JP2006141177A - Mosfetのゲート駆動装置及びそれを用いたインバータ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 上記課題を解決するために、本発明の主要構成は、入力されたPWM信号を微分回路2で微分し、微分した立ち上がり波形の電圧をホールド回路3でゲートの入力容量にホールドさせることにより、MOSFETQ4のゲートを駆動し、ゲートの入力容量にホールドされた電圧を、微分したときの立ち下がり微分波形を基に放電回路4で引き抜いて放電させる構成とした。
【選択図】 図1
Description
(式1) Ipeak=Ciss×VGS/tr
(式2) tr=Ciss×RT
Ipeak:駆動電流、Ciss:入力容量、VGS:ゲートーソース間電圧、
tr:立ち上がり時間、
RT:駆動回路側の出力抵抗を含むトータルの駆動抵抗(VGS/Ipeak)
(a1)フォトカプラ方式:簡単に絶縁ができるが、制御信号としての電力しか伝送できないので、MOSFET側に駆動用の絶縁された別電源が必要となる(特許文献1及び2を参照)。周波数は、普通、上限20KHzと低いが下限が直流まで扱えるので、広範囲なデューティで動作できる。
(a2)市販のチャージポンプIC:絶縁された別電源が不要であり、部品点数が少なくて済むが、絶縁が数百Vと低くなる。また、IC内部にデットタイムがあるため、数百Hzでの駆動は困難である。
(a3)パルストランス方式:簡単に絶縁ができ、かつ制御信号及び駆動電力としての電力が伝送できるので、絶縁された別電源は不要である。
(b1)PWM信号を入力した場合に、デューティの範囲を広くとれない。
(b2)トランスの結合が悪くリーケージが大きく、高速ドライブができない。
パルストランスは、直流を重畳すると飽和しがちです。したがって、PWM信号のデューティが50%であれば、交流成分のみで問題はないが、デューティが50%からずれてくるほど、平均した直流成分が大になってきて飽和するので、デューティ範囲が制限される。
これを防ぐには、パルストランスのコアにギャップを入れるが、損失が大きくなるため、一般には、ギャップなしで使用されている(図8のパルストランスT2も同様。)。
望ましいのは、図9(B)に示すように、OFF時にパルストランスが自由な電圧(直流部がゼロ)に保持できることである。
図9(B)にパルス波形の模式図を示すが、パルストランスのインダクタンスが小さいと図9(B)のDが大きくなる。Dが大きくなってもMOSFETQ4のゲート電圧が下がらないように図8のようにダイオードD4を入れてあるが、Dが余り大きいとダイオードD4では対応できずにゲート電圧が下がってしまう。したがって、一定のインダクタンスが必要になる。また、パルストランスのリーケージインダクタンスが大きいと波形の立ち上がり時間trが大きくなってしまい。高速応答、及び高周波での使用が望めなくなるので、パルストランスのコアにギャップを入れないことが望ましい。
例えば、図8において、ON時の電圧と、デューティとの関係で、OFF時に一次巻線に次のような高電圧が発生する。
ON時の電圧:15V、デューティ:50%、
OFF時の電圧=15×0.5/(1−0.5)=15V
ON時の電圧:15V、デューティ:70%、
OFF時の電圧=15×0.7/(1−0.7)=35V
ON時の電圧:15V、デューティ:90%、
OFF時の電圧=15×0.9/(1−0.9)=135V
したがって、素子の耐圧を大きくするため沿面距離を大きくしたりするので、規模が大きくなる。図8の一次側には、そのOFF時のエネルギーを消費させるものがない。パルストランスの巻数比を2:1にすれば半分の電圧で済む。また、負荷となるMOSFETQ4のゲートにOFF時の高電圧がかからないようにすることが必要である。
上記したように、式(2)で示される問題があり、駆動抵抗を大きくできない。これは、立ち下がり時でも同じで、立ち下がり時間はOFF時の駆動抵抗と入力容量Cissとで定まる時定数で決まってしまう。
入力される幅が可変なパルス波形を受けて微分し、該パルス波形の立ち上がり微分波形と立ち下がり微分波形を出力する微分回路と、
前記ゲートに接続され、該ゲートの入力容量に対して前記立ち上がり微分波形の電圧をホールドさせることにより、該ゲートを駆動するホールド回路と、
前記立ち下がり微分波形を基に、該ゲートにホールドされている電圧を放電させる放電回路と、を備えた。
該MOSFET素子から出力されるスイッチング波形信号の所定成分を出力させるフィルタリング回路と、
該フィルタリング回路の出力を受けて所望の値と比較し、比較結果に応じた幅の所定周波数の幅変調パルス波形を出力する検出信号生成手段と、
該幅変調パルス波形を受けて微分して、立ち上がり微分波形と立ち下がり微分波形を出力する微分回路と、前記MOSFETのゲートに接続され、該ゲートの入力容量に対して前記立ち上がり微分波形の電圧をホールドさせるホールド回路と、前記立ち下がり微分波形を基に、前記ゲートにホールドされている電圧を放電させる放電回路とを有するゲート駆動装置と、を備えた。
パターン(銅箔)でも構成できるインダクタンスである。また、その分、リーケージインダクタンスも低くなり、かつ飽和の可能性も低い。
(式3)出力電圧Vout=
入力電圧Vin×{Ton1(Q5、8)―Ton2(Q7,6)}/Ts
ただし、Ts=Ton1+Ton2(1/Ts=150kHz)
(式4)出力電圧Vout=
入力電圧Vin×Ton(Q5、7)/Ts
ただし、Ton(Q5、7)/Ts(1/Ts=150kHz)は、PW
M変調信号のデューティ相当になる。
2 微分回路
3 ホールド回路
4 放電回路
5 検出信号生成手段
6 ゲート駆動回路
7 フィルタリング回路
Q4 MOSFET
Claims (5)
- MOSFETのゲートを駆動するゲート駆動装置であって、
入力される幅が可変なパルス波形を受けて微分し、該パルス波形の立ち上がり微分波形と立ち下がり微分波形を出力する微分回路と、
前記ゲートに接続され、該ゲートの入力容量に対して前記立ち上がり微分波形の電圧をホールドさせることにより、該ゲートを駆動するホールド回路と、
前記立ち下がり微分波形を基に、該ゲートにホールドされている電圧を放電させる放電回路と、を備えたことを特徴とするゲート駆動装置。 - 前記微分回路は、前記入力されるパルス波形を受ける一次巻線と微分された波形を出力する二次巻線からなるトランスであり、該一次巻線及び二次巻線は、該入力されるパルス波形を微分可能なインダクタンスにされていることを特徴する請求項1に記載のゲート駆動装置。
- 前記ホールド回路は、前記立ち上がり微分波形を受けたときだけ、前記微分回路と前記ゲートの間をオンにし、前記立ち上がり微分波形を受けていないときは、オフにする第1のスイッチング素子を有することを特徴とする請求項1又は2に記載のゲート駆動装置。
- 前記放電回路は、前記立ち下がり微分波形により所定のバイアス電圧を生成するツエナーダイオードと、そのバイアス電圧を受けて、前記ゲートにホールドされた電圧を放電させる第2のスイッチング素子を有することを特徴とする請求項1、2又は3に記載のゲート駆動装置。
- 入力される直流電圧をスイッチングするためのMOSFETと、
該MOSFET素子から出力されるスイッチング波形信号の所定成分を出力させるフィルタリング回路と、
該フィルタリング回路の出力を受けて所望の値と比較し、比較結果に応じた幅の所定周波数の幅変調パルス波形を出力する検出信号生成手段と、
該幅変調パルス波形を受けて微分して、立ち上がり微分波形と立ち下がり微分波形を出力する微分回路と、前記MOSFETのゲートに接続され、該ゲートの入力容量に対して前記立ち上がり微分波形の電圧をホールドさせるホールド回路と、前記立ち下がり微分波形を基に、前記ゲートにホールドされている電圧を放電させる放電回路とを有するゲート駆動装置と、
を備えたインバータ装置。
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