KR102034620B1 - 와이어 본딩 기생 인덕터 효과를 이용한 고 격리도 특성을 갖는 rf 스위치 - Google Patents

와이어 본딩 기생 인덕터 효과를 이용한 고 격리도 특성을 갖는 rf 스위치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 높은 전력구동능력, 작은 삽입손실, 고 격리도 특성을 가진 RF 스위치를 구현하는 데에 있으며, 특히, 종래 RF 스위치의 격리도 특성을 고주파 대역에서 와이어 본딩 기생 인덕터 효과를 이용하여 대폭 개선한, 와이어 본딩 기생 인덕터 효과를 이용한 고 격리도 특성을 갖는 RF 스위치의 구조에 관한 것이다.
본 발명은 고출력 신호를 안정적으로 수신하고 높은 선형도를 보이는 스위치 소자를 구현하기 위해, 복수개의 트랜지스터를 직렬 적층한 고출력 스위치 소자 구조에 있어서, 직렬 스위치 소자(S1)에 복수개의 트랜지스터를 직렬 적층한 구조를 가지면서 접지로 향하는 추가 스위치 소자(S3)를 연결함으로써 격리도 특성을 향상시키되, 직렬 스위치 소자(S1)가 온 상태가 되면 추가 스위치 소자(S3)는 오프 상태가 되고, 직렬 스위치 소자(S1)가 오프 상태가 되면 추가 스위치 소자(S3)는 온 상태가 되도록 구성하여, 직렬 스위치 소자(S1)가 오프 될 시, 입력단자로부터 출력단자로 유입되는 누설신호가 추가 스위치 소자(S3)에 의해 접지방향으로 차단되어 격리도 특성이 향상되는 것을 특징으로 한다.

Description

와이어 본딩 기생 인덕터 효과를 이용한 고 격리도 특성을 갖는 RF 스위치{High Isolation RF Switch Robust to Parasitic Wire-Bonding Inductor Effect}
본 발명은 RF 신호 대역 와이어 본딩 기생 인덕터 효과를 이용한 고 격리도 특성을 갖는 RF 스위치(High Isolation RF Switch Robust to Parasitic Wire-Bonding Inductor Effect)에 관한 것으로서, 특히 고주파 대역에서의 높은 전력구동능력을 가지면서, 고 격리도 특성을 유지할 수 있는 RF 스위치에 관한 것이다.
도 1은 종래 구성에 따른 고출력 RF 스위치를 도시한 것으로서, 일반적인 SPnT(Single-pole N-throw) 안테나 스위치를 나타낸 것이며, 1개의 안테나 단자에 N개의 입력단자(도 1의 경우는 4개의 입력단자)가 직렬 스위치 소자(S1)를 통해 연결된 형태이며, 입력단자의 개수만큼 유닛 셀이 반복되는 구조이다.
제어신호에 따라, N개의 입력단자 중 1개의 입력단자가 안테나 단자와 연결되며, 나머지 단자는 안테나로부터 격리된다.(안테나 단자와 연결된 입력단자에 부착된 스위치 소자는 온 상태이며, 나머지 입력단자에 연결된 스위치 소자는 오프 상태이다.)
하지만, 스위치 소자의 오프 상태에서의 유한한 격리도 특성으로 인해, 누설신호가 격리된 나머지 입력단자로 유입되며, 유입량에 따라, 입력단자 간 격리도 특성이 결정된다.
격리도 특성을 향상시키기 위해서는, 직렬 스위치 소자(S1)의 오프 상태에서의 격리도 특성을 향상시켜야 하며, 이를 위해서는, FET 소자의 채널 폭을 작게 가져가 오프 커패시턴스를 작게 해야 한다.
하지만, 이는 입력단자가 안테나 단자에 연결되었을 시, 온 상태에서의 직렬 스위치 소자(S1)의 채널 저항을 증가시키기 때문에, 스위치 삽입손실 성능을 저하시킨다.
삽입손실 성능 저하 없이, 단자 간 격리도 특성을 향상시키기 위해, 직렬 스위치 소자(S1) 외에 병렬 스위치 소자(S2)를 추가로 연결한다.
안테나 단자와 격리된 입력단자의 임피던스 레벨을 온 상태의 병렬 스위치 소자(S2)를 통해 접지에 가깝게 낮추어(유입된 대부분의 누설신호를 접지를 통해 차단함으로써, 입력단자로의 유입을 막음) 격리도 특성을 대폭 개선할 수 있다.
하지만, 병렬 스위치 소자의 온 상태에서의 채널 저항과 패키지 상의 본딩 와이어 인덕턴스 등의 영향으로, 개선 폭이 고주파 대역에서 상당히 제한된다.
도 2는 입력단자가 개방되었을 시, 개방 입력단자에서 일정한 반사 손실(Return Loss)을 획득하기 위한 종래 구성에 따른 고출력 흡수형 RF 스위치 구조를 나타낸 것이다. 종단 저항(R0)의 임피던스에 의해 입력 임피던스가 매칭되기 때문에, 입력단자 개방 시, 반사 손실이 거의 발생하지 않게 된다. 종단 저항을 제외하고, 도 1의 종래 구성에 따른 고출력 RF 스위치와 동일하여 병렬 스위치 소자의 온 상태에서의 채널 저항과 패키지 상의 본딩 와이어 인덕턴스 등의 영향으로, 개선 폭이 고주파 대역에서 상당히 제한된다.
도 3은 도 1과 도 2에 도시된 RF 스위치에 사용되고 있는 고출력 스위치 소자의 구조를 도시한 것이다.
고출력 신호를 안정적으로 수신하고, 높은 선형도를 보이는 스위치 소자를 구현하기 위해서는, 복수개의 트랜지스터(100)를 직렬 적층할 필요가 있다. 이를 적층 트랜지스터 기법이라 부른다.
단일 트랜지스터(100)가 견딜 수 있는 파괴전압 이상의 신호 인가 시, 트랜지스터(100)가 파괴될 우려가 있으나, 복수개의 트랜지스터(100)를 직렬 적층할 경우, 1개의 트랜지스터(100)에 인가되는 전압 스윙은 적층된 개수만큼 나뉘어져 큰 전압 진폭을 갖는 고출력 신호를 수신할 수 있게 된다. 또한, 트랜지스터(100)에 인가되는 전압 스윙이 작을수록, 그에 비례하여, 선형성도 좋아지게 된다.
앞서 기술된 적층 트랜지스터 기법을 구현하기 위해서는, 단일 트랜지스터(100)의 게이트 단자에 단일 트랜지스터(100)의 게이트-투-소스/게이트-투-드레인 커패시터(CGS/CGD)의 임피던스보다 훨씬 큰 저항값을 가지는 플로팅 저항(RG)을 연결해야 하고, 바디 단자에 단일 트랜지스터(100)의 바디-투-소스/바디-투-드레인 커패시터(CBS/CBD)의 임피던스보다 훨씬 큰 저항값을 가지는 플로팅 저항(RB)을 연결해야 한다.
스위치 소자의 개방 상태에서의 전력구동능력/선형성/격리도를 향상시키기 위해, 개방 시에, 게이트 및 바디 단자에 0V 전압이 아닌 음의 값을 가지는 전압을 인가할 수 있다.
따라서, 종래 구조의 RF 스위치는 큰 전력 RF 신호를 수용하면서 작은 삽입손실(Insertion Loss) 성능을 갖고, 또한, 수신부와 송신부를 충분히 격리할 수 있는 고 격리도 특성이 요구된다. +35dBm (3Watt) 이상의 고출력 신호 인가 시에도 안정적인 삽입손실 및 격리도 특성이 유지되어야 하며, 또한, 다중 대역/모드/표준 지원을 위해서는 앞서 요구되는 사양이 광대역 주파수 범위에서 확보되어야 하는 문제점이 있다.
한편, 등록특허공보 등록번호 10-1766507(특허문헌 1)에는 스위칭형 션트 LC 노치 필터(switched shunt LC notch filter)를 이용하여 정의된 주파수 범위에 걸쳐 노이즈를 감쇠함으로써 모바일 통신 장치의 회로 아암들 사이에 고격리(high isolation)를 제공하는 스위칭 방법 및 장치가 개시되어 있다.
그러나, 특허문헌 1에 개시된 기술은, 스위칭형 션트 LC 노치 필터가 입력과 접지 사이의 병렬 스위치 사이에만 있고 접지로 연결되는 추가 병렬 스위치가 임의의 드레인 및 소스 노드에만 연결되어, 고주파 영역에서 고격리 특성을 내기 힘든 문제가 있다.
특허문헌 1: 대한민국 등록번호 10-1766507 (2017년 08월 02일)
따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 입력과 접지 사이에 병렬 스위치(병렬 스위치 소자)를 두고, 또, 접지로 연결되는 LC 노치 필터를 포함한 추가 스위치(병렬 스위치 소자)를 임의의 게이트, 드레인, 소스 및 바디 단자에 두어, 높은 전력구동능력, 작은 삽입손실, 고 격리도 특성을 가진 RF 스위치를 구현하는 데에 있으며, 특히, 종래 RF 스위치의 격리도 특성을 고주파 대역에서 와이어 본딩 기생 인덕터 효과를 이용하여 대폭 개선한, 와이어 본딩 기생 인덕터 효과를 이용한 고 격리도 특성을 갖는 RF 스위치를 제공하는 데에 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 따른 와이어 본딩 기생 인덕터 효과를 이용한 고 격리도 특성을 갖는 RF 스위치는, 고출력 신호를 안정적으로 수신하고, 높은 선형도를 보이는 스위치 소자(S1)를 구현하기 위해 복수개의 트랜지스터를 직렬 적층한 RF 스위치로서, 상기 스위치 소자(S1)에 복수개의 트랜지스터를 직렬 적층한 구조를 가지면서 접지로 향하는 추가 스위치 소자(S3)를 연결함으로써 격리도 특성을 향상시키되, 스위치 소자(S1)가 온 상태가 되면 추가 스위치 소자(S3)는 오프 상태가 되고, 스위치 소자(S1)가 오프 상태가 되면 추가 스위치 소자(S3)는 온 상태가 되도록 구성하고, 상기 추가 스위치 소자(S3)의 연결점은 상기 스위치 소자(S1) 내부의 각각의 트랜지스터의 게이트 단자에 연결되어, 상기 스위치 소자(S1)가 오프 될 시에 입력단자로부터 출력단자로 유입된 누설신호가 추가 스위치 소자(S3)에 의해 접지방향으로 차단되어 격리도 특성이 향상되도록 한 것을 특징으로 한다.
또한, 추가 스위치 소자(S3)에 커패시터(C0)를 연결하고 커패시터(C0)의 크기(커패시턴스)를 조절함으로써, 본딩 와이어의 기생 인덕터와 직렬 공진하게 하여 특정 공진주파수 대역에서 높은 격리도 특성을 확보할 수 있도록 한다. 만약, 복수개의 추가 스위치 소자(S3)를 적용한다면, 복수개의 특정 공진주파수 대역에서 높은 격리도 특성을 확보할 수 있을 것이다.
또한, 추가 스위치 소자(S3)의 연결점이 상기 스위치 소자(S1) 내부의 각각의 트랜지스터의 드레인 단자에 연결될 수 있도록 한다.
또한, 추가 스위치 소자(S3)의 연결점이 상기 스위치 소자(S1) 내부의 각각의 트랜지스터의 소스 단자에 연결될 수 있도록 한다.
또한, 추가 스위치 소자(S3)의 연결점이 상기 스위치 소자(S1) 내부의 각각의 트랜지스터의 바디 단자에 연결될 수 있도록 한다.
또한, 상기 스위치 소자(S1)의 개방 상태에서의 전력구동능력, 선형성 및 격리도를 향상시키기 위해, 개방 시, 게이트 및 바디 단자에 0V 전압이 아닌 음의 값을 가지는 전압이 인가되도록 하는 것이 바람직하다.
또한, 반사 손실을 흡수하기 위해, 스위치 소자(S1)와 입력단자 사이에 병렬 접속되는 스위치 소자(S2) 및 이 스위치 소자(S2)에 연결되는 종단 저항(R0)을 더 포함할 수도 있다.
본 발명의 기타 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
상기와 같이 구성된 본 발명에 따른 와이어 본딩 기생 인덕터 효과를 이용한 고 격리도 특성을 갖는 RF 스위치에 의하면, 접지로 연결되는 LC 노치 필터를 포함한 추가 스위치(병렬 스위치 소자)를 임의의 게이트, 드레인, 소스 및 바디 단자에 두어, 높은 전력구동능력, 작은 삽입손실, 고 격리도 특성을 가진 RF 스위치를 구현할 수 있으며, 특히, 종래 RF 스위치의 격리도 특성을 고주파 대역에서 와이어 본딩 기생 인덕터 효과를 이용하여 대폭 개선하는 효과를 얻을 수 있다.
본 발명의 효과는 이상에서 언급된 효과로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 아래의 기재로부터 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 종래 구성에 따른 고출력 RF 스위치의 구조를 보여준다.
도 2는 종래 구성에 따른 고출력 흡수형 RF 스위치의 구조를 보여준다.
도 3은 도 1과 도 2의 RF 스위치에 사용되고 있는 종래 고출력 스위치 소자의 구조를 보여주고 있다.
도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 RF 스위치의 구조로서, 격리도 특성을 대폭 향상시키기 위한 고출력 스위치 소자의 구조를 보여주고 있다.
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 RF 스위치의 구조로서, 와이어 본딩 기생 인덕터 효과를 이용한 고주파 격리도 특성을 대폭 향상시키기 위한 고출력 스위치 소자의 구조를 보여주고 있다.
도 6은 도 3, 도 4 및 도 5에서 제시된 고출력 스위치 소자의 와이어 본딩 기생 인덕터 크기에 따른 격리도 모의실험 결과값을 나타내고 있다.
도 7은 특허문헌 1(종래 기술)보다 도 5에 제시된 본 발명이 고주파 영역에서 더 우수한 격리도 특성을 가지는 것을 나타내고 있다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에 개시되는 실시예들로 제한되는 것이 아니라, 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술 분야의 통상의 기술자에게 본 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구범위에 의해 정의될 뿐이다.
본 명세서에서 사용되는 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며, 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다." 및/또는 "포함하는"은 언급된 구성요소 외에 하나 이상의 다른 구성요소의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다. 명세서 전체에 걸쳐, 동일한 도면부호는 동일한 구성요소를 지칭하며, "및/또는"은 언급된 구성요소들의 각각 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다. 비록 "제1", "제2" 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있음은 물론이다.
다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 기술자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또한, 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않은 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.
공간적으로 상대적인 용어인 "아래", "하부", "위", "상부" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 구성요소와 다른 구성요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여, 사용 시 또는 동작 시, 구성요소들의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들어, 도면에 도시되어 있는 구성요소를 뒤집을 경우, 다른 구성요소의 "아래"로 기술된 구성요소는 다른 구성요소의 "위"에 놓일 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 구성요소는 다른 방향으로도 배향될 수 있으며, 이에 따라 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.
도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 RF 스위치의 구조로서, 격리도 특성을 대폭 향상시키기 위한 고출력 스위치 소자의 구조를 보여주고 있다.
도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제1 실시예에 따른 RF 스위치의 구조는, 직렬 스위치 소자(S1)의 내부에, 이 스위치 소자(S1)와 동일한 구조로서 복수개의 트랜지스터(100)를 직렬 적층한 구조를 가지면서 접지로 향하는 추가 스위치 소자(S3)를 연결하는 것에 의해, 격리도 특성을 향상시킬 수 있다.
스위치 소자(S1)가 온 상태가 되면 추가 스위치 소자(S3)는 오프 상태가 되고, 스위치 소자(S1)가 오프 상태가 되면 추가 스위치 소자(S3)는 온 상태가 된다.
즉, 스위치 소자(S1)가 오프 될 시, 입력단자로부터 출력단자로 유입된 누설신호가 추가 스위치 소자(S3)에 의해 접지방향으로 차단되기 때문에, 격리도 특성이 종래 구조와 대비하여 대폭 개선될 수 있다.
스위치 소자(S1)가 온 될 시에 추가 부하로 작동하는 오프 상태의 추가 스위치 소자(S3)에 의해 삽입손실 성능이 저하될 수 있으나, 추가 스위치 소자(S3)에 기인하는 부하 오프 커패시턴스가 작아 성능 저하 수준은 무시할 수 있다.
하지만, 접지로 향하는 본딩 와이어에 기인하는 기생 인덕턴스 영향으로 격리도의 개선 폭이 고주파 대역에서 제한된다.
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 RF 스위치의 구조로서, 와이어 본딩 기생 인덕터 효과를 이용한 고주파 격리도 특성을 대폭 향상시키기 위한 고출력 스위치 소자의 구조를 보여주고 있다.
도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제2 실시예에 따른 RF 스위치의 구조는, 도 4와 대비하여 볼 때, 직렬 스위치 소자(S1) 내부에 접지로 향하는 추가 스위치 소자(S3)를 연결하는 것 및 스위치 소자(S1)/추가 스위치 소자(S3)의 온-오프 동작은 동일하지만, 커패시터(C0)를 추가로 연결하는 것이 큰 차이점이다.
커패시터(C0)의 크기를 적절히 조절함으로써, 본딩 와이어의 기생 인덕터와 직렬 공진하게 하면, 특정 공진주파수 대역에서 고 격리도 특성을 확보할 수 있다.
특히, 종래 기술과 비교하여, 새롭게 제안된 본 발명의 기술은 고주파수 영역(대역)에서, 고 격리도 특성을 확보하기가 매우 용이하다.
또한, 도 4에 개시된 제1 실시예의 경우, 스위치 소자(S3)의 연결점이 스위치 소자(S1) 내부의 드레인 및 소스 단자로 제한되지만, 제2 실시예의 경우, 스위치 소자(S1) 내부의 드레인, 소스, 게이트, 및 바디 단자에도 연결할 수 있는 장점이 있다.
도 6은 도 3, 도 4, 도 5에서 제시된 고출력 스위치 소자의 와이어 본딩 기생 인덕터 크기에 따른 입력단자에서 출력단자로의 삽입손실 (왼쪽 그래프) 및 격리도 (오른쪽 그래프) 모의실험의 결과값을 나타내고 있다.
검은색, 빨간색, 파란색은 각각, 도 3, 도 4, 도 5에서 제시된 고출력 스위치 소자에 관한 특성이며, 도트(Dot), 솔리드(Solid), 대시(Dash) 심벌은 각각 접지로 향하는 본딩 와이어 인덕턴스 크기가 0-nH, 1-nH, 2-nH 일 때 특성이다. 모의 실험 시, 커패시턴스 크기는 10-pF로 설정하였다.
격리도 모의실험 결과에서 볼 수 있듯이, 제2 실시예에 따른 스위치 소자의 경우, 4㎓∼5㎓ 대역의 고주파 대역에서 다른 구조 대비 높은 격리도 특성이 확보됨을 알 수 있다.
커패시턴스를 조절함에 따라, 높은 격리도 특성이 확보되는 특정 주파수 대역을 가변할 수 있다. 삽입손실의 경우, 저하 수준이 도 3 대비 거의 미미하다.
도 7은 특허문헌 1보다 도 5에 제시된 본 발명이 고주파 영역에서 훨씬 더 우수한 격리도 특성을 가지는 것을 나타내고 있다.
따라서, 본 발명에 의하면, 높은 전력구동능력, 작은 삽입손실, 고 격리도 특성을 가진 RF 스위치를 구현할 수 있고, 특히, 종래의 RF 스위치의 격리도 특성을 고주파에서 와이어 본딩 기생 인덕터 효과를 이용하여 대폭 개선할 수 있다.
본 명세서에 기재된 본 발명의 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 바람직한 실시예에 관한 것으로서, 발명의 기술적 사상을 모두 포괄하는 것은 아니므로, 출원 시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다. 따라서, 본 발명은 상기 실시예로 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이, 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 그와 같은 변경은 본 발명의 청구범위 기재의 권리범위 내에 있게 된다.
S1: 스위치 소자(직렬 스위치 소자)
S2: 스위치 소자(병렬 스위치 소자)
S3: 스위치 소자(추가 스위치 소자)
100: 트랜지스터
C0: 커패시터
RG: 게이트 플로팅 저항
RB: 바디 플로팅 저항
R0: 종단 저항

Claims (14)

  1. 고출력 신호를 안정적으로 수신하고, 높은 선형도를 보이는 스위치 소자(S1)를 구현하기 위해 복수개의 트랜지스터를 직렬 적층한 RF 스위치로서,
    상기 스위치 소자(S1)에 복수개의 트랜지스터를 직렬 적층한 구조를 가지면서 접지로 향하는 추가 스위치 소자(S3)를 연결함으로써 격리도 특성을 향상시키되, 스위치 소자(S1)가 온 상태가 되면 추가 스위치 소자(S3)는 오프 상태가 되고, 스위치 소자(S1)가 오프 상태가 되면 추가 스위치 소자(S3)는 온 상태가 되도록 구성하고,
    상기 추가 스위치 소자(S3)에 커패시터(C0)를 연결하고 이 커패시터(C0)의 크기를 조절하는 것에 의해, 본딩 와이어의 기생 인덕터와 직렬 공진하게 하여, 특정 공진주파수 대역에서 높은 격리도 특성을 확보할 수 있도록 하고,
    상기 추가 스위치 소자(S3)의 연결점은 상기 스위치 소자(S1) 내부의 각각의 트랜지스터의 게이트 단자에 연결되어,
    상기 스위치 소자(S1)가 오프 될 시에 입력단자로부터 출력단자로 유입된 누설신호가 추가 스위치 소자(S3)에 의해 접지방향으로 차단되어 격리도 특성이 향상되는 것을 특징으로 하는, 와이어 본딩 기생 인덕터 효과를 이용한 고 격리도 특성을 갖는 RF 스위치
  2. 고출력 신호를 안정적으로 수신하고, 높은 선형도를 보이는 스위치 소자(S1)를 구현하기 위해 복수개의 트랜지스터를 직렬 적층한 RF 스위치로서,
    상기 스위치 소자(S1)에 복수개의 트랜지스터를 직렬 적층한 구조를 가지면서 접지로 향하는 복수개의 추가 스위치 소자(S3)를 연결함으로써 격리도 특성을 향상시키되, 스위치 소자(S1)가 온 상태가 되면 복수개의 추가 스위치 소자(S3)는 오프 상태가 되고, 스위치 소자(S1)가 오프 상태가 되면 복수개의 추가 스위치 소자(S3)는 온 상태가 되도록 구성하고,
    상기 복수개의 추가 스위치 소자(S3)에 커패시터(C0)를 연결하고 이 커패시터(C0)의 크기를 조절하는 것에 의해, 본딩 와이어의 기생 인덕터와 직렬 공진하게 하여, 복수개의 특정 공진주파수 대역에서 높은 격리도 특성을 확보할 수 있도록 하고,
    상기 추가 스위치 소자(S3)의 연결점은 상기 스위치 소자(S1) 내부의 각각의 트랜지스터의 게이트 단자에 연결되어,
    상기 스위치 소자(S1)가 오프 될 시에 입력단자로부터 출력단자로 유입된 누설신호가 추가 스위치 소자(S3)에 의해 접지방향으로 차단되어 격리도 특성이 향상되는 것을 특징으로 하는, 와이어 본딩 기생 인덕터 효과를 이용한 고 격리도 특성을 갖는 RF 스위치.
  3. 고출력 신호를 안정적으로 수신하고, 높은 선형도를 보이는 스위치 소자(S1)를 구현하기 위해 복수개의 트랜지스터를 직렬 적층한 RF 스위치로서,
    상기 스위치 소자(S1)에 복수개의 트랜지스터를 직렬 적층한 구조를 가지면서 접지로 향하는 추가 스위치 소자(S3)를 연결함으로써 격리도 특성을 향상시키되, 스위치 소자(S1)가 온 상태가 되면 추가 스위치 소자(S3)는 오프 상태가 되고, 스위치 소자(S1)가 오프 상태가 되면 추가 스위치 소자(S3)는 온 상태가 되도록 구성하고,
    상기 추가 스위치 소자(S3)에 커패시터(C0)를 연결하고 이 커패시터(C0)의 크기를 조절하는 것에 의해, 본딩 와이어의 기생 인덕터와 직렬 공진하게 하여, 특정 공진주파수 대역에서 높은 격리도 특성을 확보할 수 있도록 하고,
    상기 추가 스위치 소자(S3)의 연결점은 상기 스위치 소자(S1) 내부의 각각의 트랜지스터의 바디 단자에 연결되어,
    상기 스위치 소자(S1)가 오프 될 시에 입력단자로부터 출력단자로 유입된 누설신호가 추가 스위치 소자(S3)에 의해 접지방향으로 차단되어 격리도 특성이 향상되는 것을 특징으로 하는, 와이어 본딩 기생 인덕터 효과를 이용한 고 격리도 특성을 갖는 RF 스위치
  4. 고출력 신호를 안정적으로 수신하고, 높은 선형도를 보이는 스위치 소자(S1)를 구현하기 위해 복수개의 트랜지스터를 직렬 적층한 RF 스위치로서,
    상기 스위치 소자(S1)에 복수개의 트랜지스터를 직렬 적층한 구조를 가지면서 접지로 향하는 복수개의 추가 스위치 소자(S3)를 연결함으로써 격리도 특성을 향상시키되, 스위치 소자(S1)가 온 상태가 되면 복수개의 추가 스위치 소자(S3)는 오프 상태가 되고, 스위치 소자(S1)가 오프 상태가 되면 복수개의 추가 스위치 소자(S3)는 온 상태가 되도록 구성하고,
    상기 복수개의 추가 스위치 소자(S3)에 커패시터(C0)를 연결하고 이 커패시터(C0)의 크기를 조절하는 것에 의해, 본딩 와이어의 기생 인덕터와 직렬 공진하게 하여, 복수개의 특정 공진주파수 대역에서 높은 격리도 특성을 확보할 수 있도록 하고,
    상기 추가 스위치 소자(S3)의 연결점은 상기 스위치 소자(S1) 내부의 각각의 트랜지스터의 바디 단자에 연결되어,
    상기 스위치 소자(S1)가 오프 될 시에 입력단자로부터 출력단자로 유입된 누설신호가 추가 스위치 소자(S3)에 의해 접지방향으로 차단되어 격리도 특성이 향상되는 것을 특징으로 하는, 와이어 본딩 기생 인덕터 효과를 이용한 고 격리도 특성을 갖는 RF 스위치.
  5. 청구항1 내지 4 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 스위치 소자(S1)의 개방 상태에서의 전력구동능력, 선형성 및 격리도를 향상시키기 위해, 개방 시, 게이트 및 바디 단자에 0V 전압이 아닌 음의 값을 가지는 전압을 인가하는 것을 특징으로 하는, 와이어 본딩 기생 인덕터 효과를 이용한 고 격리도 특성을 갖는 RF 스위치.
  6. 고출력 신호를 안정적으로 수신하고, 높은 선형도를 보이는 스위치 소자(S1)를 구현하기 위해 복수개의 트랜지스터를 직렬 적층한 RF 스위치로서,
    반사 손실을 흡수할 수 있도록, 상기 스위치 소자(S1)와 입력단자 사이에 병렬 접속된 스위치 소자(S2) 및 이 스위치 소자(S2)에 연결된 종단 저항(R0)을 포함하며,
    상기 스위치 소자(S1)에 복수개의 트랜지스터를 직렬 적층한 구조를 가지면서 접지로 향하는 추가 스위치 소자(S3)를 연결함으로써 격리도 특성을 향상시키되, 스위치 소자(S1)가 온 상태가 되면 추가 스위치 소자(S3)는 오프 상태가 되고, 스위치 소자(S1)가 오프 상태가 되면 추가 스위치 소자(S3)는 온 상태가 되도록 구성하고,
    상기 추가 스위치 소자(S3)에 커패시터(C0)를 연결하고 이 커패시터(C0)의 크기를 조절하는 것에 의해, 본딩 와이어의 기생 인덕터와 직렬 공진하게 하여, 특정 공진주파수 대역에서 높은 격리도 특성을 확보할 수 있도록 하는 것을 특징으로 하는, 와이어 본딩 기생 인덕터 효과를 이용한 고 격리도 특성을 갖는 RF 스위치.
  7. 고출력 신호를 안정적으로 수신하고, 높은 선형도를 보이는 스위치 소자(S1)를 구현하기 위해 복수개의 트랜지스터를 직렬 적층한 RF 스위치로서,
    반사 손실을 흡수할 수 있도록, 상기 스위치 소자(S1)와 입력단자 사이에 병렬 접속된 스위치 소자(S2) 및 이 스위치 소자(S2)에 연결된 종단 저항(R0)을 포함하며,
    상기 스위치 소자(S1)에 복수개의 트랜지스터를 직렬 적층한 구조를 가지면서 접지로 향하는 복수개의 추가 스위치 소자(S3)를 연결함으로써 격리도 특성을 향상시키되, 스위치 소자(S1)가 온 상태가 되면 복수개의 추가 스위치 소자(S3)는 오프 상태가 되고, 스위치 소자(S1)가 오프 상태가 되면 복수개의 추가 스위치 소자(S3)는 온 상태가 되도록 구성하고,
    상기 복수개의 추가 스위치 소자(S3)에 커패시터(C0)를 연결하고 이 커패시터(C0)의 크기를 조절하는 것에 의해, 본딩 와이어의 기생 인덕터와 직렬 공진하게 하여, 복수개의 특정 공진주파수 대역에서 높은 격리도 특성을 확보할 수 있도록 하는 것을 특징으로 하는, 와이어 본딩 기생 인덕터 효과를 이용한 고 격리도 특성을 갖는 RF 스위치.
  8. 청구항 6 또는 7에 있어서,
    상기 추가 스위치 소자(S3)의 연결점은 상기 스위치 소자(S1) 내부의 각각의 트랜지스터의 게이트 단자에 연결되어,
    상기 스위치 소자(S1)가 오프 될 시에 입력단자로부터 출력단자로 유입된 누설신호가 추가 스위치 소자(S3)에 의해 접지방향으로 차단되어 격리도 특성이 향상되는 것을 특징으로 하는, 와이어 본딩 기생 인덕터 효과를 이용한 고 격리도 특성을 갖는 RF 스위치.
  9. 청구항 6 또는 7에 있어서,
    상기 추가 스위치 소자(S3)의 연결점은 상기 스위치 소자(S1) 내부의 각각의 트랜지스터의 드레인 단자에 연결되어,
    상기 스위치 소자(S1)가 오프 될 시에 입력단자로부터 출력단자로 유입된 누설신호가 추가 스위치 소자(S3)에 의해 접지방향으로 차단되어 격리도 특성이 향상되는 것을 특징으로 하는, 와이어 본딩 기생 인덕터 효과를 이용한 고 격리도 특성을 갖는 RF 스위치.
  10. 청구항 6 또는 7에 있어서,
    상기 추가 스위치 소자(S3)의 연결점은 상기 스위치 소자(S1) 내부의 각각의 트랜지스터의 소스 단자에 연결되어,
    상기 스위치 소자(S1)가 오프 될 시에 입력단자로부터 출력단자로 유입된 누설신호가 추가 스위치 소자(S3)에 의해 접지방향으로 차단되어 격리도 특성이 향상되는 것을 특징으로 하는, 와이어 본딩 기생 인덕터 효과를 이용한 고 격리도 특성을 갖는 RF 스위치.
  11. 청구항 6 또는 7에 있어서,
    상기 추가 스위치 소자(S3)의 연결점은 상기 스위치 소자(S1) 내부의 각각의 트랜지스터의 바디 단자에 연결되어,
    상기 스위치 소자(S1)가 오프 될 시에 입력단자로부터 출력단자로 유입된 누설신호가 추가 스위치 소자(S3)에 의해 접지방향으로 차단되어 격리도 특성이 향상되는 것을 특징으로 하는, 와이어 본딩 기생 인덕터 효과를 이용한 고 격리도 특성을 갖는 RF 스위치.
  12. 청구항 6 또는 7에 있어서,
    상기 스위치 소자(S1)의 개방 상태에서의 전력구동능력, 선형성 및 격리도를 향상시키기 위해, 개방 시, 게이트 및 바디 단자에 0V 전압이 아닌 음의 값을 가지는 전압을 인가하는 것을 특징으로 하는, 와이어 본딩 기생 인덕터 효과를 이용한 고 격리도 특성을 갖는 RF 스위치.
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