JP2006117755A - 高濃度ガスハイドレート生成装置およびその装置を用いたガスハイドレート製造プラント - Google Patents

Abstract

【課題】 物理脱水装置により脱水されたガスハイドレートから、高濃度のガスハイドレートを生成する。
【解決手段】 物理脱水装置２により脱水されたガスハイドレートと原料ガスが導入される容器３１と、容器内のガスハイドレートを攪拌する回転軸３５と攪拌羽根３６からなる混合手段と、容器内の原料ガスを循環ガスブロワ４１により吸引しガス冷却器４２を通して容器内に戻す原料ガス循環冷却手段とを備えて構成することにより、ガスハイドレートが攪拌混合される容器内の原料ガスを容器内に強制循環させると同時に、循環する原料ガスを冷却器で冷却するようにする。水和反応による熱を循環冷却された原料ガスにより効果的に除熱することができ、物理脱水装置により脱水された中濃度のガスハイドレートから、短い滞留時間で高濃度のガスハイドレートを生成することができる。
【選択図】 図１

Description

本発明は、高濃度ガスハイドレート生成装置に係り、具体的には低濃度のガスハイドレートスラリーをスクリュープレス型脱水装置等の物理脱水装置により脱水して得られる中濃度のガスハイドレートから高濃度のガスハイドレートを生成する技術に関する。

ガスハイドレートは、水分子の作る籠の中にガスを取り込んだ構造の固形の水和物であり、−１０数℃の大気圧下で安定することから、液化天然ガス（ＬＮＧ）に代わる天然ガスの輸送および貯蔵の手段として利用する研究が進められている。

一般に、ガスハイドレートは、例えば、天然ガス、メタンガス、炭酸ガスなどの原料ガスと水とを低温高圧の生成容器内で反応させて生成される。生成容器内で生成されるガスハイドレートは、多量の未反応水を含むことから、水を分離して製品ガスハイドレートを精製する必要がある。

特許文献１に記載されたハイドレートの製造法によれば、生成容器内に原料ガスを供給し、その原料ガス中に低温の循環水をスプレー（噴霧）してハイドレートを生成する、いわゆるスプレー式のハイドレート生成法が採用されている。このようなハイドレート生成法では、生成容器内の液面近傍に浮遊するハイドレートを水と共にスラリーとして抜き出し、メッシュ加工された内筒を有する２重構造のスクリュープレス型脱水装置に導いて物理的に脱水するようにしている。このスクリュープレス型脱水装置は脱水率に限界があることから、さらに２軸スクリュー型脱水装置等に導いて、ガスハイドレートの付着水と原料ガスと反応させる水和反応により脱水して、付着水の少ない製品ガスハイドレートを得るようにしている。また、特許文献２にも、同様のプロセスにより脱水することが記載されている。

特開２００３−５５６７５号公報 特開２００３−６４３８５号公報

ところで、特許文献１、２に記載されたスプレー式の生成器から抜き出されるガスハイドレートスラリーは、一般にガスハイドレート濃度が低い（例えば、０．５〜２０重量％）とされている。また、ガスハイドレートスラリーを脱水処理する次段のスクリュープレス型脱水装置は、供給されるガスハイドレートの濃度が２０重量％程度以上でないと脱水処理が困難で、また、ガスハイドレート濃度にして精々５０重量％〜７０重量％程度までしか脱水することができない。そこで、スクリュープレス型脱水装置により脱水された中濃度のガスハイドレートを次段の水和脱水装置に導入し、ガスハイドレートに付着する水に原料ガスを反応させてガスハイドレート化することにより、ガスハイドレート濃度に高めるようにしている。

しかし、特許文献1に記載の水和脱水装置は、製品ガスハイドレートとして望まれる濃度（例えば、９０重量％以上）までに高めることについて配慮されていない。

すなわち、特許文献1に記載の水和脱水装置は、２軸スクリュー型脱水装置が適用され、スクリュープレス型脱水装置から供給される中濃度のガスハイドレートを攪拌しながら搬送する過程で、原料ガスを供給してガスハイドレートに付着する水をガスハイドレート化するようにしている。

ところが、特許文献1では、２軸スクリュー型脱水装置を形成する容器の一端に原料ガスを供給しているが、原料ガスの供給量は容器内の圧力を所定値に維持するように制御しているから、反応で消費される原料ガスを補充するだけである。また、水和反応による発熱を除去するために、装置を過冷却しているが、具体的な冷却方法については記載されていない。さらに、装置内におけるガスハイドレートは、2軸スクリューによって攪拌されるが、攪拌が十分に行われないと気液固の接触が不十分で水和反応効率が悪く、脱水率ないし付着水のガスハイドレート化を十分に高めることができない。

本発明は、スクリュープレス型脱水装置のような物理脱水装置により脱水されたガスハイドレートから、高濃度のガスハイドレートを生成することを課題とする。

上記課題を解決するため、本発明は、物理脱水装置により脱水されたガスハイドレートと原料ガスが導入される容器と、該容器内の前記ガスハイドレートを攪拌する混合手段と、前記容器内の原料ガスを循環ガスブロワにより吸引しガス冷却器を通して前記容器内に戻す原料ガス循環冷却手段と、前記容器内のガスハイドレートを排出する排出手段とを備えてなることを特徴とする。

このように本発明によれば、水和反応によりガスハイドレートの付着水をガスハイドレート化するにあたって、ガスハイドレートが攪拌混合される容器内の原料ガスを容器内に強制循環させると同時に、循環する原料ガスを冷却器で冷却するようにしているから、水和反応による熱を循環冷却された原料ガスにより効果的に除熱することができる。その結果、スクリュープレス型脱水装置により脱水された中濃度のガスハイドレートから、短い滞留時間で高濃度のガスハイドレートを生成することができる。

ここで、本発明を適用した具体的なガスハイドレート生成装置は、次に述べる機械混合式または流動層式のいずれによっても構成することができる。

まず、機械混合型のガスハイドレート生成装置の場合は、前記容器は、円筒状横型に形成され、該容器の一端の上部にガスハイドレート供給口が他端の底部にガスハイドレート排出口が設けられ、該ガスハイドレート排出口よりも前記ガスハイドレート供給口側に寄った位置に前記容器の底面から起立させて堰板が設けて構成する。また、前記混合手段は、前記容器の軸方向に挿通されモータにより回転される回転軸と、該回転軸に軸方向に分散させて軸周りに放射状に取り付けられた複数の攪拌羽根とを備えて構成する。さらに、前記原料ガス循環冷却手段は、前記容器内の底面と前記攪拌羽根との隙間に軸方向に延在させて配置された散気手段を介して前記原料ガスを前記容器内に戻すように構成する。

このような機械混合型のガスハイドレート生成装置によれば、ガスハイドレート供給口から供給された中濃度のガスハイドレートは、回転軸に取り付けられた複数の攪拌羽根により攪拌混合されながらガスハイドレート排出口に移送される。その移送過程で、ガスハイドレートの付着水は、容器底面と攪拌羽根との隙間に設けられた散気手段から散気される冷却された原料ガスと水和反応して効果的にガスハイドレート化される。特に、水和反応により発生する熱は、散気手段から強制循環される冷却された原料ガスにより除熱されるから、容器内の温度雰囲気を水和反応に適した温度範囲に効果的に保持することができる。その結果、スクリュープレス型脱水装置等の物理脱水装置により脱水された中濃度のガスハイドレートから、短い滞留時間で高濃度のガスハイドレートを生成することができる。

この場合において、攪拌羽根は、棒状部材を曲折して門型に形成され、該門型の一対の脚部を前記回転軸の軸方向に向けて前記回転軸に取り付けて構成することが好ましい。これによれば、門型攪拌羽根の梁部によって円筒状横型容器内のガスハイドレートを気相中に効果的にかき上げて撹拌混合し、また容器内壁および撹拌羽根へのハイドレートの付着を防止することができ、これにより気液固反応である水和反応の効率を向上できる。また、門型の撹拌羽根に代えて、棒状部材の先端に短い棒状または板状の部材を固定して形成した、いわゆるＴ型（ハンマ型）の攪拌羽根を用いることができる。また、門型の撹拌羽根とＴ型の攪拌羽根を組み合わせることにより、一層良い撹拌効果を実現できる。

また、前記回転軸方向に分散させて取り付けられた複数の攪拌羽根の少なくとも１箇所の間の前記回転軸に、前記容器の内径よりも小径のじゃま板を取り付けることが好ましい。これによれば、じゃま板によってガスハイドレートの移送速度を低下させ、適切な値に調整して滞留時間を調整することができる。

さらに、前記容器の円筒部の外周を包囲するジャケットを設け、該ジャケットの内部に冷媒を循環させることが好ましい。これによれば、容器の外周から侵入する熱を遮断できるだけでなく、容器内部の原料ガスを所望の温度範囲（例えば、０℃〜６℃）に確実に保持することに寄与することができる。

一方、流動層型ガスハイドレート生成装置の場合は、前記容器は、縦型に形成され、上部に前記ガスハイドレートと前記原料ガスが供給され、下部に散気手段を有し、該散気手段の下側にハイドレートを排出する搬送手段を設けて構成する。また、混合手段は、前記原料ガス循環冷却手段により前記容器に戻す原料ガスを前記散気手段に供給することによって該散気手段の上部に形成される前記ガスハイドレートの流動層により実現できる。散気手段としては、例えば、散気ノズル、分岐管、多孔板、分散板など周知の散気手段を適用できる。

このような流動層型のガスハイドレート生成装置によれば、容器内に供給された中濃度のガスハイドレートは多孔板の上面に堆積し、散気手段から吹き出される原料ガスによって流動層を形成する。この流動層による積極的な攪拌と混合によってガスハイドレートの付着水は、流動化ガスである原料ガスとの水和反応が効果的に促進されてガスハイドレート化される。特に、水和反応により発生する熱は、流動化ガスとして散気手段から強制循環される冷却された原料ガスにより除熱される。したがって、冷却器により強制循環する原料ガスの冷却温度を制御することにより、流動層の温度を水和反応に適した温度範囲に効果的に保持することができる。

本発明によれば、スクリュープレス型脱水装置のような物理脱水装置により脱水されたガスハイドレートから、高濃度のガスハイドレートを生成することができる。

以下、本発明の実施形態について説明する。
（実施形態１）
図1に、本発明の一実施の形態の高濃度ガスハイドレート製造装置を適用した一実施の形態のガスハイドレート製造プラントの構成図を示す。本実施形態は、天然ガスのハイドレート（以下、ＮＧＨと略す。）を製造するプラントの例を示しているが、本発明は天然ガスに限らず、他の原料ガスのハイドレート製造に適用できる。

図1に示すように、本実施形態のガスハイドレート製造プラントは、ＮＧＨスラリーを生成する生成器１を含むハイドレートスラリー製造装置と、生成器１で生成された低濃度（例えば、０．５〜２０重量％）のＮＧＨスラリーの水分を物理的に脱水するスクリュープレス型脱水装置２と、スクリュープレス型脱水装置２で脱水された中濃度（例えば、５０〜７０重量％）のＮＧＨの付着水と天然ガスとを反応させて、高濃度（例えば、９０重量％以上）の製品ＮＧＨを生成する水和反応を適用した本発明の特徴に係るガスハイドレート生成装置３とを備えて構成されている。これらの生成器１、スクリュープレス型脱水装置２、ガスハイドレート生成装置３は、いずれも所定の高圧（例えば、３〜１０ＭＰａ）および低温（例えば、０〜６℃）に保持されている。

生成器１は、円筒状の容器で形成され、容器の上部にＮＧ（天然ガス）タンク１１から圧縮機１２と冷却器１３を介して冷却された原料ガスである天然ガスが連続して供給されるようになっている。なお、冷却器１３により冷却された原料ガスを容器下部の液中に供給することもできる。また、生成器１の底部には、水タンク１４からポンプ１５と冷却器１６を介して冷却された水が連続して供給されるようになっている。冷却器１３、１６には図示していない冷凍装置から冷媒が循環され、これによって生成器１に供給する天然ガスと水を所定の温度に冷却するようになっている。生成器１の頂部には、水のスプレーノズル１７が設けられ、このスプレーノズル１７には生成器１の底部に連通された水循環ポンプ１８によって抜き出された水が、冷却器１９によって冷却されて循環供給されるようになっている。冷却器１９には、図示していない冷凍装置から冷媒が循環され、これによってスプレーノズル１７に供給する水を所定の温度（例えば、０〜６℃）に冷却するようになっている。

生成器１で生成されたＮＧＨスラリーは、生成器１の中腹部からスラリー移送ポンプ２０によって連続的に抜き出されてスクリュープレス型脱水装置２に供給され、スクリュー羽根と脱水スクリーンとの物理的な圧搾により脱水される。すなわち、スクリュープレス型脱水装置２には、例えば、特許文献１に記載のスクリュープレス型脱水装置を適用できる。すなわち、外筒内にメッシュ加工された筒状の脱水スクリーンが収納され、脱水スクリーン内にスクリュー羽根を有する回転軸を挿入し、回転軸と内筒間の隙間をスクリューの移送方向に徐々に絞って形成されている。スクリュープレス型脱水装置２よりＮＧＨから分離された水は、ポンプ２１により生成器１に戻されるようになっている。

次に、本発明の特徴に係るガスハイドレート生成装置３について詳細に説明する。本実施形態のガスハイドレート生成装置３は、機械混合型の水和反応によるガスハイドレート生成装置の例である。図１に示すように、円筒状横型に形成された容器３１を備え、容器３１の一端（前端）の上部にガスハイドレート供給口３２が設けられ、他端（後端）の底部にガスハイドレート排出口３３が設けられている。この円筒状の容器１内に、モータ３４により回転される回転軸３５が筒軸方向に挿通されて回転可能に軸支されている。この回転軸３５の軸周りには、軸方向に分散させて放射状に取り付けられた複数の攪拌羽根３６が備えられている。この攪拌羽根３６は、棒状部材を曲折して門型に形成され、その門型の一対の脚部を回転軸３５の軸方向に向けて、回転軸の外周面に取り付けられている。この門型の撹拌羽根３６は、図３に示すように、一対の撹拌羽根３６を回転軸３５に対称に取り付けるとともに、軸方向にずれた撹拌羽根３６の相互の取り付け角度を、例えば、９０°、６０°ずらして取り付けることができる。また、門型の撹拌羽根３６に代えて、図４に示すように、棒状部材の先端に短い棒状または板状の部材を固定して形成した、いわゆるＴ型（ハンマ型）の攪拌羽根３９を用いることができる。特に、門型の撹拌羽根３６とＴ型の攪拌羽根３９を組み合わせることにより、一層良い撹拌効果を実現できる。

また、複数の攪拌羽根３６の間に、容器３１の内径よりも小径のじゃま板３７が適宜位置（図示例では２箇所）に回転軸３５に固定して設けられている。さらに、ガスハイドレート排出口３３よりもガスハイドレート供給口３２側に寄った位置に、容器１の底面から起立させて堰板３８が設けられている。この堰板３８は、半円形状に形成されている。つまり、堰板３８は、容器３１内に保持するガスハイドレートの量を一定値に確保し、容器３１内での気固液の接触効率を促進するために設けられる。したがって、通常は、堰板３８の高さは攪拌棒（羽根）の高さ前後の位置に上辺が設定されるが、最終的には反応率に応じて設定される。

容器３１には、冷却器４０を介して原料ガスである天然ガス（ＮＧ）が供給されるようになっている。冷却器４０には、図示していない冷凍装置から冷媒が循環され、これによって容器３１に供給する原料ガスを所定の温度（例えば、０〜６℃）に冷却するようになっている。また、容器３１の前端の上部から容器内の原料ガスを抜き出す循環ガスブロワ４１が設けられ、循環ガスブロワ４１により抜き出された原料ガスは冷却器４２を介して散気手段４３に供給されるようになっている。散気手段４３は、例えば１本または複数本の管路の管壁に複数の細孔を形成して構成され、容器１内の底面と攪拌羽根３６の先端との隙間に、容器の軸方向に延在させて配置されている。さらに、容器３１の円筒部の外周を包囲するジャケット４４がを設けられ、ジャケット４４の内部には、図示していない冷凍装置から冷媒が循環供給され、これによって容器３１内を所定の温度に冷却するようになっている。

このように構成される図１のガスハイドレート製造プラントの動作を、次に説明する。前述したように、生成器１内は天然ガスおよび水の供給圧により高圧（例えば、３〜１０ＭＰａ）保持されると共に、冷却器１３，１６により低温（例えば、０〜６℃）に保持されている。そして、頂部のスプレーノズル１７から十分に冷却された水が生成器１内に噴霧されると、生成器１内の気相部の天然ガスと反応して、水和生成物であるＮＧＨの粉粒体２２が生成されて液相部に落下する。液相部のＮＧＨを含む水は底部から水循環ポンプ１８によって抜き出され、冷却器１９を介してスプレーノズル１７から再び生成器１内に噴霧される。なお、水循環ポンプ１８によって抜き出される水にＮＧＨが混入するのを抑制するために、生成器１の底部に多孔板などからなるスクリーン２３が設けられている。また、生成器１内におけるＮＧＨ生成反応は発熱を伴うことから、生成器１内の温度を設定温度に保持するために、冷却器１９によって循環水を凍結する限界の温度近くまで冷却してスプレーノズル１７に循環するようにしている。

このようにして、水を循環してスプレーすることにより連続的にＮＧＨが生成され、生成されたＮＧＨの比重は水よりも小さいことから、液相部の水面近傍のＮＧＨ濃度が最も高くなる。そこで、スラリー移送ポンプ２０により液相部の水面近傍のＮＧＨをスラリーとして抜き出すようにする。この抜き出されるＮＧＨスラリーの濃度は、一般に低濃度（例えば、０．５〜２０重量％）である。

この低濃度のガスハイドレートスラリーは、スラリー移送ポンプ２０によって連続的にスクリュープレス型脱水装置２に供給される。スクリュープレス型脱水装置２に供給されたガスハイドレートスラリーは、スクリュー羽根により移送されながらスラリー中の水分が脱水スクリーンを透過し、ろ過された水はポンプ２１により生成器１に戻される。スクリュー羽根の回転軸の軸径は後端に向かうにつれて徐々に拡径されているから、移送されるガスハイドレートスラリーはスクリュー羽根の移送力によって脱水スクリーンに押し付けられて物理的な圧搾により脱水される。このような物理的圧搾による脱水率には限界があり、スクリュープレス型脱水装置２から排出されるガスハイドレートの濃度は、例えば、最大７０重量％程度である。

スクリュープレス型脱水装置２から排出される中濃度のガスハイドレートは、機械混合型の水和反応によるガスハイドレート生成装置３に供給される。ガスハイドレート供給口３２に供給された中濃度のガスハイドレートは、回転軸４５に取り付けられた複数の門型の攪拌羽根３６により攪拌混合されながら、容器３１の後端部に移送され、堰板３８を越えるレベルに達したガスハイドレートがガスハイドレート排出口３３から排出される。その移送過程で、ガスハイドレートの付着水は、散気手段４３から散気される冷却された原料ガスと水和反応して効果的にガスハイドレート化される。その水和反応により発生する熱は、散気手段４３から強制循環される冷却された原料ガスにより除熱され、容器内の雰囲気温度は水和反応に適した温度範囲に効果的に保持される。また、容器内の雰囲気温度は、ジャケット４４に流通される冷媒によっても、水和反応に適した温度範囲に保持するのを補助する。

また、攪拌羽根３６は、棒状部材を曲折して門型に形成されていることから、門型攪拌羽根の梁部によって円筒状横型容器内のガスハイドレートを気相中に効果的にかき上げて撹拌混合し、また、容器内壁及び撹拌羽根へのガスハイドレートの付着を防止することができ、これにより気固反応である水和反応の効率を向上できる。また、図４に示す棒状部材の先端に短い棒状または板状の部材を固定して形成した、いわゆるＴ型（ハンマ型）の攪拌羽根３９と、門型の撹拌羽根３６と組み合わせることにより、一層良い撹拌効果を実現できる。また、じゃま板３７を設けたことにより、じゃま板３７によってガスハイドレートの移送速度を低下させて適切な値に調整して滞留時間を適切な値に調整することができる。

このようにして、本実施形態によれば、スクリュープレス型脱水装置２により脱水された中濃度のガスハイドレートから、短い滞留時間で高濃度のガスハイドレートを生成することができる。
（実施形態２）
図２に、本発明の一実施の形態の高濃度ガスハイドレート製造装置の構成図を示す。本実施形態は、流動層型の高濃度ガスハイドレート製造装置３であり、図１において機械混合型の高濃度ガスハイドレート製造装置３に置き換えることができる。

図２に示すように、流動層反応塔５１は、円筒状の縦型に形成され、塔頂部に原料ガスである天然ガスが供給されるようになっている。また、塔底部から一定の高さ位置に多孔板５２が設けられ、この多孔板５２の上方にスクリューコンベア５３によりスクリュープレス型脱水装置２から搬送された中濃度（例えば、５０〜７０重量％）のＮＧＨが投入されるようになっている。また、底部と多孔板５２との間に、循環ガスブロワ５４から冷却器５５と流量制御弁５６を介して原料ガスである天然ガスが、流動化ガスとして吹き込まれるようになっている。流動層反応塔５１の頂部はサイクロン５７を介して循環ガスブロワ５４の吸引口に連通されている。これによって、流動層反応塔５１内に流動化ガスである天然ガスが循環されるようになっている。また、冷却器５５の下流側に温度計５９が設けられ、図示していないが、温度計５９の検出温度を設定温度に保持するように、冷却器５５の冷媒の流量が制御されるようになっている。これらの循環ガスブロワ５４、冷却器５５、サイクロン５７等によって、原料ガス循環冷却手段が形成されている。

一方、多孔板５２の下側に、モータ６０によって駆動されるスクリューコンベア６１の一端側が挿入されている。スクリューコンベア６１が挿入された部位の多孔板５２に開口が設けられ、その開口に対向させてスクリューコンベア６１のケーシングに開口が設けられている。これによって、流動層反応により高濃度になった多孔板５２の近傍の高濃度ＮＧＨが、スクリューコンベア６１により搬出されるようになっている。また、図示していないが、モータ６０の電流などによりスクリューコンベア６１の負荷を検出し、その検出値を設定範囲に収めるように、流量制御弁５６を制御して循環ガス量を調整することにより、製品ＮＧＨの濃度を所望値に保持することもできるようになっている。なお、循環ガス量を調整することに代えてあるいは循環ガス量の調整と共に、スクリューコンベア６１の搬出量と、冷却器５５の冷媒の流量の少なくとも１つを制御するようにしてもよい。なお、図２の流動層反応塔５１は、フリーボードと称する上部大径部が形成されているが、これに限らず全体を同一径に形成してもよい。

このように構成されることから、本実施形態によれば、流動層反応塔５１に投入されて形成される流動層５８内は完全混合なので、通常目標値の高濃度のハイドレート濃度となっている。中濃度のＮＧＨ層に多孔板５２を介して天然ガスが噴出されると、多孔板５２の上部にＮＧＨの流動層５８が形成される。この流動層５８においてＮＧＨの付着水と天然ガスとが活発に反応してＮＧＨが生成され、ＮＧＨ濃度を例えば９０重量％以上に高めることができる。このようにしてＮＧＨ化率が高められた粉粒状の高濃度のＮＧＨは、スクリューコンベア６１によって排出され、図示していないが、貯留ホッパなどに一旦貯留されたり、ＮＧＨペレット製造装置等に移送してさらに加工されるようになっている。

一方、流動層反応塔５１の流動層５８を形成した原料ガスのうち、水和反応に寄与しなかった原料ガスは、塔頂部からサイクロン５７を介して循環ガスブロワ５４により吸引され、冷却器５５によってと冷却され流量制御弁５６を介して、再び流動層反応塔５１の多孔板５２の下側に戻される。この冷却器５５によって、流動層の水和反応熱により上昇した原料ガスを冷却して、流動層反応塔５１の温度をＮＧＨ生成に適した低温（例えば、０〜６℃）に保持して、反応を促進させるようにしている。

このように、本実施形態の流動層型ガスハイドレート生成装置によれば、流動層５８を形成して積極的な攪拌と混合を行うことができるから、ガスハイドレートの付着水と、流動化ガスである原料ガスとの水和反応が促進され、ガスハイドレート化の効率を向上できる。また、水和反応により発生する熱は、流動化ガスとして多孔板の底部側から強制循環される冷却された原料ガスにより除熱されるから、流動層５８の温度を水和反応に適した温度範囲に効果的に保持することができる。その結果、スクリュープレス型脱水装置により脱水された中濃度のガスハイドレートから、短い滞留時間で高濃度のガスハイドレートを生成することができる。

ここで、図２の多孔板５２は、堆積されるガスハイドレートの層に原料ガスを噴出して、ガスハイドレートの流動層５８を形成する機能を備えていればよいから、多孔板５２に代えて、例えば、散気ノズル、分岐管、分散板など周知の散気手段を適用できる。

なお、上記の実施形態１、２では、物理脱水装置としてスクリュープレス型脱水装置２を用いた例を示したが、本発明はこれに限られるものではない。例えば、特開２００１−３４２４７３号公報に記載のプレス脱水機や、特開２００３−４１２７６号公報に記載の遠心脱水機を適用できることは言うまでもない。

本発明の一実施の形態の高濃度ガスハイドレート製造装置を適用した一実施の形態のガスハイドレート製造プラントの構成図である。 本発明の他の実施の形態の高濃度ガスハイドレート製造装置を適用した一実施の形態のガスハイドレート製造プラントの構成図である。 図１実施形態の攪拌羽根の具体的な一実施形態を説明する図である。 図１実施形態の攪拌羽根の具体的な他の実施形態を説明する図である。

符号の説明

１ 生成器
２ スクリュープレス型脱水装置
３ ガスハイドレート製造装置
３１ 容器
３５ 回転軸
３６ 攪拌羽根
３７ じゃま板
３８ 堰板
３９ 攪拌羽根
４１ 循環ガスブロワ
４２ 冷却器
４３ 散気手段
４４ ジャケット

Claims (6)

1. 物理脱水装置により脱水されたガスハイドレートと原料ガスが導入される容器と、該容器内の前記ガスハイドレートを攪拌する混合手段と、前記容器内の原料ガスを循環ガスブロワにより吸引しガス冷却器を通して前記容器内に戻す原料ガス循環冷却手段と、前記容器内のガスハイドレートを排出する排出手段とを備えてなることを特徴とする高濃度ガスハイドレート生成装置。
2. 前記容器は、円筒状横型に形成され、該容器の一端の上部にガスハイドレート供給口が、他端の底部にガスハイドレート排出口が設けられ、該ガスハイドレート排出口よりも前記ガスハイドレート供給口側に寄った位置に前記容器の底面から起立させて堰板が設けられてなり、
   前記混合手段は、前記容器の軸方向に挿通されモータにより回転される回転軸と、該回転軸に軸方向に分散させて軸周りに放射状に取り付けられた複数の攪拌羽根とを備えてなり、
   前記原料ガス循環冷却手段は、前記容器内の底面と前記攪拌羽根との隙間に軸方向に延在させて配置された散気手段を介して前記原料ガスを前記容器内に戻すことを特徴とする請求項1に記載の高濃度ガスハイドレート生成装置。
3. 前記攪拌羽根は、棒状部材を曲折して門型に形成され、該門型の一対の脚部を前記回転軸の軸方向に向けて前記回転軸の外周面に取り付けられてなることを特徴とする請求項２に記載の高濃度ガスハイドレート生成装置。
4. 前記回転軸方向に分散させて取り付けられた複数の攪拌羽根の少なくとも１箇所の間の前記回転軸に、前記容器の内径よりも小径のじゃま板が取り付けられてなることを特徴とする請求項２または３に記載の高濃度ガスハイドレート生成装置。
5. 前記容器の円筒部の外周を包囲するジャケットを設け、該ジャケットの内部に冷媒を循環させることを特徴とする請求項２乃至４のいずれか１項に記載の高濃度ガスハイドレート生成装置。
6. 前記容器は、縦型に形成され、上部に前記ガスハイドレートと前記原料ガスが供給され、下部に散気手段を有し、該散気手段の下側にハイドレートを排出する搬送手段が設けられてなり、
   前記混合手段は、前記原料ガス循環冷却手段により前記容器に戻す原料ガスを前記散気手段に供給して形成される前記ガスハイドレートの流動層であることを特徴とする請求項1に記載の高濃度ガスハイドレート生成装置。

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