JP2006169177A - テトラアダマンタン誘導体及びその製造法 - Google Patents
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Abstract
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で表されるテトラアダマンタン誘導体を提供する。
で表されるテトラアダマンタン誘導体にハロゲン化剤を反応させて、下記式(1a)
で表されるテトラアダマンタンハライド誘導体を得ることを特徴とするテトラアダマンタン誘導体の製造法を提供する。
で表されるテトラアダマンタンハライド誘導体を加水分解して、下記式(1b)
で表されるヒドロキシテトラアダマンタン誘導体を得ることを特徴とするテトラアダマンタン誘導体の製造法を提供する。
窒素雰囲気下、3−ブロモ−1,1′−ビアダマンタン11.2g(31.9mmol)、n−オクタン44.6g、ナトリウム0.22g(9.6mmol)の混合溶液を120℃に加熱撹拌した。2時間後、ナトリウム0.66g(28.7mmol)を8時間かけて少しずつ加え、その後、2時間加熱撹拌した。反応混合液を60℃まで冷却し、エタノールを22g加えて30分撹拌した後、熱濾過した。得られた結晶とトルエン60gを80℃で1時間加熱撹拌した後、熱濾過し、得られた結晶を乾燥した。その結果、テトラアダマンタン(=1,1′:3′,1″:3″,1′′′−テトラアダマンタン)が6.0g、収率70%で得られた。同定はIR、融点及びDI−MS(ダイレクトマス、直接試料導入法)により行った(参考文献:テトラヘドロンレター、第42巻、2001年、第8645〜8647頁)。
DI-MS-spectrometry:537, 403, 269, 135 m/z [M-] [CI法]
窒素雰囲気下、3−ブロモ−5,5′,7,7′−テトラメチル−1,1′−ビアダマンタン55g(0.14mol)、n−オクタン440g、ナトリウム1.2g(0.05mol)の混合溶液を110℃に加熱撹拌した。2時間後、ナトリウム3.5g(0.15mol)を8時間かけて少しずつ加え、その後、2時間加熱撹拌した。反応混合液を60℃まで冷却し、エタノールを55g加えて30分撹拌して、熱濾過し、エタノール洗浄した。得られた結晶と水200gを60℃で1時間加熱撹拌した後、熱濾過し、エタノールで洗浄した。その結晶とトルエン525gを60℃で加熱撹拌した後、熱濾過し、結晶を乾燥した。その結果、テトラ(ジメチルアダマンタン)(=3,5,5′,7′,5″,7″,3′′′,5′′′−オクタメチル−1,1′:3′,1″:3″,1′′′−テトラアダマンタン)が収率64%で得られた。
IR(KBr):1336, 1359, 1454, 2846, 2894, 2940(cm-1)
DI-MS-spectrometry:649, 487, 325, 163 m/z [M-] [EI法]
窒素雰囲気下、テトラアダマンタン2.0g(3.7mmol)と臭素16.6g(103.9mmol)の混合溶液を50℃で8時間加熱撹拌した。反応混合液を5℃に冷却し、水を加えた後、亜硫酸水素ナトリウムをゆっくり加え、過剰の臭素を還元した。その後、析出物を濾過し、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、水、アセトンで順次洗浄し、乾燥した。その結果、下記式で表されるテトラブロモテトラアダマンタン(=3,5′,5″,3′′′−テトラブロモ−1,1′:3′,1″:3″,1′′′−テトラアダマンタン)が2.3g(2.7mmol)、収率73%で得られた。
IR(KBr):684, 821(C-Br), 1022, 1330, 1344, 1448, 2857, 2908, 2935(cm-1)
DI-MS-spectrometry:856, 776, 696, 616, 538, 404, 269, 135 m/z [CI法]
窒素雰囲気下、テトラアダマンタン2.0g(3.7mmol)と臭素16.6g(103.9mmol)の混合溶液を50℃で3時間加熱撹拌した。反応混合液を5℃に冷却し、水を加えた後、亜硫酸水素ナトリウムをゆっくり加え、過剰の臭素を還元した。その後、析出物を濾過し、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、水、アセトンで順次洗浄し、乾燥した。その結果、主成分としてジブロモテトラアダマンタン、その他トリブロモテトラアダマンタン、テトラブロモテトラアダマンタンの混合物2.1gが得られた。
IR(KBr):684, 821(C-Br), 1022, 1330, 1344, 1448, 2857, 2908, 2935(cm-1)
[ジブロモテトラアダマンタン]
DI-MS-spectrometry:696, 617, 536, 404, 269, 135 m/z [CI法]
[トリブロモテトラアダマンタン]
DI-MS-spectrometry:776, 696, 617, 536, 404, 269, 135 m/z [CI法]
窒素雰囲気下、テトラ(ジメチルアダマンタン)2.0g(3.0mmol)と臭素13.7g(86.0mmol)の混合溶液を50℃で8時間加熱撹拌した。反応混合液を5℃に冷却し、水を加えた後、亜硫酸水素ナトリウムをゆっくり加え、過剰の臭素を還元した。その後、析出物を濾過し、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、水、アセトンで順次洗浄し、乾燥した。その結果、下記式で表されるジブロモテトラ(ジメチルアダマンタン)(=3,3′′′−ジブロモ−5,7,5′,7′,5″,7″,5′′′,7′′′−オクタメチル−1,1′:3′,1″:3″,1′′′−テトラアダマンタン)が2.0g(2.4mmol)、収率79%で得られた。
IR(KBr):736, 838(C-Br), 931, 1338, 1359, 1455, 2850, 2894, 2942(cm-1)
DI-MS-spectrometry:808, 728, 649, 487, 325, 161 m/z [CI法]
窒素雰気下、テトラ(ジメチルアダマンタン)2.0g(3.0mmol)と臭素13.7g(86.0mmol)の混合溶液を50℃で2時間加熱撹拌した。反応混合液を5℃に冷却し、水を加えた後、亜硫酸水素ナトリウムをゆっくり加え、過剰の臭素を還元した。その後、析出物を濾過し、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、水、アセトンで順次洗浄し、乾燥した。その結果、主成分としてモノブロモテトラ(ジメチルアダマンタン)、その他ジブロモテトラ(ジメチルアダマンタン)の混合物1.9gが得られた。
IR(KBr):736, 838, 931, 1338, 1359, 1455, 2850, 2894, 2942(cm-1)
DI-MS-spectrometry:728, 649, 487, 325, 161 m/z [CI法]
Claims (3)
- 下記式(2a)
で表されるテトラアダマンタン誘導体にハロゲン化剤を反応させて、下記式(1a)
で表されるテトラアダマンタンハライド誘導体を得ることを特徴とするテトラアダマンタン誘導体の製造法。 - 下記式(1a)
で表されるテトラアダマンタンハライド誘導体を加水分解して、下記式(1b)
で表されるヒドロキシテトラアダマンタン誘導体を得ることを特徴とするテトラアダマンタン誘導体の製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2004365465A JP4364783B2 (ja) | 2004-12-17 | 2004-12-17 | テトラアダマンタン誘導体及びその製造法 |
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JP2006169177A true JP2006169177A (ja) | 2006-06-29 |
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JP (1) | JP4364783B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009041204A1 (ja) | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Konica Minolta Opto, Inc. | 光学素子の製造方法 |
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WO2009116448A1 (ja) | 2008-03-19 | 2009-09-24 | コニカミノルタオプト株式会社 | 成形体及びウエハレンズの製造方法 |
WO2011136138A1 (ja) | 2010-04-27 | 2011-11-03 | コニカミノルタオプト株式会社 | 撮像用レンズ、ウエハレンズ、ウエハレンズ積層体、撮像用レンズの製造方法、撮像用レンズの中間物、撮像用レンズの中間物の製造方法 |
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EP2759395A1 (en) | 2008-03-19 | 2014-07-30 | Konica Minolta Opto, Inc. | Method for producing a wafer lens |
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