KR101426597B1 - 안테나 스위치 및 대역 저지 필터를 갖는 회로 장치와 이에 대응하는 방법 - Google Patents

안테나 스위치 및 대역 저지 필터를 갖는 회로 장치와 이에 대응하는 방법 Download PDF

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Abstract

복수의 포트들을 포함하는 안테나 스위치를 포함하는 구현예들이 본원에서 제시된다. 대역 저지 필터는 안테나 스위치의 복수의 포트들 중 적어도 하나에 연결되며 교란 주파수를 감쇠시키도록 구성된다. 트랜지스터는 제어 신호를 수신하고 제어 신호에 응답하여 대역 저지 필터를 켜도록 구성된다.

Description

안테나 스위치 및 대역 저지 필터를 갖는 회로 장치와 이에 대응하는 방법{CIRCUIT ARRANGEMENT WITH AN ANTENNA SWITCH AND A BANDSTOP FILTER AND CORRESPONDING METHOD}
최근에, 전 세계적으로 여러 가지 서로 다른 무선 통신 표준들이 개발되었다. 예를 들어, 세계 각지에서 (E)GSM, DCS, PCS, TDMA, (W-)CDMA, 또는 GPS 같은 통신 표준들이 채택되었다. 사용자 관점에서는, 다수의 또는 모든 통신 표준 하에서 작동하는 하나의 이동 통신 장치를 갖는 것이 바람직하다.
하나의 안테나는 하나의 이동 통신 장치 안에서 구현될 수 있고 안테나는 다수의 서로 다른 주파수 대역 중 임의의 대역에 있는 신호들을 수신하거나 제공할 수 있다. 이러한 통신 장치 내에서, 다중대역 안테나 스위치 모듈은 안테나와 다수의 수신기, 송신기 및/또는 송수신기 사이에서 인터페이스(interface) 역할을 할 수 있다. 다수의 수신기, 송신기 및/또는 송수신기 각각은 전용 주파수 대역과 연동될 수 있다. 이러한 하나의 안테나는 다중대역 안테나 스위치 모듈과 함께, 서로 다른 많은 나라에서 사용될 수 있는 비용 효율적이고 소형인 이동 통신 장치의 설계를 가능하게 할 수 있다.
첨부된 도면을 참조하여 상세한 설명이 이루어진다. 도면에서, 참조번호의 가장 왼쪽 숫자는 참조번호가 가장 먼저 나타나는 도면을 나타낸다. 상세한 설명 및 도면의 서로 다른 사례에서 유사하거나 동일한 사항에 대해 유사한 참조번호를 사용할 수 있다.
도 1은 안테나 스위치, 대역 저지 필터 및 트랜지스터를 포함하는 예시적 회로 장치의 개략적인 도면이다.
도 2는 안테나 스위치와 대역 저지 필터를 포함하는 다른 예시적 회로 장치의 개략적인 회로도이다.
도 3은 안테나 스위치, 대역 저지 필터 및 트랜지스터를 포함하는 또 다른 예시적 회로 장치의 개략적인 회로도이다.
도 4는 안테나 스위치, 트랜지스터, 인덕터, 정합 소자, 커패시터 및 안테나를 포함하는 또 다른 예시적 회로 장치의 개략적인 회로도이다.
도 5a 내지 5e는 도 1 내지 도 4에서 도시되고 설명된 바와 같은 대역 저지 필터들 중 하나의 필터에서 구현될 수 있는 커패시턴스의 개략적인 회로도이다.
도 6은 회로 장치, 안테나, 제1 필터, 저잡음 증폭기, 제2 필터 및 진폭 검출기를 포함하는 시스템을 도시한다.
도 7은 고주파 신호를 전송하는 복수의 작동들을 포함하는 순서도를 도시한다.
고주파 신호를 전송하는 기술이 본원에 개시된다. 일 구현예에 따르면, 회로 장치는 안테나 스위치를 포함하며 안테나 스위치는 복수의 포트(port)를 포함한다. 회로 장치는 안테나 스위치의 적어도 하나의 포트에 연결된 대역 저지 필터를 더 포함한다. 대역 저지 필터는 교란 주파수를 감쇠시키도록 구성된다. 회로 장치는 제어 신호를 수신하고 제어 신호에 응답하여 대역 저지 필터를 켜도록 구성된 트랜지스터를 더 포함한다.
다른 구현예에 따르면, 회로 장치는 복수의 포트를 포함하는 안테나 스위치를 포함한다. 회로 장치는 인덕턴스를 포함하는 대역 저지 필터를 더 포함한다. 인덕턴스의 제1 단자는 안테나 스위치의 적어도 하나의 포트에 연결된다. 회로 장치는 인덕턴스의 제2 단자에 연결된 트랜지스터를 더 포함한다. 트랜지스터는 제어 신호를 수신하도록 구성되며, 나아가 제어신호에 응답하여 대역 저지 필터를 켜도록 구성된다.
다른 실시예에 따르면, 고주파 신호를 송신하기 위한 방법이 제공된다. 고주파 신호는 안테나 스위치의 포트에서 수신되며 교란 주파수를 포함한다. 또한, 제어 신호가 수신되며 제어 신호에 응답하여 대역 저지 필터가 켜진다. 또한, 교란 주파수는 감쇠된다.
본원에서 도시되고 설명되는 구현예들은 향상된 성능과 전기적 특성을 가지면서 고주파 신호를 전송할 수 있다. 또한, 다양한 고주파 대역의 신호들의 교란되지 않고 신뢰성 있는 전송을 가능하도록 한다.
본원에서 설명되는 기술은 다양한 방법으로 구현될 수 있다. 포함된 도면과 진행 중인 논의를 참조하여 실시예 및 내용이 이하에서 제공된다.
예시적 장치
도 1은 안테나 스위치(102), 대역 저지 필터(104) 및 트랜지스터(106)를 포함하는 예시적 회로 장치(100)의 개략적인 도면이다. 안테나 스위치(102)는 복수의 포트(102_1, 102_2)를 포함하며 대역 저지 필터(104)는 안테나 스위치(102)의 복수의 포트(102_1, 102_2)중 적어도 하나의 포트(102_1)에 연결된다. 대역 저지 필터(104)는 교란 주파수를 감쇠시키도록 구성된다. 트랜지스터(106)는 제어 신호(108)을 수신하도록 구성된다. 트랜지스터(106)는 대역 저지 필터(104)에 연결되며 제어 신호(108)에 응답하여 대역 저지 필터(104)를 켜도록 구성된다.
도 1에 도시된 바와 같이, 트랜지스터(106)는 엔모스(NMOS) 트랜지스터로 구현될 수 있다. 트랜지스터(106)의 소스 단자(106_1)는 기준 접지 전위(VSS)에 연결될 수 있고, 트랜지스터(106)의 드레인 단자(106_2)는 대역 저지 필터(104)에 연결될 수 있으며, 트랜지스터(106)의 게이트 단자(106_3)는 제어 신호(108)에 연결될 수 있다. 작동 중에, 엔모스 트랜지스터(106)는 제어 신호(108)를 통해 제공된 게이트 단자(106_3)에서의 논리값 '1' 에 의해 켜질 수 있다. 이 경우, 트랜지스터(106)는 대역 저지 필터(104)를 켤 수 있고, 대역 저지 필터(104)는 신호의 교란 주파수를 매우 낮은 수준으로 감쇠시킬 수 있다. 상기 신호는 안테나 스위치(102)의 포트(102_1)로부터 수신되거나 포트(102_1)로 제공될 수 있다. 회로 장치(100) 내에서 전달될 수 있는 신호의 교란 주파수를 감쇠시킴으로써, 회로 장치(100)의 성능 및 전기적 특성이 향상될 수 있다.
도 1에 도시된 바와 같은 회로 장치(100)에서, 대역 저지 필터(104)는 선택적으로 활성화될 수 있다. 본원에서 앞서 설명한 바와 같이, 트랜지스터(106)의 게이트 단자(106_3)에 논리값 '1' 이 제공될 경우 대역 저지 필터(104)가 켜질 수 있다. 이에 상응하여, 트랜지스터(106)의 게이트 단자(106_3)에 논리값 '0' 이 제공될 경우 대역 저지 필터(104)가 꺼질 수 있다. 예를 들어, 대역 저지 필터(104)는 일정 시간 동안 및/또는 회로 장치(100)의 일정 작동 모드 동안 활성화될 수 있다. 이는, 대역 저지 필터(104)가 일시적으로 회로 장치(100)의 작동에 영향을 미칠 수 있음을 의미한다. 이외의 시간 동안 및/또는 이외의 작동 모드 동안에는, 회로 장치(100)의 작동은 대역 저지 필터(104)의 영향을 받지 않을 수 있다. 대역 저지 필터(104)는 적응 필터, 노치(notch) 필터, 또는 트랩(trap) 필터로도 지칭될 수 있다.
도 2는 안테나 스위치(202)와 대역 저지 필터(204)를 포함하는 다른 예시적 회로 장치(200)의 개략적인 회로도이다. 대역 저지 필터(204)는 트랜지스터(206)와 인덕터(210)를 포함한다. 회로 장치(200)는 정합 소자(212), 커패시터(214) 및 안테나(216)를 더 포함한다.
안테나 스위치(202)는 단극 N-스로우(single-pole N-throw, SPNT) 스위치로 구현될 수 있으며 다중 대역 기능을 가질 수 있다. 안테나 스위치(202)는 복수의 포트(202_1, 202_2, 202_3, ..., 202_N)를 포함할 수 있다. 안테나 스위치(202)의 포트(202_1)는 단극 포트일 수 있으며 안테나 스위치(202)의 포트(202_2, 202_3, ..., 202_N)는 스로우(throw) 포트일 수 있다. 스로우 포트(202_2, 202_3, ..., 202_N) 각각은 송신기, 수신기, 또는 송수신기 중 하나에 연결될 수 있다. 상기 송신기, 수신기, 또는 송수신기는 고주파 신호들을 서로 다른 고주파 대역에서 송수신하기 위한 안테나 스위치(202)를 통해 공통 안테나(216)에 연결될 수 있다. 일 구현예에서, 단극 포트(202_1)는 안테나 스위치(202)의 출력 포트일 수 있으며 스로우 포트(202_2, 202_3, ..., 202_N)는 복수의 송신기들(도 2에 미도시)에 연결될 수 있는 안테나 스위치(202)의 입력 포트일 수 있다. 입력 포트(202_2, 202_3, ..., 202_N) 각각 및 상기 복수의 송신기들 각각은 다른 고주파 대역에 할당될 수 있다. 작동 중, 안테나 스위치(202)는 입력 포트(202_2, 202_3, ..., 202_N)들 중 하나의 포트에서 수신된 신호를 출력 포트(202_1)로 보낼 수 있다. 이는, 안테나 스위치(202)가 다양한 고주파 신호 경로들 사이에서 전환할 수 있으며, 이와 동시에 상응하는 다양한 고주파 대역들 사이에서 전환할 수 있음을 의미한다.
도 2에 도시된 바와 같이, 정합 소자(212)의 제1 단자(212_1)는 안테나 스위치(202)의 출력 단자(202_1)에 연결되며, 정합 소자(212)의 제2 단자(212_2)는 안테나(216)에 연결된다. 정합 소자(212)는 회로 장치(200) 내에서 전달되는 신호의 반사를 감소시키거나 방지하기 위한 임피던스 매칭을 위해 구현될 수 있다. 예를 들어, 정합 소자(212)는 고주파 시스템에서 소스와 부하 임피던스에 대해 공통 50옴의 임피던스를 매칭시키도록 설계될 수 있다. 정합 소자(212)는 예를 들어, 금속 라인 및/또는 인덕턴스(도 2에 미도시)를 포함할 수 있다.
정합 소자(212)의 제2 단자(212_2)는 또한 커패시터(214)의 제1 단자(214_1)에도 연결될 수 있다. 커패시터(214)의 제2 단자(214_2)는 기준 접지 전위(VSS)에 연결될 수 있다. 정합 소자(212)는 커패시터(214)와 함께 저역 통과 필터(218)를 나타낼 수 있다. 저역 통과 필터(218)는 안테나(216)에서 안테나 스위치(202)로 또는 그 반대로 전달되는 고주파 신호를 필터링 하여 제거할 수 있다. 커패시터(214)의 값은 신호를 원하는 주파수 대역 이하에서 통과시키기 위한 저역 통과 필터(218)의 저역 통과 특성을 부여하기 위해 주지의 방식으로 선택될 수 있다. 예를 들어, 저역 통과 필터(218)는 회로 장치(200) 및/또는 포트(202_2, 202_3, ..., 202_N)에 연결되는 임의의 장치에 의해 발생되는 고조파를 필터링 하여 제거 할 수 있다.
도 2에 도시된 바와 같이, 정합 소자(212)의 제1 단자(212_1)는 또한 인덕터(210)의 제1 단자(210_1)에도 연결될 수 있으며, 인덕터(210)의 제2 단자(210_2)는 트랜지스터(206)의 드레인 단자(206_2)에 연결될 수 있다. 즉, 인덕터(210)와 트랜지스터(206)는 직렬로 연결될 수 있으며 안테나 스위치(202)의 출력 포트(202_1)에 연결될 수 있는 대역 저지 필터(204)를 형성할 수 있다. 대역 저지 필터(204)는 안테나 스위치(202)의 출력 포트(202_1)에 제공되는 신호의 교란 주파수를 감쇠시키도록 설계될 수 있다. 상기 교란 주파수는 안테나 스위치(202)의 비선형성으로 인해 생성되는 안테나 스위치(202)의 고차 고조파일 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 상기 교란 주파수는 회로 소자, 예를 들어, 안테나 스위치(202)의 입력 포트(202_2, 202_3, ..., 202_N) 중 하나의 포트에 연결되는 전력 증폭기(도 2에 미도시)에 의해 유도될 수 있다.
본원에서 도 1과 관련하여 앞서 도시하고 설명한 바와 같이, 대역 저지 필터(204)는 제어 신호(208)에 근거하여 선택적으로 활성화될 수 있다. 도 1과 관련하여 도시되고 설명된 구현예와는 대조적으로, 작동 하는 동안, 제1 경우에서는, 제어 신호(208)를 통해 트랜지스터(206)의 게이트 단자(206_3)에 논리값 '0' 이 제공되었을 때 대역 저지 필터(204)가 켜질 수 있다. 이 경우, 트랜지스터(206)는 꺼지게 되며 인덕터(210)는 플로팅 상태가 된다. 트랜지스터(206)의 기생 커패시턴스는 인덕터(210)와 함께 대역 저지 필터(204)를 형성할 수 있다. 즉, 대역 저지 필터(204)는 LC 공진기를 포함할 수 있다. 트랜지스터(206)의 기생 커패시턴스는 트랜지스터(206)가 꺼졌을 때의 트랜지스터(206)의 소스와 게이트 사이의 기생 커패시턴스 및 트랜지스터(206)의 드레인과 게이트 사이의 기생 커패시턴스로 구성될 수 있다.
작동하는 동안, 제2 경우에서는, 제어 신호(208)를 통해 트랜지스터(206)의 게이트 단자(206_3)에 논리값 '1' 이 제공되었을 때 트랜지스터(206)가 켜질 수 있다. 트랜지스터(206)가 켜진 경우, 트랜지스터(206)는 기생 커패시턴스를 제공하지 않을 수 있으며 대역 저지 필터(204)는 비활성화될 수 있다. 트랜지스터(206)는 전도성이므로, 인덕터(210)의 제2 단자(210_2)는 트랜지스터(206)를 통해 기준 접지 전위(VSS)로 연결된다. 또한, 안테나 스위치(202)의 출력 포트(202_1)는 인덕터(210)와 트랜지스터(206)를 거쳐 기준 접지 전위(VSS)로 연결될 수 있다. 이 경우, 인덕터(210)는 정전기 방전(electrostatic discharge, ESD) 보호 기능을 회로 장치(200)에 제공할 수 있다. ESD 이벤트가 예를 들어, 안테나(216)를 통해 발생하는 경우, 인덕터(210)는 ESD 전압을 기준 접지 전위(VSS)로 단락시킬 수 있다.
유의할 것은, 상기 제1 경우에서도, 트랜지스터(206)가 꺼졌을 경우 트랜지스터(206)가 회로 장치(200)에 ESD 보호 기능을 제공할 수 있으므로 회로 장치(200)는 ESD 이벤트로부터 보호될 수 있다는 것이다. 트랜지스터(206)의 크기는 수 밀리미터의 범위 내에 있을 수 있고 트랜지스터(206)의 항복(breakdown) 현상은 ESD 보호 기능으로 이용될 수 있다. 회로 장치(200)에서는 별도의 ESD 보호 장치가 필요하지 않을 수 있다.
일반적으로, 도 2에 도시된 바와 같은 트랜지스터(206)와 인덕터(210)는 여러 기능을 가질 수 있다. 첫째, 본원에서 앞서 설명한 바와 같이, 트랜지스터(206)는 제어 신호(208)에 의해 제공된 논리값에 근거하여 대역 저지 필터(204)를 활성화시킬 수 있다. 둘째, 본원에서 앞서 설명한 바와 같이, 트랜지스터(206)와 인덕터(210)는 대역 저지 필터(204)의 일부일 수 있다. 셋째, 본원에서 앞서 설명한 바와 같이, 트랜지스터(206)와 인덕터(210)는 회로 장치(200)에 ESD 보호 기능을 제공할 수 있다. 넷째, 트랜지스터(206)와 인덕터(210)는 트랜지스터(206)가 켜졌을 때와 인덕터(210)가 트랜지스터(206)를 통해 기준 접지 전위(VSS)로 연결되었을 때, 회로 장치(200)의 적응적인 주파수 응답의 효과를 가져올 수 있다. 구체적으로, 인덕터(210)는 회로 장치(200)의 주파수 응답에 영향을 미칠 수 있는 고역 통과 필터의 일부일 수 있다. 도 2와 관련하여 도시되고 설명된 바와 같은 회로 장치(200)는 안테나 스위치(202)에 선택적으로 연결될 수 있는 대역 저지 필터(204)를 면적 효율적이고 ESD 내성적으로 구현하도록 할 수 있다.
도 2를 참조하면, 안테나 스위치(202)는 복수의 신호 경로들 사이에서 전환할 수 있으며 각 신호 경로는 해당하는 고주파 대역 전용일 수 있다. 본원에서 앞서 설명한 바와 같이, 대역 저지 필터(204)는 선택적으로 활성화될 수 있다. 예를 들어, 대역 저지 필터(204)는 상기 복수의 고주파 대역의 하나 또는 복수에 대해 활성화될 수 있으며 나머지 고주파 대역에 대해 비활성화될 수 있다. 다시 말해, 안테나 스위치(202)의 하나 이상의 입력 포트(202_2, 202_3, ..., 202_N) 로부터 안테나(216)로 전달된 오직 하나 또는 여러 신호들은 대역 저지 필터(204)에 의해 필터링 될 수 있다. 안테나 스위치(202)의 입력 포트(202_2, 202_3, ..., 202_N)로부터 안테나(216)로 전달된 나머지 신호들은 대역 저지 필터(204)의 영향을 받지 않을 수 있다. 따라서, 관심있는 고주파 대역만이 대역 저지 필터(204)의 영향을 받을 수 있으며 나머지 고주파 대역은 영향을 받지 않은 채로 있을 수 있다.
작동하는 동안, 일 작동 모드에서, 안테나 스위치(202)는 786.5 MHz의 반송 주파수를 가질 수 있는 대역(13)에서 신호를 출력 포트(202_1)로 보낼 수 있다. 본원에서 앞서 설명한 바와 같이, 안테나 스위치(202)는 고차 고조파를 생성할 수 있으며, 예를 들어, 대역(13)에서의 제2 고조파는 1,573 GHz일 수 있다. 이 주파수는 1,575 GHz의 GPS 대역에 매우 가깝다. 일반적으로, GPS 대역에서의 신호 강도가 낮을수록, GPS 대역에서의 신호는 다른 고주파 대역으로부터의 교란에 민감할 수 있다. 구체적으로, 상기 GPS 대역에서의 신호는 대역(13)의 신호의 제2 고조파에 의해 교란될 수 있다.
도 2를 참조하면, 대역(13) 신호의 제2 고조파는 대역 저지 필터(204)에 의해 트랩 아웃될 수 있다. 대역 저지 필터(204)는 그의 저지 대역이 1573 MHz를 포함하고 안테나 스위치(202)가 대역(13) 신호를 보낼 때 마다 활성화 되어 대역(13) 신호 내의 제2 고조파를 필터링 하여 제거할 수 있도록 설계될 수 있다. 즉, 안테나 스위치(202)에 의해 생성된 제2 고조파는 대역 저지 필터(204)에 의해 억제될 수 있다. 결과적으로, GPS 대역에서의 신호 전달은 대역(13) 신호에 의해 교란되지 않을 수 있다. 회로 장치(200)는 다양한 고주파 대역의 신호 전송을 교란되지 않고 신뢰성 있게 할 수 있도록 한다.
대역(13)과 GPS 대역은 신호 상호작용을 위한 일례에 불과하다. 다른 예로는 GSM 1800 대역 신호의 전달을 교란시킬 수 있는 GSM 900 대역의 신호를 들 수 있다.
도 3은 안테나 스위치(302), 대역 저지 필터(304) 및 트랜지스터(306)를 포함하는 다른 예시적 회로 장치(300)의 개략적인 회로도이다. 안테나 스위치(302), 대역 저지 필터(304) 및 트랜지스터(306)는 도 1에서 도시되고 설명된 바와 같은 회로 장치(100)과 유사한 방식으로 서로 연결될 수 있다.
도 1과는 대조적으로, 제어 신호(308)는 트랜지스터(306)의 게이트 단자(306_3) 뿐만 아니라 안테나 스위치(302)에도 제공된다. 신호 경로와 고주파 대역 각각은 제어 신호(308)에 응답하여 안테나 스위치(302) 내에서 전환될 수 있다. 트랜지스터(306)와 안테나 스위치(302) 양쪽 모두에 제어 신호(308)을 제공함으로써, 대역 저지 필터(304)는 켜지거나 꺼질 수 있고, 이와 함께, 안테나 스위치(302) 내 신호 경로의 전환이 수행될 수 있다.
예를 들어, 안테나 스위치(302)는 제어 신호(308)에 응답하여 대역(13) 신호 경로로 전환할 수 있으며, 이와 동시에, 트랜지스터(306)는 제어 신호(308)에 응답하여 대역 저지 필터(304)를 활성화하여 예를 들어, 안테나 스위치(302)에 의해 생성된 교란적인 고차 고조파를 필터링하여 제거할 수 있다. 제어 신호(308)는 예를 들어, 디코더, 퓨즈, 메모리부, 프로세서, 소프트웨어 또는 기타 로직부(도 3에 미도시)에 의해 회로 장치(300)에 제공될 수 있다.
트랜지스터(306)와 안테나 스위치(302) 양쪽 모두에 제어 신호(308)을 제공함으로써, 트랜지스터(306)와 안테나 스위치(302)를 제어하기 위한 논리 작용도를 낮게 유지할 수 있다. 또한, 필터링이 요구되는 안테나 스위치(302) 내 하나 이상의 고주파 대역에 대해 대역 저지 필터(304)가 적시에 활성화되는 것을 보장하는 것도 가능하다.
도 4는 안테나 스위치(402), 트랜지스터(406), 인덕터(410), 정합 소자(412), 커패시터(414) 및 안테나(416)를 포함하는 다른 예시적 회로 장치(400)의 개략적인 회로도이다. 도 2와 관련하여 도시되고 설명된 회로 장치(200)에 추가적으로, 회로 장치(400)는 추가 커패시터(420)와 추가 인덕터(422)를 포함한다.
추가 인덕터(422)의 제1 단자(422_1)는 정합 회로(412)의 제1 단자(412_1)에 연결될 수 있다. 추가 인덕터(422)의 제2 단자(422_2)는 기준 접지 전위(VSS)에 연결될 수 있다. 추가 인덕터(422)는 ESD 보호 기능을 회로 장치(400)에 제공할 수 있다. ESD 전압을 예를 들어, 안테나(416)를 통해 회로 장치(400)에 인가 시, 추가 인덕터(422)는 상기 ESD 전압을 기준 접지 전위(VSS)로 단락시킬 수 있다. 추가 인덕터(422)는 회로 장치(400)의 작동 모드와는 별도로 ESD 보호 기능을 회로 장치(400)에 제공할 수 있다. 또한, 추가 인덕터(422)는 회로 장치(400)의 ESD 내성을 향상시킬 수 있으며 회로 장치(400)는 ESD 전류를 수 암페어의 범위 내에서 견딜 수 있다.
추가 커패시터(420)의 제1 단자(420_1)는 인덕터(410)의 제2 단자(410_2) 및 트랜지스터(406)의 드레인 단자(406_2)에 연결될 수 있다. 추가 커패시터(420)의 제2 단자(420_2)는 기준 접지 전위(VSS)에 연결될 수 있다. 즉, 추가 커패시터(420)와 트랜지스터(406)는 병렬로 연결될 수 있다. 추가 커패시터(420) 및 인덕터(410)는 이산 장치일 수 있으며 도 1 내지 도 3에서 도시되고 설명된 대역 저지 필터(104, 204, 304)와 유사한 대역 저지 필터(404)의 일부일 수 있다. 추가 커패시터(420)는 대역 저지 필터(404)의 품질 계수(Q-factor)를 향상시킬 수 있다. 도 2와 관련하여 설명한 바와 유사하게, 제1 경우에는, 제어 신호(408)를 통해 트랜지스터(406)의 게이트 단자(406_3)에 논리값 '0' 이 제공되었을 때 대역 저지 필터가 켜질 수 있다. 이 경우, 트랜지스터(406)는 꺼지게 되며 트랜지스터(406)의 기생 커패시턴스는 인덕터(410) 및 추가 커패시터(420)와 함께 대역 저지 필터(404)를 형성할 수 있다. 제2 경우에는, 트랜지스터(406)는 논리값 '0' 이 게이트 단자(406_3)에 제공되었을 때 켜질 수 있으며 대역 저지 필터(404)는 비활성화될 수 있다.
도 5a 내지 도 5e는, 도 1 내지 도 4와 관련하여 도시되고 설명된 바와 같이, 대역 저지 필터(104, 204, 304, 404) 중 하나의 필터에서 구현될 수 있는 커패시턴스의 개략적인 회로도이다. 도 5a 내지 도 5e의 커패시턴스는 직렬 및/또는 병렬로 연결된 복수 용량성 소자들에 의해 형성될 수 있다. 도 5a 내지 도 5e의 커패시턴스는 하나 이상의 트랜지스터들을 켜거나 끔으로써 조정될 수 있다.
도 5a는 직렬로 연결된 복수의 이산 용량성 소자(520_1, 520_2, ..., 520_M) 및 직렬로 연결된 복수의 트랜지스터(506_1, 506_2, ..., 506_M)를 포함하는 커패시턴스의 개략적인 회로도이다. 용량성 소자(520_1, 520_2, ..., 520_M) 각각은 트랜지스터(506_1, 506_2, ..., 506_M) 중 하나에 병렬로 연결된다. 예를 들어, 용량성 소자(520_1)는 트랜지스터(506_1)에 병렬로 연결되고, 용량성 소자(520_2)는 트랜지스터(506_2)에 병렬로 연결되며, 용량성 소자(520_M)는 트랜지스터(506_M)에 병렬로 연결된다. 도 5a의 커패시턴스의 용량 값은 하나 이상의 트랜지스터들(506_1, 506_2, ..., 506_M)을 켜거나 끔으로써 조정될 수 있다. 트랜지스터들(506_1, 506_2, ..., 506_M) 중 하나를 켬으로써, 그 하나의 트랜지스터에 병렬로 연결된 용량성 소자는 바이패스 될 수 있다.
용량성 소자들(520_1, 520_2, ..., 520_M) 각각의 용량 값은 C가 될 수 있다. 일례에서, 트랜지스터들(506_1, 506_2, ..., 506_M) 모두가 켜지지 않을 수 있다. 이 경우, 용량성 소자들(520_1, 520_2, ..., 520_M) 중 어느 것도 바이패스 되지 않으며 도 5a의 커패시턴스의 전체적인 용량 값은 직렬로 연결된 세 용량성 소자들(520_1, 520_2, ..., 520_M)에 의해 형성될 수 있다. 따라서, 도 5a의 커패시턴스의 전체적인 용량 값은 C/3가 될 수 있다. 다른 예에서, 트랜지스터들(506_1, 506_2)이 켜지고 용량성 소자들(520_1, 520_2)이 바이패스 될 수 있다. 따라서, 도 5a의 커패시턴스의 전체적인 용량 값은 용량성 소자(520_M)에 의해 형성될 수 있으며 전체적인 용량 값은 C가 될 수 있다.
도 5b는 병렬로 연결된 복수의 이산 용량성 소자(520_1, 520_2, ..., 520_M) 및 복수의 트랜지스터(506_1, 506_2, ..., 506_M)를 포함하는 커패시턴스의 개략적인 회로도이다. 이산 용량성 소자(520_1, 520_2, ..., 520_M) 각각은 트랜지스터(506_1, 506_2, ..., 506_M) 중 하나에 직렬로 연결된다. 예를 들어, 용량성 소자(520_1)는 트랜지스터(506_1)에 직렬로 연결되고, 용량성 소자(520_2)는 트랜지스터(506_2)에 직렬로 연결되며, 용량성 소자(520_M)는 트랜지스터(506_M)에 직렬로 연결된다. 도 5b의 커패시턴스의 용량 값은 하나 이상의 트랜지스터들(506_1, 506_2, ..., 506_M)을 켜거나 끔으로써 조정될 수 있다. 트랜지스터들(506_1, 506_2, ..., 506_M) 중 하나를 켬으로써, 그 하나의 트랜지스터에 직렬로 연결된 용량성 소자는 활성화될 수 있다.
이산 용량성 소자들(520_1, 520_2, ..., 520_M) 각각의 용량 값은 C가 될 수 있다. 일례에서, 트랜지스터들(506_1, 506_2)은 켜질 수 있으며 용량성 소자들(520_1, 520_2)은 활성화될 수 있다. 따라서, 도 5b의 커패시턴스의 전체적인 용량 값은 용량성 소자(520_2)에 병렬로 연결된 용량성 소자(520_1)에 의해 형성될 수 있으며 전체적인 용량 값은 2*C가 될 수 있다.
도 5a 및 5b의 이산 용량성 소자들(520_1, 520_2, ..., 520_M)은 동일한 용량 값 C를 갖는 것으로 설명된다. 대안적으로, 용량성 소자들(520_1, 520_2, ..., 520_M)의 용량 값은 다를 수 있다. 예를 들어, 용량성 소자(520_1)의 용량 값은 C일 수 있으며, 용량성 소자(520_2)의 용량 값은 2*C일 수 있으며, 용량성 소자(520_M)의 용량 값은 M*C일 수 있다. 일반적으로, 상기 커패시턴스는 소정의 다른 가중치들로 전환될 수 있다.
도 5c는 도5b와 관련하여 도시되고 설명된 커패시턴스와 유사한 커패시턴스의 개략적인 회로도이다. 도 5c의 커패시턴스는 병렬로 연결된 복수의 용량성 소자(520_1, 520_2, ..., 520_M) 및 복수의 트랜지스터(506_1, 506_2, ..., 506_M)를 포함한다. 하나 이상의 트랜지스터들(506_1, 506_2, ..., 506_M)을 켜거나 끔으로써, 도 5c의 커패시턴스의 용량 값은 조정될 수 있다. 도 5b와 관련하여 도시되고 설명된 구현예와는 대조적으로, 용량성 소자들(520_1, 520_2, ..., 520_M)은 게이트 단자들이 음 전압, 예를 들어, -3V에 연결된 트랜지스터들에 의해 형성된다. 즉, 상기 트랜지스터들은 영구적으로 꺼져 있고 용량성 소자들(520_1, 520_2, ..., 520_M)은 이 트랜지스터들의 기생 커패시턴스에 의해 형성된다. 도 5c에 도시된 바와 같은 구현예는 향상된 ESD 저항성을 가능하게 할 수 있다.
용량성 소자들(520_1, 520_2, ..., 520_M) 중 하나의 용량 값은 트랜지스터의 길이에 대한 폭의 비 (W/L)로 정의될 수 있다. 일 구현예에서, 모든 트랜지스터들은 동일한 W/L 비를 가질 수 있다. 다른 구현예에서, 트랜지스터들의 W/L 비율은 다를 수 있다. 예를 들어, 트랜지스터(520_1)는 W1/L1의 W/L 비를 가질 수 있고, 트랜지스터(520_2)는 W2/L2의 W/L 비를 가질 수 있고, 트랜지스터(520_M)는 WM/LM의 W/L 비를 가질 수 있다. 예를 들어, 트랜지스터는 면적이 최적화된 구현을 위해 대형 소자들을 포함할 수 있다.
도 5d는 직렬로 연결된 복수의 트랜지스터(506_1, 506_2, ..., 506_M), 즉 적층된 트랜지스터(506_1, 506_2, ..., 506_M)를 포함하는 커패시턴스의 개략적인 회로도이다. 도 5e는 병렬로 연결된 복수의 트랜지스터(506_1, 506_2, ..., 506_M)를 포함하는 커패시턴스의 개략적인 회로도이다. 복수의 트랜지스터들(506_1, 506_2, ..., 506_M) 중 하나 이상을 켜거나 끔으로써 도 5d의 커패시턴스의 용량 값은 조정될 수 있다. 또한, 트랜지스터들(506_1, 506_2, ..., 506_M)은 용량성 소자들을 형성할 수 있다. 본원에서 도 2와 관련하여 앞서 설명한 바와 같이, 트랜지스터들(506_1, 506_2, ..., 506_M) 중 하나가 꺼지는 경우, 하나의 트랜지스터의 기생 커패시턴스는 그 트랜지스터의 소스와 게이트 사이의 기생 커패시턴스 및 드레인과 게이트 사이의 기생 커패시턴스로 구성될 수 있다. 요약하면, 도 5d 및 도 5e에서, 트랜지스터들(506_1, 506_2, ..., 506_M)은 용량성 소자들을 형성할 수 있고, 추가적으로 트랜지스터들(506_1, 506_2, ..., 506_M)은 전체적인 커패시턴스의 용량 값을 조정하기 위해 사용될 수 있다. 도 5d 및 도 5e에 도시된 구현예들은 ESD 내성과 면적 효율적인 디자인을 가능하게 할 수 있다.
도 5a 내지 도 5e와 관련하여 도시되고 설명된 구현예들은 조합될 수 있다. 예를 들어, 일 구현예에서, 도 5d와 관련하여 도시되고 설명된 실시예는 도 5e와 관련하여 도시되고 설명된 실시예와 결합될 수 있다. 즉, 커패시턴스는 병렬로 연결된 복수의 트랜지스터들 및 직렬로 연결된 복수의 트랜지스터들에 의해 형성될 수 있다. 다른 구현예에서, 도 5a와 관련하여 도시되고 설명된 실시예는 도 5b와 관련하여 도시되고 설명된 실시예와 결합될 수 있다.
본원에서 앞서 도 5a 내지 도 5e와 관련하여 설명한 바와 같이, 커패시턴스의 용량 값은 조정가능 할 수 있으며 상기 조정 가능한 커패시턴스는 도 1 내지 도 4와 관련하여 도시되고 설명된 대역 저지 필터들 중 하나에서 구현될 수 있다. 즉, 도 1 내지 도 4의 대역 저지 필터들은 조정 가능한 적응적 필터일 수 있으며, 예를 들어 대역 저지 필터들의 저지 대역은 조정 가능 할 수 있다. 일 구현예에서, 대역 저지 필터의 상기 저지 대역은 상기 대역 저지 필터를 포함하는 회로 장치의 작동 모드에 따라 조정될 수 있다. 예를 들어, 일 작동 모드에서, 대역 저지 필터의 상기 저지 대역은 안테나 스위치에 의해 생성되는 제2 고조파에 따라 조정될 수 있다. 다른 구현예에서, 대역 저지 필터의 상기 저지 대역은 상기 대역 저지 필터를 포함하는 회로 장치의 제조 과정에서 발생한 공정 파라미터들의 변화를 보상하기 위해 조정될 수 있다.
도 1 내지 도 4 및 도 5a 내지 도 5e와 관련하여 도시되고 설명된 구현예들은 엔모스(NMOS) 트랜지스터를 포함하는 것으로 나타나 있다. 다른 구현예에서는, 다른 종류의 트랜지스터, 예를 들어 피모스(PMOS) 트랜지스터, 전계효과 트랜지스터(FET) 혹은 바이폴라(bipolar) 트랜지스터로 구현될 수 있다.
도 1 내지 도 4 및 도 5a 내지 도 5e와 관련하여 도시되고 설명된 구현예들은 서로 다른 기술로 설계되고 구현될 수 있다. 예를 들어, 씨모스(CMOS) 기술, 실리콘 온 인슐레이터(silicon-on-insulator, SOI), 실리콘 온 사파이어(silicon-on-sapphire, SOS), 갈륨-비소(gallium-arsenid, GaAs), 바이폴라 기술, 고전자 이동도 트랜지스터(high-electron mobility transistor, HEMT), 마이크로 전자 기계 시스템(micro-electro-mechanical systems, MEMS), 또는 핀(PIN) 다이오드 중 적어도 하나가 구현될 수 있다.
도 1 내지 도 4 및 도 5a 내지 도 5e와 관련하여 도시되고 설명된 장치들은 동일한 반도체 장치 상에서, 즉 동일한 반도체 기판 상에서 구현될 수 있다. 대안적으로, 상기 장치들은 복수 반도체 소자에 걸쳐 구현되고/되거나 이산 소자로서 구현될 수 있다. 예를 들어, 도 2를 참조하면, 안테나 스위치(202)는 트랜지스터(206)를 포함하는 별도의 반도체 소자일 수 있다. 인덕터(210), 정합 소자(212), 커패시터(214) 및 안테나(216)는 이러한 별도의 반도체 소자에 통합되지 않을 수 있다.
도 1 내지 도 4와 관련하여 도시되고 설명된 구현예들의 복수는 안테나 스위치의 출력 포트에 연결된 대역 저지 필터를 갖는 것으로 나타나 있다. 대안적으로, 대역 저지 필터는 안테나 스위치의 입력 포트에 연결될 수 있다. 예를 들어, 대역 저지 필터는 안테나 스위치의 입력 포트에 연결된 전력 증폭기에서 생성되는 교란 주파수를 필터링 하여 제거할 수 있다.
도 1 내지 도 4 및 도 5a 내지 도 5e와 관련하여 도시되고 설명된 구현예들의 특징들은 서로 결합될 수 있다. 예를 들어, 도 2의 구현예의 특징들은 도 3의 구현예의 특징들과 결합될 수 있다. 도 2의 회로 장치(200)는 제어 신호(208)를 트랜지스터(206)의 게이트 단자(206_2)와 안테나 스위치(202) 모두에 제공하는 방식으로 도 3의 구현예에 따라서 확장될 수 있다. 즉, 대역 저지 필터(204)가 켜지거나 꺼질 수 있고, 이와 함께 안테나 스위치(202) 내에서의 신호 경로의 전환이 실행될 수 있다.
일 구현예에서, 본원에서 앞서 도시되고 설명된 바와 같은 회로 장치들은 휴대용 무선 장치의 프론트 엔드(front-end) 모듈에 포함될 수 있다. 프론트 엔드 모듈은 휴대 전화, 개인 휴대 정보 단말기(PDA), 또는 컴퓨터의 무선 인터페이스 카드와 같은 무선 통신 장치에 사용될 수 있다.
도 6은 회로 장치(600), 안테나(616), 제1 필터(624), 저잡음 증폭기(626, low-noise amplifier, LNA), 제2 필터(628) 및 진폭 검출기(630)를 포함하는 시스템(632)을 도시하고 있다. 제1 증폭기(624)는 안테나 필터로 지칭될 수 있다. 시스템(632)은 GPS 수신기를 포함할 수 있으며 회로 장치(600)는 앞서 도 1 내지 도 4 및 도 5a 내지 도 5e와 관련하여 도시되고 설명된 구현예들 중 하나를 포함할 수 있다.
안테나(616)를 통해 신호가 수신될 수 있으며 신호는 제1 필터(624), LNA(626) 및 제2 필터(628)를 통과할 수 있다. LNA(626)는 특정 주파수 대역에 대해 상기 신호의 출력 수준을 뒤이은 블록들의 프로세싱에 적합한 레벨로 증가시킬 수 있다. 제1 및 제2 필터(624, 628)는 추가적인 필터링이나 프로세싱을 수행할 수 있다. 제2 필터(628)는 제2 필터(628)로부터 수신된 신호의 교란 주파수의 진폭을 평가할 수 있는 진폭 검출기(630)에 연결될 수 있다. 상기 교란 주파수는 고차 고조파, 상호 변조 성분, 방해 전파 및/또는 왜곡을 포함할 수 있다. 제어 신호(634)는 상기 교란 주파수의 진폭에 따라 진폭 검출기(630)에 의해 제공될 수 있다. 제어 신호(634)는 회로 장치(600)에 제공될 수 있으며 회로 장치(600)의 대역 저지 필터의 커패시턴스는 제어 신호(634)에 따라 적응적으로 조정될 수 있다. 커패시턴스의 조정은 도 5a 내지 도 5e와 관련하여 도시되고 설명된 바와 유사하게 수행될 수 있다. 조정은 수회 반복될 수 있으며 커패시턴스의 조정은 안테나(616)를 통해 수신된 신호의 교란주파수의 진폭이 최대치에 이르렀을 때 완료될 수 있다. 이후, 회로 장치(600)의 대역 저지 필터는 교란 주파수를 감쇠시키거나 필터링하여 제거하도록 구성될 수 있다. 일반적으로, 시스템(632)은 고주파 신호를 교란이 없거나 적은 상태에서 향상된 성능으로 전송하도록 할 수 있다.
예시적 방법
도 7은 고주파 신호를 전송하는 복수의 작동들을 포함하는 순서도(700)를 도시하고 있다. 별도로 언급되지 않는 한, 작동들의 순서는 그 설명순서에 제한하는 것으로 해석해서는 안 된다. 작동들은 프로세스를 구현하기 위해 반복적일 수 있고, 임의의 순서로 조합될 수 있고/있거나 병행할 수 있다. 하기의 일부 설명에서, 도 1 내지 도 6의 도시 및 그 대상이 참조될 수 있다. 도 7과 관련하여 설명된 절차는 앞서 설명된 구현예들을 활용하여 실현될 수 있다.
도 7을 참조하면, 블록(702)에서, 고주파 신호가 안테나 스위치의 포트에서 수신된다. 고주파 신호는 교란 주파수를 포함한다. 포트는 안테나 스위치의 입력 및/또는 출력 포트일 수 있다. 일 구현예에서, 교란 주파수는 안테나 스위치의 비선형성으로 인해 안테나 스위치에서 생성되는 고차 고조파일 수 있다. 다른 구현예에서, 교란 주파수는 회로 소자, 예를 들어 안테나 스위치의 입력 포트들 중 하나에 연결된 전력 증폭기에 의해 유도될 수 있다. 다른 구현예에서, 교란 주파수는 안테나를 통해 수신되어 안테나에 연결된 안테나 스위치로 전송될 수 있다.
블록(704)에서, 제어 신호가 수신된다.
블록(706)에서, 제어 신호에 응답하여 대역 저지 필터가 켜진다. 대역 저지 필터는 제어 신호에 근거하여 선택적으로 활성화될 수 있다. 예를 들어, 대역 저지 필터는 일정 시간 동안 및/또는 일정 작동 모드 동안 활성화될 수 있다.
블록(708)에서, 교란 주파수가 감쇠된다. 대역 저지 필터는 교란 주파수를 매우 낮은 수준으로 감쇠시키도록 구성될 수 있다.
일 구현예에서, 교란 주파수는 안테나 스위치에 의해 생성되는 고차 고조파일 수 있다. 고차 고조파는 안테나 스위치의 비선형성으로 인해 생성될 수 있다.
다른 구현예에서, 제어 신호에 응답하여 안테나 스위치 내에서 고주파 경로가 전환된다. 안테나 스위치는 다중대역 기능을 가질 수 있으며 고주파 신호들을 서로 다른 고주파 대역에서 보낼 수 있다.
다른 구현예에서, 대역 저지 필터의 저지 대역이 조정된다. 대역 저지 필터는 그의 저지 대역이 교란 주파수를 포함하도록 설계될 수 있다.
도 7의 순서도(700) 에서 도시되고 설명된 작동들은 다양한 고주파 대역의 신호들의 교란되지 않고 신뢰성 있는 전송을 가능하도록 한다.
결론
본 개시와 이어지는 청구범위를 위해, "연결된" 이란 용어는 다양한 요소들이 어떻게 인터페이스를 하는지를 설명하기 위해 사용되었다. 다양한 요소들의 이러한 인터페이싱은 직접적이거나 간접적일 수 있다. 발명의 대상이 구조적 특징 및/또는 방법론적인 행위에 특유한 언어로 설명되었지만, 첨부된 청구항에서 정의된 발명의 대상이 반드시 설명된 구체적인 특징이나 행위에 제한되는 것이 아님을 이해하여야 한다. 오히려, 구체적 특징이나 행위는 청구항을 구현하기 위한 예시적 형태로 개시된다. 서로 다른 구현예들 및 청구항의 다양한 특징들을 조합하여 그의 변형들을 산출하는 것은 본 개시의 범위 내에 있다.

Claims (25)

  1. 복수의 포트들을 포함하는 안테나 스위치;
    상기 안테나 스위치의 복수의 포트들 중 적어도 하나에 연결되며 교란 주파수를 감쇠시키도록 구성된 대역 저지 필터; 및
    제어 신호를 수신하고 상기 제어 신호에 응답하여 상기 대역 저지 필터를 켜도록 구성된 트랜지스터를 포함하는
    회로 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 포트들 중의 상기 적어도 하나는 안테나에 연결된 상기 안테나 스위치의 출력 포트이고 상기 교란 주파수는 상기 안테나 스위치에 의해 생성되는 고차 고조파인
    회로 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 대역 저지 필터는 LC 공진기를 포함하는
    회로 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 대역 저지 필터는 인덕턴스를 포함하되, 상기 인덕턴스의 제1 단자는 상기 안테나 스위치의 복수의 포트들 중의 상기 적어도 하나에 연결되며 상기 인덕턴스의 제2 단자는 상기 트랜지스터에 연결되는
    회로 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 대역 저지 필터는 커패시턴스를 더 포함하며, 상기 커패시턴스 및 상기 인덕턴스는 직렬로 연결된
    회로 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 커패시턴스는 상기 트랜지스터의 기생 커패시턴스를 포함하는
    회로 장치.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 커패시턴스는 이산 커패시터를 포함하며, 상기 이산 커패시터 및 상기 트랜지스터는 병렬로 연결된
    회로 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 대역 저지 필터는 조정이 가능하도록 구성된
    회로 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 대역 저지 필터의 저지 대역은 조정이 가능한
    회로 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 제어 신호는 상기 안테나 스위치 내 고주파 경로의 전환을 제어하도록 구성된
    회로 장치.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 트랜지스터는 또한 상기 안테나 스위치에 대한 ESD 보호 기능을 제공하도록 구성된
    회로 장치.
  12. 복수의 포트들을 포함하는 안테나 스위치;
    인덕턴스를 포함하되, 상기 인덕턴스의 제1 단자는 상기 안테나 스위치의 복수의 포트들 중 적어도 하나에 연결되는 대역 저지 필터; 및
    상기 인덕턴스의 제2 단자에 연결되되, 제어 신호를 수신하며 상기 제어 신호에 응답하여 상기 대역 저지 필터를 켜도록 구성된 트랜지스터를 포함하는
    회로 장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 대역 저지 필터는 LC 공진기를 포함하는
    회로 장치.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 대역 저지 필터는 커패시턴스를 더 포함하며, 상기 커패시턴스 및 상기 인덕턴스는 직렬로 연결된
    회로 장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 커패시턴스는 상기 트랜지스터의 기생 커패시턴스를 포함하는
    회로 장치.
  16. 제14항에 있어서,
    상기 커패시턴스는 이산 커패시터를 포함하며, 상기 이산 커패시터 및 상기 트랜지스터는 병렬로 연결된
    회로 장치.
  17. 제12항에 있어서,
    상기 대역 저지 필터는 교란 주파수를 감쇠시키도록 구성된
    회로 장치.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 복수의 포트들 중의 상기 적어도 하나는 안테나에 연결된 상기 안테나 스위치의 출력 포트이고 상기 교란 주파수는 상기 안테나 스위치에 의해 생성되는 고차 고조파인
    회로 장치.
  19. 제12항에 있어서,
    상기 대역 저지 필터의 저지 대역은 조정이 가능하도록 구성된
    회로 장치.
  20. 제12항에 있어서,
    상기 제어 신호는 상기 안테나 스위치 내 고주파 경로의 전환을 제어하도록 구성된
    회로 장치.
  21. 제12항에 있어서,
    상기 트랜지스터는 또한 상기 안테나 스위치에 대한 ESD 보호 기능을 제공하는
    회로 장치.
  22. 안테나 스위치의 포트에서 교란 주파수를 포함하는 고주파 신호를 수신하는 단계;
    제어 신호를 수신하는 단계;
    상기 제어 신호에 응답하여 대역 저지 필터를 켜는 단계; 및
    상기 교란 주파수를 감쇠시키는 단계를 포함하는
    고주파 신호 전송 방법.
  23. 제22항에 있어서,
    상기 교란 주파수는 상기 안테나 스위치에 의해 생성되는 고차 고조파인
    고주파 신호 전송 방법.
  24. 제22항에 있어서,
    상기 제어 신호에 응답하여 상기 안테나 스위치 내 고주파 경로를 전환하는 단계를 더 포함하는
    고주파 신호 전송 방법.
  25. 제22항에 있어서,
    상기 대역 저지 필터의 저지 대역을 조정하는 단계를 더 포함하는
    고주파 신호 전송 방법.
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