JP2006124836A - ニオブ又はタンタルのケイ素含有合金の製造方法及びニオブ又はタンタルを含有する展伸材 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ケイ素を含有するニオブ又はタンタルの合金を製造するにあたり、
A)ニオブ粉末又はタンタル粉末とケイ素粉末とを含有する配合物を形成し、そして該配合物を圧縮して、圧縮配合物を形成し、
B)圧縮配合物をニオブ又はタンタルを含有する電極に接続し、
C)電極と圧縮配合物を真空アーク再溶解条件で溶融させ、こうして該配合物と溶融された電極とを混合し、
D)溶融された電極を冷却して、合金鋳塊を形成し、かつ
E)その合金鋳塊に熱−機械的加工工程を適用して、展伸材を形成する。
【選択図】なし
Description
A)ニオブ粉末又はタンタル粉末とケイ素粉末とを含有する配合物を形成し、そして該配合物を圧縮して、圧縮配合物を形成すること、
B)圧縮配合物をニオブ又はタンタルを含有する電極に接続すること、
C)電極と圧縮配合物を真空アーク再溶解条件で溶融させ、こうして該配合物と溶融された電極とを混合すること、
D)溶融された電極を冷却して、合金鋳塊を形成すること、及び
E)その合金鋳塊に熱−機械的加工工程を適用して、展伸材を形成すること
を含む。
I)展伸材を中間的厚さにまで圧延する工程;
II)I)の展伸材を950〜1150℃の温度で30分〜180分にわたり焼鈍する工程;
III)II)の展伸材を圧延する工程;及び
IV)III)の展伸材を950〜1150℃の温度で30分〜180分にわたり焼鈍し、次いで該展伸材を室温に冷却する工程
を使用する。
a)ニオブ又はタンタルを溶融して、溶融物を形成させ、
b)溶融物中のニオブ又はタンタルに対して、0.1〜60ppmのケイ素を添加し、
c)該溶融物を冷却して、合金鋳塊を形成させ、
d)該合金鋳塊に熱−機械的加工工程を適用して、展伸材を形成する
ことによって製造する方法を提供する。
(i)1800゜F(982℃)で90分間、
(ii)1850゜F(1010℃)で90分間、
(iii)1900゜F(1038℃)で90分間、
(iv)1950゜F(1066℃)で90分間、
(v)2000゜F(1093℃)で90分間、
(vi)2050゜F(1121℃)で90分間、及び
(vii)2100゜F(1149℃)で90分間
の1つに従って焼鈍した。
図2:1800゜F(982℃)で90分間
図3:1850゜F(1010℃)で90分間
図4:1900゜F(1038℃)で90分間
図5:1950゜F(1066℃)で90分間
図6:2000゜F(1093℃)で90分間
図7:2050゜F(1121℃)で90分間
図8:2100゜F(1149℃)で90分間
先の調査により、先行技術の方法を用いてケイ素を添加せずに製造したニオブ薄板の粒度において相当の変動がある(すなわちASTM4〜10)ことが示された。図1は、ケイ素を全く添加しないと(線2を参照)、達成される最も微細な粒度はASTM7.5であることを示しており、これは深絞り用途には少しばかり許容されるにすぎない。1つを例外として(すなわち20ppmのSi)、ケイ素変性薄板の90%より高い再結晶化は従来技術の製造サイクルを用いては不可能であった。従って、粒度は測定できなかった。他方で、8.5又はそれより微細なASTM粒度は、従来技術の製造サイクルで使用されるより50゜F(28℃)高い焼鈍サイクルを用いて、ケイ素添加を伴うニオブ薄板において一貫してもたらされた。しかしながら約2000゜F(1093℃)の焼鈍温度で、粒子凝集が起き始めた。9.0又はそれより微細なASTM粒度は、1900゜F(1038℃)〜2000゜F(1093℃)で1950゜F(1066℃)の最適焼鈍温度の焼鈍温度を用いた全てのケイ素変性薄板試料において、一貫してもたらされた。
Claims (26)
- ニオブ又はタンタルのケイ素含有合金の製造方法において、
A)ニオブ粉末又はタンタル粉末とケイ素粉末とを含有する配合物を形成し、そして該配合物を圧縮して、圧縮配合物を形成すること、
B)圧縮配合物をニオブ又はタンタルを含有する電極に接続すること、
C)電極と圧縮配合物を真空アーク再溶解条件で溶融させ、こうして該配合物と溶融された電極とを混合すること
D)溶融された電極を冷却して、合金鋳塊を形成すること、及び
E)その合金鋳塊に熱−機械的加工工程を適用して、展伸材を形成すること
を含む方法。 - E)の展伸材が5〜9の微細かつ均一なASTM粒度を有する、請求項1記載の方法。
- ケイ素はA)において、展伸材中の全ニオブ又はタンタルに対して0.1〜100ppmで存在する、請求項1記載の方法。
- E)における熱−機械的加工工程が、
i)合金鋳塊を鍛造して、展伸材を形成させること、及び
ii)該展伸材を950〜1150℃の温度で焼鈍すること
を含む、請求項1記載の方法。 - 展伸材が、箔、薄板、板、管及び棒材からなる群から選択される、請求項4記載の方法。
- i)における焼鈍により、少なくとも75%の再結晶化がもたらされる、請求項4記載の方法。
- E)における熱−機械的加工工程が、
I)展伸材を中間的厚さにまで圧延すること;
II)I)の展伸材を950〜1150℃の温度で30分〜180分にわたり焼鈍すること;
III)II)の展伸材を圧延すること;及び
IV)III)の展伸材を950〜1150℃の温度で30分〜180分にわたり焼鈍し、次いで該展伸材を室温に冷却すること
を含む、請求項1記載の方法。 - 展伸材が、箔、薄板、板、管及び棒材からなる群から選択される、請求項6記載の方法。
- II)及びIV)における焼鈍により、少なくとも75%の再結晶化がもたらされる、請求項7記載の方法。
- 請求項1記載の方法により得られるニオブ又はタンタルを含有する展伸材。
- 展伸材が、箔、薄板、板、管及び棒材からなる群から選択される、請求項10記載の展伸材。
- 請求項10記載の展伸材から製造される深絞りカップ。
- 請求項10記載の展伸材から製造されるスパッタリングターゲット。
- ニオブ又はタンタルのケイ素含有合金の製造方法において、
a)ニオブ又はタンタルを溶融して、溶融物を形成させること、
b)溶融物中のニオブ又はタンタルに対して、0.1〜60ppmのケイ素を添加すること、
c)該溶融物を冷却して、合金鋳塊を形成させること、
d)該合金鋳塊に熱−機械的加工工程を適用して、展伸材を形成すること
を含む方法。 - 展伸材が5〜9の微細かつ均一なASTM粒度を有する、請求項14記載の方法。
- ケイ素はb)において、全ニオブ又はタンタルに対して0.1〜100ppmで存在する、請求項14記載の方法。
- d)における熱−機械的加工工程が、
i)合金鋳塊を鍛造して、展伸材を形成させること、及び
ii)該展伸材を950〜1150℃の温度で焼鈍すること
を含む、請求項14記載の方法。 - 展伸材が、箔、薄板、板、管及び棒材からなる群から選択される、請求項17記載の方法。
- i)における焼鈍により、少なくとも75%の再結晶化がもたらされる、請求項17記載の方法。
- d)における熱−機械的加工工程が、
I)展伸材を中間的厚さにまで圧延すること;
II)I)の展伸材を950〜1150℃の温度で30分〜180分にわたり焼鈍すること;
III)II)の展伸材を圧延すること;及び
IV)III)の展伸材を950〜1150℃の温度で30分〜180分にわたり焼鈍し、次いで該展伸材を室温に冷却すること
を含む、請求項14記載の方法。 - 展伸材が、箔、薄板、板、管及び棒材からなる群から選択される、請求項20記載の方法。
- II)及びIV)における焼鈍により、少なくとも75%の再結晶化がもたらされる、請求項21記載の方法。
- 請求項14記載の方法により得られるニオブ又はタンタルを含有する展伸材。
- 展伸材が、箔、薄板、板、管及び棒材からなる群から選択される、請求項23記載の展伸材。
- 請求項23記載の展伸材から製造される深絞りカップ。
- 請求項24記載の展伸材から製造されるスパッタリングターゲット。
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