JP2006108345A - シールドケースを装着された高周波モジュールとこの高周波モジュールを用いた電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】シールド性の良好なモジュールを得る。
【解決手段】仕切り３６は、天面３２ｂから折り曲げて成形された壁３７と、この壁３７と対向するとともに、天面３２ａから折り曲げて形成された壁３８と、この壁３８の先端と壁３７の先端とを連結する連結部３９とを有し、連結部３９は折り曲げて形成されるとともに、壁３７と天面３２ｂと側板３３との交差部と、壁３８と天面３２ａと側板３３との交差部との夫々に設けられた切り欠き部４３と、これらの切り欠き部４３から下方に向かって側板３３を分断する分断部４４とを有し、回路ブロック４と回路ブロック５との間の境界は、仕切り板３６に対応する位置に設けるとともに、接続部３４を回路ブロック４あるいは回路ブロック５のグランドへ接続したものである。これにより、回路基板上に形成された回路の信号などが、外部へ漏れることを防止できるシールド性の良好なモジュールを提供することができる。
【選択図】図１

Description

本発明は、高周波装置等に用いるためにシールドケースが装着された高周波モジュールに関するものである。

以下、従来の高周波モジュールについて図面を用いて説明する。図１９は従来のシールドケースを用いた高周波モジュールの断面図であり、図２０は、同シールドケースの下面図である。

図１９、図２０において、１は、回路基板である。この回路基板１の上面１ａには電子部品２、３が装着されている。これによって、回路基板１上に電子部品２で構成された発振器４（第１の回路ブロックの一例として用いた）と電子部品３で構成されるＰＬＬ回路５（第２の回路ブロックの一例として用いた）とで高周波モジュールが構成される。

６は、シールドケースであり、このシールドケース６の天面６ａが電子部品２、３を覆うように回路基板１へ装着される。このとき天面６ａより折り曲げて成形された側板部６ｂの先端には接続部７が設けられている。この接続部７は、幅が６ｍｍ、長さ０．７ｍｍの突起である。そしてこの接続部７と回路基板１の側面部１ｂに設けられたスルーホール８とはんだで接続される。

さらにこのシールドケース６の中央部には天面６ａから切り曲げされた仕切り板６ｃが一体で形成され、この仕切り板６ｃの先端に脚９が設けられている。そして回路基板１上の脚９と対応する位置にスルーホール１０が設けられ、このスルーホール１０へ脚９が挿入されて、はんだで接続される。

そしてこのようなシールドケース６においては、仕切り板６ｃが天面６ａより切り起こして成形されるので、この仕切り板６ｃに対応する大きさの孔１１が形成されることとなる。

なお、この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１が知られている。
特開２００１−２０３４８号公報

しかしながらこのような従来のシールドケース６を用いた高周波モジュールでは、天面６ａに仕切り板６ｃの大きさに対応した孔１１が形成されることとなり、シールド性が悪いという問題を有していた。

そこで本発明は、この問題を解決したもので、シールド性の良好な高周波モジュールを提供することを目的としたものである。

この目的を達成するために本発明の高周波モジュールにおける第１の仕切りは、天面から折り曲げて成形された第１の壁と、この第１の壁と対向するとともに、前記天面から折り曲げて形成された第２の壁と、この第２の壁の先端と前記第１の壁の先端とを連結する連結部と、この連結部の上方に設けられた開口部とを有し、前記連結部は折り曲げて形成されるとともに、前記第１の壁と前記天面と前記側板とが交差する第１の交差部と、前記第２の壁と前記天面と前記側板とが交差する第２の交差部との夫々に設けられた切り欠き部と、これらの切り欠き部から下方に向かって前記側板を分断する分断部とを設け、前記第１の回路ブロックと前記第２の回路ブロックとの間の境界は、第１の仕切り板に対応する位置に設けるとともに、接続部を前記第１の回路ブロックあるいは前記第２の回路ブロックのグランドへ接続したものである。

以上のように本発明によれば、第１の仕切りは、天面から折り曲げて成形された第１の壁と、この第１の壁と対向するとともに、前記天面から折り曲げて形成された第２の壁と、この第２の壁の先端と前記第１の壁の先端とを連結する連結部と、この連結部の上方に設けられた開口部とを有し、前記連結部は折り曲げて形成されるとともに、前記第１の壁と前記天面と前記側板とが交差する第１の交差部と、前記第２の壁と前記天面と前記側板とが交差する第２の交差部との夫々に設けられた切り欠き部と、これらの切り欠き部から下方に向かって前記側板を分断する分断部とを設け、前記第１の回路ブロックと前記第２の回路ブロックとの間の境界は、第１の仕切り板に対応する位置に設けるとともに、接続部を前記第１の回路ブロックあるいは前記第２の回路ブロックのグランドへ接続したものである。これにより、第１の仕切りは第１の壁と第２の壁とが天面から折り曲げて成形されるとともに、この仕切りに隣接する側板は切り欠き部と分断部とが形成されるので、天面に孔を設けなくても仕切りを形成することができる。従って、回路基板上に形成された回路の信号などが、外部へ漏れることを防止できる高周波モジュールを提供することができる。

さらに、仕切り部分では第１の壁と第２の壁とが対向して設けられるので、第１の回路ブロックと第２の回路ブロックとの間に、２重の仕切りが形成されることとなる。従って、回路ブロック間を確りとシールドすることができ、それぞれの回路間で発生する妨害などは生じ難くなる。

（実施の形態１）
以下、本発明の実施の形態１について、図面を用いて説明する。図１は、本発明の実施の形態１における高周波モジュールの断面図であり、図２は、本実施の形態１における回路基板の上面図である。また、図３は、本実施の形態１におけるシールドケースの側面図であり、図４は同、下面図である。図１において、図１９、図２０と同じものについては、同じ番号を付しその説明は簡略化している。

まず図２を用いて、本実施の形態１に用いる回路基板について説明する。図２において、１は回路基板であり、この回路基板１は、略中央にグランドパターン２１が設けられている。そしてこのグランドパターン２１は、回路基板１の端部１ｃ側に設けられたグランド端子２２へ接続されている。また、この回路基板１の略中央部には、スルーホール１０が形成されており、グランドパターン２１と接続されている。

グランドパターン２１を挟んだ両側には、それぞれ電子部品２、３が装着されて、図２においてグランドパターン２１の右側に発振器４（第１の回路ブロックの一例として用いた）が形成され、グランドパターン２１の左側にＰＬＬ回路５（第２の回路パターンの一例として用いた）が形成される。これによって、グランドパターン２１で発振器４とＰＬＬ回路５とを確りと分離することができる。

なお、発振器４とＰＬＬ回路５との間は、接続パターン２３によって接続され、この接続パターン２３は、グランドパターン２１の非形成部２４を横断している。

次に図１、図３、図４を用いて本実施の形態１におけるシールドケースについて説明する。３１は、回路基板１に装着される金属製のシールドケースであり、このシールドケース３１の天井部３２が、回路基板１の上面１ａを覆うように装着されている。なお、本実施の形態１におけるシールドケース３１は、板厚が０．２ｍｍであり、その材質は洋白を用いている。

３３は、天井部３２からその四方に折り曲げて形成された側板部である。そして、この側板部３３の先端には接続部３４を有し、この接続部３４は、回路基板１の側面１ｂに形成されたスルーホール８へ装着され、はんだ付け接続される。

３５は、この天井部３２に形成された開口部であり、この開口部３５の幅は、０．０５ｍｍ程度としてある。そして、この開口部３５を挟んで一方には発振器４の上方を覆う天面３２ａを有し、他方側にはＰＬＬ回路５の上方を覆う天面３２ｂを有している。

３６は、天面３２ａと天面３２ｂとの間を連結するとともに、発振器４のブロックと、ＰＬＬ回路５のブロックとを電気的に分離するための仕切り板である。そしてこの仕切り板３６は、壁３７と壁３８と、これらの先端同士を連結する連結部３９によって構成され、この連結部３９は、略１８０度折り曲げて形成されている。

４０は、壁３８の先端に設けた脚である。この脚４０は、連結部３９、壁３７から切り起こして形成され、回路基板１へ装着状態にてスルーホール１０へ挿入されて、はんだ付け接続される。この脚４０は、シールドケース３１を回路基板１へ装着時における位置決めのために用いることも可能であるので、シールドケース３１を精度良く回路基板１へ装着することができる。

脚４０は、連結部３９と壁３７に孔４１を設けることで容易に脚４０を壁３８側先端に形成できる。なお、この脚４０の幅は、０．５ｍｍであり、長さが０．５ｍｍである。そこで、孔４１の周と脚４０との間には、約０．５ｍｍの隙間を設けておくことで、容易に脚４０をプレス加工できる。

そして、この脚４０の上方には開口部３５が形成されるので、この開口部３５から脚４０とスルーホール１０との間のはんだ付けを容易に確認できる。したがってはんだ付けの不具合を防止できる。

４２は、連結部３９に設けられた導体退避部（段差の一例として用いた）である。そして、この導体退避部４２は、シールドケース３１を回路基板１へ装着時に接続パターン２３に対応する位置に形成してある。そして、導体退避部４２の幅は、接続パターン２３とのショートを防止するために、接続パターン２３の幅よりも約１ｍｍ大きくしている。また、その高さは０．３ｍｍである。

ここで、導体退避部４２は、任意の位置で形成することができるので、発振器４とＰＬＬ回路５との間の回路接続は、任意の位置で接続することができる。このように、本実施の形態１においては導体退避部４２を設けることで、スルーホールなどを介さなくても、容易に回路ブロック同士を電気的に接続することができる。

４３は、壁３８と天面３２ａと側板３３との交差部と、壁３７と天面３２ｂと側板３３との交差部の夫々に設けられた切り欠き部である。そしてさらに、側板３３には、切り欠き部４３から下方に向かって、側板３３を分断するように分断部４４が形成されている。なお、本実施の形態１において分断部４４は、開口部３５を臨む位置に設けてある。

そしてこのようなシールドケース３１を、予め電子部品２、３などが装着された回路基板１上へ装着する。そして、接続部３４とスルーホール８の間や、脚４０とスルーホール１０間とにクリームはんだを供給し、リフロー加熱することによって、シールドケース３１が回路基板１上にはんだ付けされる。

そしてこのようにして、発振器４とＰＬＬ回路５とが、シールドケース３１で分離された高周波モジュール４５を得ることができる。

次に本実施の形態１におけるシールドケース３１の製造方法について図面を用いて説明する。図５は、本実施の形態１におけるシールドケース３１の製造フローチャートであり、図６から図８はその工程の詳細説明図である。

図５において、５１はロール状に巻かれたフープ材であり、シールドケース３１の材料となるものである。そして５２は、基準孔加工工程であり、この基準孔加工工程５２で基準となる孔が加工される。

５３は、基準孔の加工工程５２の後に設けられた打ち抜き工程である。この打ち抜き工程５３は、図６に示すように、脚４０、孔４１、導体退避部４２、切り欠き部４３と分断部４４とを打抜き加工するものである。

５４は、Ｖ字しぼり工程であり、このＶ字しぼり工程５４では、図７に示すようにＶ字状の雄型５５と雌型５６との間にフープ材５１を挟むことによって、フープ材５１上にＶ字状の仕切り３６が成形される。なおこの状態では、まだ連結部３９の角度５７は、約１２０度までしか折り曲げられていない。

次に５８は、Ｖ字しぼり工程５４の後に設けられた仕切り３６の整形工程であり、この仕切り整形工程５８によって、図８に示すように、連結部３９が略１８０度となるまで折り曲げ整形される。この整形工程５８では、Ｖ字しぼり工程５４で形成されたＶ字状の仕切り３６を雌型５９に設けられた孔６０へ押し込むことによって、連結部３９を略１８０度折り曲げる。

なお、この孔６０の幅を、０．４５ｍｍとしておくことで、整形後の開口部３５の幅を板厚よりも小さな０．０５ｍｍ程度としている。これにより、Ｖ字しぼり工程５４と整形工程５８によって開口部３５の幅を板厚よりも小さくできる。これにより、仕切り板３６は、２重となるが、厚みを０．４５ｍｍ程度で実現できるので、その厚みは分厚くならない。これにより回路基板１上に発振器４やＰＬＬ回路５を形成できる領域が狭くなることを防止できる。また、発振器４とＰＬＬ回路５との間の距離も小さくできるので、小型の高周波モジュールを実現できる。

また、仕切り３６は、Ｖ字しぼり工程５４と、整形工程５８とによって形成されるので、仕切り３６の高さ精度が良好なシールドケース３１を実現できる。従って、回路基板１へ装着時に連結部３９の先端と、グランドパターン２１との間の隙間を小さくすることができるので、シールド性は良くなる。また、連結部３９とグランドパターン２１とを、確りとはんだ付けすることができるので、さらに確りとシールドすることができる。

６１は、整形工程５８の後に設けられた外形加工工程であり、側板部３３や、接続部３４を成形するために打抜き加工する工程である。そして、この外形加工工程６１の後で、側板３３の内の２面を折り曲げる折り曲げ工程６２を経て、切断工程６３によって、残りの側面２面を曲げるとともに切断し、シールドケース３１が完成する。

なお、本実施の形態１においては、順送プレス加工による加工方法を用いたが、これは、トランスファーによる方法でも良い。また、本実施の形態１では、Ｖ字しぼり工程５４と整形工程５８とは、折り曲げ工程６２の上流に設けているが、これは折り曲げ工程６２と切断工程６３との間に設けても良い。

以上の構成によって、仕切り３６は壁３７と壁３８とは、連結部３９が略１８０度折り曲げて成形されることとなる。そしてさらに、この仕切り３６に隣接する側板３３には切り欠き部４３と分断部４４とが形成されるので、天井部３２に孔を設けなくても仕切り３６を形成することができる。従って、回路基板１上に形成された回路の信号などが、外部へ漏れることを防止できるシールド性の良好なシールドケース３１を提供することができる。

さらに、連結部３９で仕切り部分３６が１８０度折り曲げて成形されるので、発振器４とＰＬＬ回路５との間に、２重の壁３７、３８が形成されることとなる。従って、それらの回路ブロック間を、確りとシールドすることができ、それぞれの信号同士の干渉によって発生する妨害などは生じ難くなる。

（実施の形態２）
以下実施の形態２について図面を用いて説明する。図９は本実施の形態２におけるシールドケース１０１の上面図であり、図１０は本実施の形態２におけるシールドケース１０１を用いた高周波モジュールのマザー基板への装着工程の概略図である。なお、図９、図１０において、図１から図４と同じものについては同じ番号を付し、その説明は簡略化している。

図９において、発振器４とＰＬＬ回路５とは中央で仕切られており、仕切り３６がシールドケース１０１中心を通過する位置に形成されている。つまりこの場合、開口部３５が、天井部３２の中心を通過する位置となる。

図１０において、１０２は、シールドケース１０１を予め電子部品２、３（図示せず）が装着された回路基板１へ装着し、完成した高周波モジュールである。そしてこの高周波モジュール１０２は、自動実装機などを用いてマザー基板１０３へ装着される。その場合、自動実装機の吸着ノズル１０４は、高周波モジュール１０２の略中心部を吸着する。

しかし、この中心部が開口部３５であると、高周波モジュールを吸引することができない。そこで、本実施の形態１におけるシールドケース１０１では、開口部３５の略中心位置に、天面３２から連結して形成した吸着面１０６を設けてある。なお、本実施の形態２では、吸着面１０６は、一方の壁１０５側から切り起こされることで形成されている。これにより、吸着ノズル１０４は、シールドケース１０１の中心部にある吸着面１０６で高周波モジュール１０２を吸着することができるので、高周波モジュール１０２を中心で吸着することができる。これにより、装着時に傾きなどが生じ難く、安定した装着ができる。従って、高周波モジュール１０２の装着ずれなどは発生し難く、高周波モジュール１０２とマザー基板１０３とを良好にはんだ付け接続できることとなる。

なお、吸着面１０６を切り起こすことで、一方の壁１０５に孔１０７が形成されるが、仕切り３６は２重となっているので、発振器４とＰＬＬ回路５の信号による妨害は発生し難くなる。

なお、本実施の形態２において開口部３５は、高周波モジュール１０２の略中心を通過したが、これは、重心点の近傍である場合においても有用である。つまり、重心点を開口部３５が通過するような場合においても、吸着面１０６で確りと吸着することができるので、装着ずれなどの発生を少なくすることができる。

なお、開口部３５は高周波モジュールの略中心位置あるいは略重心位置を除いた位置に設けても良い。この場合には、吸着面１０６を設けることなく自動実装機の吸着ノズルで天面３２を吸着できるので、吸着面１０６を形成することによる孔１０７も不要となるので、さらにシールド性が良好となる。この場合、本実施の形態２によれば、開口部３５が吸着ノズル１０４にかからないようにすればよいが、開口部３５の幅が０．０５ｍｍであるので、仕切り板３６は中心や重心からの移動量は少なくても良い。これにより、仕切り３６を設ける位置の自由度を大きくすることができる。

（実施の形態３）
以下実施の形態３について図面を用いて説明する。図１１は、本実施の形態３における高周波モジュール１４５の断面図であり、図１２は、同、回路基板の上面図、図１３は、同、シールドケースの側面図、図１４は同、下面図である。なおこれらの図面において図１から図１０と同じものは同じ番号を付しその説明は簡略化している。

まず図１２を用いて、本実施の形態３に用いる回路基板について説明する。図１２において、１１１は４層の回路基板であり、この回路基板１１１は、略中央にグランドパターン１１２が設けられている。そしてこのグランドパターン１１２は、回路基板１１１の外周に沿って設けられたグランドパターン１１３と接続され、回路基板１１１の端部に設けられたグランド端子１１４に接続されている。

次に、グランドパターン１１３で囲まれた領域内に、電子部品２、３が装着され、図１２におけるグランドパターン１１２の右側に発振器１１５（第１の回路ブロックの一例として用いた）が形成され、グランドパターン１１２の左側にＰＬＬ回路１１６（第２の回路ブロックの一例として用いた）が形成される。これによって、グランドパターン１１２が発振器１１５とＰＬＬ回路１１６とを分離することとなる。

なお、発振器１１５とＰＬＬ回路１１６との間の接続は、それぞれの回路ブロック内に設けられたスルーホール１１７ａ、１１７ｂが内層導体１１８によって接続されている。

次に図１１、図１３、図１４を用いて本実施の形態３におけるシールドケースについて説明する。１３１は、回路基板１１１に装着される金属製のシールドケースであり、このシールドケース１３１の天井部１３２が、回路基板１１１の上面１１１ａを覆うように装着されている。なお、本実施の形態３におけるシールドケース１３１は、板厚が０．２ｍｍであり、その材質は洋白を用いている。

１３３は、天井部１３２からその四方にしぼり加工によって形成された側板部である。これによって、隣接する側板部１３３同士がしぼり部１３３ａで連結される。これにより、側板間に隙間のないシールドケース１３１を実現できる。従って、発振器１１５による発振周波数信号やＰＬＬ回路１１６内での高周波信号などが外部へ漏洩しにくくなる。

１３４は、側板部１３３の先端全周設に回路基板１１１の上面１１１ａと平行に設けられた接続部である。この接続部１３４は、グランドパターン１１３にはんだ付け接続される。従って、回路基板１１１の上面で接続部１３４とグランドパターン１１３とをはんだ付けできるので、はんだ付けが容易になる。また、接続部１３４を全周に形成しているので、発振器１１５やＰＬＬ回路１１６などの高周波回路がグランドで確りと囲まれることとなる。これにより、発振器１１５による発振周波数信号やＰＬＬ回路１１６内での高周波信号などが外部へ漏洩しにくくなる。

１３５は、この天井部１３２に形成された開口部であり、この開口部１３５の幅は、０．０５ｍｍ程度としてある。そして、この開口部１３５を挟んで一方には発振器１１５の上方を覆う天面１３２ａを有し、他方側にはＰＬＬ回路１１６の上方を覆う天面１３２ｂを有している。

１３６は、天面１３２ａと天面１３２ｂとの間を連結するとともに、発振器１１５のブロックと、ＰＬＬ回路１１６のブロックとを電気的に分離するための仕切り板である。そしてこの仕切り１３６は、壁１３７と壁１３８と、これらの先端同士を連結する連結部１３９によって構成され、この連結部１３９は、略１８０度折り曲げて形成されている。

図１５は、本実施の形態３においてシールドケースを回路基板へ装着時における連結部近傍の拡大図である。図１５において、連結部１３９の先端には回路基板１１１装着時にグランドパターン１１２と略平行となるような平坦部１４０が形成されている。そして、この平坦部１４０と、グランドパターン１１２とがはんだ１４１によって接続される。

なお、このとき、連結部１３９には、略等間隔で孔１４２を設けている。これは、孔１４２から連結部１３９とグランドパターン１１２とのはんだ付け状態を確認するために設けられている。そして、この孔１４２より確認し、はんだ１４１による接続が不完全である場合には、開口部１３５からこの孔１４２を介してはんだ１４１へ熱風を吹き込むことで、容易にはんだ１４１の不具合を修正することができる。

次に、図１１、図１３に示すように、１４３は、壁１３７と天面１３２ａと側板１３３との交差部と、壁１３８と天面１３２ｂと側板１３３との交差部の夫々に設けられた切り欠き部である。そしてさらに、側板１３３には、切り欠き部１４３から下方に向かって、側板１３３を分断するように分断部１４４が形成されている。なお、本実施の形態３において分断部１４４は、開口部１３５を臨む位置に設けてある。

そしてこのようなシールドケース１３１を、予め電子部品２、３などが装着されるとともに、グランドパターン１１２、１１３へはんだが供給された回路基板１１１上へ装着する。そして、接続部１３４とグランドパターン１１３の間や、連結部１３９とグランドパターン１１２とが、リフロー加熱されることではんだ付け接続される。なお、本実施の形態３においては、はんだ１４１は、電子部品２、３を装着するための工程で予めスクリーン印刷されたものである。つまり、電子部品２、３をリフローはんだ付けする工程の後に、シールドケース１３１を装着する。そこで、シールドケース１３１の装着前に、予めフラックスのみをグランドパターン１１２、１１３上に供給しておくことが必要である。

そしてこのようにして、発振器１１５とＰＬＬ回路１１６とが、仕切り１３６で分離された高周波モジュール１４５を得ることができる。

次に本実施の形態３におけるシールドケース１３１の製造方法について図面を用いて説明する。図１６は、本実施の形態３におけるシールドケース１３１の製造フローチャートである。なお、図１６において図５と同じ工程については同じ番号を付し、その説明は簡略化する。

図１６において、５１はロール状に巻かれたフープ材であり、このシールドケース１３１の材料となるものである。そして５２は、基準孔加工工程であり、この基準孔加工工程５２で基準となる孔が加工される。

１５１は、基準孔の加工工程５２の後に設けられた打ち抜き工程である。この打ち抜き工程１５１では、切り欠き部１４３、分断部１４４、孔１４２ならびに後のしぼり加工においてフープ材５１と連結状態を維持するためのトランスとを打抜き加工する。

５４は、Ｖ字しぼり工程であり、このＶ字しぼり工程５４によって、フープ材５１上にＶ字状の仕切り１３６が成形される。なおこの状態では、まだ連結部１３９の角度５７は、約１２０度までしか折り曲げられていない。

次に５８は、Ｖ字しぼり工程５４の後に設けられた仕切り１３６の整形工程であり、この仕切り整形工程５８によって、連結部１３９が略１８０度となるまで折り曲げ整形される。

また、仕切り１３６は、Ｖ字しぼり工程５４と、整形工程５８とによって形成されるので、仕切り１３６の高さ精度の良好なシールドケース１３１を実現できる。従って、回路基板１１１へ装着時に連結部１３９の先端と、グランドパターン１１２との間の隙間を小さくすることができるので、シールド性は良くなる。また、連結部１３９とグランドパターン１１２との間を、確りとはんだ付けすることができるので、さらに確りとシールドすることができる。

１５２は、整形工程５８の後に設けられたしぼり加工工程である。このしぼり加工工程１５２によって、側板部１３３を同時にしぼり成形される。しぼり加工１５２では、側板部１３３としぼり部１３３ａとが同時に加工されるので、側板部１３３やしぼり部１３３ａの高さの精度が良い。従ってシールドケース１３１をプリント基板１１１へ装着する場合のがたつきなどが発生しにくくなる。

１５３は、平坦部形成工程であり、この平坦部形成工程１５３では、連結部１３９の先端を平押しすることで、平坦部１４０を成形するものである。なお、本実施の形態３においては、連結部１３９には略一定の間隔で孔１４２を設けてあるので、面押し時に連結部１３９の先端近傍が変形し、壁１３７や１３８が変形したり、連結部１３９の角度が開いたりすることを起こりにくくできる。

ただし、孔１４２を設けないような場合など、平坦部形成工程１５３によって壁１３７、１３８に変形が生じるような場合には、この平坦部形成工程は行わず、平坦部１４０の加工は行われない。

１５４は、平坦部加工工程１５３の後に設けられた外形加工工程であり、接続部１３４の外周を切断する。そして以上の工程によって、シールドケース１３１が完成する。なお、本実施の形態３においては、順送プレス加工による加工方法を用いたが、これは、トランスファーによる方法でも良い。

以上の構成によって、仕切り１３６において、壁１３７と壁１３８とは、連結部１３９が略１８０度折り曲げられて連結されることとなる。そしてさらに、この仕切り１３６に隣接する側板１３３には切り欠き部１４３と分断部１４４とが形成されるので、天井部１３２に孔を設けなくても仕切り１３６を形成することができる。従って、回路基板１１１上に形成された回路の信号などが、外部へ漏れることを防止できるので、シールド性の良好なシールドケース１３１を提供することができる。

さらに、連結部１３９で仕切り部分１３６が１８０度折り曲げて成形されるので、発振器１１５とＰＬＬ回路１１６との間に、２重の壁１３７、１３８が形成されることとなる。従って、それらの回路ブロック間を、確りとシールドすることができ、それぞれの信号同士の干渉によって発生する妨害などは生じ難くなる。

さらにまた、本実施の形態３におけるシールドケース１３１は、しぼり加工で形成されるので、ＶＣＯ１１５、ＰＬＬ回路１１６それぞれの回路ブロックの周囲全周を略完全に高周波的に封印することが可能となる。従って、シールド性の良好なシールドケース１３１を得ることができる。

それに加えて、平坦部１４０を形成しているので、グランドパターン１１２と平坦部とが対向する面積を大きくすることができる。これにより、連結部１３９とグランドパターン１１２とを確りとはんだ付けすることができ、接続強度を大きくできるので、接続部でのはんだクラックなどの起こり難い信頼性の良好な高周波モジュールを実現できる。

なお、本実施の形態３では平坦部１４０の先端と接続部１３４とは同じ高さとしたが、これは平坦部１４０の先端を高くし、接続部１３４と平坦部１４０との間に段差を設けることによって、回路基板１１１へ装着時に平坦部１４０の先端とグランドパターン１１２との間に隙間ができるようにしてもよい。これにより回路基板１１１へシールドケース１３１装着時にガタつきなどが生じなくできる。この場合グランドパターン１１２との間の隙間をできるだけ小さくするために、段差は０．０２ｍｍ程度としておくとよい。

（実施の形態４）
以下本実施の形態４について図面を用いて説明する。図１７は本実施の形態４における回路基板の上面図であり、図１８は本実施の形態４におけるシールドケースの下面図である。なお、この図１７、図１８において図１から図１６と同じものについては同じ番号を付し、その説明は簡略化する。

まず図１７を用いて、本実施の形態４に用いる回路基板について説明する。図１７において、２０１は回路基板であり、この回路基板２０１には、略中央に設けられたグランドパターン２０２と、このグランドパターン２０２の直交して設けられたグランドパターン２０３とを有している。

そしてこれらのグランドパターン２０２、２０３とは、「Ｔ」字形状をなし、回路基板２０１の端部に設けられたグランド端子２０４へそれぞれ接続されている。

そして、このグランドパターン２０２、２０３を挟んだ両側には、それぞれ電子部品２０５、２０６、２０７が装着される。これにより図１７のようにグランドパターン２０３の上側に発振器２０８（第１の回路ブロックの一例として用いた）が形成され、グランドパターン２０３の下側にＰＬＬ回路２０９（第２の回路ブロックの一例として用いた）が形成され、グランドパターン２０２の右側に受信回路２１０が形成される。これによって、グランドパターン２０２、２０３が発振器２０８とＰＬＬ回路２０９あるいは、発振器２０８と受信回路２１０やＰＬＬ回路２０９と受信回路２１０とを分離することができる。

そして、本実施の形態４におけるシールドケース２２１について図１８を用いて説明する。図１８において、実施の形態１と異なる点は、仕切り板を２枚有している点である。そのために、本実施の形態４においては仕切り２２２と、仕切り２２３との交差部分にも切り欠き２２４と、分断部２２５を有している。そしてさらに、本実施の形態４においては仕切り２２２における連結部２２３を分離する分離部２２６を有している。

これによって、直交する２枚の仕切り２２２、２２３を実現することができる。そして、このシールドケース２２１を回路基板２０１へ装着することで、発振器２０８、ＰＬＬ回路２０９や受信回路２１０間のシールドを確りとすることができる。

本発明にかかるシールドケースとその製造方法は、回路間でのシールド性が良いという効果を有し、特に高周波装置等に対して利用すると有用である。

本発明の実施の形態１におけるシールドケースを用いた高周波モジュールの断面図 同、回路基板の上面図 同、シールドケースの側面図 同、シールドケースの下面図 同、シールドケースの製造フローチャート 同、打抜き工程の工程図 同、Ｖしぼり工程の工程図 同、整形工程の工程図 実施の形態３におけるシールドケースの上面図 同、高周波モジュールの装着工程における工程図 本発明の実施の形態３におけるシールドケースを用いた高周波モジュールの断面図 同、回路基板の上面図 同、シールドケースの側面図 同、シールドケースの下面図 同、連結部の拡大図 同、シールドケースの製造フローチャート 本発明の実施の形態４における回路基板の上面図 同、シールドケースの下面図 従来のシールドケースを用いた高周波モジュールの断面図 従来のシールドケースの下面図

符号の説明

１ 回路基板
２ 電子部品
３ 電子部品
４ 発振器
５ ＰＬＬ回路
７ 接続部
３２ 天井部
３３ 側板
３５ 開口部
３６ 仕切り
３７ 壁
３８ 壁
３９ 連結部
４３ 切り欠き
４４ 分断部

Claims (18)

1. 回路基板と、この回路基板の一方の面に装着された複数の電子部品と、これら電子部品で形成された第１の回路ブロックと、この第１の回路ブロックに隣接して形成された第２の回路ブロックと、この第２と前記第１の回路ブロックとを覆うシールドケースとからなる高周波モジュールにおいて、前記シールドケースは、前記回路ブロックを覆う如く設けられる天井部と、この天井部の外周から垂下された側板と、この側板の先端に設けられるとともに前記回路基板と接続される接続部と、前記天井部から垂下された第１の仕切りとを備え、前記第１の仕切りは、前記天面から折り曲げて成形された第１の壁と、この第１の壁と対向するとともに、前記天面から折り曲げて形成された第２の壁と、この第２の壁の先端と前記第１の壁の先端とを連結する連結部と、この連結部の上方に設けられた開口部とを有し、前記連結部は折り曲げて形成されるとともに、前記第１の壁と前記天面と前記側板とが交差する第１の交差部と、前記第２の壁と前記天面と前記側板とが交差する第２の交差部との夫々に設けられた切り欠き部と、これらの切り欠き部から下方に向かって前記側板を分断する分断部とを有し、前記第１の回路ブロックと前記第２の回路ブロックとの間の境界は、第１の仕切り板に対応する位置に設けるとともに、接続部を前記第１の回路ブロックあるいは前記第２の回路ブロックのグランドへ接続した高周波モジュール。
2. 接続部は、回路基板の上面と平行な方向へ折り曲げられた高周波モジュール。
3. 接続部は、側板の先端全面に設けられた請求項１に記載の高周波モジュール。
4. 隣り合う側板同士は、しぼり部で連結された請求項１に記載の高周波モジュール。
5. 連結部は、その先端に回路基板の上面に対し略平行となる平坦部が形成された請求項１に記載の高周波モジュール。
6. 第１、第２の壁のいずれか一方の端部近傍から延在されるかもしくは連結部から折り曲げにより垂下された脚を設けた請求項１に記載の高周波モジュール。
7. 連結部の先端近傍には、孔が設けられた請求項１に記載の高周波モジュール。
8. 連結部の先端近傍には、段差が設けられた請求項１に記載の高周波モジュール。
9. 第１の開口部の幅は、シールドケースの板厚以下とした請求項１に記載の高周波モジュール。
10. 天面から垂下して形成されるとともに、第１の仕切り板と交差する方向に設けられた第２の仕切り板を有し、前記第２の仕切り板は、前記天面から折り曲げて成形された第３の壁と、この第３の壁と対向するとともに、前記天面から折り曲げて形成された第４の壁と、この第４の壁の先端と前記第３の壁の先端とを連結する第２の連結部と、この第２の連結部の上方に設けられた第２の開口部とを有し、前記第２の連結部は折り曲げて形成されるとともに、前記第３の壁と前記天面と前記側板とが交差する第３の交差部と、前記第４の壁と前記天面と前記側板とが交差する第４の交差部と、前記第３の壁と前記天面と前記第１あるいは第２の壁とが交差する第５の交差部と、前記第４の壁と前記天面と前記第１あるいは第２の壁とが交差する第６の交差部の夫々に設けられた第２の切り欠き部と、これらの第２の切り欠き部から下方に向かって前記側板あるいは前記第１あるいは第２の壁を分断する第２の分断部とを有した請求項１に記載の高周波モジュール。
11. 回路基板の上面には、第１の回路ブロックと第２の回路ブロックとの境界にグランドパターンを設け、このグランドパターンは、連結部に対応する位置に配置するとともに、前記グランドパターンと前記連結部とをはんだ付けする請求項１に記載の高周波モジュール。
12. 前記第１と前記第２の回路ブロックとの間の境界は、第１の仕切り板に対応する位置に設けるとともに、回路基板の上面には、前記第１と前記第２の回路ブロックの間を前記境界をまたがって敷設された導体とを設け、前記連結部には、前記導体に対応する位置に導体退避部が設けられた請求項１に記載の高周波モジュール。
13. 接続部は、側板の先端全面に設けるとともに、回路基板の上面には、前記接続部に対応する位置に第１あるいは第２の回路ブロックのグランドパターンを形成し、このグランドパターンと前記接続部とをはんだ付けする請求項１に記載の高周波モジュール。
14. 第１、第２の壁のいずれか一方の端部近傍から延在されるかもしくは連結部から折り曲げにより垂下された脚を設けるとともに、回路基板には前記脚が挿入されるとともに、第１あるいは第２の回路ブロックのグランドと接続されたスルーホールを設け、前記スルーホールと前記脚とをはんだ付けする請求項１に記載の高周波モジュール。
15. 第１の開口部は、天面の中心あるいは高周波モジュールの重心位置を除いた位置に形成された請求項１に記載の高周波モジュール。
16. 第１の開口部は、天面の中心あるいは高周波モジュールの重心位置に設けるとともに、前記天面から延在して形成された吸着部を設けた請求項１に記載の高周波モジュール。
17. 請求項１５に記載の高周波モジュールがマザー基板へ搭載された電子機器において、自動実装機が、前記高周波モジュールの天面を吸着して前記マザー基板へ装着する電子機器。
18. 請求項１６に記載の高周波モジュールがマザー基板へ搭載された電子機器において、自動実装機が、前記高周波モジュールの吸着部を吸着して前記マザー基板へ装着する電子機器。

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