JP2003251243A - 描画方法、描画装置、並びにこれを備えた液晶表示装置の製造方法、有機ｅｌ装置の製造方法、電子放出装置の製造方法、ｐｄｐ装置の製造方法、電気泳動表示装置の製造方法、カラーフィルタの製造方法、有機ｅｌの製造方法、スペーサ形成方法、金属配線形成方法、レンズ形成方法、レジスト形成方法および光拡散体形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ノズル不良を迅速且つ確実に検出することを
目的とする。 【解決手段】 一連の描画動作において、検査パターン
ｋを描画する検査領域Ｋと実描画パターンｃを描画する
実描画領域Ｃとを設定した描画対象物Ｗに対し、機能液
滴吐出ヘッド７を相対的に走査しながらその複数のノズ
ル３８から機能液滴を吐出して描画を行う描画方法であ
って、複数のノズルの全てから機能液滴を吐出して検査
領域に検査パターンを描画する検査描画工程と、複数の
ノズルから選択的に機能液滴を吐出して実描画領域に実
描画パターンを描画する実描画工程と、検査パターンの
描画に基づいて、複数のノズルにおける個々のノズルの
吐出不良を検出するノズル不良検出工程と、を備えたも
のである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、機能液滴吐出ヘッ
ドを相対的に走査しながらその複数のノズルから機能液
滴を吐出して描画を行う描画方法、描画装置、並びにこ
れを備えた液晶表示装置の製造方法、有機ＥＬ装置の製
造方法、電子放出装置の製造方法、ＰＤＰ装置の製造方
法、電気泳動表示装置の製造方法、カラーフィルタの製
造方法、有機ＥＬの製造方法、スペーサ形成方法、金属
配線形成方法、レンズ形成方法、レジスト形成方法およ
び光拡散体形成方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、インクジェットプリンタなど、イ
ンクジェットヘッド（機能液滴吐出ヘッド）に同ピッチ
で配列されたノズル列から、インク（機能液滴）を吐出
することによりドットを形成する描画装置では、１のイ
ンクジェットヘッドを主走査方向および副走査方向にワ
ークに対して相対的に移動することにより、描画を行っ
ている。ところで、この種の描画装置では、機能液滴の
特性（粘度など）や気泡の混入等によりノズルの目詰ま
りが発生し、吐出不良の原因となっていた。そこで、実
際に描画を行ったときのドット抜けを防止すべく、描画
前に、ノズル不良の検出を行う種々の方策が講じられて
いる。

【０００３】その方策の一つとして、いわゆる「飛行滴
検査法」が知られている。この方法は、機能液滴吐出ヘ
ッドを検査ステージに移動させて、レーザ光の光路の上
方に来るように位置決めし、ノズルから吐出される機能
液滴がレーザ光の光路を遮ることで、正常なノズルであ
ると判断するものである。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところが、このような
「飛行滴検査法」によるノズル不良の検出方法では、検
査の度に機能液滴吐出ヘッドを検査ステージに移動させ
なければならないため、時間がかかってしまう。そのた
め、タクトタイムに大きな影響を与えていた。

【０００５】本発明は、ノズル不良を迅速且つ確実に検
出可能な描画方法、描画装置、並びにこれを備えた液晶
表示装置の製造方法、有機ＥＬ装置の製造方法、電子放
出装置の製造方法、ＰＤＰ装置の製造方法、電気泳動表
示装置の製造方法、カラーフィルタの製造方法、有機Ｅ
Ｌの製造方法、スペーサ形成方法、金属配線形成方法、
レンズ形成方法、レジスト形成方法および光拡散体形成
方法を提供することを課題としている。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明の描画方法は、一
連の描画動作において、検査パターンを描画する検査領
域と実描画パターンを描画する実描画領域とを設定した
描画対象物に対し、機能液滴吐出ヘッドを相対的に走査
しながらその複数のノズルから機能液滴を吐出して描画
を行う描画方法であって、複数のノズルの全てから機能
液滴を吐出して検査領域に検査パターンを描画する検査
描画工程と、複数のノズルから選択的に機能液滴を吐出
して実描画領域に実描画パターンを描画する実描画工程
と、検査パターンの描画に基づいて、複数のノズルにお
ける個々のノズルの吐出不良を検出するノズル不良検出
工程と、を備えたことを特徴とする。

【０００７】また、本発明の描画装置は、一連の描画動
作において、検査パターンを描画する検査領域と実描画
パターンを描画する実描画領域とを設定した描画対象物
に対し、機能液滴吐出ヘッドを相対的に走査しながらそ
の複数のノズルから機能液滴を吐出して描画を行う描画
装置であって、複数のノズルの全てから機能液滴を吐出
して検査領域に検査パターンを描画する検査描画手段
と、複数のノズルから選択的に機能液滴を吐出して実描
画領域に実描画パターンを描画する実描画手段と、検査
パターンの描画に基づいて、複数のノズルにおける個々
のノズルの吐出不良を検出するノズル不良検出手段と、
を備えたことを特徴とする。

【０００８】この構成によれば、描画対象物上に設定さ
れた検査領域に描画される検査パターンの描画に基づい
て、複数のノズルにおける個々のノズルの吐出不良を検
出するため、機能液滴吐出ヘッドを、ノズル検査のため
の別ステージに移動することなく、迅速にノズル不良を
検出することができる。したがって、タクトタイムに影
響を与えずに、個々のノズルの吐出不良を検出すること
ができる。なお、この場合の、ノズルの吐出不良の検出
は、飛行液滴法等により行われても良い。

【０００９】この場合、検査領域は、機能液滴吐出ヘッ
ドの走査方向において、実描画領域の走査開始側に設定
した前検査領域および／または走査終了側に設定した後
検査領域を有することが好ましい。

【００１０】この構成によれば、機能液滴吐出ヘッドの
走査方向において、実描画領域の走査開始側に設定した
前検査領域および／または走査終了側に設定した後検査
領域に描画される検査パターンの描画に基づいて、ノズ
ル不良を検出することができる。

【００１１】これらの場合、描画領域は、機能液滴吐出
ヘッドの走査方向において、間隙を存して設けた複数の
チップ領域を有し、検査領域は、複数のチップ領域の各
間隙に設定した中間検査領域を有することが好ましい。

【００１２】この構成によれば、複数のチップ領域の各
間隙に設定した中間検査領域に描画される検査パターン
の描画に基づいて、ノズル不良を検出することができ
る。

【００１３】この場合、各チップ領域は、能動素子形成
領域であり、各間隙は各能動素子形成領域を分断するた
めの切断領域であることが好ましい。

【００１４】この構成によれば、各能動素子形成領域を
分断するための切断領域を、検査領域として利用するこ
とができる。すなわち、検査パターンを描画するための
特別な領域を必要とすることなく、ノズル不良を検出す
ることができる。なお、「切断領域」とは、切断する
（分断する）際の切断部分（切断線）を指すものではな
く、各能動素子形成領域外の領域（間隙部分全て、すな
わち切断部分を含む）を指すものである。

【００１５】これらの場合、ノズル不良検出工程は、描
画した検査パターンを画像認識する画像認識工程と、認
識した検査パターンのドット抜け部分から不良ノズルを
特定する不良ノズル特定工程とを有することが好まし
い。

【００１６】また、これらの場合、ノズル不良検出手段
は、描画した検査パターンを画像認識する画像認識手段
と、認識した検査パターンのドット抜け部分から不良ノ
ズルを特定する不良ノズル特定手段とを有することが好
ましい。

【００１７】この構成によれば、描画した検査パターン
を画像認識し、認識した検査パターンのドット抜け部分
から確実に不良ノズルを特定することができる。すなわ
ち、実際に機能液滴を吐出して検査パターンを描画した
結果を画像認識するため、機能液滴の飛行曲がり等によ
り、適切な着弾位置に機能液滴が着弾しないような場合
でも、ノズル不良として検出することができる。

【００１８】この場合、画像認識工程は、検査パターン
を撮像する単一の画像認識カメラを用い、これを走査方
向に直交する方向に移動させて行われることが好まし
い。

【００１９】また、この場合、画像認識手段は、検査パ
ターンを撮像する単一の画像認識カメラを用い、これを
走査方向に直交する方向に移動させて行われることが好
ましい。

【００２０】この構成によれば、単一の画像認識カメラ
を、走査方向に直交する方向に移動させることで、検査
パターンの画像認識を行うことができる。すなわち、単
一の画像認識カメラで画像認識するため、安価で装置を
構成することができる。また、画像認識カメラを、走査
方向に直交する方向に移動させることで、検査パターン
を効率よく画像認識することができる。

【００２１】この場合、画像認識工程は、検査パターン
を走査方向に直交する方向に区間割りして撮像する複数
の画像認識カメラを用い、これらを同方向に移動させて
行われることが好ましい。

【００２２】また、この場合、画像認識手段は、検査パ
ターンを走査方向に直交する方向に区間割りして撮像す
る複数の画像認識カメラを用い、これらを同方向に移動
させて行われることが好ましい。

【００２３】この構成によれば、検査パターンを走査方
向に直交する方向に区間割りして撮像する複数の画像認
識カメラを用い、これらを同方向に移動させさせること
で、検査パターンの画像認識を行うことができる。すな
わち、複数の画像認識カメラで画像認識するため、迅速
に画像認識することができる。また、画像認識カメラ
を、走査方向に直交する方向に移動させることで、検査
パターンを効率よく画像認識することができる。

【００２４】これらの場合、画像認識カメラは、機能液
滴吐出ヘッドの走査方向における走査開始側および走査
終了側に配設されていることが好ましい。

【００２５】この構成によれば、画像認識カメラが、機
能液滴吐出ヘッドの走査方向における走査開始側および
走査終了側に配設されているため、機能液滴吐出ヘッド
の往走査だけでなく、復走査でも描画を行う場合であっ
ても、検査パターンの画像認識を行うことができる。

【００２６】これらの場合、ノズル不良検出工程におけ
る検出結果に基づいて、実描画パターンにドット抜けが
存在するか否かを判別するドット抜け判別工程と、ドッ
ト抜けが存在すると判別された場合にドット抜けを修復
する修復工程とを、更に備えることが好ましい。

【００２７】また、これらの場合、ノズル不良検出手段
における検出結果に基づいて、実描画パターンにドット
抜けが存在するか否かを判別するドット抜け判別手段
と、ドット抜けが存在すると判別された場合にドット抜
けを修復する修復手段とを、更に備えることが好まし
い。

【００２８】この構成によれば、ノズル不良の検出結果
に基づいて、実描画パターンにドット抜けが存在するか
否かを判別し、ドット抜けが存在すると判別された場合
にドット抜けを修復するため、実描画パターンのドット
抜けを無くすことができる。

【００２９】この場合、修復工程は、少なくとも検査対
象となった検査パターンの描画に先行して描画された、
実描画パターンに対して行われることが好ましい。

【００３０】また、この場合、修復手段は、少なくとも
検査対象となった検査パターンの描画に先行して描画さ
れた、実描画パターンに対して行われることが好まし
い。

【００３１】この構成によれば、少なくともノズル不良
が検出された検査パターンの描画に先行して描画され
た、実描画パターンのドット抜けを修復するため、実描
画パターンのドット抜けをより確実に無くすことができ
る。

【００３２】この場合、修復工程は、吐出不良が検出さ
れたノズル以外の正常ノズルで行われることが好まし
い。

【００３３】また、この場合、修復手段は、吐出不良が
検出されたノズル以外の正常ノズルで行われることが好
ましい。

【００３４】この構成によれば、吐出不良が検出された
ノズル以外の正常ノズルで修復を行うため、ノズルを変
更するだけで容易に修復することができる。

【００３５】これらの場合、ノズル不良検出工程におい
て吐出不良のノズルが検出された場合に、検査対象とな
った検査パターンの描画に後行して描画される実描画パ
ターンに対し、吐出不良が検出されたノズル以外の正常
ノズルで描画する修正描画工程を、更に備えることが好
ましい。

【００３６】また、これらの場合、ノズル不良検出手段
において吐出不良のノズルが検出された場合に、検査対
象となった検査パターンの描画に後行して描画される実
描画パターンに対し、吐出不良が検出されたノズル以外
の正常ノズルで描画する修正描画手段を、更に備えるこ
とが好ましい。

【００３７】この構成によれば、吐出不良のノズルを検
出した検査パターンの描画に後行して描画される実描画
パターンに対し、吐出不良が検出されたノズル以外の正
常ノズルで描画するため、ノズルを変更するだけの容易
な処理で、ドット抜けの無い実描画パターンを描画する
ことができる。

【００３８】この場合、正常ノズルで、検査パターンの
描画に後行して描画される実描画パターンの描画が可能
であるか否かを判断する修正描画判断工程を更に備え、
修正描画判断工程により、不可能であると判断した場合
は、正常のズルを用いることなく、吐出不良が検出され
たノズルへの吐出指示を中止した状態で、実描画パター
ンの描画を続行することが好ましい。

【００３９】また、この場合、正常ノズルで、検査パタ
ーンの描画に後行して描画される実描画パターンの描画
が可能であるか否かを判断する修正描画判断手段を更に
備え、修正描画判断手段により、不可能であると判断し
た場合は、正常のズルを用いることなく、吐出不良が検
出されたノズルへの吐出指示を中止した状態で、実描画
パターンの描画を続行することが好ましい。

【００４０】この構成によれば、正常ノズルで、検査パ
ターンの描画に後行して描画される実描画パターンの描
画が可能であるか否かを判断し、不可能であると判断し
た場合は、正常ノズルを用いることなく、吐出不良が検
出されたノズルへの吐出指示を中止した状態で、実描画
パターンの描画を続行することができる。すなわち、正
常ノズルで実描画パターンの描画が不可能であると判断
した場合であっても、正常に機能液滴を吐出し得ない不
良ノズルに対して吐出指示を行わない（吐出するための
駆動波形を与えない）ことで、ノズルの機能低下を防ぐ
ことができる。

【００４１】これらの場合、正常ノズルは、吐出不良の
ノズルと同色の機能液滴を吐出可能なノズルであること
が好ましい。

【００４２】この構成によれば、正常ノズルは、吐出不
良のノズルと同色の機能液滴を吐出可能なノズルである
ため、正常ノズルで吐出した箇所（ノズルを変更した箇
所）を目立たなくすることができる。

【００４３】上記の、ノズル不良検出工程において吐出
不良のノズルが検出された場合に、検査対象となった検
査パターンの描画に後行して描画される実描画パターン
に対し、描画を中止する描画中止工程を、更に備えるこ
とが好ましい。

【００４４】また、上記の、ノズル不良検出手段におい
て吐出不良のノズルが検出された場合に、検査対象とな
った検査パターンの描画に後行して描画される実描画パ
ターンに対し、描画を中止する描画中止手段を、更に備
えることが好ましい。

【００４５】この構成によれば、吐出不良のノズルが検
出された検査パターンの描画に後行して描画される実描
画パターンに対し、描画を中止することができる。すな
わち、ドット抜けの存在する可能性のある実描画パター
ンの描画を行わないことで、不良チップの発生を防止す
ることができる。

【００４６】本発明の他の描画方法は、一連の描画動作
において、検査パターンを描画するｎ個の検査領域と実
描画パターンを描画する（ｎ−１）個の実描画領域とを
交互に設定した描画対象物に対し、機能液滴吐出ヘッド
を相対的に走査しながらその複数のノズルから機能液滴
を吐出して描画を行う描画方法であって、複数のノズル
の全てから機能液滴を吐出して検査領域に検査パターン
を描画する検査描画工程と、複数のノズルから選択的に
機能液滴を吐出して実描画領域に実描画パターンを描画
する実描画工程と、ｎ個の検査領域のうち、最初の検査
領域に描画された第１検査パターンと、最後の検査領域
に描画された最終検査パターンとの２つの検査パターン
を画像認識する画像認識工程と、画像認識工程により、
第１検査パターンのドット抜けは認識せず、最終検査パ
ターンのドット抜けを認識した場合、当該最終検査パタ
ーンのドット抜け部分から不良ノズルを特定すると共
に、最終検査パターンから遡って各検査パターンの画像
認識を行うことで、ドット抜けの存在しない検査パター
ンを特定し、これに後行して描画された全ての実描画パ
ターンのドット抜けを修復する修復工程と、を備えたこ
とを特徴とする。

【００４７】また、本発明の他の描画装置は、一連の描
画動作において、検査パターンを描画するｎ個の検査領
域と実描画パターンを描画する（ｎ−１）個の実描画領
域とを交互に設定した描画対象物に対し、機能液滴吐出
ヘッドを相対的に走査しながらその複数のノズルから機
能液滴を吐出して描画を行う描画装置であって、複数の
ノズルの全てから機能液滴を吐出して検査領域に検査パ
ターンを描画する検査描画手段と、複数のノズルから選
択的に機能液滴を吐出して実描画領域に実描画パターン
を描画する実描画手段と、ｎ個の検査領域のうち、最初
の検査領域に描画された第１検査パターンと、最後の検
査領域に描画された最終検査パターンとの２つの検査パ
ターンを画像認識する画像認識手段と、画像認識手段に
より、第１検査パターンのドット抜けは認識せず、最終
検査パターンのドット抜けを認識した場合、当該最終検
査パターンのドット抜け部分から不良ノズルを特定する
と共に、最終検査パターンから遡って各検査パターンの
画像認識を行うことで、ドット抜けの存在しない検査パ
ターンを特定し、これに後行して描画された全ての実描
画パターンのドット抜けを修復する修復手段と、を備え
たことを特徴とする。

【００４８】この描画方法および描画装置は、ｎ個の検
査領域のうち、最初の検査領域に描画された第１検査パ
ターンと、最後の検査領域に描画された最終検査パター
ンとの２つの検査パターンを画像認識した結果、第１検
査パターンのドット抜けは認識せず、最終検査パターン
のドット抜けを認識した場合（描画の途中でノズル不良
が発生した場合）、当該最終検査パターンのドット抜け
部分から不良ノズルを特定すると共に、最終検査パター
ンから遡って各検査パターンの画像認識を行うことで、
ドット抜けの存在しない検査パターンを特定し、これに
後行して描画された全ての実描画パターンのドット抜け
を修復する。すなわち、実描画パターンを描画する実描
画領域の数に関わらず、検査パターンの画像認識は、第
１検査パターンと最終検査パターンとの２つの検査パタ
ーンのみであるため、ノズル不良の有無を迅速に検出す
ることができる。また、最終検査パターンのドット抜け
を認識した場合は、最終検査パターンから遡って各検査
パターンの画像認識を行い、ドット抜けの存在しない検
査パターンの描画に後行して描画された全ての実描画パ
ターンのドット抜けを修復するため、検査パターンの画
像認識の回数を極力少なくすることができると共に、ノ
ズル不良の発生が最終工程に近い場合は、ドット抜けの
修復をより早く行うことができる。

【００４９】本発明の液晶表示装置の製造方法は、上記
した描画装置を用い、カラーフィルタの基板上に多数の
フィルタエレメントを形成する液晶表示装置の製造方法
であって、機能液滴吐出ヘッドに各色のフィルタ材料を
導入し、機能液滴吐出ヘッドを基板に対し相対的に走査
し、フィルタ材料を選択的に吐出して多数のフィルタエ
レメントを形成することを特徴とする。

【００５０】本発明の有機ＥＬ装置の製造方法は、上記
した描画装置を用い、基板上の多数の絵素ピクセルにそ
れぞれＥＬ発光層を形成する有機ＥＬ装置の製造方法で
あって、機能液滴吐出ヘッドに各色の発光材料を導入
し、機能液滴吐出ヘッドを基板に対し相対的に走査し、
発光材料を選択的に吐出して多数のＥＬ発光層を形成す
ることを特徴とする。

【００５１】本発明の電子放出装置の製造方法は、上記
した描画装置を用い、電極上に多数の蛍光体を形成する
電子放出装置の製造方法であって、機能液滴吐出ヘッド
に各色の蛍光材料を導入し、機能液滴吐出ヘッドを電極
に対し相対的に走査し、蛍光材料を選択的に吐出して多
数の蛍光体を形成することを特徴とする。

【００５２】本発明のＰＤＰ装置の製造方法は、上記し
た描画装置を用い、背面基板上の多数の凹部にそれぞれ
蛍光体を形成するＰＤＰ装置の製造方法であって、機能
液滴吐出ヘッドに各色の蛍光材料を導入し、機能液滴吐
出ヘッドを背面基板に対し相対的に走査し、蛍光材料を
選択的に吐出して多数の蛍光体を形成することを特徴と
する。

【００５３】本発明の電気泳動表示装置の製造方法は、
上記した描画装置を用い、電極上の多数の凹部に泳動体
を形成する電気泳動表示装置の製造方法であって、機能
液滴吐出ヘッドに各色の泳動体材料を導入し、機能液滴
吐出ヘッドを電極に対し相対的に走査し、泳動体材料を
選択的に吐出して多数の泳動体を形成することを特徴と
する。

【００５４】このように、上記の機能液滴吐出装置を、
液晶表示装置の製造方法、有機ＥＬ（Electro-Luminesc
ence）装置の製造方法、電子放出装置の製造方法、ＰＤ
Ｐ（Plasma Display Panel）装置の製造方法および電気
泳動表示装置の製造方法に適用することにより、各装置
に求められるフィルタ材料や発光材料等を、適切な位置
に適切な量を選択的に供給することができる。なお、液
滴吐出ヘッドの走査は、一般的には主走査および副走査
となるが、いわゆる１ラインを単一の液滴吐出ヘッドで
構成する場合には、副走査のみとなる。また、電子放出
装置は、いわゆるＦＥＤ（Field Emission Display）装
置を含む概念である。

【００５５】本発明のカラーフィルタの製造方法は、上
記した描画装置を用い、基板上に多数のフィルタエレメ
ントを配列して成るカラーフィルタを製造するカラーフ
ィルタの製造方法であって、機能液滴吐出ヘッドに各色
のフィルタ材料を導入し、機能液滴吐出ヘッドを基板に
対し相対的に走査し、フィルタ材料を選択的に吐出して
多数のフィルタエレメントを形成することを特徴とす
る。この場合、多数のフィルタエレメントを被覆するオ
ーバーコート膜が形成されており、フィルタエレメント
を形成した後に、機能液滴吐出ヘッドに透光性のコーテ
ィング材料を導入し、機能液滴吐出ヘッドを基板に対し
相対的に走査し、コーティング材料を選択的に吐出して
オーバーコート膜を形成することが、好ましい。

【００５６】本発明の有機ＥＬの製造方法は、上記した
描画装置を用い、ＥＬ発光層を含む多数の絵素ピクセル
を基板上に配列して成る有機ＥＬの製造方法であって、
機能液滴吐出ヘッドに各色の発光材料を導入し、機能液
滴吐出ヘッドを基板に対し相対的に走査し、発光材料を
選択的に吐出して多数のＥＬ発光層を形成することを特
徴とする。この場合、多数のＥＬ発光層と基板との間に
は、ＥＬ発光層に対応して多数の画素電極が形成されて
おり、機能液滴吐出ヘッドに液状電極材料を導入し、機
能液滴吐出ヘッドを基板に対し相対的に走査し、液状電
極材料を選択的に吐出して多数の画素電極を形成するこ
とが、好ましい。この場合、多数のＥＬ発光層を覆うよ
うに対向電極が形成されており、ＥＬ発光層を形成した
後に、機能液滴吐出ヘッドに液状電極材料を導入し、機
能液滴吐出ヘッドを基板に対し相対的に走査し、液状電
極材料を選択的に吐出して対向電極を形成することが、
好ましい。

【００５７】本発明のスペーサ形成方法は、上記した描
画装置を用い、２枚の基板間に微小なセルギャップを構
成すべく多数の粒子状のスペーサを形成するスペーサ形
成方法であって、機能液滴吐出ヘッドにスペーサを構成
する粒子材料を導入し、機能液滴吐出ヘッドを少なくと
も一方の基板に対し相対的に走査し、粒子材料を選択的
に吐出して基板上にスペーサを形成することを特徴とす
る。

【００５８】本発明の金属配線形成方法は、上記した描
画装置を用い、基板上に金属配線を形成する金属配線形
成方法であって、機能液滴吐出ヘッドに液状金属材料を
導入し、機能液滴吐出ヘッドを基板に対し相対的に走査
し、液状金属材料を選択的に吐出して金属配線を形成す
ることを特徴とする。

【００５９】本発明のレンズ形成方法は、上記した描画
装置を用い、基板上に多数のマイクロレンズを形成する
レンズ形成方法であって、機能液滴吐出ヘッドにレンズ
材料を導入し、機能液滴吐出ヘッドを基板に対し相対的
に走査し、レンズ材料を選択的に吐出して多数のマイク
ロレンズを形成することを特徴とする。

【００６０】本発明のレジスト形成方法は、上記した描
画装置を用い、基板上に任意形状のレジストを形成する
レジスト形成方法であって、機能液滴吐出ヘッドにレジ
スト材料を導入し、機能液滴吐出ヘッドを基板に対し相
対的に走査し、レジスト材料を選択的に吐出してレジス
トを形成することを特徴とする。

【００６１】本発明の光拡散体形成方法は、上記した描
画装置を用い、基板上に多数の光拡散体を形成する光拡
散体形成方法であって、機能液滴吐出ヘッドに光拡散材
料を導入し、機能液滴吐出ヘッドを基板に対し相対的に
走査し、光拡散材料を選択的に吐出して多数の光拡散体
を形成することを特徴とする。

【００６２】このように、上記の機能液滴吐出装置を、
カラーフィルタの製造方法、有機ＥＬの製造方法、スペ
ーサ形成方法、金属配線形成方法、レンズ形成方法、レ
ジスト形成方法および光拡散体形成方法に適用すること
により、各電子デバイスや各光デバイスに求められるフ
ィルタ材料や発光材料等を、適切な位置に適切な量を選
択的に供給することができる。

【００６３】

【発明の実施の形態】以下、添付の図面を参照して、本
発明の実施形態について説明する。本発明の描画装置に
適用される機能液滴吐出装置は、その機能液滴吐出ヘッ
ドに配列された複数のノズルから、微小な液滴をドット
状に精度良く吐出することができることから、機能液に
特殊なインクや感光性・発光性の樹脂等を用いることに
より、各種部品の製造分野への応用が期待されている。

【００６４】例えば、これらの描画装置は、液晶表示装
置や有機ＥＬ装置等の、いわゆるフラットディスプレイ
の製造装置に適用され、その複数の機能液滴吐出ヘッド
からフィルタ材料や発光材料等の機能液を吐出して（イ
ンクジェット方式）、液晶表示装置におけるＲ（レッ
ド）．Ｇ（グリーン）．Ｂ（ブルー）のフィルタエレメ
ントや、有機ＥＬ装置における各画素のＥＬ発光層およ
び正孔注入層を形成するものである。そこで、本実施形
態では、液晶表示装置の製造装置等に組み込まれる描画
装置を例に、その描画方法について説明する。

【００６５】ところで、本発明の描画方法は、描画対象
物上における検査領域に、ドット抜けを検査するための
検査パターンを描画し、これを画像認識することで、複
数のチップ領域から成る実描画領域に描画される実描画
パターンのドット抜けを判別すると共に、不良ノズルを
特定するものである。そして、実描画パターンのドット
抜けを修復することにより、実描画パターンのドット抜
けを無くすことができることを特徴とするものである。
そこで、まず、図１ないし図３を参照し、描画装置の装
置構成について説明する。

【００６６】これらの図に示すように、描画装置１を構
成する機能液滴吐出装置１０は、Ｘ軸テーブル２３およ
びこれに直交するＹ軸テーブル２４と、Ｙ軸テーブル２
４に設けたメインキャリッジ２５と、メインキャリッジ
２５に搭載したヘッドユニット２６と、検査パターンｋ
を画像認識するカメラユニット７０とを有している。詳
細は後述するが、ヘッドユニット２６には、サブキャリ
ッジ４１を介して、複数の機能液滴吐出ヘッド７が搭載
されている。また、この複数の機能液滴吐出ヘッド７に
対応して、Ｘ軸テーブル２３の吸着テーブル２８上に基
板（描画対象物）Ｗがセットされるようになっている。

【００６７】本実施形態の機能液滴吐出装置１０は、機
能液滴吐出ヘッド７の駆動（機能液滴の吐出）に同期し
て基板Ｗが移動する構成であり、機能液滴吐出ヘッド７
のいわゆる主走査は、Ｘ軸テーブル２３のＸ軸方向への
往動動作により行われる。また、これに対応して、いわ
ゆる副走査は、Ｙ軸テーブル２４により機能液滴吐出ヘ
ッド７のＹ軸方向への往動動作により行われる（ブロッ
ク打ち：図１３（ａ）参照）。なお、上記の主走査をＸ
軸方向への往動作および復動作で行うようにしてもよい
（順方向打ち：図１３（ｂ）参照）。

【００６８】カメラユニット７０は、機能液滴吐出ヘッ
ド７の主走査方向における走査終了側（下流側）に配設
され、カメラキャリッジ７１と、カメラキャリッジ７１
に指示された画像認識カメラ７２と、カメラキャリッジ
７１の移動をガイドするガイド部材７３とを備えてい
る。ガイド部材７３は、ボールねじ７４と、これをガイ
ドするガイド軸７５とにより構成され、ボールねじ７４
の端に取り付けられた駆動モータ７６が駆動することに
よりボールねじ７４が回転し、これに伴ってカメラキャ
リッジ７１がガイド軸７５にガイドされながら副走査方
向に移動する。そしてこの移動により、検査パターンｋ
が描画された検査領域Ｋの端から他方の端までを画像認
識カメラ７２によって画像認識し、検査パターンｋのド
ット抜けを検出する。画像認識の結果に関するデータ
は、図外の記憶装置に記憶され、後述するノズル３８の
変更処理（修正描画処理）や、修復処理の際に利用され
る。

【００６９】ヘッドユニット２６は、サブキャリッジ４
１と、サブキャリッジ４１に搭載した複数個（１２個）
の機能液滴吐出ヘッド７とを備えている。１２個の機能
液滴吐出ヘッド７は、６個づつ左右に二分され、主走査
方向に対し所定の角度傾けて配設されている。なお、本
実施形態の機能液滴吐出ヘッド７は、ピエゾ圧電効果を
応用した精密ヘッドが使用され、微小液滴を画像形成領
域に選択的に吐出するものである。

【００７０】また、各６個の機能液滴吐出ヘッド７は、
副走査方向に対し相互に位置ずれして配設され、１２個
の機能液滴吐出ヘッド７の全吐出ノズル３８（後述す
る）が副走査方向において連続する（一部重複）ように
なっている。すなわち、実施形態のヘッド配列は、サブ
キャリッジ４１上において、同一方向に傾けて配置した
６個の機能液滴吐出ヘッド７を２列としている。このよ
うに、所定角度（副走査方向に対して角度θ）の傾斜状
態で主走査を行うことにより、複数のノズルのノズル間
ピッチを基板上の画素ピッチに合わせることができる。
また、各機能液滴吐出ヘッド７には、２本のノズル列３
７，３７が相互に平行に列設されており、各ノズル列３
７は、等ピッチで並べた１８０個（図示では模式的に表
している）の吐出ノズル３８で構成されている。

【００７１】もっとも、この配列パターンは一例であ
り、例えば、各ヘッド列における隣接する機能液滴吐出
ヘッド７，７同士を９０°の角度を持って配置（隣接ヘ
ッド同士が「ハ」字状）したり、各ヘッド列間における
機能液滴吐出ヘッド７を９０°の角度を持って配置（列
間ヘッド同士が「ハ」字状）したりすることは可能であ
る。いずれにしても、１２個の機能液滴吐出ヘッド７の
全吐出ノズル３８によるドットが副走査方向において連
続していればよい。

【００７２】また、各種の基板Ｗに対し機能液滴吐出ヘ
ッド７を専用部品とすれば、機能液滴吐出ヘッド７をあ
えて傾けてセットする必要は無く、千鳥状や階段状に配
設すれば足りる。さらにいえば、所定長さのノズル列３
７（ドット列）を構成できる限り、これを単一の機能液
滴吐出ヘッド７で構成してもよいし複数の機能液滴吐出
ヘッド７で構成してもよい。すなわち、機能液滴吐出ヘ
ッド７の個数や列数、さらに配列パターンは任意であ
る。

【００７３】ここで、機能液滴吐出装置１０の一連の動
作を簡単に説明する。先ず、準備段階として、作業に供
する基板用のヘッドユニット２６が機能液滴吐出装置１
０に運び込まれ、これがメインキャリッジ２５にセット
される。ヘッドユニット２６がメインキャリッジ２５に
セットされると、Ｙ軸テーブル２４がヘッドユニット２
６を、図外のヘッド認識カメラの位置に移動させ、ヘッ
ド認識カメラでヘッドアライメントマークを検出するこ
とにより、ヘッドユニット２６が位置認識される。ここ
で、この認識結果に基づいて、ヘッドユニット２６がθ
補正され、且つヘッドユニット２６のＸ軸方向およびＹ
軸方向の位置補正がデータ上で行われる。位置補正後、
ヘッドユニット（メインキャリッジ２５）２６はホーム
位置に戻る。

【００７４】一方、Ｘ軸テーブル２３の吸着テーブル２
８上に、マガジンから取り出した基板（この場合は、導
入される基板毎）Ｗが導入されると、この位置（受渡し
位置）で図外の基板認識カメラにより基板アライメント
マークを検出することによって、基板Ｗを位置認識す
る。ここで、この認識結果に基づいて、基板Ｗがθ補正
され、且つ基板ＷのＸ軸方向およびＹ軸方向の位置補正
がデータ上で行われる。位置補正後、基板（吸着テーブ
ル２８）Ｗはホーム位置に戻る。

【００７５】このようにして準備が完了すると、実際の
液滴吐出作業では、先ずＸ軸テーブル２３が駆動し、基
板Ｗを主走査方向に往動作させると共に複数の機能液滴
吐出ヘッド７を駆動して、機能液滴の基板Ｗへの吐出動
作が行われる。基板Ｗが復動作した後、今度はＹ軸テー
ブル２４が駆動し、ヘッドユニット２６を１ピッチ分、
副走査方向に移動させ、再度基板Ｗの主走査方向への往
動作と機能液滴吐出ヘッド７の駆動が行われる。そして
これを、数回繰り返すことで、全実描画パターンｃおよ
び検査パターンｋの描画が行われる。なお、実描画パタ
ーンｃは、複数のノズルから選択的に機能液滴が吐出さ
れることにより描画されるのに対し、検査パターンｋ
は、複数のノズル全てから機能液滴を吐出することによ
って描画されるものである。したがって、この検査パタ
ーンｋのドット抜けを検出することにより、不良ノズル
を特定することができる。

【００７６】以上により、実描画領域（チップ領域）Ｃ
を構成するＲ．Ｇ．Ｂの３色のうちの例えばＲについて
の描画を終えると、基板Ｗを例えばＧの機能液滴を吐出
する機能液滴吐出装置１０へ搬送してＧの描画を行う。
そして、最終的にＢの機能液滴を吐出する機能液滴吐出
装置１０へ搬送してＢの描画を行い、カラー描画された
全チップ領域（能動素子形成領域）Ｃを個々に切り出す
ことにより、１のチップ領域Ｃを得ることができる。

【００７７】一方、上記の動作に並行し、液滴吐出装置
１０の機能液滴吐出ヘッド７には、エアー供給装置４２
を圧力供給源として機能液供給装置４３から機能液が連
続的に供給され、また吸着テーブル２８では、基板Ｗを
吸着すべく、真空吸引装置１５によりエアー吸引が行わ
れる。また、液滴吐出作業の直前には、ヘッドユニット
２６が図外のクリーニングユニットおよびワイピングユ
ニットに臨んで、機能液滴吐出ヘッド７の全吐出ノズル
３８からの機能液吸引と、これに続くノズル形成面の拭
取りが行われる。また、液滴吐出作業中には、適宜ヘッ
ドユニット２６がフラッシングユニットに臨んで、フラ
ッシングが行われる。

【００７８】さらに、画像認識カメラ７２が副走査方向
に移動することにより、各チップ領域Ｃの前後に描画さ
れる検査パターンｋの画像認識を行い、各検査パターン
ｋに対してドット抜けの検出を行うことで、そのドット
抜けの部分から不良ノズルを特定する。不良ノズルを特
定した場合は、後述の制御装置１６２により、ノズルの
変更処理や、ドット抜けの修復処理が行われる。

【００７９】なお、本実施形態では、ヘッドユニット２
６に対し、その吐出対象物である基板Ｗを主走査方向
（Ｘ軸方向）に移動させるようにしているが、ヘッドユ
ニット２６を主走査方向に移動させる構成であってもよ
い。また、ヘッドユニット２６を固定とし、基板Ｗを主
走査方向および副走査方向に移動させる構成であっても
よい。

【００８０】次に、図４を参照し、機能液滴吐出装置１
０の制御構成について説明する。機能液滴吐出装置１０
は、機能液滴吐出ヘッド７（圧電素子駆動インクジェッ
トヘッド）と、これを接続するためのヘッドインターフ
ェース基板１１１とを有するヘッド部１１０と、波形・
パターン記憶回路基板１２１と、これを接続するための
インターフェース基板１２２と、波形・パターン記憶回
路基板１２１にトリガパルスを伝送するトリガ基板１２
３とを有し、機能液滴吐出ヘッド７を駆動する駆動部１
２０と、直流電源１３１を有し、波形・パターン記憶回
路基板１２１に電源を供給する電源部１３０と、リニア
スケール１４１を有し、スキャンの送りを検出する送り
検出部１４０と、画像認識カメラ７２を有し、検査パタ
ーンｋのドット抜けを検出するドット抜け検出部１５０
と、装置全体を制御する第１ＰＣ１６１と、主に機能液
滴吐出ヘッド７の駆動を制御する第２ＰＣ１６２とを有
する制御部１６０と、により構成されている。

【００８１】ヘッド部１１０の機能液滴吐出ヘッド７
は、上記した構成であり、１ヘッド当たり１８０個のノ
ズル列が２列使用されている。ヘッドインターフェース
基板１１１は、波形・パターン記憶回路基板１２１から
送信された信号を差動信号変換し、機能液滴吐出のため
のピエゾ圧電素子を駆動するピエゾ圧電素子駆動信号
と、吐出パターンデータを機能液滴吐出ヘッド７に送
る。

【００８２】駆動部１２０の波形・パターン記憶回路基
板１２１は、第２ＰＣ１５２からピエゾ圧電素子の駆動
信号を受けて駆動波形を生成する。また、リニアスケー
ル１４１からの信号に基づいて機能液滴吐出距離をカウ
ントするトリガ基板１２３により、トリガパルスが作成
され、波形・パターン記憶回路基板１２１は、このトリ
ガパルスを受けて予め第２ＰＣ１５２から送られ、格納
していた吐出パターンデータを順次取り出す。さらに、
波形・パターン記憶回路基板１２１は、予め第２ＰＣ１
５２から送られ、格納していた波形パラメータに応じた
ピエゾ素子駆動波形を、トリガパルスと同期して生成す
る。また、波形・パターン記憶回路基板１２１は、電源
部１３１の直流電源１３１より（ヘッド駆動用として）
電源が供給される。

【００８３】送り検出部１４０のリニアスケール１４１
は、０．５μｍピッチでスキャンの送りを検出し、位置
パルスをトリガ基板１２３に伝送する。また、ドット抜
け検出部１５０の画像認識カメラ７２は、実描画パター
ンｃの前後に描画された検査パターンｋのドット抜けを
検出した検出結果を、第２ＰＣ１６２内の記憶装置（Ｒ
ＡＭ）に記憶させる。

【００８４】制御部１６０の第２ＰＣ１６２は、第１Ｐ
Ｃ１６１とＲＳ−２３２Ｃにより接続され、第１ＰＣ１
６１からのコマンドを受けて機能液滴吐出ヘッド７の駆
動結果等に関するデータを返信する。また、第２ＰＣ１
６２は、吐出パターンデータを生成し、インターフェー
ス基板１２２を介して波形・パターン記憶回路基板１２
１に転送制御信号を送ると共に、トリガ基板１２３にト
リガ制御信号および吐出制御信号を送る。また、第２Ｐ
Ｃ１６２は、画像認識カメラ１５１により検査パターン
ｋを画像認識した結果得られたドット抜けの部分から、
不良ノズルの番号およびドット抜け実描画パターンを特
定し、次の実描画パターンｃの描画の際に、不良ノズル
に代えて適切に機能液滴を吐出可能な正常ノズルを使用
できる場合は、ノズル変更を行った後、描画を続行する
よう制御する（修正描画処理）。また、ドット抜け実描
画パターンｃに対し、１描画対象物Ｗの描画後に修復処
理を行うよう制御する（詳細は後述する）。

【００８５】次に、本発明の描画方法について説明す
る。上述の通り、本発明の描画方法は、描画対象物Ｗ上
における検査領域Ｋ（検査領域Ｋは、各実描画領域Ｃを
分断するための切断領域、すなわち実描画領域Ｃ外の領
域に含まれる）に、ドット抜けを検査するための検査パ
ターンｋを描画し、これを画像認識することで、不良ノ
ズルを特定すると共に、複数のチップ領域Ｃから成る実
描画領域に描画される実描画パターンｃのドット抜けを
判別するものである。そして、さらにこのドット抜けを
修復処理することにより、実描画パターンｃのドット抜
けを無くすことができるものである。そこで、以下、描
画処理および修復処理に分けて、図５以下の図面を参照
し、順に説明する。なお、ここでは、説明を容易にする
ため、単一の機能液滴吐出ヘッド７を使用し、機能液滴
吐出ヘッド７の１回の主走査で、１列の実描画領域Ｃを
描画可能であるものとする。また、描画は、ブロック打
ち（図１３（ａ）参照）により行われるものとする。

【００８６】図５は、本発明の第１実施形態に係る描画
処理方法を示すフローチャートであり、図９は描画結果
を示す図である。これらに示すように、まず、実描画パ
ターンｃの前に、前検査パターンｋ０の描画を行う（Ｓ
１１）。ここで言う、「前検査パターンｋ」とは、１の
基板Ｗ（描画対象物）上において、最初に描画する検査
パターンｋのことであり、複数のノズル全てから機能液
滴が吐出されることにより描画されるものである。次
に、この前検査パターンｋ０の画像認識を行う（Ｓ１
２）。画像認識は、画像認識カメラ７２が副走査方向に
移動しながら、前検査パターンｋ０の全ドットを読みと
ることによって行われる。

【００８７】ここで、前検査パターンｋ０のドット抜け
を検出した場合は（Ｓ１３：Ｙｅｓ）、そのドット抜け
部分から不良ノズルを特定し、不良ノズル以外の（適切
に機能液滴を吐出可能な）正常ノズルで、実描画パター
ンｃの描画を行う修正描画が可能であるか否かを判断す
る（Ｓ１４）。この修正描画が可能であるか否かの判断
は、実描画パターンｃの描画に、特定された不良ノズル
を使用するか否かによって判断される。したがって、実
描画パターンｃの描画に特定された不良ノズルを使用し
ない場合は修正描画可能と判断され、実描画パターンｃ
の描画に特定された不良ノズルを使用する場合は、修正
描画不可と判断される。

【００８８】そして、修正描画不可と判断された場合は
（Ｓ１４：Ｎｏ）、不良ノズルへの吐出指示（すなわ
ち、ピエゾ素子への電圧印可）を強制的に中止し（Ｓ１
５）、その後、描画を続行する。このように、正常に機
能液滴を吐出し得ない不良ノズルに対して吐出指示を行
わないことで、ノズル３８の機能低下を防ぐことができ
る。なお、この場合、当然、その後の実描画パターンｃ
および検査パターンｋの描画において、ドット抜けが発
生することとなるが、それらのドット抜けは、描画対象
物Ｗ上の全実描画パターンｃおよび全検査パターンｋの
描画が終わった後、修復処理により修復される。一方、
正常ノズルを使用して、修正描画が可能であると判断さ
れた場合は（Ｓ１４：Ｙｅｓ）、そのまま実描画パター
ンｃ（１）の描画を行う（Ｓ１６）。

【００８９】実描画パターンｃ（１）の描画を行った
後、続いて後検査パターン（例えば、ｋ（１））の描画
を行う（Ｓ１７）。後検査パターンとは、各実描画パタ
ーンｃの後に描画される検査パターンｋを指すものであ
る。したがって、実描画パターンｃ（１）の後検査パタ
ーンは、ｋ（１）である。次に、この後検査パターンｋ
１を画像認識し（Ｓ１８）、ドット抜けを検出した場合
は（Ｓ１９：Ｙｅｓ）、ドット抜け部分から不良ノズル
番号と、ドット抜け実描画パターン（例えば、ｃ
（１））に関するデータを、第２ＰＣ１６２内のＲＡＭ
に記憶する（Ｓ２０）。このデータは、後述する修復処
理によって利用される。一方、後検査パターンｋ１のド
ット抜けを検出しなかった場合は（Ｓ１９：Ｎｏ）、そ
のまま、次の実描画パターン（例えば、ｃ（２））の描
画を行う（Ｓ１６）。

【００９０】以上の処理を繰り返してｎ個の実描画パタ
ーンｃおよび検査パターンｋの描画を行い（Ｓ２１：Ｙ
ｅｓ）、全後検査パターン（ｋ（１）〜ｋ（ｎ））にド
ット抜けが存在しなかった場合は（Ｓ２２：Ｙｅｓ）、
全チップ領域Ｃにドット抜けが存在しなかったものとし
て次の基板Ｗの描画を行う（Ｓ２３）。また、全後検査
パターンｋの中でいずれかの後検査パターンｋにドット
抜けを検出した場合は（Ｓ２２：Ｎｏ）、ドット抜けの
修復処理を行う（Ｓ２４）。

【００９１】なお、次の基板Ｗの描画を行う場合、前検
査パターンｋ（０）の描画および画像認識を行わず、前
の基板Ｗの、最後の検査パターンｋ（ｎ）の描画および
画像認識結果を移用してＳ１１〜Ｓ１５のルーチンの処
理を行うようにしても良い。また、次の基板Ｗからは、
Ｓ１１〜Ｓ１５のルーチンの処理を省略するようにして
も良い。

【００９２】次に、本発明の第１実施形態に係る修復処
理方法について説明する。図６のフローチャートに示す
ように、まず、図５のＳ２０の処理によって記憶された
不良ノズル番号とドット抜け実描画パターンに関するデ
ータから、ドット抜けの修復を行うための修復描画デー
タを生成する（Ｓ３１）。例えば、図１０に示すよう
に、検査パターンｋ（ｎ）のドット抜け部分（点線部
分）から、不良ノズル番号＃２とドット抜け実描画パタ
ーンｃ（ｎ）が特定され、これに関するデータが記憶さ
れている場合、図１１に示すように、ドット抜け実描画
パターンｃ（ｎ）の不良ノズル番号＃２で描画される部
分並びに、検査パターンｋ（ｎ）のドット抜け部分を描
画する修復描画データが生成される。なお、ドット抜け
部分が複数検出された場合は、これら全てを修復する修
復描画データが作成される。

【００９３】そして、この修復描画データに基づいて、
正常ノズル（例えばノズル＃１）により、ドット抜け実
描画パターンの修復描画を行う（Ｓ３２）。描画結果
は、図１２に示すとおりであり、結果として、実描画パ
ターンｃ（ｎ）の点線部分が二重に描画されることにな
る。このように、修復されるチップ領域Ｃ内において、
ドット抜けが一部のみであったとしても、領域内の不良
ノズルにより吐出されるべきドット全てに対して修復を
行うため、ドット抜け部分のみを修復する場合と比べて
修復部分を目立たなくすることができる。しかも、チッ
プ領域Ｃ内のドット抜け部分の範囲を検出する手間を省
くことができる。

【００９４】その後、再度、修復対象となった後検査パ
ターンｋ（ｎ）の画像認識を行い（Ｓ３３）、後検査パ
ターンｋにドット抜けが存在した場合にはそのドット抜
け部分から、不良ノズル番号とドット抜け実描画パター
ンに関するデータを記憶しておく（Ｓ３４）。このデー
タは、修復描画データに基づく一連の修復描画を終えた
後、再度修復処理を行う場合に利用される。さらに、こ
れらの処理（Ｓ３２〜Ｓ３５）を繰り返し、Ｓ３１で生
成した修復描画データに基づく一連の修復描画を終えた
ら（Ｓ３５：Ｙｅｓ）、修復対象となった（複数の場合
は全ての）後検査パターンｋにドット抜けが存在したか
否かを判断し、存在した場合は（Ｓ３６：Ｙｅｓ）、Ｓ
３４で記憶したデータに基づいて、再度修復描画データ
を生成する（Ｓ３１）。一方、後検査パターンｋにドッ
ト抜けが存在しなかった場合は（Ｓ３６：Ｎｏ）、修復
処理を終えた（全チップ領域Ｃにドット抜けが存在しな
い）ものとして次の基板Ｗの描画を行う（Ｓ３７）。

【００９５】このように、基板Ｗ上に設定された検査領
域Ｋに描画される検査パターンｋの描画に基づいて、複
数のノズルにおける個々のノズル３８の吐出不良を検出
するため、機能液滴吐出ヘッド７をノズル検査のための
別ステージに移動することなく、迅速にノズル３８の吐
出不良を検出することができる。また、各チップ領域Ｃ
（能動素子形成領域）を分断するための切断領域を、検
査領域として利用することにより、検査パターンｋを描
画するための特別な領域を設けることなくノズル不良を
検出することができる。さらに、実際に機能液滴を吐出
して検査パターンｋを描画した結果を画像認識するた
め、機能液滴の飛行曲がり等により、適切な着弾位置に
機能液滴が着弾しないような場合でも、ノズル不良とし
て検出することができる。

【００９６】なお、上記の実施形態では、１の機能液的
吐出装置１０では、Ｒ．Ｇ．Ｂのうち１色の描画しかで
きないため、当然、修正描画処理および修復処理にて使
用される正常ノズルは、不良ノズルと同色の機能液滴を
吐出可能なノズルであるが、１の機能液的吐出装置１０
で複数色の描画が可能な場合であっても（例えば、機能
液的吐出ヘッド７毎に描画色が異なる場合であって
も）、不良ノズルと同色の正常ノズルが使用されること
が好ましい。この構成によれば、修正個所および修復箇
所を目立たなくすることができる。

【００９７】また、前検査パターンｋ０のドット抜けを
検出した場合（図５のＳ１３：Ｙｅｓ）、修正描画が可
能であるか否かの判断（Ｓ１４）は、実描画パターンｃ
の描画に、特定された不良ノズルを使用するか否かによ
って判断されるものとしたが、プログラム的に各画素へ
の吐出ノズルの位置を変更することで、不良ノズルを使
用しなくとも実描画パターンの描画が可能である場合
は、修正描画可能であると判断するようにしても良い。
但し、この場合には、不良ノズルを正常ノズルに変更す
る処理を行った後、後行する実描画パターンｃおよび検
査パターンｋの描画が行われる。この構成によれば、可
能な限り、後行する実描画パターンおよび検査パターン
ｋにドット抜けのない描画を行うことができ、修復処理
に要する時間を少なくすることができる。

【００９８】また、前検査パターンｋ０の画像認識は、
１の描画対象物Ｗ上において、最初の検査パターンｋの
描画のみであるとしたが、それぞれの実描画パターンｃ
の直前に描画される検査パターンｋ（例えば、実描画パ
ターンｃ（２）に対して検査パターンｋ（１））を、前
検査パターンｋとして処理を行い、ドット抜けが検出さ
れた場合は、その都度、正常ノズルによる修正描画が可
能であるか否かを判断する（Ｓ１４）ようにしても良
い。言い換えれば、各検査パターンｋの画像認識毎に、
Ｓ２１：Noの処理の後、Ｓ１２〜Ｓ１５のルーチンを通
るようにしても良い（図５参照）。この構成によれば、
より修復処理に要する時間を少なくすることができる。

【００９９】また、ドット抜け部分が多数存在する場合
などは、途中で描画を中止することができるように構成
しても良い。この構成によれば、多数のドット抜けの存
在する可能性のある実描画パターンｃの描画を行わない
ことで、タクトタイムの増加を防ぐことができる。ま
た、この場合、強制的にフラッシングまたは、ノズルの
クリーニングを行うようにしても良い。この構成によれ
ば、不良チップの発生を抑制することができる。

【０１００】また、順方向打ち（図１３（ｂ）参照）に
よって描画を行う場合であっても、本発明は適用可能で
ある。但し、図１４に示すように、機能液滴吐出ヘッド
７の復走査により描画を行う場合は、実描画パターンｃ
に対する後検査パターンｋの配置が、機能液滴吐出ヘッ
ド７の往走査により描画を行う場合と逆になる。すなわ
ち、機能液滴吐出ヘッド７の往走査により描画を行う場
合は、実描画パターンｃ（２）に対する後検査パターン
ｋ（２）は、図示右側となるが、機能液滴吐出ヘッド７
の復走査により描画を行う場合は、実描画パターンｃ
（ｌ）に対する後検査パターンｋ（ｌ）は、図示左側と
なる。

【０１０１】また、この場合、画像認識カメラ７２は、
機能液滴吐出ヘッド７の走査方向における走査開始側
（上流側）および走査終了側（下流側）の両方に配設す
ることが好ましい。この構成によれば、機能液滴吐出ヘ
ッド７の往走査時だけでなく、復走査時でも、検査パタ
ーンｋの画像認識を容易に行うことができる。

【０１０２】次に、本発明の第２実施形態にかかる描画
処理方法および修復処理方法について説明する。本実施
形態では、検査パターンｋ毎に画像認識を行うのではな
く、１描画対象物Ｗ上において、最初と最後の検査パタ
ーンｋのみを画像認識し、最後の検査パターンｋにドッ
ト抜けが存在した場合に、遡って検査パターンｋの画像
認識を行い、その後修復処理を行うものである。以下、
第１実施形態と異なる点を中心に、説明する。

【０１０３】図７は、本実施形態における描画処理方法
を示すフローチャートである。同図と図９に示すよう
に、まず、実描画パターンｃの前に、第１検査パターン
ｋ０の描画を行う（Ｓ４１）。この「第１検査パターン
ｋ」とは、第１実施形態における前検査パターンｋ０と
同様である。次に、この第１検査パターンｋ０の画像認
識を行い（Ｓ４２）、ドット抜けを検出した場合は（Ｓ
４３：Ｙｅｓ）、そのドット抜け部分から不良ノズルを
特定し、不良ノズル以外の（適切に機能液滴を吐出可能
な）正常ノズルで、実描画パターンｃの描画を行う修正
描画が可能であるか否かを判断する（Ｓ４４）。修正描
画が可能であると判断された場合は（Ｓ４４：Ｙｅ
ｓ）、そのまま実描画パターンｃ（１）および検査パタ
ーンｋの描画を行う（Ｓ４６）。一方、修正描画不可と
判断された場合は（Ｓ４４：Ｎｏ）、不良ノズルへの吐
出指示を強制的に中止し（Ｓ４５）、その後、描画を続
行する。

【０１０４】以上までは、第１実施形態と同様の処理で
あるが、本実施形態では、この後、検査パターンｋ毎の
画像認識は行わない。すなわち、ｎ個の実描画パターン
ｃとｎ個の検査パターンｋの描画を続けて行い、この間
は画像認識カメラ７２による検査パターンｋの画像認識
は一切行わない（Ｓ４６）。そして、最終（第ｎ）検査
パターンｋｎを画像認識し、ドット抜けを検出しなかっ
た場合は（Ｓ４７：Ｎｏ）、次の基板Ｗの描画を行う
（Ｓ４８）。一方、ドット抜けを検出した場合は（Ｓ４
７：Ｙｅｓ）、ドット抜け部分から不良ノズル番号に関
するデータを、第２ＰＣ内のＲＡＭに記憶する（Ｓ４
９）。このデータは、後述する修復処理によって利用さ
れる。

【０１０５】その後、最終検査パターンｋｎから遡って
（すなわち、検査パターンｋ（ｎ−１）、検査パターン
ｋ（ｎ−２）・・・の順に）、検査パターンｋの画像認
識を行い（Ｓ５０）、ドット抜けの存在しない検査パタ
ーン（例えば、検査パターンｋ（ｌ））を画像認識した
ら（Ｓ５２：Ｙｅｓ）、その直後の実描画パターン（例
えば、実描画パターンｃ（ｌ＋１））にドット抜けが存
在するものと判断して、ドット抜け実描画パターンｃ
（ｌ＋１）番号に関するデータを記憶する（Ｓ５２）。
そして、その後、修復処理を行う（Ｓ５３）。

【０１０６】次に、本発明の第２実施形態に係る修復処
理方法について説明する。図８のフローチャートに示す
ように、まず、図７のＳ４９およびＳ５２の処理によっ
て記憶された不良ノズル番号とドット抜け実描画パター
ンに関するデータから、ドット抜けの修復を行うための
修復描画データを生成する（Ｓ６１）。この場合、例え
ば、最終検査パターンｋ（ｎ）から不良番号がノズル＃
１とノズル＃３であることを検出した場合には、ドット
抜け実描画パターンｃ（ｌ＋１）に後行して描画された
実描画パターンｃ（ｌ＋２）から実描画パターンｃ
（ｎ）におけるノズル＃１およびノズル＃３で描画され
る部分全て並びに、検査パターンｋ（ｎ）のドット抜け
部分を描画する修復描画データが生成される。

【０１０７】そして、この修復描画データに基づいて、
正常ノズル（例えばノズル＃２およびノズル＃４）によ
り、修復描画を行う（Ｓ６２）。その後、再度、最終検
査パターンｋ（ｎ）の画像認識を行い（Ｓ６３）、最終
検査パターンｋ（ｎ）にドット抜けが存在しない場合に
は、修復処理を終えた（全チップ領域Ｃにドット抜けが
存在しない）ものとして次の基板Ｗの描画を行う（Ｓ６
５）。一方、ドット抜けが存在した場合には（Ｓ６４：
Ｙｅｓ）、そのドット抜け部分から、不良ノズル番号を
記憶し（Ｓ６６）、再度、最終検査パターンｋ（ｎ）か
ら遡って検査パターンｋの画像認識を行う（Ｓ６７）。
そして、ドット抜けが存在しない検査パターンｋを画像
認識した場合は（Ｓ６８：Ｙｅｓ）、その直後に描画し
た実描画パターンｃを記憶し（Ｓ６９）、繰り返し修復
処理を行う（Ｓ７０）。

【０１０８】このように、本実施形態の描画方法によれ
ば、実描画パターンｃを描画するチップ領域Ｃの数に関
わらず、検査パターンｋの画像認識は、第１検査パター
ンｋ（０）と最終検査パターンｋ（ｎ）との２つの検査
パターンのみであるため、ノズル不良の有無を迅速に検
出することができる。また、最終検査パターンｋ（ｎ）
のドット抜けを認識した場合は、最終検査パターンｋ
（ｎ）から遡って各検査パターンｋの画像認識を行い、
ドット抜けの存在しない検査パターンｋの描画に後行し
て描画された全ての実描画パターンｃのドット抜けを修
復するため、検査パターンｋの画像認識の回数を極力少
なくすることができると共に、ノズル不良の発生が、最
終工程に近い場合はドット抜けの修復をより早く行うこ
とができる。

【０１０９】なお、上記の実施形態では、最終検査パタ
ーンｋ（ｎ）から不良ノズル番号がノズル＃１とノズル
＃３であることを検出した場合には、ドット抜け実描画
パターンｃに後行して描画された実描画パターンｃにお
けるノズル＃１およびノズル＃３で描画される部分全て
を描画する修復描画データが生成されるものとしたが、
各検査パターンｋの検出結果に基づいて、直前の実描画
パターンのドット抜けを特定し、その部分のみを修正す
るようにしても良い。例えば、最終検査パターンｋ
（ｎ）からは、不良ノズル番号＃１と＃３を検出し、検
査パターンｋ（ｎ−１）からは、不良ノズル番号＃１を
検出した場合、実描画パターンｃ（ｎ−１）に対して
は、ノズル＃１で描画される部分を修復し、実描画パタ
ーンｃ（ｎ）に対しては、ノズル＃１および＃３で描画
される部分を修復するようにする。この構成によれば、
機能液滴の二重吐出部分を減らすことができるため、よ
り見栄え良く実描画パターンｃを描画することができ
る。

【０１１０】また、上記の第１実施形態および第２実施
形態において、検査パターンｋは副走査方向に長手を有
する長方形の検査領域に描画されるものとしたが（図９
等参照）、機能液滴吐出ヘッド７の主走査方向の移動
（Ｘ軸ステージ２３の移動）中に、画像認識カメラ７２
が副走査方向へ移動しながら画像認識することを考慮
し、傾斜した検査パターンを描画するようにしても良
い。また、確実に検査パターンｋを画像認識するため、
検査パターンｋの描画後、一時的に機能液滴吐出ヘッド
７の主走査方向への移動を中止した状態で、画像認識す
るようにしても良い。

【０１１１】また、上記の実施形態では、単一の画像認
識カメラ７２により、検査パターンｋの画像認識を行う
ものとしたが、副走査方向に区間割りして撮像する複数
の画像認識カメラを用い、これらを同方向に移動させさ
せることで、検査パターンｋの画像認識を行うようにし
ても良い。この構成によれば、複数の画像認識カメラで
画像認識するため、迅速に画像認識することができる。

【０１１２】ところで、本発明の描画装置１は、前述の
通り、各種フラットディスプレイの製造方法や、各種の
電子デバイスおよび光デバイスの製造方法等にも適用可
能である。そこで、この描画装置１および機能液滴吐出
装置１０を用いた製造方法を、液晶表示装置の製造方法
および有機ＥＬ装置の製造方法を例に、説明する。

【０１１３】図１５は、液晶表示装置のカラーフィルタ
の部分拡大図である。図１５（ａ）は平面図であり、図
１５（ｂ）は図１５（ａ）のＢ−Ｂ´線断面図である。
断面図各部のハッチングは一部省略している。

【０１１４】図１５（ａ）に示されるように、カラーフ
ィルタ４００は、マトリクス状に並んだ画素（フィルタ
エレメント）４１２を備え、画素と画素の境目は、仕切
り４１３によって区切られている。画素４１２の１つ１
つには、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のいずれかのイ
ンク（フィルタ材料）が導入されている。この例では
赤、緑、青の配置をいわゆるデルタ配列としたが、スト
ライプ配列、モザイク配列など、その他の配置でも構わ
ない。

【０１１５】図１５（ｂ）に示されるように、カラーフ
ィルタ４００は、透光性の基板４１１と、遮光性の仕切
り４１３とを備えている。仕切り４１３が形成されてい
ない（除去された）部分は、上記画素４１２を構成す
る。この画素４１２に導入された各色のインクは着色層
４２１を構成する。仕切り４１３及び着色層４２１の上
面には、オーバーコート層４２２及び電極層４２３が形
成されている。

【０１１６】図１６は、本発明の実施形態によるカラー
フィルタの製造方法を説明する製造工程断面図である。
断面図各部のハッチングは一部省略している。

【０１１７】膜厚０．７ｍｍ、たて３８ｃｍ、横３０ｃ
ｍの無アルカリガラスからなる透明基板４１１の表面
を、熱濃硫酸に過酸化水素水を１重量％添加した洗浄液
で洗浄し、純水でリンスした後、エア乾燥を行って清浄
表面を得る。この表面に、スパッタ法によりクロム膜を
平均０．２μｍの膜厚で形成し、金属層４１４´を得る
（図１６：Ｓ１）。

【０１１８】この基板をホットプレート上で、８０℃で
５分間乾燥させた後、金属層４１４´の表面に、スピン
コートによりフォトレジスト層（図示せず）を形成す
る。この基板表面に、所要のマトリクスパターン形状を
描画したマスクフィルムを密着させ、紫外線で露光をお
こなう。次に、これを、水酸化カリウムを８重量％の割
合で含むアルカリ現像液に浸漬して、未露光の部分のフ
ォトレジストを除去し、レジスト層をパターニングす
る。続いて、露出した金属層を、塩酸を主成分とするエ
ッチング液でエッチング除去する。このようにして所定
のマトリクスパターンを有する遮光層（ブラックマトリ
クス）４１４を得ることができる（図１６：Ｓ２）。遮
光層４１４の膜厚は、およそ０．２μｍである。また、
遮光層４１４の幅は、およそ２２μｍである。

【０１１９】この基板上に、さらにネガ型の透明アクリ
ル系の感光性樹脂組成物４１５´をやはりスピンコート
法で塗布する（図１６：Ｓ３）。これを１００℃で２０
分間プレベークした後、所定のマトリクスパターン形状
を描画したマスクフィルムを用いて紫外線露光を行な
う。未露光部分の樹脂を、やはりアルカリ性の現像液で
現像し、純水でリンスした後スピン乾燥する。最終乾燥
としてのアフターベークを２００℃で３０分間行い、樹
脂部を十分硬化させることにより、バンク層４１５が形
成され、遮光層４１４及びバンク層４１５からなる仕切
り４１３が形成される（図１６：Ｓ４）。このバンク層
４１５の膜厚は、平均で２．７μｍである。また、バン
ク層４１５の幅は、およそ１４μｍである。

【０１２０】得られた遮光層４１４およびバンク層４１
５で区画された着色層形成領域（特にガラス基板４１１
の露出面）のインク濡れ性を改善するため、ドライエッ
チング、すなわちプラズマ処理を行なう。具体的には、
ヘリウムに酸素を２０％加えた混合ガスに高電圧を印加
し、プラズマ雰囲気でエッチングスポットに形成し、基
板を、このエッチングスポット下を通過させてエッチン
グする。

【０１２１】次に、仕切り４１３で区切られて形成され
た画素４１２内に、上記Ｒ、Ｇ、Ｂの各インクをインク
ジェット方式により導入する（図１６：Ｓ５）。機能液
滴吐出ヘッド７（インクジェットヘッド）には、ピエゾ
圧電効果を応用した精密ヘッドを使用し、微小インク滴
を着色層形成領域毎に１０滴、選択的に飛ばす。駆動周
波数は１４．４ｋＨｚ、すなわち、各インク滴の吐出間
隔は６９．５μ秒に設定する。ヘッドとターゲットとの
距離は、０．３ｍｍに設定する。ヘッドよりターゲット
である着色層形成領域への飛翔速度、飛行曲がり、サテ
ライトと称される分裂迷走滴の発生防止のためには、イ
ンクの物性はもとよりヘッドのピエゾ素子を駆動する波
形（電圧を含む）が重要である。従って、あらかじめ条
件設定された波形をプログラムして、インク滴を赤、
緑、青の３色を同時に塗布して所定の配色パターンにイ
ンクを塗布する。

【０１２２】インク（フィルタ材料）としては、例えば
ポリウレタン樹脂オリゴマーに無機顔料を分散させた
後、低沸点溶剤としてシクロヘキサノンおよび酢酸ブチ
ルを、高沸点溶剤としてブチルカルビトールアセテート
を加え、さらに非イオン系界面活性剤０．０１重量％を
分散剤として添加し、粘度６〜８センチポアズとしたも
のを用いる。

【０１２３】次に、塗布したインクを乾燥させる。ま
ず、自然雰囲気中で３時間放置してインク層４１６のセ
ッティングを行った後、８０℃のホットプレート上で４
０分間加熱し、最後にオーブン中で２００℃で３０分間
加熱してインク層４１６の硬化処理を行って、着色層４
２１が得られる（図１６：Ｓ６）。

【０１２４】上記基板に、透明アクリル樹脂塗料をスピ
ンコートして平滑面を有するオーバーコート層４２２を
形成する。さらに、この上面にＩＴＯ（Indium Tin Oxi
de）からなる電極層４２３を所要パターンで形成して、
カラーフィルタ４００とする（図１６：Ｓ７）。なお、
このオーバーコート層４２２を、機能液滴吐出ヘッド７
（インクジェットヘッド）によるインクジェット方式
で、形成するようにしてもよい。

【０１２５】図１７は、本発明の製造方法により製造さ
れる電気光学装置（フラットディスプレイ）の一例であ
るカラー液晶表示装置の断面図である。断面図各部のハ
ッチングは一部省略している。

【０１２６】このカラー液晶表示装置４５０は、カラー
フィルタ４００と対向基板４６６とを組み合わせ、両者
の間に液晶組成物４６５を封入することにより製造され
る。液晶表示装置４５０の一方の基板４６６の内側の面
には、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）素子（図示せず）と
画素電極４６３とがマトリクス状に形成されている。ま
た、もう一方の基板として、画素電極４６３に対向する
位置に赤、緑、青の着色層４２１が配列するようにカラ
ーフィルタ４００が設置されている。

【０１２７】基板４６６とカラーフィルタ４００の対向
するそれぞれの面には、配向膜４６１、４６４が形成さ
れている。これらの配向膜４６１、４６４はラビング処
理されており、液晶分子を一定方向に配列させることが
できる。また、基板４６６およびカラーフィルタ４００
の外側の面には、偏光板４６２、４６７がそれぞれ接着
されている。また、バックライトとしては蛍光灯（図示
せず）と散乱板の組合わせが一般的に用いられており、
液晶組成物４６５をバックライト光の透過率を変化させ
る光シャッターとして機能させることにより表示を行
う。

【０１２８】なお、電気光学装置は、本発明では上記の
カラー液晶表示装置に限定されず、例えば薄型のブラウ
ン管、あるいは液晶シャッター等を用いた小型テレビ、
ＥＬ表示装置、プラズマディスプレイ、ＣＲＴディスプ
レイ、ＦＥＤ（Field Emission Display）パネル等の種
々の電気光学手段を用いることができる。

【０１２９】次に、図１８ないし図３０を参照して、有
機ＥＬ装置（有機ＥＬ表示装置）とその製造方法を説明
する。

【０１３０】図１８ないし図３０は、有機ＥＬ素子を含
む有機ＥＬ装置の製造プロセスと共にその構造を表して
いる。この製造プロセスは、バンク部形成工程と、プラ
ズマ処理工程と、正孔注入／輸送層形成工程及び発光層
形成工程からなる発光素子形成工程と、対向電極形成工
程と、封止工程とを具備して構成されている。

【０１３１】バンク部形成工程では、基板５０１に予め
形成した回路素子部５０２上及び電極５１１（画素電極
ともいう）上の所定の位置に、無機物バンク層５１２ａ
と有機物バンク層５１２ｂを積層することにより、開口
部５１２ｇを有するバンク部５１２を形成する。このよ
うに、バンク部形成工程には、電極５１１の一部に、無
機物バンク層５１２ａを形成する工程と、無機物バンク
層の上に有機物バンク層５１２ｂを形成する工程が含ま
れる。

【０１３２】まず無機物バンク層５１２ａを形成する工
程では、図１８に示すように、回路素子部５０２の第２
層間絶縁膜５４４ｂ上及び画素電極５１１上に、無機物
バンク層５１２ａを形成する。無機物バンク層５１２ａ
を、例えばＣＶＤ法、コート法、スパッタ法、蒸着法等
によって第２層間絶縁膜５４４ｂ及び画素電極５１１の
全面にＳｉＯ₂、ＴｉＯ₂等の無機物膜を形成する。

【０１３３】次にこの無機物膜をエッチング等によりパ
ターニングして、電極５１１の電極面５１１ａの形成位
置に対応する下部開口部５１２ｃを設ける。このとき、
無機物バンク層５１２ａを電極５１１の周縁部と重なる
ように形成しておく必要がある。このように、電極５１
１の周縁部（一部）と無機物バンク層５１２ａとが重な
るように無機物バンク層５１２ａを形成することによ
り、発光層５１０ｂの発光領域を制御することができ
る。

【０１３４】次に有機物バンク層５１２ｂを形成する工
程では、図１９に示すように、無機物バンク層５１２ａ
上に有機物バンク層５１２ｂを形成する。有機物バンク
層５１２ｂをフォトリソグラフィー技術等によりエッチ
ングして、有機物バンク層５１２ｂの上部開口部５１２
ｄを形成する。上部開口部５１２ｄは、電極面５１１ａ
及び下部開口部５１２ｃに対応する位置に設けられる。

【０１３５】上部開口部５１２ｄは、図１９に示すよう
に、下部開口部５１２ｃより広く、電極面５１１ａより
狭く形成することが好ましい。これにより、無機物バン
ク層５１２ａの下部開口部５１２ｃを囲む第１積層部５
１２ｅが、有機物バンク層５１２ｂよりも電極５１１の
中央側に延出された形になる。このようにして、上部開
口部５１２ｄ、下部開口部５１２ｃを連通させることに
より、無機物バンク層５１２ａ及び有機物バンク層５１
２ｂを貫通する開口部５１２ｇが形成される。

【０１３６】次にプラズマ処理工程では、バンク部５１
２の表面と画素電極の表面５１１ａに、親インク性を示
す領域と、撥インク性を示す領域を形成する。このプラ
ズマ処理工程は、予備加熱工程と、バンク部５１２の上
面（５１２ｆ）及び開口部５１２ｇの壁面並びに画素電
極５１１の電極面５１１ａを親インク性を有するように
加工する親インク化工程と、有機物バンク層５１２ｂの
上面５１２ｆ及び上部開口部５１２ｄの壁面を、撥イン
ク性を有するように加工する撥インク化工程と、冷却工
程とに大別される。

【０１３７】まず、予備加熱工程では、バンク部５１２
を含む基板５０１を所定の温度まで加熱する。加熱は、
例えば基板５０１を載せるステージにヒータを取り付
け、このヒータで当該ステージごと基板５０１を加熱す
ることにより行う。具体的には、基板５０１の予備加熱
温度を、例えば７０〜８０℃の範囲とすることが好まし
い。

【０１３８】次に、親インク化工程では、大気雰囲気中
で酸素を処理ガスとするプラズマ処理（Ｏ₂プラズマ処
理）を行う。このＯ₂プラズマ処理により、図２０に示
すように、画素電極５１１の電極面５１１ａ、無機物バ
ンク層５１２ａの第１積層部５１２ｅ及び有機物バンク
層５１２ｂの上部開口部５１２ｄの壁面ならびに上面５
１２ｆが親インク処理される。この親インク処理によ
り、これらの各面に水酸基が導入されて親インク性が付
与される。図２０では、親インク処理された部分を一点
鎖線で示している。

【０１３９】次に、撥インク化工程では、大気雰囲気中
で４フッ化メタンを処理ガスとするプラズマ処理（ＣＦ
₄プラズマ処理）を行う。ＣＦ₄プラズマ処理により、図
２１に示すように、上部開口部５１２ｄ壁面及び有機物
バンク層の上面５１２ｆが撥インク処理される。この撥
インク処理により、これらの各面にフッ素基が導入され
て撥インク性が付与される。図２１では、撥インク性を
示す領域を二点鎖線で示している。

【０１４０】次に、冷却工程では、プラズマ処理のため
に加熱された基板５０１を室温、またはインクジェット
工程（機能液滴吐出工程）の管理温度まで冷却する。プ
ラズマ処理後の基板５０１を室温、または所定の温度
（例えばインクジェット工程を行う管理温度）まで冷却
することにより、次の正孔注入／輸送層形成工程を一定
の温度で行うことができる。

【０１４１】次に、発光素子形成工程では、画素電極５
１１上に正孔注入／輸送層及び発光層を形成することに
より発光素子を形成する。発光素子形成工程には、４つ
の工程が含まれる。即ち、正孔注入／輸送層を形成する
ための第１組成物を各画素電極上に吐出する第１機能液
滴吐出工程と、吐出された第１組成物を乾燥させて画素
電極上に正孔注入／輸送層を形成する正孔注入／輸送層
形成工程と、発光層を形成するための第２組成物を正孔
注入／輸送層の上に吐出する第２機能液滴吐出工程と、
吐出された第２組成物を乾燥させて正孔注入／輸送層上
に発光層を形成する発光層形成工程とが含まれる。

【０１４２】まず、第１機能液滴吐出工程では、インク
ジェット法（機能液滴吐出法）により、正孔注入／輸送
層形成材料を含む第１組成物を電極面５１１ａ上に吐出
する。なお、この第１機能液滴吐出工程以降は、水、酸
素の無い窒素雰囲気、アルゴン雰囲気等の不活性ガス雰
囲気で行うことが好ましい。（なお、画素電極上にのみ
正孔注入／輸送層を形成する場合は、有機物バンク層に
隣接して形成される正孔注入／輸送層は形成されない）

【０１４３】図２２に示すように、インクジェットヘッ
ド（機能液滴吐出ヘッド７）Ｈに正孔注入／輸送層形成
材料を含む第１組成物を充填し、インクジェットヘッド
Ｈの吐出ノズルを下部開口部５１２ｃ内に位置する電極
面５１１ａに対向させ、インクジェットヘッドＨと基板
５０１とを相対移動させながら、吐出ノズルから１滴当
たりの液量が制御された第１組成物滴５１０ｃを電極面
５１１ａ上に吐出する。

【０１４４】ここで用いる第１組成物としては、例え
ば、ポリエチレンジオキシチオフェン(PEDOT)等のポリ
チオフェン誘導体とポリスチレンスルホン酸(PSS)等の
混合物を、極性溶媒に溶解させた組成物を用いることが
できる。極性溶媒としては、例えば、イソプロピルアル
コール(IPA)、ノルマルブタノール、γ−ブチロラクト
ン、Ｎ−メチルピロリドン(NMP)、１，３−ジメチル−
２−イミダゾリジノン(DMI)及びその誘導体、カルビト
−ルアセテート、ブチルカルビト−ルアセテート等のグ
リコールエーテル類等を挙げることができる。なお、正
孔注入／輸送層形成材料は、Ｒ・Ｇ・Ｂの各発光層５１
０ｂに対して同じ材料を用いても良く、発光層毎に変え
ても良い。

【０１４５】図２２に示すように、吐出された第１組成
物滴５１０ｃは、親インク処理された電極面５１１ａ及
び第１積層部５１２ｅ上に広がり、下部、上部開口部５
１２ｃ、５１２ｄ内に満たされる。電極面５１１ａ上に
吐出する第１組成物量は、下部、上部開口部５１２ｃ、
５１２ｄの大きさ、形成しようとする正孔注入／輸送層
の厚さ、第１組成物中の正孔注入／輸送層形成材料の濃
度等により決定される。また、第１組成物滴５１０ｃは
１回のみならず、数回に分けて同一の電極面５１１ａ上
に吐出しても良い。

【０１４６】次に正孔注入／輸送層形成工程では、図２
３に示すように、吐出後の第１組成物を乾燥処理及び熱
処理して第１組成物に含まれる極性溶媒を蒸発させるこ
とにより、電極面５１１ａ上に正孔注入／輸送層５１０
ａを形成する。乾燥処理を行うと、第１組成物滴５１０
ｃに含まれる極性溶媒の蒸発が、主に無機物バンク層５
１２ａ及び有機物バンク層５１２ｂに近いところで起
き、極性溶媒の蒸発に併せて正孔注入／輸送層形成材料
が濃縮されて析出する。

【０１４７】これにより図２３に示すように、乾燥処理
によって電極面５１１ａ上でも極性溶媒の蒸発が起き、
これにより電極面５１１ａ上に正孔注入／輸送層形成材
料からなる平坦部５１０ａが形成される。電極面５１１
ａ上では極性溶媒の蒸発速度がほぼ均一であるため、正
孔注入／輸送層の形成材料が電極面５１１ａ上で均一に
濃縮され、これにより均一な厚さの平坦部５１０ａが形
成される。

【０１４８】次に第２機能液滴吐出工程では、インクジ
ェット法（機能液滴吐出法）により、発光層形成材料を
含む第２組成物を正孔注入／輸送層５１０ａ上に吐出す
る。この第２機能液滴吐出工程では、正孔注入／輸送層
５１０ａの再溶解を防止するために、発光層形成の際に
用いる第２組成物の溶媒として、正孔注入／輸送層５１
０ａに対して不溶な非極性溶媒を用いる。

【０１４９】しかしその一方で正孔注入／輸送層５１０
ａは、非極性溶媒に対する親和性が低いため、非極性溶
媒を含む第２組成物を正孔注入／輸送層５１０ａ上に吐
出しても、正孔注入／輸送層５１０ａと発光層５１０ｂ
とを密着させることができなくなるか、あるいは発光層
５１０ｂを均一に塗布できないおそれがある。そこで、
非極性溶媒ならびに発光層形成材料に対する正孔注入／
輸送層５１０ａの表面の親和性を高めるために、発光層
を形成する前に表面改質工程を行うことが好ましい。

【０１５０】そこでまず、表面改質工程について説明す
る。表面改質工程は、発光層形成の際に用いる第１組成
物の非極性溶媒と同一溶媒またはこれに類する溶媒であ
る表面改質用溶媒を、インクジェット法（機能液滴吐出
法）、スピンコート法またはディップ法により正孔注入
／輸送層５１０ａ上に塗布した後に乾燥することにより
行う。

【０１５１】例えば、インクジェット法による塗布は、
図２４に示すように、インクジェットヘッドＨに、表面
改質用溶媒を充填し、インクジェットヘッドＨの吐出ノ
ズルを基板（すなわち、正孔注入／輸送層５１０ａが形
成された基板）に対向させ、インクジェットヘッドＨと
基板５０１とを相対移動させながら、吐出ノズルＨから
表面改質用溶媒５１０ｄを正孔注入／輸送層５１０ａ上
に吐出することにより行う。そして、図２５に示すよう
に、表面改質用溶媒５１０ｄを乾燥させる。

【０１５２】次に第２機能液滴吐出工程では、インクジ
ェット法（機能液滴吐出法）により、発光層形成材料を
含む第２組成物を正孔注入／輸送層５１０ａ上に吐出す
る。図２６に示すように、インクジェットヘッドＨに、
青色（Ｂ）発光層形成材料を含有する第２組成物を充填
し、インクジェットヘッドＨの吐出ノズルを下部、上部
開口部５１２ｃ、５１２ｄ内に位置する正孔注入／輸送
層５１０ａに対向させ、インクジェットヘッドＨと基板
５０１とを相対移動させながら、吐出ノズルから１滴当
たりの液量が制御された第２組成物滴５１０ｅとして吐
出し、この第２組成物滴５１０ｅを正孔注入／輸送層５
１０ａ上に吐出する。

【０１５３】発光層形成材料としては、ポリフルオレン
系高分子誘導体や、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘
導体、ポリフェニレン誘導体、ポリビニルカルバゾー
ル、ポリチオフェン誘導体、ペリレン系色素、クマリン
系色素、ローダミン系色素、あるいは上記高分子に有機
ＥＬ材料をドープして用いる事ができる。例えば、ルブ
レン、ペリレン、９，１０-ジフェニルアントラセン、
テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン
６、キナクリドン等をドープすることにより用いること
ができる。

【０１５４】非極性溶媒としては、正孔注入／輸送層５
１０ａに対して不溶なものが好ましく、例えば、シクロ
へキシルベンゼン、ジハイドロベンゾフラン、トリメチ
ルベンゼン、テトラメチルベンゼン等を用いることがで
きる。このような非極性溶媒を発光層５１０ｂの第２組
成物に用いることにより、正孔注入／輸送層５１０ａを
再溶解させることなく第２組成物を塗布できる。

【０１５５】図２６に示すように、吐出された第２組成
物５１０ｅは、正孔注入／輸送層５１０ａ上に広がって
下部、上部開口部５１２ｃ、５１２ｄ内に満たされる。
第２組成物５１０ｅは１回のみならず、数回に分けて同
一の正孔注入／輸送層５１０ａ上に吐出しても良い。こ
の場合、各回における第２組成物の量は同一でも良く、
各回毎に第２組成物量を変えても良い。

【０１５６】次に発光層形成工程では、第２組成物を吐
出した後に乾燥処理及び熱処理を施して、正孔注入／輸
送層５１０ａ上に発光層５１０ｂを形成する。乾燥処理
は、吐出後の第２組成物を乾燥処理することにより第２
組成物に含まれる非極性溶媒を蒸発して、図２７に示す
ような青色（Ｂ）発光層５１０ｂを形成する。

【０１５７】続けて、図２８に示すように、青色（Ｂ）
発光層５１０ｂの場合と同様にして、赤色（Ｒ）発光層
５１０ｂを形成し、最後に緑色（Ｇ）発光層５１０ｂを
形成する。なお、発光層５１０ｂの形成順序は、前述の
順序に限られるものではなく、どのような順番で形成し
ても良い。例えば、発光層形成材料に応じて形成する順
番を決める事も可能である。

【０１５８】次に対向電極形成工程では、図２９に示す
ように、発光層５１０ｂ及び有機物バンク層５１２ｂの
全面に陰極５０３（対向電極）を形成する。なお，陰極
５０３は複数の材料を積層して形成しても良い。例え
ば、発光層に近い側には仕事関数が小さい材料を形成す
ることが好ましく、例えばＣａ、Ｂａ等を用いることが
可能であり、また材料によっては下層にＬｉＦ等を薄く
形成した方が良い場合もある。また、上部側（封止側）
には下部側よりも仕事関数が高いものが好ましい。これ
らの陰極（陰極層）５０３は、例えば蒸着法、スパッタ
法、ＣＶＤ法等で形成することが好ましく、特に蒸着法
で形成することが、発光層５１０ｂの熱による損傷を防
止できる点で好ましい。

【０１５９】また、フッ化リチウムは、発光層５１０ｂ
上のみに形成しても良く、更に青色（Ｂ）発光層５１０
ｂ上のみに形成しても良い。この場合、他の赤色（Ｒ）
発光層及び緑色（Ｇ）発光層５１０ｂ、５１０ｂには、
ＬｉＦからなる上部陰極層５０３ｂが接することとな
る。また陰極１２の上部には、蒸着法、スパッタ法、Ｃ
ＶＤ法等により形成したＡｌ膜、Ａｇ膜等を用いること
が好ましい。また、陰極５０３上に、酸化防止のために
ＳｉＯ₂、ＳｉＮ等の保護層を設けても良い。

【０１６０】最後に、図３０に示す封止工程では、窒
素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガス雰囲気中で、有
機ＥＬ素子５０４上に封止用基板５０５を積層する。封
止工程は、窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガス雰
囲気で行うことが好ましい。大気中で行うと、陰極５０
３にピンホール等の欠陥が生じていた場合にこの欠陥部
分から水や酸素等が陰極５０３に侵入して陰極５０３が
酸化されるおそれがあるので好ましくない。そして最後
に、フレキシブル基板の配線に陰極５０３を接続すると
ともに、駆動ＩＣに回路素子部５０２の配線を接続する
ことにより、本実施形態の有機ＥＬ装置５００が得られ
る。

【０１６１】なお、画素電極５１１および陰極（対向電
極）５０３の形成において、インクジェットヘッドＨに
よるインクジェット方式を採用してもよい。すなわち、
液体の電極材料をインクジェットヘッドＨにそれぞれ導
入し、これをインクジェットヘッドＨから吐出して、画
素電極５１１および陰極５０３をそれぞれ形成する（乾
燥工程を含む）。

【０１６２】同様に、本実施形態の機能液滴吐出装置１
０は、電子放出装置の製造方法、ＰＤＰ装置の製造方法
および電気泳動表示装置の製造方法等に、適用すること
ができる。

【０１６３】電子放出装置の製造方法では、複数の機能
液滴吐出ヘッド７にＲ、Ｇ、Ｂ各色の蛍光材料を導入
し、複数の機能液滴吐出ヘッド７を主走査および副走査
し、蛍光材料を選択的に吐出して、電極上に多数の蛍光
体を形成する。なお、電子放出装置は、ＦＥＤ（電界放
出ディスプレイ）を含む上位の概念である。

【０１６４】ＰＤＰ装置の製造方法では、複数の機能液
滴吐出ヘッド７にＲ、Ｇ、Ｂ各色の蛍光材料を導入し、
複数の機能液滴吐出ヘッド７を主走査および副走査し、
蛍光材料を選択的に吐出して、背面基板上の多数の凹部
にそれぞれ蛍光体を形成する。

【０１６５】電気泳動表示装置の製造方法では、複数の
機能液滴吐出ヘッド７に各色の泳動体材料を導入し、複
数の機能液滴吐出ヘッド７を主走査および副走査し、イ
ンク材料を選択的に吐出して、電極上の多数の凹部にそ
れぞれ泳動体を形成する。なお、帯電粒子と染料とから
成る泳動体は、マイクロカプセルに封入されていること
が、好ましい。

【０１６６】一方、本実施形態の機能液滴吐出装置１０
は、スペーサ形成方法、金属配線形成方法、レンズ形成
方法、レジスト形成方法および光拡散体形成方法等に
も、適用可能である。

【０１６７】スペーサ形成方法は、２枚の基板間に微小
なセルギャップを構成すべく多数の粒子状のスペーサを
形成するものであり、複数の機能液滴吐出ヘッド７にス
ペーサを構成する粒子材料を導入し、複数の機能液滴吐
出ヘッド７を主走査および副走査し、粒子材料を選択的
に吐出して少なくとも一方の基板上にスペーサを形成す
る。例えば、上記の液晶表示装置や電気泳動表示装置に
おける２枚の基板間のセルギャップを構成する場合に有
用であり、その他この種の微小なギャップを必要とする
半導体製造技術に適用できることはいうまでもない。

【０１６８】金属配線形成方法では、複数の機能液滴吐
出ヘッド７に液状金属材料を導入し、複数の機能液滴吐
出ヘッド７を主走査および副走査し、液状金属材料を選
択的に吐出して、基板上に金属配線を形成する。例え
ば、上記の液晶表示装置におけるドライバと各電極とを
接続する金属配線や、上記の有機ＥＬ装置におけるＴＦ
Ｔ等と各電極とを接続する金属配線に適用することがで
きる。また、この種のフラットディスプレイの他、一般
的な半導体製造技術に適用できることはいうまでもな
い。

【０１６９】レンズ形成方法では、複数の機能液滴吐出
ヘッド７にレンズ材料を導入し、複数の機能液滴吐出ヘ
ッド７を主走査および副走査し、レンズ材料を選択的に
吐出して、透明基板上に多数のマイクロレンズを形成す
る。例えば、上記のＦＥＤ装置におけるビーム収束用の
デバイスとして適用可能である。また、各種の光デバイ
スに適用可能であることはいうまでもない。

【０１７０】レジスト形成方法では、複数の機能液滴吐
出ヘッド７にレジスト材料を導入し複数の機能液滴吐出
ヘッド７を主走査および副走査し、レジスト材料を選択
的に吐出して、基板上に任意形状のフォトレジストを形
成する。例えば、上記の各種表示装置おけるバンクの形
成は元より、半導体製造技術の主体を為すフォトリソグ
ラフィー法において、フォトレジストの塗布に広く適用
可能である。

【０１７１】光拡散体形成方法では、基板上に多数の光
拡散体を形成する光拡散体形成方法であって、複数の機
能液滴吐出ヘッド７に光拡散材料を導入し、複数の機能
液滴吐出ヘッド７を主走査および副走査し、光拡散材料
を選択的に吐出して多数の光拡散体を形成する。この場
合も、各種の光デバイスに適用可能であることはいうま
でもない。

【０１７２】

【発明の効果】以上のように、本発明の描画方法および
描画装置によれば、基板上に設定された検査領域に描画
される検査パターンの描画に基づいて、複数のノズルに
おける個々のノズルの吐出不良を検出するため、機能液
滴吐出ヘッドをノズル検査のための別ステージに移動す
ることなく、迅速にノズルの吐出不良を検出することが
できる。また、各チップ領域を分断するための切断領域
を、検査領域として利用することにより、検査パターン
を描画するための特別な領域を設けることなくノズル不
良を検出することができるなどの作用・効果を奏する。

【０１７３】一方、本発明の液晶表示装置の製造方法、
有機ＥＬ装置の製造方法、電子放出装置の製造方法、Ｐ
ＤＰ装置の製造方法および電気泳動表示装置の製造方法
によれば、各装置におけるフィルタ材料や発光材料等に
適した機能液滴吐出ヘッドを簡単に導入することができ
るため、製造効率を向上させることができる。

【０１７４】また、本発明のカラーフィルタの製造方
法、有機ＥＬの製造方法、スペーサ形成方法、金属配線
形成方法、レンズ形成方法、レジスト形成方法および光
拡散体形成方法によれば、各電子デバイスや各光デバイ
スにおけるフィルタ材料や発光材料等に適した機能液滴
吐出ヘッドを簡単に導入することができため、製造効率
を向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 実施形態に係る描画装置の模式図である。

【図２】 実施形態に係る機能液滴吐出ヘッドと基板の
模式図である。

【図３】 実施形態に係る機能液滴吐出ヘッドと画像認
識カメラの模式図である。

【図４】 実施形態に係る機能液滴吐出装置の制御系の
ブロック図である。

【図５】 第１実施形態に係る描画処理方法を示すフロ
ーチャートである。

【図６】 第１実施形態に係る修復処理方法を示すフロ
ーチャートである。

【図７】 第２実施形態に係る描画処理方法を示すフロ
ーチャートである。

【図８】 第２実施形態に係る修復処理方法を示すフロ
ーチャートである。

【図９】 実施形態に係る描画結果を示す図である。

【図１０】 実施形態に係る描画結果の一部を示す図で
ある。

【図１１】 実施形態に係る修復描画データによる描画
結果の一部を示す図である。

【図１２】 実施形態に係る修復描画後の描画結果の一
部を示す図である。

【図１３】 実施形態に係る描画方法の一例を示す図で
ある。

【図１４】 図９とは異なる描画結果を示す図である。

【図１５】 実施形態のカラーフィルタの製造方法によ
り製造されるカラーフィルタの部分拡大図である。

【図１６】 実施形態のカラーフィルタの製造方法を模
式的に示す製造工程断面図である。

【図１７】 実施形態のカラーフィルタの製造方法によ
り製造される液晶表示装置の断面図である。

【図１８】 実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法に
おけるバンク部形成工程（無機物バンク）の断面図であ
る。

【図１９】 実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法に
おけるバンク部形成工程（有機物バンク）の断面図であ
る。

【図２０】 実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法に
おけるプラズマ処理工程（親水化処理）の断面図であ
る。

【図２１】 実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法に
おけるプラズマ処理工程（撥水化処理）の断面図であ
る。

【図２２】 実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法に
おける正孔注入層形成工程（機能液滴吐出）の断面図で
ある。

【図２３】 実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法に
おける正孔注入層形成工程（乾燥）の断面図である。

【図２４】 実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法に
おける表面改質工程（機能液滴吐出）の断面図である。

【図２５】 実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法に
おける表面改質工程（乾燥）の断面図である。

【図２６】 実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法に
おけるＢ発光層形成工程（機能液滴吐出）の断面図であ
る。

【図２７】 実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法に
おけるＢ発光層形成工程（乾燥）の断面図である。

【図２８】 実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法に
おけるＲ・Ｇ・Ｂ発光層形成工程の断面図である。

【図２９】 実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法に
おける対向電極形成工程の断面図である。

【図３０】 実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法に
おける封止工程の断面図である。

【符号の説明】

７ 機能液滴吐出ヘッド １０ 機能液滴吐出装
置 ２３ Ｘ軸テーブル ２４ Ｙ軸テーブル ２５ メインキャリッジ ２６ ヘッドユニッ
ト ２８ 吸着テーブル ３７ ノズル列 ３８ ノズル ４１ サブキャリッ
ジ ７０ カメラユニット ７１ カメラキャリ
ッジ ７２ 画像認識カメラ １１０ ヘッド部 １２０ 駆動部 １３０ 電源部 １４０ 送り検出部 １５０ ドット抜け
検出部 １６０ 制御部 １５２ 第２ＰＣ ４００ カラーフィルタ ４１２ 画素 ４１５ バンク層 ４１６ インク層 ４２２ オーバーコート層 ４６６ 基板 ５００ 有機ＥＬ装置 ５０１ 基板 ５０２ 回路素子部 ５０４ 有機ＥＬ素
子 ５１０ａ 正孔注入／輸送層 ５１０ｂ 発光層 Ｃ チップ領域 Ｋ 検査領域 Ｗ 基板 ｃ 実描画パターン ｋ 検査パターン

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０２Ｆ 1/1335 ５０５ Ｇ０２Ｆ 1/1339 ５００ ４Ｄ０７５ 1/1339 ５００ Ｇ０９Ｆ 9/00 ３３８ ４Ｆ０４１ Ｇ０９Ｆ 9/00 ３３８ Ｈ０５Ｂ 33/10 ５Ｇ４３５ Ｈ０５Ｂ 33/10 33/14 Ａ 33/14 Ｂ４１Ｊ 3/04 １０１Ｚ Ｆターム(参考） 2C056 EA20 EB08 EB40 EC08 EC79 FA04 FB05 FD20 2H088 FA30 HA01 HA02 HA03 HA06 HA07 HA08 HA10 HA12 HA18 HA24 HA28 MA20 2H089 LA01 NA39 NA42 NA44 NA45 QA16 TA01 TA04 TA07 TA08 TA12 TA13 TA15 TA16 TA17 TA18 2H091 FA02Y FA07X FA07Z FA26X FA26Z FA31X FA35Y FA41Z FC02 FC03 FC10 FC22 FC23 FC26 FC27 FC29 GA01 GA02 GA06 GA07 GA08 GA11 GA12 GA13 3K007 AB18 DB03 FA01 4D075 AC07 AC93 AE02 CB06 CB08 CB09 CB11 DA06 DC24 DC27 EA05 EA43 EC11 4F041 AA02 AA05 AB01 BA13 BA22 BA27 BA38 5G435 AA17 GG12 KK10 (54)【発明の名称】 描画方法、描画装置、並びにこれを備えた液晶表示装置の製造方法、有機ＥＬ装置の製造方法、 電子放出装置の製造方法、ＰＤＰ装置の製造方法、電気泳動表示装置の製造方法、カラーフィル タの製造方法、有機ＥＬの製造方法、スペーサ形成方法、金属配線形成方法、レンズ形成方法、 レジスト形成方法および光拡散体形成方法

Claims (47)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一連の描画動作において、検査パターン
   を描画する検査領域と実描画パターンを描画する実描画
   領域とを設定した描画対象物に対し、機能液滴吐出ヘッ
   ドを相対的に走査しながらその複数のノズルから機能液
   滴を吐出して描画を行う描画方法であって、 前記複数のノズルの全てから機能液滴を吐出して前記検
   査領域に検査パターンを描画する検査描画工程と、 前記複数のノズルから選択的に機能液滴を吐出して前記
   実描画領域に実描画パターンを描画する実描画工程と、 前記検査パターンの描画に基づいて、前記複数のノズル
   における個々のノズルの吐出不良を検出するノズル不良
   検出工程と、を備えたことを特徴とする描画方法。
2. 【請求項２】 前記検査領域は、前記機能液滴吐出ヘッ
   ドの走査方向において、前記実描画領域の走査開始側に
   設定した前検査領域および／または走査終了側に設定し
   た後検査領域を有することを特徴とする請求項１に記載
   の描画方法。
3. 【請求項３】 前記描画領域は、前記機能液滴吐出ヘッ
   ドの走査方向において、間隙を存して設けた複数のチッ
   プ領域を有し、 前記検査領域は、前記複数のチップ領域の各間隙に設定
   した中間検査領域を有することを特徴とする請求項１ま
   たは２に記載の描画方法。
4. 【請求項４】 前記各チップ領域は、能動素子形成領域
   であり、前記各間隙は各能動素子形成領域を分断するた
   めの切断領域であることを特徴とする請求項３に記載の
   描画方法。
5. 【請求項５】 前記ノズル不良検出工程は、 描画した前記検査パターンを画像認識する画像認識工程
   と、 認識した前記検査パターンのドット抜け部分から不良ノ
   ズルを特定する不良ノズル特定工程とを有することを特
   徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の描画方
   法。
6. 【請求項６】 前記画像認識工程は、 前記検査パターンを撮像する単一の画像認識カメラを用
   い、これを前記走査方向に直交する方向に移動させて行
   われることを特徴とする請求項５に記載の描画方法。
7. 【請求項７】 前記画像認識工程は、 前記検査パターンを前記走査方向に直交する方向に区間
   割りして撮像する複数の画像認識カメラを用い、これら
   を同方向に移動させて行われることを特徴とする請求項
   ５に記載の描画方法。
8. 【請求項８】 前記画像認識カメラは、前記機能液滴吐
   出ヘッドの走査方向における走査開始側および走査終了
   側に配設されていることを特徴とする請求項６または７
   に記載の描画方法。
9. 【請求項９】 前記ノズル不良検出工程における検出結
   果に基づいて、前記実描画パターンにドット抜けが存在
   するか否かを判別するドット抜け判別工程と、 ドット抜けが存在すると判別された場合にドット抜けを
   修復する修復工程とを、更に備えることを特徴とする請
   求項１ないし８のいずれかに記載の描画方法。
10. 【請求項１０】 前記修復工程は、少なくとも検査対象
    となった前記検査パターンの描画に先行して描画され
    た、実描画パターンに対して行われることを特徴とする
    請求項９に記載の描画方法。
11. 【請求項１１】 前記修復工程は、吐出不良が検出され
    たノズル以外の正常ノズルで行われることを特徴とする
    請求項１０に記載の描画方法。
12. 【請求項１２】 前記ノズル不良検出工程において吐出
    不良のノズルが検出された場合に、検査対象となった前
    記検査パターンの描画に後行して描画される実描画パタ
    ーンに対し、吐出不良が検出されたノズル以外の正常ノ
    ズルで描画する修正描画工程を、更に備えることを特徴
    とする請求項１ないし１１のいずれかに記載の描画方
    法。
13. 【請求項１３】 前記正常ノズルで、前記検査パターン
    の描画に後行して描画される実描画パターンの描画が可
    能であるか否かを判断する修正描画判断工程を更に備
    え、 前記修正描画判断工程により、不可能であると判断した
    場合は、前記正常のズルを用いることなく、前記吐出不
    良が検出されたノズルへの吐出指示を中止した状態で、
    前記実描画パターンの描画を続行することを特徴とする
    請求項１２に記載の描画方法。
14. 【請求項１４】 前記正常ノズルは、前記吐出不良のノ
    ズルと同色の機能液滴を吐出可能なノズルであることを
    特徴とする請求項１１、１２または１３に記載の描画方
    法。
15. 【請求項１５】 前記ノズル不良検出工程において吐出
    不良のノズルが検出された場合に、検査対象となった前
    記検査パターンの描画に後行して描画される実描画パタ
    ーンに対し、描画を中止する描画中止工程を、更に備え
    ることを特徴とする請求項１ないし１４のいずれかに記
    載の描画方法。
16. 【請求項１６】 一連の描画動作において、検査パター
    ンを描画するｎ個の検査領域と実描画パターンを描画す
    る（ｎ−１）個の実描画領域とを交互に設定した描画対
    象物に対し、機能液滴吐出ヘッドを相対的に走査しなが
    らその複数のノズルから機能液滴を吐出して描画を行う
    描画方法であって、 前記複数のノズルの全てから機能液滴を吐出して前記検
    査領域に検査パターンを描画する検査描画工程と、 前記複数のノズルから選択的に機能液滴を吐出して前記
    実描画領域に実描画パターンを描画する実描画工程と、 前記ｎ個の検査領域のうち、最初の検査領域に描画され
    た第１検査パターンと、最後の検査領域に描画された最
    終検査パターンとの２つの検査パターンを画像認識する
    画像認識工程と、 前記画像認識工程により、前記第１検査パターンのドッ
    ト抜けは認識せず、前記最終検査パターンのドット抜け
    を認識した場合、当該最終検査パターンのドット抜け部
    分から不良ノズルを特定すると共に、最終検査パターン
    から遡って各検査パターンの画像認識を行うことで、ド
    ット抜けの存在しない検査パターンを特定し、これに後
    行して描画された全ての実描画パターンのドット抜けを
    修復する修復工程と、を備えたことを特徴とする描画方
    法。
17. 【請求項１７】 一連の描画動作において、検査パター
    ンを描画する検査領域と実描画パターンを描画する実描
    画領域とを設定した描画対象物に対し、機能液滴吐出ヘ
    ッドを相対的に走査しながらその複数のノズルから機能
    液滴を吐出して描画を行う描画装置であって、 前記複数のノズルの全てから機能液滴を吐出して前記検
    査領域に検査パターンを描画する検査描画手段と、 前記複数のノズルから選択的に機能液滴を吐出して前記
    実描画領域に実描画パターンを描画する実描画手段と、 前記検査パターンの描画に基づいて、前記複数のノズル
    における個々のノズルの吐出不良を検出するノズル不良
    検出手段と、を備えたことを特徴とする描画装置。
18. 【請求項１８】 前記検査領域は、前記機能液滴吐出ヘ
    ッドの走査方向において、前記実描画領域の走査開始側
    に設定した前検査領域および／または走査終了側に設定
    した後検査領域を有することを特徴とする請求項１７に
    記載の描画装置。
19. 【請求項１９】 前記描画領域は、前記機能液滴吐出ヘ
    ッドの走査方向において、間隙を存して設けた複数のチ
    ップ領域を有し、 前記検査領域は、前記複数のチップ領域の各間隙に設定
    した中間検査領域を有することを特徴とする請求項１７
    または１８に記載の描画装置。
20. 【請求項２０】 前記各チップ領域は、能動素子形成領
    域であり、前記各間隙は各能動素子形成領域を分断する
    ための切断領域であることを特徴とする請求項１９に記
    載の描画装置。
21. 【請求項２１】 前記ノズル不良検出手段は、 描画した前記検査パターンを画像認識する画像認識手段
    と、 認識した前記検査パターンのドット抜け部分から不良ノ
    ズルを特定する不良ノズル特定手段とを有することを特
    徴とする請求項１７ないし２０のいずれかに記載の描画
    装置。
22. 【請求項２２】 前記画像認識手段は、 前記検査パターンを撮像する単一の画像認識カメラを用
    い、これを前記走査方向に直交する方向に移動させて行
    われることを特徴とする請求項２１に記載の描画装置。
23. 【請求項２３】 前記画像認識手段は、 前記検査パターンを前記走査方向に直交する方向に区間
    割りして撮像する複数の画像認識カメラを用い、これら
    を同方向に移動させて行われることを特徴とする請求項
    ２１に記載の描画装置。
24. 【請求項２４】 前記画像認識カメラは、前記機能液滴
    吐出ヘッドの走査方向における走査開始側および走査終
    了側に配設されていることを特徴とする請求項２２また
    は２３に記載の描画装置。
25. 【請求項２５】 前記ノズル不良検出手段における検出
    結果に基づいて、前記実描画パターンにドット抜けが存
    在するか否かを判別するドット抜け判別手段と、 ドット抜けが存在すると判別された場合にドット抜けを
    修復する修復手段とを、更に備えることを特徴とする請
    求項１７ないし２４のいずれかに記載の描画装置。
26. 【請求項２６】 前記修復手段は、少なくとも検査対象
    となった前記検査パターンの描画に先行して描画され
    た、実描画パターンに対して行われることを特徴とする
    請求項２５に記載の描画装置。
27. 【請求項２７】 前記修復手段は、吐出不良が検出され
    たノズル以外の正常ノズルで行われることを特徴とする
    請求項２６に記載の描画装置。
28. 【請求項２８】 前記ノズル不良検出手段において吐出
    不良のノズルが検出された場合に、検査対象となった前
    記検査パターンの描画に後行して描画される実描画パタ
    ーンに対し、吐出不良が検出されたノズル以外の正常ノ
    ズルで描画する修正描画手段を、更に備えることを特徴
    とする請求項１７ないし２７のいずれかに記載の描画装
    置。
29. 【請求項２９】 前記正常ノズルで、前記検査パターン
    の描画に後行して描画される実描画パターンの描画が可
    能であるか否かを判断する修正描画判断手段を更に備
    え、 前記修正描画判断手段により、不可能であると判断した
    場合は、前記正常のズルを用いることなく、前記吐出不
    良が検出されたノズルへの吐出指示を中止した状態で、
    前記実描画パターンの描画を続行することを特徴とする
    請求項２８に記載の描画装置。
30. 【請求項３０】 前記正常ノズルは、前記吐出不良のノ
    ズルと同色の機能液滴を吐出可能なノズルであることを
    特徴とする請求項２７、２８または２９に記載の描画装
    置。
31. 【請求項３１】 前記ノズル不良検出手段において吐出
    不良のノズルが検出された場合に、検査対象となった前
    記検査パターンの描画に後行して描画される実描画パタ
    ーンに対し、描画を中止する描画中止手段を、更に備え
    ることを特徴とする請求項１７ないし３０のいずれかに
    記載の描画装置。
32. 【請求項３２】 一連の描画動作において、検査パター
    ンを描画するｎ個の検査領域と実描画パターンを描画す
    る（ｎ−１）個の実描画領域とを交互に設定した描画対
    象物に対し、機能液滴吐出ヘッドを相対的に走査しなが
    らその複数のノズルから機能液滴を吐出して描画を行う
    描画装置であって、 前記複数のノズルの全てから機能液滴を吐出して前記検
    査領域に検査パターンを描画する検査描画手段と、 前記複数のノズルから選択的に機能液滴を吐出して前記
    実描画領域に実描画パターンを描画する実描画手段と、 前記ｎ個の検査領域のうち、最初の検査領域に描画され
    た第１検査パターンと、最後の検査領域に描画された最
    終検査パターンとの２つの検査パターンを画像認識する
    画像認識手段と、 前記画像認識手段により、前記第１検査パターンのドッ
    ト抜けは認識せず、前記最終検査パターンのドット抜け
    を認識した場合、当該最終検査パターンのドット抜け部
    分から不良ノズルを特定すると共に、最終検査パターン
    から遡って各検査パターンの画像認識を行うことで、ド
    ット抜けの存在しない検査パターンを特定し、これに後
    行して描画された全ての実描画パターンのドット抜けを
    修復する修復手段と、を備えたことを特徴とする描画装
    置。
33. 【請求項３３】 請求項１７ないし３２のいずれかに記
    載の描画装置を用い、カラーフィルタの基板上に多数の
    フィルタエレメントを形成する液晶表示装置の製造方法
    であって、 前記機能液滴吐出ヘッドに各色のフィルタ材料を導入
    し、 前記機能液滴吐出ヘッドを前記基板に対し相対的に走査
    し、前記フィルタ材料を選択的に吐出して多数の前記フ
    ィルタエレメントを形成することを特徴とする液晶表示
    装置の製造方法。
34. 【請求項３４】 請求項１７ないし３２のいずれかに記
    載の描画装置を用い、基板上の多数の絵素ピクセルにそ
    れぞれＥＬ発光層を形成する有機ＥＬ装置の製造方法で
    あって、 前記機能液滴吐出ヘッドに各色の発光材料を導入し、 前記機能液滴吐出ヘッドを前記基板に対し相対的に走査
    し、前記発光材料を選択的に吐出して多数の前記ＥＬ発
    光層を形成することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方
    法。
35. 【請求項３５】 請求項１７ないし３２のいずれかに記
    載の描画装置を用い、電極上に多数の蛍光体を形成する
    電子放出装置の製造方法であって、 前記機能液滴吐出ヘッドに各色の蛍光材料を導入し、 前記機能液滴吐出ヘッドを前記電極に対し相対的に走査
    し、前記蛍光材料を選択的に吐出して多数の前記蛍光体
    を形成することを特徴とする電子放出装置の製造方法。
36. 【請求項３６】 請求項１７ないし３２のいずれかに記
    載の描画装置を用い、背面基板上の多数の凹部にそれぞ
    れ蛍光体を形成するＰＤＰ装置の製造方法であって、 前記機能液滴吐出ヘッドに各色の蛍光材料を導入し、 前記機能液滴吐出ヘッドを前記背面基板に対し相対的に
    走査し、前記蛍光材料を選択的に吐出して多数の前記蛍
    光体を形成することを特徴とするＰＤＰ装置の製造方
    法。
37. 【請求項３７】 請求項１７ないし３２のいずれかに記
    載の描画装置を用い、電極上の多数の凹部に泳動体を形
    成する電気泳動表示装置の製造方法であって、 前記機能液滴吐出ヘッドに各色の泳動体材料を導入し、 前記機能液滴吐出ヘッドを前記電極に対し相対的に走査
    し、前記泳動体材料を選択的に吐出して多数の前記泳動
    体を形成することを特徴とする電気泳動表示装置の製造
    方法。
38. 【請求項３８】 請求項１７ないし３２のいずれかに記
    載の描画装置を用い、基板上に多数のフィルタエレメン
    トを配列して成るカラーフィルタを製造するカラーフィ
    ルタの製造方法であって、 前記機能液滴吐出ヘッドに各色のフィルタ材料を導入
    し、 前記機能液滴吐出ヘッドを前記基板に対し相対的に走査
    し、前記フィルタ材料を選択的に吐出して多数の前記フ
    ィルタエレメントを形成することを特徴とするカラーフ
    ィルタの製造方法。
39. 【請求項３９】 前記多数のフィルタエレメントを被覆
    するオーバーコート膜が形成されており、 前記フィルタエレメントを形成した後に、 前記機能液滴吐出ヘッドに透光性のコーティング材料を
    導入し、 前記機能液滴吐出ヘッドを前記基板に対し相対的に走査
    し、前記コーティング材料を選択的に吐出して前記オー
    バーコート膜を形成することを特徴とする請求項３８に
    記載のカラーフィルタの製造方法。
40. 【請求項４０】 請求項１７ないし３２のいずれかに記
    載の描画装置を用い、ＥＬ発光層を含む多数の絵素ピク
    セルを基板上に配列して成る有機ＥＬの製造方法であっ
    て、 前記機能液滴吐出ヘッドに各色の発光材料を導入し、 前記機能液滴吐出ヘッドを前記基板に対し相対的に走査
    し、前記発光材料を選択的に吐出して多数の前記ＥＬ発
    光層を形成することを特徴とする有機ＥＬの製造方法。
41. 【請求項４１】 多数の前記ＥＬ発光層と前記基板との
    間には、前記ＥＬ発光層に対応して多数の画素電極が形
    成されており、 前記機能液滴吐出ヘッドに液状電極材料を導入し、 前記機能液滴吐出ヘッドを前記基板に対し相対的に走査
    し、前記液状電極材料を選択的に吐出して多数の前記画
    素電極を形成することを特徴とする請求項４０に記載の
    有機ＥＬの製造方法。
42. 【請求項４２】 多数の前記ＥＬ発光層を覆うように対
    向電極が形成されており、 前記ＥＬ発光層を形成した後に、 前記機能液滴吐出ヘッドに液状電極材料を導入し、 前記機能液滴吐出ヘッドを前記基板に対し相対的に走査
    し、前記液状電極材料を選択的に吐出して前記対向電極
    を形成することを特徴とする請求項４１に記載の有機Ｅ
    Ｌの製造方法。
43. 【請求項４３】 請求項１７ないし３２のいずれかに記
    載の描画装置を用い、２枚の基板間に微小なセルギャッ
    プを構成すべく多数の粒子状のスペーサを形成するスペ
    ーサ形成方法であって、 前記機能液滴吐出ヘッドにスペーサを構成する粒子材料
    を導入し、 前記機能液滴吐出ヘッドを少なくとも一方の前記基板に
    対し相対的に走査し、前記粒子材料を選択的に吐出して
    前記基板上に前記スペーサを形成することを特徴とする
    スペーサ形成方法。
44. 【請求項４４】 請求項１７ないし３２のいずれかに記
    載の描画装置を用い、基板上に金属配線を形成する金属
    配線形成方法であって、 前記機能液滴吐出ヘッドに液状金属材料を導入し、 前記機能液滴吐出ヘッドを前記基板に対し相対的に走査
    し、前記液状金属材料を選択的に吐出して前記金属配線
    を形成することを特徴とする金属配線形成方法。
45. 【請求項４５】 請求項１７ないし３２のいずれかに記
    載の描画装置を用い、基板上に多数のマイクロレンズを
    形成するレンズ形成方法であって、 前記機能液滴吐出ヘッドにレンズ材料を導入し、 前記機能液滴吐出ヘッドを前記基板に対し相対的に走査
    し、前記レンズ材料を選択的に吐出して多数の前記マイ
    クロレンズを形成することを特徴とするレンズ形成方
    法。
46. 【請求項４６】 請求項１７ないし３２のいずれかに記
    載の描画装置を用い、基板上に任意形状のレジストを形
    成するレジスト形成方法であって、 前記機能液滴吐出ヘッドにレジスト材料を導入し、 前記機能液滴吐出ヘッドを前記基板に対し相対的に走査
    し、前記レジスト材料を選択的に吐出して前記レジスト
    を形成することを特徴とするレジスト形成方法。
47. 【請求項４７】 請求項１７ないし３２のいずれかに記
    載の描画装置を用い、基板上に多数の光拡散体を形成す
    る光拡散体形成方法であって、 前記機能液滴吐出ヘッドに光拡散材料を導入し、 前記機能液滴吐出ヘッドを前記基板に対し相対的に走査
    し、前記光拡散材料を選択的に吐出して多数の前記光拡
    散体を形成することを特徴とする光拡散体形成方法。