JP4811155B2 - 半導体スイッチ回路並びに通信機器 - Google Patents
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Description
但し、t=(FET1のゲート幅Wg)/(FET2〜4のゲート幅Wg)
なお、上記の各式におけるCg(V)は、寄生容量Cgの両端に印加される電圧によって静電容量が変化すること(電圧依存性)を表している。
22 デュプレクサ
24 ローノイズアンプ
26 パワーアンプ
101、102、103、104 半導体スイッチ回路
111、112、113、114 半導体スイッチ回路
201 半導体スイッチ回路
211 半導体スイッチ回路
Cp コンデンサ
Cds 容量
Cg 寄生容量
ΔCg 容量変化量
Tx 送信信号
Rx 受信信号
Ron オン抵抗
SW1、SW2、SW3 半導体スイッチ回路
Wg ゲート幅
Claims (5)
- 信号の導通及び遮断の制御を行う半導体スイッチ回路において、
前記半導体スイッチ回路は、直列に接続された複数段の電界効果型トランジスタから構成され、
前記複数段の電界効果型トランジスタのうち一部の電界効果型トランジスタのゲート幅を他の電界効果型トランジスタのゲート幅よりも狭く設定するとともに、ゲート幅を狭く設定した電界効果型トランジスタのゲート−ドレイン間及びゲート−ソース間に、固定容量のコンデンサを接続した半導体スイッチ回路。 - 前記コンデンサの容量は、前記ゲート幅を狭く設定した電界効果型トランジスタのゲート−ソース間又はゲート−ドレイン間の容量と、前記他の電界効果型トランジスタのゲート−ソース間又はゲート−ドレイン間の容量との差の容量とした請求項1に記載の半導体スイッチ回路。
- 他の通信機器と信号の送信又は受信を行う通信機器であって、
前記信号の送信又は受信を行う通信手段と、
前記他の通信機器に対して前記信号の送信又は受信を行う通信ポートと、
前記通信手段と前記通信ポートとの間に配置され、前記信号の通過及び遮断を制御する半導体スイッチ回路とを備え、
前記半導体スイッチ回路として、直列に接続された複数段の電界効果型トランジスタから構成され、前記複数段の電界効果型トランジスタのうち一部の電界効果型トランジスタのゲート幅を他の電界効果型トランジスタのゲート幅よりも狭く設定するとともに、ゲート幅を狭く設定した電界効果型トランジスタのゲート−ドレイン間及びゲート−ソース間に、固定容量のコンデンサを接続した半導体スイッチ回路を用いた通信機器。 - 信号経路に対して直列に挿入して信号の導通及び遮断を制御するスルー電界効果型トランジスタと、信号経路に対して並列に挿入して信号経路の短絡及び開放を制御することにより信号の導通及び遮断を制御するシャント電界効果型トランジスタを備えた半導体スイッチ回路において、
前記半導体スイッチ回路は、直列に接続された複数段のシャント電界効果型トランジスタから構成され、
前記複数段のシャント電界効果型トランジスタのうち
一部のシャント電界効果型トランジスタのゲート幅を他のシャント電界効果型トランジスタのゲート幅よりも狭く設定するとともに、ゲート幅を狭く設定したシャント電界効果型トランジスタのゲート−ドレイン間及びゲート−ソース間に、固定容量のコンデンサを接続した半導体スイッチ回路。 - 前記コンデンサの容量は、前記ゲート幅を狭く設定したシャント電界効果型トランジスタのゲート−ソース間又はゲート−ドレイン間の容量と、前記他のシャント電界効果型トランジスタのゲート−ソース間又はゲート−ドレイン間の容量との差の容量とした請求項4に記載の半導体スイッチ回路。
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