス信号によって出力軸の回転角度制御を精密に行うことができる。したがって、Ｘスライダ５３に支持されたヘッド２２の走査方向Ｘ上の位置やテーブル４９の送り方向Ｙ上の位置などを高精度に制御できる。なお、ヘッド２２やテーブル４９の位置制御はパルスモータを用いた位置制御に限られず、サーボモータを用いたフィードバック制御やその他任意の方法によって実現することができる。

上記テーブル４９には、基板１２の平面位置を規制する位置決めピン５０ａ，５０ｂが設けられている。基板１２は、後述する基板供給装置２３によって位置決めピン５０ａ，５０ｂに走査方向Ｘ側及び送り方向Ｙ側の端面を当接させた状態で、位置決め保持される。テーブル４９には、このような位置決め状態で保持された基板１２を固定するための、例えば空気吸引（真空吸着）などの、公知の固定手段を設けることが望ましい。

図２に示すように、液滴吐出装置ＩＪにおいて、テーブル４９の上方に複数組（図示例では２組）の撮像装置９１Ｒ，９１Ｌ及び９２Ｒ，９２Ｌが配置されている。ここで、撮像装置９１Ｒ，９１Ｌ及び９２Ｒ，９２Ｌは、図２において鏡筒のみを示し、他の部分及びその支持構造は省略してある。これらの観察手段である撮像装置としては、ＣＣＤカメラ等を用いることができる。なお、図１には、これらの撮像装置について図示を省略してある。

図１に示すように、基板供給装置２３は、基板１２を収容する基板収容部５７と、基板１２を搬送するロボットなどの基板移載機構５８とを有する。基板移載機構５８は、基台５９と、基台５９に対して昇降移動する昇降軸６１と、昇降軸６１を中心として回転する第１アーム６２と、第１アーム６２に対して回転する第２アーム６３と、第２アーム６３の先端下面に設けられた吸着パッド６４とを有する。この吸着パッド６４は空気吸引（真空吸着）などによって基板１２を吸着保持することができるように構成されている。

また、ヘッド２２の走査軌跡下であって、送り駆動装置２１の一方の脇位置に、キャッピング装置７６及びクリーニング装置７７が配設されている。さらに、送り駆動装置２１の他方の脇位置には電子天秤７８が設置されている。ここで、キャッピング装置７６はヘッド２２が待機状態にあるときにノズル２７（図３参照）の乾燥を防止するための装置である。クリーニング装置７７は、ヘッド２２を洗浄するための装置である。電子天秤７８は、ヘッド２２内の個々のノズル２７から吐出される材料の液滴８の重量をノズル毎に測定する装置である。さらに、ヘッド２２の近傍には、ヘッド２２と一体に移動するヘッド用カメラ８１が取り付けられている。

また、コントロール装置２４は、プロセッサを収容したコンピュータ本体部６６と、キーボード等の入力装置６７と、ＣＲＴ等の表示装置６８とを有する。コンピュータ本体部６６には、図５に示すＣＰＵ（中央処理ユニット）６９と、各種情報を記憶するメモリである情報記録媒体７１とを備えている。

図５は、液滴吐出装置ＩＪの制御系のブロック図である。ヘッド位置制御装置１７、基板位置制御装置１８、走査駆動装置１９、送り駆動装置２１、及び、ヘッド２２内の圧電素子４１（図４（ｂ）参照）を駆動するヘッド駆動回路７２の各機器は、図５に示すように、入出力インターフェイス７３及びバス７４を介してＣＰＵ６９に接続されている。また、基板供給装置２３、入力装置６７、表示装置６８、キャッピング装置７６、クリーニング装置７７及び電子天秤７８も、上記と同様に入出力インターフェイス７３及びバス７４を介してＣＰＵ６９に接続されている。

また、メモリ７１は、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）などといった半導体メモリや、ハードディスク、ＣＤ−ＲＯＭ（Ｃｏｍｐａｃｔ Ｄｉｓｋ Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｃ）、ＭＤ（ＭｉｎｉＤｉｓｃ）、などのディスク型記録媒体で、これらを用いてデータを読み取る外部記憶装置などを含む概念である。機能的には、液滴吐出装置ＩＪの動作の制御手順が記述されたプログラムソフトを記憶する記憶領域や、ヘッド２２による材料の基板１２内における吐出位置を座標データとして記憶するための記憶領域や、図２に示す送り方向Ｙへの基板１２の送り移動量を記憶するための記憶領域や、ＣＰＵ６９のためのワークエリアやテンポラリファイルなどとして機能する領域や、その他各種の記憶領域が設定される。

ＣＰＵ６９は、情報記憶媒体７１であるメモリ内に記憶されたプログラムソフトに従って、基板１２の表面の所定位置に、材料を吐出するための制御を行うものである。具体的な機能実現部としては、図５に示すように、クリーニング処理を実現するための演算を行うクリーニング演算部１５１、キャッピング処理を実現するためのキャッピング演算部１５２、電子天秤７８を用いた重量測定を実現するための演算を行う重量測定演算部１５３、及び、液滴吐出によって材料を基板１２の表面上に着弾させ、所定のパターンにて描画するための描画演算部１５４を有する。

上記描画演算部１５４には、ヘッド２２を描画のための初期位置へ設置するための描画開始位置演算部１５５、ヘッド２２を走査方向Ｘへ所定の速度で走査移動させるための制御を演算する走査制御演算部１５６、基板１２を送り方向Ｙへ所定の送り移動量だけずらすための制御を演算する送り制御演算部１５７、ヘッド２２内の複数のノズル２７のうちのいずれを作動させて材料を吐出するかを制御するための演算を行うノズル吐出制御演算部１５８などといった各種の機能演算部を有する。

なお、上述の各機能を、ＣＰＵ６９を用いるプログラムソフトによって実現しているが、上述の各機能を、ＣＰＵを用いない電子回路によって実現できる場合には、そのような電子回路を用いても構わない。

次に、液滴吐出装置ＩＪの動作を、図６に示すフローチャートに基づいて説明する。オペレータによる電源投入によって液滴吐出装置ＩＪが作動すると、最初において初期設定が実現される（ステップＳ１）。具体的には、ヘッドユニット２６や基板供給装置２３やコントロール装置２４などが予め決められた初期状態にセットされる。

次に、重量測定タイミングが到来（ステップＳ２）すると、図２に示すヘッドユニット２６を走査駆動装置１９によって、図１に示す電子天秤７８の所まで移動させる（ステップＳ３）。そして、ノズル２７から吐出される液材料の量を、電子天秤７８を用いて測定する（ステップＳ４）。さらに、このように測定されたノズル２７の液材料吐出特性に合わせて、各ノズル２７の圧電素子４１に印加する電圧を調節する（ステップＳ５）。

この後、クリーニングタイミングが到来（ステップＳ６）すれば、ヘッドユニット２６を走査駆動装置１９によってクリーニング装置７７の所まで移動させ（ステップＳ７）、そのクリーニング装置７７によってヘッド２２をクリーニングする（ステップＳ８）。

重量測定タイミングやクリーニングタイミングが到来しない場合、或いは、重量測定やクリーニングが終了した場合には、ステップＳ９において図１に示す基板供給装置２３を作動させて基板１２をテーブル４９へ供給する。具体的には、基板収容部５７内の基板１２を吸着パッド６４によって吸着保持し、昇降軸６１、第１アーム６２及び第２アーム６３を移動させて基板１２をテーブル４９まで搬送し、さらにテーブル４９の適所に予め設けてある位置決めピン５０ａ，５０ｂ（図２参照）に押し付ける。

次に、図２に示すように、撮像装置９１Ｒ，９１Ｌによって基板１２を観察しながら、θモータ５１の出力軸を微小角度単位で回転させることにより、テーブル４９を平面（水平面）内にて回転させ、基板１２を位置決めする（ステップＳ１０）。より具体的には、基板１２の左右両端にそれぞれ形成されたアライメントマークを、図２に示す上記一対の撮像装置９１Ｒ，９１Ｌ又は９２Ｒ，９２Ｌによってそれぞれ撮影し、これらのアライメントマークの撮像位置によって基板１２の平面姿勢を演算して求め、この平面姿勢に応じてテーブル４９を回転させて角度θを調整する。

この後、図１に示すヘッド用カメラ８１によって基板１２を観察しながら、ヘッド２２によって描画を開始する位置を演算によって決定する（ステップＳ１１）。そして、走査駆動装置１９及び送り駆動装置２１を適宜に作動させて、ヘッド２２を描画開始位置へ移動させる（ステップＳ１２）。

このとき、ヘッド２２は、図３に示す基準方向Ｓが走査方向Ｘに合致した姿勢となるようにしてもよく、或いは、基準方向Ｓが所定角度で走査方向に対して傾斜する姿勢となるように構成してもよい。この所定角度は、ノズル２７のピッチと、基板１２の表面上において材料を着弾させるべき位置のピッチとが異なる場合が多く、ヘッド２２を走査方向Ｘへ移動させるときに、配列方向Ｔに配列されたノズル２７のピッチの送り方向Ｙの寸法成分が基板１２の送り方向Ｙの着弾位置のピッチと幾何学的に等しくなるようにするための措置である。

図６に示すステップＳ１２でヘッド２２が描画開始位置に置かれると、ヘッド２２は走査方向Ｘへ一定の速度で直線的に走査移動される（ステップＳ１３）。この走査中において、ヘッド２２のノズル２７からインクの液滴が基板１２の表面上へ連続的に吐出される。

なお、インクの液滴の吐出量は、一度の走査によってヘッド２２がカバーすることのできる吐出範囲において全量が吐出されるように設定されていてもよいが、例えば、一度の走査によって本来吐出されるべき量の数分の一（例えば４分の一）の材料を吐出するように構成し、ヘッド２２を複数回走査する場合に、その走査範囲が送り方向Ｙに相互に部分的に重なるように設定し、全ての領域において数回（例えば４回）材料の吐出が行われるように構成してもよい。

ヘッド２２は、基板１２に対する１ライン分の走査が終了（ステップＳ１４）すると、反転移動して初期位置へと復帰し（ステップＳ１５）、送り方向Ｙに所定量（設定された送り移動量だけ）移動する（ステップＳ１６）。その度、ステップＳ１３で再び走査され、材料が吐出され、これ以降、上記の動作を繰り返し行って、複数ラインに亘って走査が行われる。ここで、１ライン分の走査が終了すると、そのまま送り方向Ｙに所定量移動し、反転して、逆向きに走査されるというように、交互に走査方向を反転させるように駆動してもよい。

ここで、後述するように、基板１２内に複数のカラーフィルタが形成される場合について説明すると、基板１２内のカラーフィルタ領域一列分について全て材料の吐出が完了する（ステップＳ１７）と、ヘッド２２は所定量送り方向Ｙに移動し、再び上記と同様にステップＳ１３〜ステップＳ１６までの動作を繰り返す。そして、最終的に基板１２上の全列のカラーフィルタ領域に対して材料の吐出が終了する（ステップＳ１８）と、ステップＳ２０において基板供給装置２３又は別の搬出機構によって、処理後の基板１２が外部へ排出される。その後、オペレータから作業終了の指示がない限り、上記のように基板１２の供給と、材料吐出作業を繰り返し行う。ステップＳ１８においてＣＦ全列終了しなかったときには、次列ＣＦ域へ移動して、（ステップＳ１９）再びステップＳ１３〜ステップＳ１８までの動作を繰り返す。

オペレータから作業終了の指示がある（ステップＳ２１）と、ＣＰＵ６９は図１においてヘッド２２をキャッピング装置７６の所まで搬送し、そのキャッピング装置７６によってヘッド２２に対してキャッピング処理を施す（ステップＳ２２）。

以上説明した液滴吐出装置は、本発明に係る配置方法や製造方法において用いることができるものであるが、本発明はこれに限られることはなく、液滴を吐出し、所定の着弾予定位置に着弾させることができるものであれば、如何なる装置を用いることも可能である。

なお、本発明においては、上記液滴吐出装置のヘッドなどの液滴吐出ヘッドを、上記領域の長手方向（例えば、実質的に矩形状の領域若しくは開口部であればその長辺が伸びる方向、実質的に帯状の領域若しくは開口部であればその伸びる方向）に走査して複数の液滴を順次吐出させていくことが好ましい。

＜ＥＬ発光パネルの構造及びその製造方法＞
次に、図７及び図８を参照して、ＥＬ発光パネル２５２及びその製造方法について説明する。ここで、図７（ａ）〜（ｈ）は、ＥＬ発光パネル２５２の製造工程を示す工程断面図であり、図８は、ＥＬ発光パネル２５２の製造工程の手順を示す概略フローチャートである。

図７（ａ）に示すように、ＥＬ発光パネル２５２を製造する場合には、透光性のガラスやプラスチック等で構成された基板１２上に、第１電極２０１を形成する。ＥＬ発光パネル２５２がパッシブマトリクス型である場合には第１電極２０１は帯状に形成され、また、基板１２上に図示しないＴＦＤ素子やＴＦＴ素子といった能動素子を形成してなるアクティブマトリクス型である場合には第１電極２０１は表示ドット毎に独立して形成される。これらの構造の形成方法としては、例えばフォトリソグラフィ法、真空蒸着法、スパッタリング法、パイロゾル法などを用いることができる。第１電極２０１の材料としてはＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ・Ｏｘｉｄｅ）、酸化スズ、酸化インジウムと酸化亜鉛との複合酸化物などを用いることができる。

次に、図７（ｂ）に示すように、第１電極２０１上に、上記カラーフィルタ基板の場合と同様に放射線感応性素材６Ａ（ポジ型）を同様の方法で塗布する（図８のステップＳ３１）。そして、図７（ｃ）に示すように、上記と同様の方法で、放射線照射（露光）処理（図８のステップＳ３２）及び現像処理（図８のステップＳ３３）を行い、隔壁（バンク）６Ｂを形成する。

このバンク６Ｂは、格子状に形成され、各表示ドットに形成された第１電極２０１の間を隔てるように、すなわち、表示ドットに対応するＥＬ発光部形成領域７が構成されるように、形成される。また、上記カラーフィルタ基板の場合と同様に、遮光機能をも有することが好ましい。この場合には、コントラストの向上、発光材料の混色の防止、画素と画素との間からの光漏れなどを防止することができる。隔壁６Ｂの材料としては、基本的に上記カラーフィルタ基板の隔壁に採用された各種の素材を用いることができる。ただし、この場合には特に、後述するＥＬ発光材料の溶媒に対して耐久性を有するものであることが望ましく、さらに、フロロカーボンガスプラズマ処理によりテトラフルオロエチレン化できること、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、感光性ポリイミドなどといった有機材料が好ましい。

次に、機能性液状体としての正孔注入層用材料２０２Ａを塗布する直前に、基板１２に酸素ガスとフロロカーボンガスプラズマの連続プラズマ処理を行う。これにより、ポリイミド表面は撥水化され、ＩＴＯ表面は親水化され、液滴を微細にパターニングするための基板側の濡れ性の制御ができる。プラズマを発生する装置としては、真空中でプラズマを発生する装置でも、大気中でプラズマを発生する装置でも同様に用いることができる。また、このプロセスとは別に、或いは、このプロセスの代りに、上記隔壁６Ｂに２００℃程度にてベーク（焼成）処理を施す（図８のステップＳ３４）。これによって、隔壁６Ｃが形成される。

次に、図７（ｄ）に示すように、正孔注入層用材料２０２Ａを液滴８の形で吐出し、領域７に着弾させる（図８のステップＳ３５）。この正孔注入層用材料２０２Ａは、正孔注入層としての素材を溶媒などによって液状化したものである。

次に、図７（ｅ）に示すように、ベーク処理として真空（１〜０．０１Ｐａ）中、６０℃、１５分という条件で、発光層用材料と相溶しない正孔注入層２０２を形成する（図８のステップＳ３６）。なお、上記条件では、正孔注入層２０２の膜厚は４０ｎｍであった。

次に、図７（ｆ）に示すように、各領域７内の正孔注入層２０２の上に、機能性液状体であるＥＬ発光材料としてのＲ発光層用材料、Ｇ発光層用材料、Ｂ発光層用材料を上記と同様に液滴として導入する（図８のステップＳ３７）。そして、これら発光層用材料の塗布後、ベーク処理として、真空（１〜０．０１Ｐａ）中、６０℃、５０分などという条件で溶媒を除去してＲ色発光層２０３Ｒ、Ｇ色発光層２０３Ｇ、Ｂ色発光層２０３Ｂを形成した（図８のステップＳ３８）。熱処理により形成された発光層は溶媒に不溶である。なお、上記条件により形成されたＲ色発光層２０３Ｒ、Ｇ色発光層２０３Ｇ、Ｂ色発光層２０３Ｂの膜厚は５０ｎｍであった。

なお、発光層を形成する前に正孔注入層２２０に酸素ガスとフロロカーボンガスプラズマの連続プラズマ処理を行っても良い。これにより、正孔注入層２２０上にフッ素化物層が形成され、イオン化ポテンシャルが高くなることにより正孔注入効率が増し、発光効率の高い有機ＥＬ装置を提供できる。

図７（ｇ）に示すように、Ｂ色発光層２０３Ｂを重ねて配置することにより、Ｒ、Ｇ、Ｂの３原色を形成するのみならず、Ｒ色発光層２０３ＲおよびＧ色発光層２０３Ｇとバンク６Ｃとの段差を埋めて平坦化することができる。これにより、上下電極間のショートを確実に防ぐことができる。一方、Ｂ色発光層２０３Ｂの膜厚を調整することで、Ｂ色発光層２０３ＢはＲ色発光層２０３ＲおよびＧ色発光層２０３Ｇとの積層構造において、電子注入輸送層として作用してＢ色には発光しない。以上のようなＢ色発光層２０３Ｂの形成方法としては、例えば湿式法として一般的なスピンコート法を採用することもできるし、あるいは、Ｒ色発光層２０３ＲおよびＧ色発光層２０３Ｇの形成法と同様の方法を採用することもできる。

上記のＲ色発光層２０３Ｒ，Ｇ色発光層２０３Ｇ及びＢ色発光層２０３Ｂの配列態様としては、必要とされる表示性能に応じて、ストライプ配列、デルタ配列、モザイク配列などの公知のパターンを適宜用いることができる。

次に、上記のように各表示ドットに正孔注入層２０２、及び、Ｒ色発光層２０３Ｒ，Ｇ色発光層２０３Ｇ又はＢ色発光層２０３Ｂが形成されたＥＬ発光パネル２５２について、目視或いは顕微鏡等による観察、或いは、画像処理などによる検査を行う（図８のステップＳ３９）。そして、この検査によって各表示ドット内のＥＬ発光部（正孔注入層２０２と、Ｒ色発光層２０３Ｒ，Ｇ色発光層２０３Ｇ又はＢ色発光層２０３Ｂとの積層体によって構成される。）に不良（ドット抜け、積層構造の不良、発光部の材料の過多、塵埃等の異物の混入など）が発見された場合には、プロセスから排除される。

図７（ｈ）に示すように、この検査で不良が発見されない場合には、対向電極２１３を形成する（図８のステップＳ４０）。対向電極２１３は、それが面電極である場合には、例えば、Ｍｇ、Ａｇ、Ａｌ、Ｌｉなどを材料として、蒸着法、スパッタ法などといった成膜法を用いて形成できる。また、対向電極２１３がストライプ状電極である場合には、成膜された電極層をフォトリソグラフィ法などといったパターニング手法を用いて形成できる。最後に、図７（ｈ）に示すように、対向電極２１３の上に保護層２１４が適宜の材料（樹脂モールド材、無機絶縁膜など）によって形成される（図８のステップＳ４１）ことにより、目標とするＥＬ発光パネル２５２が製造される。

＜カラーフィルタ基板の構造及びその製造方法＞
図９（ａ）〜（ｆ）は、カラーフィルタ基板の製造工程を示す工程断面図であり、図１０は、カラーフィルタ基板の製造工程の手順を示す概略フローチャートである。

図９（ａ）に示すように、透光性を有するガラスやプラスチック等で構成された基板１２の表面上に、スピンコーティング（回転塗布）、流延塗布、ロール塗布などの種々の方法によって放射線感応性素材６Ａを塗布する（図１０に示すステップＳ５１）。この放射線感応性素材６Ａとしては、樹脂組成物であることが好ましい。塗布後における上記放射線感応性素材６Ａの厚さは、通常０．１〜１０μｍであり、好ましくは０．５〜３．０μｍである。

この樹脂組成物は、例えば、（ｉ）バインダー樹脂、多官能性単量体、光重合開始剤等を含有する、放射線の照射により硬化する放射線感応性樹脂組成物や、（ｉｉ）バインダー樹脂、放射線の照射により酸を発生する化合物、放射線の照射により発生した酸の作用により架橋し得る架橋性化合物等を含有する、放射線の照射により硬化する放射線感応性樹脂組成物などを用いることができる。これらの樹脂組成物は、通常、その使用に際して溶媒を混合して液状組成物として調製されるが、この溶媒は、高沸点溶媒でも低沸点溶媒でもよい。放射線感応性素材６Ａとしては、特開平１０−８６４５６号公報に記載されているような、（ａ）ヘキサフルオロプロピレンと不飽和カルボン酸（無水物）と他の共重合可能なエチレン性不飽和単量体との共重合体、（ｂ）放射線の照射により酸を発生する化合物、（ｃ）放射線の照射により発生した酸の作用により架橋しうる架橋性化合物、（ｄ）前記（ａ）成分以外の含フッ素有機化合物、並びに、（ｅ）前記（ａ）〜（ｄ）成分を溶解しうる溶媒、を含有する組成物であることが好ましい。

次に、放射線感応性素材６Ａに所定のパターンマスクを介して放射線を照射（露光）する（図１０のステップＳ５２）。なお、放射線とは、可視光、紫外線、Ｘ線、電子線などが含まれるが、波長が１９０〜４５０ｎｍの範囲にある放射線（光）が好ましい。

次に、放射線感応性素材６Ａを現像する（図１０のステップＳ５３）ことによって、図９（ｂ）に示す隔壁（バンク）６Ｂを形成する。この隔壁６Ｂは、上記パターンマスクに対応した形状（ネガパターン）に構成される。隔壁６Ｂの形状としては、例えば、方形状のフィルタエレメント形成領域７を平面上において縦横に配列させることのできるように画成する格子状であることが好ましい。なお、放射線感応性素材６Ａを現像するのに用いられる現像液としては、アルカリ現像液が用いられる。このアルカリ現像液としては、例えば、炭酸ナトリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、硅素ナトリウム、メタ硅素ナトリウム、アンモニア水、エチルアミン、ｎ−プロピルアミン、ジエチルアミン、ジ−ｎ−プロピルアミン、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、コリン、ピロール、ピペリジン、１，８−ジアザビシクロ［５，４，０］−７−ウンデセン、１，５−ジアザビシクロ［４，３，０］−５−ノネン等の水溶液が好ましい。このアルカリ現像液には、例えば、メタノール、エタノール等の水溶性有機溶媒や界面活性剤等を適量添加することもできる。また、アルカリ現像液による現像後は、通常、水洗が行われる。

次に、図９（ｃ）に示すように、上記隔壁６Ｂは、例えば２００℃程度にてベーク（焼成）されて隔壁６Ｃとなる（図１０のステップＳ５４）。この焼成温度は、上記の放射線感応性素材６Ａに応じて適宜調整される。また、ベーク処理を要しない場合もあり得る。なお、本実施形態では、隔壁６Ｃは遮光性の素材で構成されているために、各領域７を画成する（区画する）文字通りの隔壁としての機能と、領域７以外の部分を遮光する遮光層としての機能とを併せ持つものとなっている。もっとも、隔壁としての機能のみを有するように構成しても構わない。この場合、隔壁とは別に、金属等で構成される遮光層を別途形成してもよい。

次に、上記のようにして形成された隔壁６Ｃによって画成される各領域７に、アクリル樹脂等の基材に着色剤（顔料、染料など）を混入したフィルタエレメント材料１３（図９の例では１３Ｒ（赤の着色材），１３Ｇ（緑の着色材），１３Ｂ（青の着色材））を導入する。フィルタエレメント材料１３を各領域７に導入する方法としては、フィルタエレメント材料１３を、溶媒などを混合することによって液状材料（機能液）として形成し、この機能液を上記領域７に導入する。より具体的には、本実施形態では、後述する液滴吐出ヘッドを用いた液滴吐出によって機能液を液滴８の形態で領域７内に着弾させることによって材料の導入を行っている。

上記のフィルタエレメント材料１３は、機能液として領域７内に導入され、その後に、乾燥若しくは低温（例えば６０℃）での焼成によるプレベーク（仮焼成）を行うことによって、仮固化若しくは仮硬化される。例えば、フィルタエレメント材料１３Ｒの導入を行い（（図９（ｃ）及び図１０のステップＳ５５））、その後に、フィルタエレメント材料１３Ｒのプレベークを行ってフィルタエレメント３Ｒを形成し（図１０のステップＳ５６）、次に、フィルタエレメント材料１３Ｇの導入を行い（図９（ｄ）及び図１０のステップＳ５７）、フィルタエレメント材料１３Ｇのプレベークを行ってフィルタエレメント３Ｇを形成し（図１０のステップＳ５８）、さらに、フィルタエレメント材料１３Ｂの導入を行い（図９（ｅ）及び図１０のステップＳ５９）、しかる後に、フィルタエレメント材料１３Ｂのプレベークを行ってフィルタエレメント３Ｂを形成する（図９（ｆ）及び図１０のステップＳ６０）。このようにして、全ての色のフィルタエレメント材料１３が各領域７に導入され、仮固化若しくは仮硬化された表示要素であるフィルタエレメント３（３Ｒ，３Ｇ，３Ｂ）が形成されることにより、表示素材（カラーフィルタ基板ＣＦ）が形成される。

次に、上記のようにして構成された表示素材であるカラーフィルタ基板ＣＦを検査する（図１０のステップＳ６１）。この検査は、例えば、肉眼若しくは顕微鏡等で、上記隔壁６Ｃ及び表示要素であるフィルタエレメント３を観察する。この場合、カラーフィルタ基板ＣＦを撮影し、その撮影画像に基づいて自動的に検査を行っても構わない。この検査によって、表示要素であるフィルタエレメント３に欠陥が見つかった場合には、そのカラーフィルタ基板ＣＦを除材し、基体再生工程に移行させる。

ここで、フィルタエレメント３の欠陥とは、フィルタエレメント３が欠如している場合や（いわゆるドット抜け）、フィルタエレメント３が形成されているが、領域７内に配置された材料の量（体積）が多すぎたり少なすぎたりしている場合や、フィルタエレメント３が形成されているが、塵埃等の異物が混入していたり付着していたりする場合などである。

上記検査において表示素材に欠陥が発見されなかった場合には、例えば２００℃程度の温度でベーク（焼成）処理を行い、カラーフィルタ基板ＣＦのフィルタエレメント３（３Ｒ，３Ｇ，３Ｂ）を完全に固化若しくは硬化させる（図１０のステップＳ６２）。欠陥が発見された場合は、除材される。このベーク処理の温度はフィルタエレメント材料１３の組成等によって適宜に決定できる。また、特に高温に加熱することなく、単に通常とは異なる雰囲気（窒素ガス中や乾燥空気中等）などで乾燥若しくはエージングさせるだけでもよい。最後に、図９（ｆ）に示すように、上記フィルタエレメント３の上に透明な保護層１４が形成される。
（第１実施形態）

次に、以上説明したＥＬ発光パネルや、カラーフィルタ基板の製造工程において適用可能な本発明のベーク処理に関する要部について詳細に説明する。図１１は、ベーク処理に使用される乾燥装置の全体構成を示す概略図である。同図（ａ）は、概略平面図であり、同図（ｂ）は、概略断面図である。なお、適用可能な本発明のベーク処理工程については、図８におけるＥＬ発光パネル製造工程のステップＳ３６とステップＳ３８とである。同様に、図１０におけるカラーフィルタ製造工程のステップＳ５６とステップＳ５８とステップＳ６０とである。

図１１（ａ）（ｂ）に示すように、乾燥装置１００は、ヒータ１１２を有する加熱炉としての加熱部１１０と、基板１２を搬送可能な基板供給装置１３０と、乾燥装置１００を操作するための操作パネル１４０とで構成されている。そして、基板供給装置１３０には、基板１２を上下方向（Ｙ２方向）に送るための空圧シリンダ１３３と、基板１２を左右方向（Ｘ２方向）に送って、加熱部１１０に設けられた収容室１１９の中に基板１２を収容するための図示しない空圧シリンダとを有する。また、Ｘ２方向にスライドできるようにリニアガイド１３６がある。

基板供給装置１３０は、基板１２が配置された軸１３２とテーブル１３１とが接続されている。そして、空圧シリンダ１３３が、テーブル１３１に係合されているとともに、架台１３５上に固定されている。

加熱部１１０は、その扉１１４を開くことで、基板供給装置１３０から送られてきた基板１２を収容室１１９の中に収容できる。収容室１１９の中には、基板１２を載せるための台１１１が配置されている。そして、この収容室１１９には、基板１２の上に複数のヒータ１１２が配置されている。このヒータ１１２の通電をＯＮにすることによって、収容室１１９内と基板１２とが加熱される。また、ヒータ１１２の近傍には、収容室１１９内の温度を監視するための熱電対１１３が、配置されている。

収容室１１９内の真空度を確保するためには、減圧ポンプ１１６を作動させて収容室１１９内を大気圧から減圧していく。この減圧ポンプ１１６は、架台１２０の上に配置されている。また、この減圧ポンプ１１６を作動させると、収容室１１９内に存在するガスが、乾燥装置１００の外側に排気されるようになっている。そして、減圧ポンプ１１６が作動することで、収容室１１９内が減圧される。このガスを排気するための排気ダクト１１５が、減圧ポンプ１１６と接続されていて、図示しない方法で架台１２０に固定されている。

また、収容室１１９内の真空度をチェックするための圧力センサ１１７が、図示しない方法で架台１２０に固定されている。また、収容室１１９内の漏れ電流を検出するための漏電量検出装置１１８が、図示しない方法で操作パネル１４０内に固定されている。さらに、乾燥装置１００は、この乾燥装置１００を操作するための操作パネル１４０（図１１（ａ）に示す）が、図示しない方法で架台１２０に固定されている。

図１２は、乾燥装置１００の制御系のブロック図である。図１２に示すように、操作パネル１４０、入出力装置１４１、温度制御演算部１４２の各機器は、入出力インターフェイス１４３及びバス１４４を介してＣＰＵ１４５と、ＲＡＭ１４６とに接続されている。また、減圧ポンプ１１６、圧力センサ１１７、基板供給装置１３０、漏電量検出装置１１８で入出力装置１４１と接続されている。また、ヒータ１１２、熱電対１１３で温度制御演算部１４２と接続されている。入出力装置１４１は、駆動回路やＡＤ変換器などで構成されており、圧力センサ１１７や漏電量検出装置１１８で検出された値を入出力装置１４１に入力できる。また、入出力装置１４１は、減圧ポンプ１１６や基板供給装置１３０を駆動するための出力ができる。そして、基板供給装置１３０中のバルブ、センサ、空圧シリンダを作動するためのスイッチなどを作動できる。

乾燥装置１００の構成は以上のようであって、乾燥装置１００を使用して、基板１２を乾燥する乾燥方法（ベーク）について説明する。図１３は、乾燥装置１００の動作手順を示す概略フローチャートである。図１４は、乾燥装置１００のタイミングチャートである。

作業開始の指示をすると、ＣＰＵ１４５は、入出力装置１４１に信号を送り、基板供給装置１３０が作動して、基板１２を台１１１の所まで搬送し、ヒータ１１２によって基板１２に対して減圧下で乾燥処理を施す（図１１（ａ）（ｂ）参照）。より具体的な乾燥方法について、詳細を以下に記す。

乾燥装置１００に備えられた操作パネル１４０を操作して、ヒータ１１２の通電をＯＮにして、炉内ヒータＯＮにする（図１３のステップＳ７１）。その後に、収容室１１９内の温度が、設定温度に到達したかどうかを熱電対１１３にて検出する（図１３のステップＳ７２）。検出温度が設定温度（この場合６０℃）に達していなければ、加熱を継続する。

収容室１１９内の温度が、設定温度に到達したら、扉１１４が開いている状態で、入出力装置１４１に備えられた基板供給装置１３０が作動して、空圧シリンダ１３３が上下方向（Ｙ２方向）に移動し、さらに、図示しない空圧シリンダが、左右方向（Ｘ２方向）に移動して、収容室１１９内に備えられた台１１１の上に基板１２を配置して、扉１１４を閉じて基板供給する（図１３のステップＳ７３）。

次に、減圧ポンプ１１６が作動して、収容室１１９内を大気圧から減圧していき、圧力制御開始する（図１３のステップＳ７４）。収容室１１９内が、所定の温度になるまで待機し温度制御開始する（図１３のステップＳ７５）。

漏電検出装置１１８の検出信号によって放電領域Ｈ１に入ったのを判断する。放電開始圧力Ａ１のときの漏れ電流値をＲＡＭ１４６に記憶しておき、漏れ電流値が、許容範囲内であるかどうか、図１２に示す漏電量検出装置１１８を用いて漏電量許容範囲内かを検出する（図１４の放電開始圧力Ａ１、図１３のステップＳ７６）。漏れ電流値が、許容範囲内であれば、収容室１１９内を減圧及び加熱することができる。そして、漏れ電流値が放電開始圧力Ａ１を超えたらヒータ１１２の通電をＯＦＦにする。すなわち、温度制御停止となる（図１３のステップＳ７７）。ヒータ１１２を切ると、放電領域Ｈ１における漏れ電流が下がり、図１４に示す放電開始圧力Ａ１の位置から下がってくる。そこで、放電終了圧力Ｂ１のときの圧力値をＲＡＭ１４６に記憶しておき、収容室１１９内の圧力が、放電終了圧力Ｂ１まで下がったかどうかを検出する（図１３のステップＳ７８）。収容室１１９内の圧力が高ければ、収容室１１９内の減圧を継続できる。

圧力が、放電終了圧力Ｂ１まで下がったら、再度、ヒータ１１２の通電をＯＮにして、収容室１１９内を加熱して温度制御開始する（図１３のステップＳ７９）。減圧下で所定の時間だけ、基板１２を乾燥処理する（図１３のステップＳ８０）。そして、所定の時間だけ乾燥処理した後に、ヒータ１１２の通電をＯＦＦにして温度制御停止する（図１３のステップＳ８１）。同時に、減圧ポンプ１１６を停止（昇圧）して圧力制御停止する（図１３のステップＳ８２）。

最後に、乾燥装置１００の扉１１４を開いて、収容室１１９内から基板１２を排出する（図１３のステップＳ８３）。

なお、図１２に示す収容室１１９の温度を検出するための熱電対１１３と、加熱するためのヒータ１１２と接続されている温度制御演算部１４２は、熱電対１１３の検出結果によって、温度を演算して収容室１１９内を温度制御する。そして、圧力センサ１１７と、減圧ポンプ１１６と接続されている入出力装置１４１は、圧力センサ１１７の検出結果によって、収容室１１９内を圧力制御する。これらの機能を、ＣＰＵ１４５を用いるプログラムソフトによって実現している。また、ＲＡＭ１４６は、乾燥装置１００の動作の制御手順が記述されたプログラムソフトを記憶する記憶領域や、収容室１１９内の温度や圧力などのデータを記録できる。

図１４のタイミングチャートにおいて、同図左側の縦軸が、温度（℃）と漏れ電流（ｍＡ）とを示し、同図右側の縦軸が、圧力（Ｐａ）を示す。同図における横軸は、減圧ポンプ１１６とヒータ１１２との通電をＯＮ又はＯＦＦにする切り替えのタイミングを経時的に表すものである。そして、図１４の上段には、温度と圧力と漏れ電流とを示している。同図において、実線が温度の経時変化を示し、破線が圧力の経時変化を示し、一点鎖線が漏れ電流の経時変化を示す。

ヒータ１１２の通電をＯＮにして、収容室１１９内を室温から処理温度（この場合、約６０℃）まで加熱していくと、実線で示す温度の経時変化曲線が得られる。次に、一旦ヒータ１１２の通電をＯＦＦにして、扉１１４を開けて収容室１１９内に基板１２を収容する。

扉１１４を閉じ、再びヒータ１１２の通電をＯＮにして、収容室１１９内を加熱する。次に、減圧ポンプ１１６を作動して、収容室１１９内を減圧する。収容室１１９内の真空度が上昇していき、破線で示した圧力の経時変化曲線のように、収容室１１９内の圧力が下がっていく。そして、一点鎖線で示す漏れ電流の経時変化曲線と破線で示した圧力の経時変化曲線とが交差する点が、漏れ電流（放電電流値）が最大許容値（８０ｍＡ）を超える放電開始圧力Ａ１となる。そして、さらに減圧を続けると、収容室１１９内の圧力が下がっていき、放電が終了する放電終了圧力Ｂ１になる。引き続き減圧すると、安定した乾燥処理が可能な、乾燥処理圧力となり、この圧力値が０．０１Ｐａになる。そして、放電開始圧力Ａ１と放電終了圧力Ｂ１との間が、放電をしている放電領域Ｈ１となる。

漏電遮断器の定格感度電流を１００ｍＡに設定しておき、この漏電遮断器が働くと装置が停止するようになっている。

基板１２を乾燥しているときに、乾燥装置１００が停止しないように、放電開始圧力Ａ１での漏れ電流の検出値を、定格感度電流１００ｍＡに対して、その約８０％とした（８０ｍＡ）。そして、この漏れ電流の検出値がＲＡＭ１４６に予め設定されている。同様に、放電終了するときの圧力の検出値が１Ｐａであって、この値がＲＡＭ１４６に予め設定されている。そして、漏れ電流の最大許容値が８０ｍＡに到達したら、ヒータ１１２の通電がＯＦＦになり、放電終了圧力Ｂ１の圧力値が１Ｐａに到達したら、ヒータ１１２の通電がＯＮになる。

なお、漏れ電流の検出値は、８０ｍＡ（約８０％）に限定されることはなく、任意に設定できる。例えば、検出値を８０ｍＡより低く設定しておけば、放電領域Ｈ１の範囲が狭くなるから、万一、過渡的にヒータ１１２に通常以上の電流が流れても、漏電遮断器が働いて装置が停止する確率を低減できる。一方、検出値を８０ｍＡより高く設定しておけば、放電領域Ｈ１の範囲が広がるから、余裕ができるので、一時的に温度が不安定になる期間を短くできるので製品品質への影響を少なくできる。また、放電終了圧力Ｂ１の圧力の検出値は１Ｐａに限定されることはなく、任意に設定できる。例えば、検出値を１Ｐａより低く設定しておけば、放電領域Ｈ１の範囲が広がるから、万一、過渡的にヒータ１１２に通常以上の電流が流れても、漏電遮断器が働いて装置が停止する確率を低減できる。一方、検出値を１Ｐａより高く設定しておけば、放電領域Ｈ１の範囲が広がるから、余裕ができるので、一時的に温度が不安定になる期間を短くできるので製品品質への影響を少なくできる。しかも、ヒータ１１２の通電を早くＯＮにすることができるので、より早く基板１２を乾燥できる。

次に、乾燥処理圧力０．０１Ｐａ、かつ、温度６０℃のもとで、基板１２を所定の時間（この場合、約１５分）加熱乾燥する。所定の時間が経過したら、減圧ポンプ１１６とヒータ１１２とをＯＦＦにする。収容室１１９内の温度が下がり、収容室１１９内が大気圧になったら、基板１２を取り出すことができる。

以上のような第１実施形態では、次のような効果が得られる。

（１）減圧ポンプ１１６とヒータ１１２とを作動させて、収容室１１９内を減圧しながら基板１２を加熱乾燥するときに、発生した漏れ電流が最大許容値を超える放電領域に到達する前に、ヒータ１１２の電源を切ることができるから、漏電遮断器が働いて装置が停止するのを回避できるので、製品品質への影響を少なくできる。
（２）温度制御演算部がヒータ１１２の通電を再度入れることができるから、乾燥処理中の基板１２の品質が変化することなく乾燥処理が継続してできるので、安定した品質を提供できる。
（３）漏れ電流値を確認してヒータ１１２を切ることができるから、最大許容電流値に達したら温度制御を正確にできるので、ヒータ１１２の通電を切るタイミングに起因して漏電遮断器が停止することがない。
（第２実施形態）

次に、本発明の第２実施形態について説明する。第２実施形態は、前述の第１実施形態における検出方法が異なるものであって、通電を切るときに、漏れ電流値に変えて圧力値で検出している点が異なる。なお、前述の第１実施形態と同じ乾燥装置１００を使用したので、説明を省略する。

第２実施形態としての乾燥方法（ベーク）について説明する。図１５は、乾燥装置１００の動作手順を示す概略フローチャートである。図１６は、乾燥装置１００のタイミングチャートである。

乾燥装置１００に備えられた操作パネル１４０を操作して、ヒータ１１２の通電をＯＮにして炉内ヒータＯＮにする（図１５のステップＳ９１）。その後に、収容室１１９内の温度が設定温度に到達したかどうかを熱電対１１３にて検出する（図１５のステップＳ９２）。検出温度が設定温度（この場合６０℃）に達していなければ、加熱を継続する。

収容室１１９内の温度が、設定温度に到達したら、扉１１４が開いている状態で、入出力装置１４１に備えられた基板供給装置１３０が作動して、空圧シリンダ１３３が上下方向（Ｙ２方向）に移動し、さらに、図示しない空圧シリンダが、左右方向（Ｘ２方向）に移動して、収容室１１９内に備えられた台１１１の上に基板１２を配置して、扉１１４を閉じて基板供給する（図１５のステップＳ９３）。

次に、減圧ポンプ１１６が作動して、収容室１１９内を大気圧から減圧していき、圧力制御開始する（図１５のステップＳ９４）。収容室１１９内が、所定の温度になるまで待機して温度制御開始する（図１５のステップＳ９５）。

放電領域Ｈ２における放電開始圧力Ａ２の圧力検出値が、許容範囲内であるかを検出する（図１６の放電開始圧力Ａ２、図１５のステップＳ９６）。圧力が高ければ、収容室１１９内を減圧することができる。そして、圧力検出値が放電開始圧力Ａ２を超えたら、ヒータ１１２の通電をＯＦＦにして温度制御停止する（図１５のステップＳ９７）。ヒータ１１２の通電をＯＦＦにすると、放電領域Ｈ２における圧力が、放電開始圧力Ａ２から下がってくる。圧力が放電終了圧力Ｂ２まで下がったかどうか、図１２に示す圧力センサ１１７を用いて検出する（図１５のステップＳ９８）。圧力が高ければ、収容室１１９内を減圧することができる。

圧力が放電終了圧力Ｂ２まで下がったら、再度、ヒータ１１２の通電をＯＮにして、収容室１１９内を加熱して温度制御開始する（図１５のステップＳ９９）。減圧下で所定の時間だけ、基板１２を乾燥処理する（図１５のステップＳ１００）。そして、所定の時間だけ乾燥処理した後に、ヒータ１１２の通電をＯＦＦにして温度制御停止する（図１５のステップＳ１０１）。同時に、減圧ポンプ１１６を停止（昇圧）して圧力制御停止する（図１５のステップＳ１０２）。

最後に、乾燥装置１００の扉１１４を開いて、収容室１１９内から基板１２を排出する（図１５のステップＳ１０３）。

図１６のタイミングチャートにおいて、同図左側の縦軸が温度（℃）を示し、同図右側の縦軸が圧力（Ｐａ）を示す。横軸は、減圧ポンプ１１６とヒータ１１２のＯＮ又はＯＦＦの切り替えのタイミングを経時的に表すものである。そして、図１６の上段の温度と圧力とを示した図において、実線が温度の経時変化を示し、破線が圧力の経時変化を示す。

ヒータ１１２の通電をＯＮにして、収容室１１９内を室温から処理温度（この場合、約６０℃）まで加熱する。次に、一旦ヒータ１１２の通電をＯＦＦにして、扉１１４を開けて収容室１１９内に基板１２を収容する。

扉１１４を閉じ、再びヒータ１１２の通電をＯＮにして、収容室１１９内を加熱する。次に、減圧ポンプ１１６が作動して、収容室１１９内を減圧する。収容室１１９内の真空度が上昇していき、破線で示した圧力の経時変化曲線のように、収容室１１９内の圧力が下がっていく。放電が開始する放電開始圧力Ａ２の圧力値が、１０００Ｐａになる。さらに減圧すると、収容室１１９内の圧力が下がっていき、放電が終了する放電終了圧力Ｂ２になる。この放電終了圧力Ｂ２の圧力値が１Ｐａになる。引き続き減圧すると、安定した乾燥処理が可能な乾燥処理圧力となり、この圧力値が０．０１Ｐａになる。そして、放電開始圧力Ａ２と放電終了圧力Ｂ２との間が、放電をしている放電領域Ｈ２となる。

なお、収容室１１９内の真空度が上昇して放電が開始するときの放電開始圧力Ａ２が１０００Ｐａであって、この圧力の検出値が圧力センサ１１７に予め設定されている。また、放電終了するときの放電終了圧力Ｂ２が１Ｐａであって、この圧力の検出値が圧力センサ１１７に予め設定されている。そして、放電開始圧力Ａ２が１０００Ｐａに到達したら、ヒータ１１２の通電がＯＦＦになり、放電終了圧力Ｂ２が１Ｐａに到達したら、ヒータ１１２の通電がＯＮになる。

なお、放電開始圧力Ａ２での圧力の検出値は、１０００Ｐａに限定されることはなく、任意に設定できる。例えば、圧力の検出値を１０００Ｐａより高く設定しておけば、放電領域Ｈ２の範囲が広くなるから、万一、過渡的にヒータ１１２に通常以上の漏れ電流が流れても、漏電遮断器が働いて装置が停止する確率を低減できる。一方、圧力の検出値を１０００Ｐａより低く設定しておけば、炉内ヒータをＯＦＦする時間が短くなり、一時的に温度が不安定になる期間を短くできるので製品品質への影響を少なくできる。また、放電終了圧力Ｂ２の圧力の検出値は１Ｐａに限定されることはなく、任意に設定できる。例えば、圧力の検出値を１Ｐａより低く設定しておけば、放電領域Ｈ２の範囲が広がるから、万一、過渡的に漏れ電流が流れても、漏電遮断器が働いて装置が停止する確率を低減できる。一方、圧力の検出値を１Ｐａより高く設定しておけば、放電領域Ｈ１の範囲が広がるから、余裕ができるので、一時的に温度が不安定になる期間を短くできるので製品品質への影響を少なくできる。しかも、ヒータ１１２の通電を早くＯＮにすることができるので、より早く基板１２を乾燥できる。

次に、乾燥処理圧力０．０１Ｐａ、かつ、温度６０℃のもとで、基板１２を所定の時間（この場合、約１５分）加熱乾燥する。所定の時間が経過したら、減圧ポンプ１１６とヒータ１１２との通電をＯＦＦにする。収容室１１９内の温度が下がり、収容室１１９内が大気圧になったら、基板１２を取り出すことができる。

以上のような第２実施形態では、前述の第１実施形態と同様の効果が得られる他に以下の効果が得られる。

（４）圧力センサ１１７を用いることで、ヒータ１１２の通電をＯＮ又はＯＦＦに切り替えることができるから、漏電量検出装置１１８を使用しなくてもよい。したがって、乾燥装置１００の構成が簡単になる。

以上、好ましい実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記各実施の形態に限定されるものではなく、以下に示すような変形をも含み、本発明の目的を達成できる範囲で、他のいずれの具体的な構造および形状に設定できる。

（変形例１）前述の第１実施形態又は第２実施形態で使用される乾燥装置１００は、上述のＥＬ装置や、カラーフィルタに限定されるものではない。例えば、ＦＥＤ（Ｆｉｅｌｄ・Ｅｍｉｓｓｉｏｎ・Ｄｉｓｐｌａｙ：フィールドエミッションディスプレイ）などの電子放出装置、ＰＤＰ（Ｐｌａｓｍａ・Ｄｉｓｐｌｙ・Ｐａｎｅｌ：プラズマディスプレイパネル）、電気泳動装置すなわち荷電粒子を含有する機能性液状体である材料を各画素の隔壁間の凹部に吐出し、各画素を上下に挟持するように配設される電極間に電圧を印加して荷電粒子を一方の電極側に寄せて各画素での表示をする装置、薄型のブラウン管、ＣＲＴ（Ｃａｔｈｏｄｅ―Ｒａｙ・Ｔｕｂｅ：陰極線管）ディスプレイなど、基板（基材）を有し、その上方の領域に所定の層を形成する工程を有する様々な表示装置（電気光学装置）に用いることができる。

（変形例２）また、乾燥装置１００が製造に使用されるのは、前述の基板に限らない。例えば、基板以外の固形物でもよい。このようにすれば、色々な物を減圧しながら加熱乾燥ができるので、乾燥装置１００の用途は広い。

（変形例３）乾燥装置１００の用途は前述の乾燥作業に限らない。例えば、セラミックス及び金属などの焼結、接着剤及び樹脂の加熱硬化、流動物の加熱硬化などに使用してもよい。このようにすれば、色々な物を減圧しながら加熱ができるので、乾燥装置１００の用途は広い。

（変形例４）前述の第１実施形態及び第２実施形態では、加熱しながら減圧したが、これに限らない。例えば、順序を逆にして、減圧しながら加熱してもよい。このようにしても、第１実施形態及び第２実施形態と同様の効果が得られる。

液滴吐出装置の全体構成を示す概略斜視図。 液滴吐出装置の主要部を部分的に示す部分斜視図。 ヘッドを示す図であり、（ａ）は概略斜視図、（ｂ）はノズルの配列を示す図。 ヘッドの主要部を部分的に示す図であり、（ａ）は概略斜視図、（ｂ）は概略断面図。 液滴吐出装置の制御系のブロック図。 液滴吐出装置の動作手順を示す概略フローチャート。 （ａ）〜（ｈ）は、ＥＬ発光パネルの製造工程を示す工程断面図。 ＥＬ発光パネルの製造工程の手順を示す概略フローチャート。 （ａ）〜（ｆ）は、カラーフィルタ基板の製造工程を示す工程断面図。 カラーフィルタ基板の製造工程の手順を示す概略フローチャート。 第１実施形態の乾燥装置の全体構成を示す概略図であり、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略断面図。 乾燥装置の制御系のブロック図。 乾燥装置の動作手順を示す概略フローチャート。 乾燥装置のタイミングチャート。 第２実施形態の乾燥装置の動作手順を示す概略フローチャート。 乾燥装置のタイミングチャート。

符号の説明

１…基板としてのカラーフィルタ、３（３Ｒ、３Ｇ、３Ｂ）…表示要素及び表示層としてのフィルタエレメント、６Ａ…放射線感応性素材、６（６Ｂ、６Ｃ）…隔壁、８…液滴、１２…基体としての基板、１００…乾燥装置、１１０…加熱炉としての加熱装置、１１２…ヒータ、１１３…熱電対、１１６…減圧ポンプ、１１７…圧力検出部としての圧力センサ、１１８…漏電量検出部としての漏電量検出装置、１１９…収容室、１３０…基板供給装置、１４０…操作パネル、１４１…入出力装置、１４２…制御部としての温度制御部、１４５…ＣＰＵ、１４６…ＲＡＭ、２０２…表示要素を構成する正孔注入層、２０３…ＥＬ発光層、２５２…表示装置としてのＥＬ表示装置、Ａ（Ａ１、Ａ２）…放電開始圧力、Ｂ（Ｂ１、Ｂ２）…放電終了圧力、Ｈ（Ｈ１、Ｈ２）…放電領域。

Claims (10)

1. 被加熱体を収容可能な収容室と、前記収容室内に収容される前記被加熱体を加熱するためのヒータと、前記収容室内を減圧するための減圧ポンプとを備えた加熱炉において、
   前記収容室の圧力を検出する圧力検出部と、
   前記ヒータの通電下において収容室内を減圧することにより発生した漏れ電流を検出する漏電量検出部と、
   前記圧力検出部と前記漏電量検出部との各検出結果に基づき、前記ヒータの通電をＯＮ又はＯＦＦにする制御部と、
   を備えていることを特徴とする加熱炉。
2. 請求項１に記載の加熱炉において、
   前記制御部は、前記収容室の減圧をする減圧過程で少なくとも前記漏れ電流が許容値を超えることになる減圧領域である放電領域の間は前記ヒータの通電を停止するように制御することを特徴とする加熱炉。
3. 請求項２に記載の加熱炉において、
   前記制御部は、
   前記漏電量検出部により検出された漏れ電流が、前記許容値以下となる設定電流値に達したら、前記ヒータの通電をＯＦＦにし、
   前記圧力検出部により検出された前記収容室内の圧力が、前記放電領域の下限値未満となる設定圧力値に達したら、前記ヒータの通電をＯＮにすることを特徴とする加熱炉。
4. 請求項２に記載の加熱炉において、
   前記制御部は、前記圧力検出部により検出された前記収容室内の圧力が、前記放電領域の上限値を超える第１設定値に達したら、前記ヒータの通電をＯＦＦにし、
   前記放電領域の下限値未満となる第２設定値に達したら、前記ヒータの通電をＯＮにすることを特徴とする加熱炉。
5. 基体上の所定の領域に機能液が塗布された基板の乾燥方法であって、
   前記収容室を減圧する減圧工程と、
   前記収容室内の被加熱体をヒータで加熱する加熱工程と、
   前記ヒータの通電下で前記収容室内の減圧が進んだことにより発生した漏れ電流の検出値が、設定電流値に達したら、前記ヒータの通電をＯＦＦにする工程と、
   前記ヒータのＯＦＦ後、前記収容室内の減圧がさらに進み前記収容室内の圧力の検出値が、設定圧力値に達したら、前記ヒータの通電をＯＮにする工程と、を備えていることを特徴とする基板の乾燥方法。
6. 基体上の所定の領域に機能液が塗布された基板の乾燥方法であって、
   前記収容室を減圧する減圧工程と、
   前記収容室内の被加熱体をヒータで加熱する加熱工程と、
   前記ヒータの通電下で前記収容室内の減圧が進み前記収容室内の圧力の検出値が、第１設定値に達したら、前記ヒータの通電をＯＦＦにする工程と、
   前記ヒータの通電ＯＦＦ後、前記収容室内の減圧がさらに進み前記収容室内の圧力の検出値が、第２設定値に達したら、前記ヒータの通電をＯＮにする工程と、を備えていることを特徴とする基板の乾燥方法。
7. 請求項５に記載の基板の乾燥方法において、
   前記ヒータの通電をＯＦＦにする工程では、電流値が、８０ｍＡであることを特徴とする基板の乾燥方法。
8. 請求項６に記載の基板の乾燥方法において、
   前記ヒータの通電をＯＦＦにする工程では、圧力値が、１０００Ｐａであることを特徴とする基板の乾燥方法。
9. 請求項５又は請求項６に記載の基板の乾燥方法において、
   前記ヒータの通電をＯＮにする工程では、圧力値が、１Ｐａであることを特徴とする基板の乾燥方法。
10. 液滴吐出法によって基板上に画素を形成するデバイスの製造方法であって、
    請求項４〜請求項９のいずれか一項に記載の乾燥方法を用いたことを特徴とするデバイスの製造方法。
    

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