JP7129355B2 - 保護回路 - Google Patents
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Description
(1)磁性体等を分散したノイズ吸収シートに代表される、電磁エネルギーを熱エネルギーに変換する方法
(2)金属シールドに代表される、不要輻射を反射する方法
(3)フィルターに代表される、伝送線路上のノイズを基板GNDへ排出する方法
(4)機器外部へノイズを放出する方法
[1]通電経路上に接続された可溶金属体と、前記可溶金属体に接続され、前記可溶金属体を加熱により溶断可能な発熱体とを有する保護素子と、
前記通電経路に接続された機器の異常を検出する保護デバイスと、
前記保護デバイスの検出結果に基づいて、前記保護素子の前記発熱体への通電を行うように動作するスイッチング素子と、
前記スイッチング素子と並列に接続され、所定の周波数帯域におけるノイズを通過する周波数選択素子と、
を備える保護回路。
[2]前記所定の周波数帯域は、1kHz~1GHzである、上記[1]に記載の保護回路。
[3]前記所定の周波数帯域におけるノイズの磁気エネルギーが、前記発熱体で熱エネルギーに変換される、上記[1]または[2]に記載の保護回路。
[4]前記周波数選択素子は、ハイパスフィルタである、上記[1]に記載の保護回路。
[5]前記機器は、前記通電経路に接続されたバッテリであり、
前記保護デバイスは、前記バッテリの電圧を検出し、前記電圧に基づいて前記バッテリに異常が生じているか否かを判別する、上記[1]に記載の保護回路。
[6]通電経路上に接続された可溶金属体と、前記可溶金属体に接続され、前記可溶金属体を加熱により溶断可能な発熱体とを有する保護素子と、
前記通電経路に接続された機器の異常を検出する保護デバイスと、
前記保護デバイスの検出結果に基づいて、前記保護素子の前記発熱体への通電を行うように動作するスイッチング素子と、
を備え、
前記スイッチング素子は、所定の周波数帯域のノイズを選択的に出力する周波数選択性を有する半導体素子で構成される、上記[1]に記載の保護回路。
[7]前記所定の周波数帯域は、1kHz~1GHzである、上記[6]に記載の保護回路。
[8]前記所定の周波数帯域におけるノイズの磁気エネルギーが、前記発熱体で熱エネルギーに変換される、上記[6]または[7]に記載の保護回路。
[9]前記半導体素子は、電界効果トランジスタである、上記[6]に記載の保護回路。
[10]前記機器は、前記通電経路に接続されたバッテリであり、
前記保護デバイスは、前記バッテリの電圧を検出し、前記電圧に基づいて前記バッテリに異常が生じているか否かを判別する、上記[6]に記載の保護回路。
保護デバイス20は、該保護デバイス20の検出結果に応じて保護素子10への通電動作を制御するスイッチング素子30と接続されており、更に、第3接続部Cを介して保護素子10と接続されている。そして、保護デバイス20は、バッテリセル3A~3Dの異常に応じて制御信号をスイッチング素子30に出力する。
また、保護素子10では、発熱体12の発熱によって可溶金属体11が溶断されるが、これに限らず、通電経路が過電流となった場合に、可溶金属体11が自己発熱(ジュール熱)により溶断されてもよい。本構成によっても、保護素子10やバッテリ3の通電経路を遮断することができる。
2A 保護回路
2B 保護回路
3 バッテリ
3A バッテリセル
3B バッテリセル
3C バッテリセル
3D バッテリセル
4 充電装置
10 保護素子
11 可溶金属体
11A 第1ヒューズエレメント
11B 第2ヒューズエレメント
12 発熱体
20 保護デバイス
30 スイッチング素子
40 周波数選択素子
50 スイッチング素子
Claims (10)
- 通電経路上に接続された可溶金属体と、前記可溶金属体に接続され、前記可溶金属体を加熱により溶断可能な発熱体とを有する保護素子と、
前記通電経路に接続された機器の異常を検出する保護デバイスと、
前記保護デバイスの検出結果に基づいて、前記保護素子の前記発熱体への通電を行うように動作するスイッチング素子と、
前記スイッチング素子と並列に接続され、所定の周波数帯域におけるノイズを通過する周波数選択素子と、
を備える保護回路。 - 前記所定の周波数帯域は、1kHz~1GHzである、請求項1に記載の保護回路。
- 前記所定の周波数帯域におけるノイズの磁気エネルギーが、前記発熱体で熱エネルギーに変換される、請求項1または2に記載の保護回路。
- 前記周波数選択素子は、ハイパスフィルタである、請求項1に記載の保護回路。
- 前記機器は、前記通電経路に接続されたバッテリであり、
前記保護デバイスは、前記バッテリの電圧を検出し、前記電圧に基づいて前記バッテリに異常が生じているか否かを判別する、請求項1に記載の保護回路。 - 通電経路上に接続された可溶金属体と、前記可溶金属体に接続され、前記可溶金属体を加熱により溶断可能な発熱体とを有する保護素子と、
前記通電経路に接続された機器の異常を検出する保護デバイスと、
前記保護デバイスの検出結果に基づいて、前記保護素子の前記発熱体への通電を行うように動作するスイッチング素子と、
を備え、
前記スイッチング素子は、所定の周波数帯域におけるノイズを選択的に出力する周波数選択性を有する半導体素子で構成される、請求項1に記載の保護回路。 - 前記所定の周波数帯域は、1kHz~1GHzである、請求項6に記載の保護回路。
- 前記所定の周波数帯域におけるノイズの磁気エネルギーが、前記発熱体で熱エネルギーに変換される、請求項6または7に記載の保護回路。
- 前記半導体素子は、電界効果トランジスタである、請求項6に記載の保護回路。
- 前記機器は、前記通電経路に接続されたバッテリであり、
前記保護デバイスは、前記バッテリの電圧を検出し、前記電圧に基づいて前記バッテリに異常が生じているか否かを判別する、請求項6に記載の保護回路。
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