JP2006157264A - 高周波スイッチ回路装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 高周波成分の分流回路(シャント回路)において、直列接続された複数段(例えば、2段)の容量素子(C11とC12、C21とC22)を使用する。サージ電圧が印加された場合に、各容量素子が負担すべき電圧は、その接続段数分に反比例して減少する。結果的に、サージに対する容量素子の耐性が向上する。直列接続された容量素子は、化合物半導体素子の通常の製造プロセスを用いて製造でき、また、本発明の構造であれば、特別に保護ダイオードを設けるといった必要がない。容量の共通化やデバイス構造の工夫によって、さらなるコンパクト化等を図ることもできる。
【選択図】 図1
Description
例えば、容量素子に高誘電材料を使用する方法は、下記の特許文献1に記載されている。また、静電破壊電圧の低い素子に保護素子を並列に接続する方法は、下記の特許文献2に開示されている。
すなわち、第1乃至第3の入出力端子と、前記第1の入出力端子と第2の入出力端子とを結ぶ第1の信号経路に介在する第1の電界効果トランジスタと、前記第1の入出力端子と第3の入出力端子を結ぶ第2の信号経路に介在する第2の電界効果トランジスタと、前記第1の電界効果トランジスタと前記第2の入出力端子との間の信号経路にドレインが接続され、前記第1の電界効果トランジスタがオフ状態のときにオンする第3の電界効果トランジスタと、前記第1の電界効果トランジスタと前記第3の入出力端子との間の信号経路にドレインが接続され、前記第2の電界効果トランジスタがオフ状態のときにオンする第4の電界効果トランジスタと、前記第2および第4の電界効果トランジスタのソース同士が接続された共通接続点と接地電位との間に直列に接続された第1および第2の容量素子とを有する。
(実施の形態1)
(実施の形態2)
(実施の形態3)
(その他の変形例)
(1)実施の形態1、2では、高周波スイッチ回路装置として1入力2出力スイッチ(SPDTスイッチ)、実施の形態3では、1入力3出力スイッチ(SP3Tスイッチ)を構成するとしたが、高周波スイッチ回路装置の入力端子、及び出力端子の数はこれに限定されない。
(2)前記実施の形態では、各高周波信号経路に設けられたスイッチ回路である電界効果トランジスタ段が、1個のFETにより構成されるとしたが、電界効果トランジスタ段の構成は、これに限らない。電界効果トランジスタ段が直列に繋がれた、複数のFETにより構成される場合、もしくはマルチゲート電界効果トランジスタの場合であっても勿論、本発明に含まれる。
(3)前記実施の形態では、各高周波信号経路に設けられたスイッチ回路である電界効果トランジスタ段のソースとドレインという別々の表現で表したが、スイッチ素子においては、ソースとドレインは対称であり、ソースとドレインを入れ替えても勿論、本発明に含まれる。
(4)上記実施の形態、及び上記変形例をそれぞれ組み合わせて実施する場合も、本発明に含まれる。
CTL1〜CTL10 制御信号
FET1〜FET10 電界効果トランジスタ段
R1〜R10 抵抗
GND GND端子
C1〜C2 DCカット用容量素子
C11〜C12 DCカット用容量素子
C21〜C22 DCカット用容量素子
C31〜C32 DCカット用容量素子
C41〜C44 DCカット用容量素子
1 半導体基板
2 絶縁膜
E1、E4 キャパシタ電極(下部電極)
E2〜E3、E5〜E8 キャパシタ電極(上部電極)
E9 キャパシタ電極(第1電極)
E10 キャパシタ電極(第2電極)
E11〜E13 キャパシタ電極(第3電極)
D1〜D2 誘電体層
D3 第1誘電体層
D4 第2誘電体層
3 FETソース電極
4 FETドレイン電極
5 FETゲート電極
6 活性層
7 キャパシタ領域
8 FET領域
9 ビアホール
Claims (13)
- 高周波信号を入力する入力端子と、
入力された前記高周波信号を出力する出力端子と、
前記入力端子および出力端子の間に接続された第1の電界効果トランジスタと、
前記第1の電界効果トランジスタが非導通状態の際に導通状態となるように、前記入力端子にドレインが接続された第2の電界効果トランジスタとを有し、
前記第2の電界効果トランジスタのソースと接地端子との間に、直列に2段接続された容量素子を具備した高周波スイッチ回路装置。 - 第1乃至第3の入出力端子と、
前記第1の入出力端子と第2の入出力端子とを結ぶ第1の信号経路に介在する第1の電界効果トランジスタと、
前記第1の入出力端子と第3の入出力端子を結ぶ第2の信号経路に介在する第2の電界効果トランジスタと、
前記第1の電界効果トランジスタと前記第2の入出力端子との間の信号経路にドレインが接続され、前記第1の電界効果トランジスタがオフ状態のときにオンする第3の電界効果トランジスタと、
前記第1の電界効果トランジスタと前記第3の入出力端子との間の信号経路にドレインが接続され、前記第2の電界効果トランジスタがオフ状態のときにオンする第4の電界効果トランジスタと、
前記第2の電界効果トランジスタのソースと接地電位との間に直列に接続された第1および第2の容量素子と、
前記第4の電界効果トランジスタのソースと接地電位との間に直列に接続された第3および第4の容量素子と、
を有することを特徴とする高周波スイッチ回路装置。 - 請求項2に記載の高周波スイッチ回路装置であって、
前記第2および第4の電界効果トランジスタのソース同士を接続する接続点を有し、
前記第1および第2の容量素子と前記第3および第4の容量素子は共通である高周波スイッチ回路装置。 - 請求項1乃至3のいずれかに記載の高周波スイッチ回路装置において、
前記容量素子または前記第1および第2の容量素子は、半導体基板上に作成された下部電極と、前記下部電極上に形成された誘電体層を介して前記誘電体層上に離間して形成された第1および第2の上部電極とで構成されたMIM(Metal Insulator Metal)キャパシタで構成され、
前記第2の電界効果トランジスタのソースが第1の上部電極に接続されるとともに、
前記第2の上部電極が、前記接地端子に接続され、
前記第1の上部電極と前記下部電極との間に形成される1段の容量素子と、前記下部電極と前記第2の上部電極との間に形成される1段の容量素子とで、2段直列の容量素子を構成した高周波スイッチ回路装置。 - 請求項3に記載の高周波スイッチ回路装置において、
前記第1および第2の容量素子は、前記第2および第4の電界効果トランジスタのソースに、それぞれ直列接続された第1段の容量素子を接続し、前記第1段の容量素子と接地端子との間に直列接続された共通の容量素子とで構成される高周波スイッチ回路装置。 - 請求項5記載の高周波回路装置であって、
前記第1乃至第3の容量素子は、半導体基板上に形成されたMIMキャパシタで構成され、
前記MIMキャパシタは、前記半導体基板上に形成された共通下部電極と、前記共通下部電極上に形成された誘電体層と、前記誘電体層上で互いに離間して形成された第1の上部電極乃至第3の上部電極と、を具備すると共に、前記第1および第2の上部電極の各々に電界効果トランジスタのソースの各々が接続され、また、前記第3の上部電極が接地電位に接続された構造を有し、前記共通下部電極と前記誘電体層と前記第1の上部電極とによって前記第1の容量素子が形成され、前記共通下部電極と前記誘電体層と前記第2の上部電極とによって前記第2の容量素子が形成され、前記共通下部電極と前記誘電体層と前記第3の上部電極とによって前記第3の容量素子が形成されることを特徴とする高周波スイッチ回路装置。 - 請求項5記載の高周波回路装置であって、
前記第1乃至第3の容量素子は、半導体基板上に形成されたMIM(Metal Insulator Metal)キャパシタで構成され、
前記MIMキャパシタは、前記半導体基板上に形成された第1のキャパシタ電極と、前記第1のキャパシタ電極上に設けられた第1の誘電体層と、前記第1の誘電体層上に設けられた第2の共通キャパシタ電極と、前記第2の共通キャパシタ電極上に形成された第2の誘電体層と、前記第2の誘電体層上で互いに離間して形成された第3および第4のキャパシタ電極と、を具備すると共に、前記第3および第4のキャパシタ電極の各々に電界効果トランジスタのソースの各々が接続され、また、前記第1のキャパシタ電極が接地電位に接続された構造を有し、
前記第3および第4のキャパシタ電極と前記第2の誘電体層と前記第2の共通キャパシタ電極とによって前記第1および第2の容量素子が形成され、前記第1のキャパシタ電極と前記第1の誘電体層と前記第2の共通キャパシタ電極とによって前記第3の容量素子が形成されることを特徴とする高周波スイッチ回路装置。 - 請求項7記載の高周波スイッチ回路装置であって、
前記半導体基板にビアホールが形成され、かつ、そのビアホールの内表面を覆う、接地電位に接続された接地電極が形成され、その接地電極と前記第1のキャパシタ電極とが前記ビアホールを介して接続されることを特徴とする高周波スイッチ回路装置。 - 請求項1乃至請求項8のいずれかに記載の高周波スイッチ回路装置であって、
前記高周波スイッチ回路装置は、任意の数の入出力端子を有する、mPnT(m-Pole n-Throw:m,nは正の整数)スイッチ回路装置であることを特徴とする高周波回路装置。 - 請求項1乃至請求項9のいずれかに記載の高周波スイッチ回路装置であって、
各信号経路に介在する前記電界効果トランジスタが、直列接続された複数の電界効果トランジスタを含むことを特徴とする高周波スイッチ回路装置。 - 請求項1乃至請求項9記載のいずれかに記載の高周波スイッチ回路装置であって、
各信号経路に介在する前記電界効果トランジスタが、マルチゲート電界効果トランジスタを含むことを特徴とする高周波スイッチ回路装置。 - 請求項1乃至請求項11のいずれかに記載の高周波スイッチ回路装置であって、
前記電界効果トランジスタのソースとドレインは対称であることを特徴とする高周波スイッチ回路装置。 - 請求項1乃至請求項12のいずれかに記載の高周波スイッチ回路装置を搭載した携帯通信端末装置。
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