JP5492657B2 - 半導体スイッチ回路 - Google Patents
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- 入出力端子間に直列にソースおよびドレインを接続した1又は2以上の電界効果トランジスタと、該電界効果トランジスタのゲートに接続した抵抗を備えた半導体スイッチ回路において、前記電界効果トランジスタのゲート−ドレイン間およびゲート−ソース間に、直列に接続したキャパシタとスイッチをそれぞれ接続したことを特徴とする半導体スイッチ回路。
- 入出力端子間に直列にソースおよびドレインを接続した1又は2以上の電界効果トランジスタと、該電界効果トランジスタのゲートに接続した抵抗を備えた半導体スイッチ回路において、該電界効果トランジスタのゲート−ドレイン間およびゲート−ソース間にキャパシタと抵抗を直列にそれぞれ接続し、高周波帯域では前記ゲート−ドレイン間および前記ゲート−ソース間に接続した前記容量のインピーダンスより前記ゲート−ドレイン間および前記ゲート−ソース間に接続した前記抵抗のインピーダンスを高くし、低周波帯域では前記ゲート−ドレイン間および前記ゲート−ソース間に接続した前記容量のインピーダンスより前記ゲート−ドレイン間および前記ゲート−ソース間に接続した前記抵抗のインピーダンスを低くしたことを特徴とする半導体スイッチ回路。
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