JP4386816B2 - シールドケースとその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、高周波装置などに用いられるシールドケースに関するものである。

従来、この種のシールドケースは図２２と図２３に示すように構成されている。
図２２は従来のシールドケースを用いた高周波モジュールの断面図であり、図２３は同シールドケースの下面図である。

高周波モジュールは、回路基板１とこの回路基板１に形成された回路ブロックを覆うシールドケース６とで構成されている。回路基板１の上面１ａには電子部品２，３が装着されている。これによって、回路基板１上に電子部品２で構成された発振器４（第１の回路ブロックの一例として用いた）と電子部品３で構成されるＰＬＬ回路５（第２の回路ブロックの一例として用いた）が構成されている。シールドケース６は、天面６ａが電子部品２，３を覆うように回路基板１へ装着されている。このとき天面６ａより折り曲げて成形された側板部６ｂの先端には、接続部７が設けられている。この接続部７は、幅が６ｍｍ、長さ０．７ｍｍの突起であり、この接続部７は、回路基板１の側面部１ｂに設けられたスルーホールとはんだ８で接続される。

シールドケース６の中央部には天面６ａから切り曲げされた仕切り板６ｃが一体で形成され、この仕切り板６ｃの先端に脚９が設けられている。そして回路基板１上の前記脚９と対応する位置に設けられたスルーホール１０へ脚９が挿入されて、半田で接続されている。

そしてこのようなシールドケース６においては、仕切り板６ｃが天面６ａより切り起こして成形されているので、この仕切り板６ｃに対応する大きさの孔１１が形成されている。

なお、この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、例えば、（特許文献１）（特許文献２）が知られている。
特開２００１−２５１０８２号公報 特開平１０−１１７１５４号公報

このような従来のシールドケース６では、天面６ａに仕切り板１１の大きさに対応した孔６ｃが形成されているので、ＰＬＬ回路５のシールド性が悪いという問題を有している。

そこで本発明は、この問題を解決したもので、シールド性の良好なシールドケースを提供することを目的とする。

この目的を達成するために本発明のシールドケースにおける前記天井部には、開口部と、この開口部の一方の側に設けられた第１の天面部と、前記開口部を挟んで他方の側に設けられた第２の天面部とを設け、第１の仕切り板は、前記第１の天面部から折り曲げて成形された第１の壁と、この第１の壁と対向するとともに前記第２の天面部から折り曲げて形成された第２の壁と、この第２の壁の先端と前記第１の壁の先端とを連結する連結部とを有し、前記連結部は折り曲げて形成されるとともに、前記第１の壁と前記第１の天面部と前記側板部とが交差する第１の交差部と、前記第２の壁と前記第２の天面部と前記側板部とが交差する第２の交差部との夫々に設けられた切り欠き部と、これらの切り欠き部から下方に向かって前記側板部を分断する分断部とが設けられたものである。

以上のように本発明によれば、前記天井部には、開口部と、この開口部の一方の側に設けられた第１の天面部と、前記開口部を挟んで他方の側に設けられた第２の天面部とを設け、第１の仕切り板は、第１の天面部から折り曲げて成形された第１の壁と、この第１の壁と対向するとともに前記第２の天面から折り曲げて形成された第２の壁と、この第２の壁の先端と前記第１の壁の先端とを連結する連結部とを有し、前記連結部は折り曲げて形成されるとともに、前記第１の壁と前記第１の天面部と前記側板部とが交差する第１の交差部と、前記第２の壁と前記第２の天面部と前記側板部とが交差する第２の交差部との夫々に設けられた切り欠き部と、これらの切り欠き部から下方に向かって前記側板部を分断する分断部とが設けられるものである。これにより、第１の仕切り板は第１の壁と第２の壁とが天面より折り曲げて成形されるとともに、この仕切りに隣接する側板部は切り欠き部と分断部とが形成されるので、天面部に孔を設けなくても仕切りを形成することができる。したがって、回路基板上に形成された回路の信号などが、外部へ漏れることを防止できるシールド性の良好なシールドケースを提供できる。

さらに、第１の壁と第２の壁とが対向して成形されるので、第１の回路ブロックと第２の回路ブロックとの間に、２重の仕切りが形成されることとなる。したがって、回路ブロック間を確りとシールドすることができ、それぞれの回路間で発生する妨害などは生じ難くなる。

以下、本発明の各実施の形態を図１〜図２１に基づいて説明する。
（実施の形態１）
図１〜図４は本発明の（実施の形態１）のシールドケースを示し、図５〜図８はその製造工程を示している。

図１は回路基板１にシールドケース３１を半田付けして構成された高周波モジュール４５の断面図であり、回路基板１に電子部品２，３で構築された第１，第２の回路ブロックとしての発振器４，ＰＬＬ回路５を覆って発振器４とＰＬＬ回路５をシールドしている。

図２は回路基板１の平面図を示している。
図２において、回路基板１には、略中央にグランドパターン２１が設けられている。このグランドパターン２１は、回路基板１の端部１ｃ側に設けられたグランド端子２２へ接続されている。また、この回路基板１の略中央部には、スルーホール１０が形成されており、グランドパターン２１と接続されている。グランドパターン２１を挟んだ両側に、それぞれ電子部品２，３が装着されて、グランドパターン２１の右側に発振器４（第１の回路ブロックの一例として用いた）が形成され、グランドパターン２１の左側にＰＬＬ回路５（第２の回路ブロックの一例として用いた）が形成されている。これによって、グランドパターン２１で発振器４とＰＬＬ回路５とを分離している。発振器４とＰＬＬ回路５との間は、接続パターン２３によって接続され、この接続パターン２３は、グランドパターン２１の非形成部２４を横断している。

図３はシールドケース３１の側面図であり、図４は下面図である。
金属製のシールドケース３１は、このシールドケース３１の天井部３２が、回路基板１の上面１ａを覆うように装着されている。

シールドケース３１は板厚が０．２ｍｍの洋白を、次のように加工して構成されている。
シールドケース３１は、天井部３２からその四方に折り曲げて形成された各側板部３３の先端に接続部３４が形成されている。接続部３４は、回路基板１の側面１ｂに形成されたスルーホール８へ装着され、半田付け接続される。

天井部３２に形成された開口部３５の幅は、シールドケース３１の板厚以下の０．０５ｍｍ程度としてある。そして、この開口部３５を挟んで一方には発振器４の上方を覆う天面３２ａを有し、他方側にはＰＬＬ回路５の上方を覆う天面３２ｂを有している。

天面３２ａと天面３２ｂとの間を連結し、発振器４とＰＬＬ回路５とを電気的に分離する第１の仕切り板としての仕切り板３６は、第１の壁３７と第２の壁３８と、これらの先端同士を連結する連結部３９によって構成され、この連結部３９は、略１８０度折り曲げて形成されている。第２の壁３８の先端に設けた脚４０は、連結部３９，第１の壁３７から切り起して形成され、回路基板１へ装着状態にてスルーホール１０へ挿入されて、半田付け接続される。この脚４０は、シールドケース３１を回路基板１へ装着時における位置決めのために用いることも可能であるので、シールドケース３１を精度良く回路基板１へ装着できる。

脚４０は、連結部３９と第１の壁３７に孔４１を設けることで第２の壁３８の側の先端に容易に形成できる。この脚４０の幅は、０．５ｍｍであり、長さが０．５ｍｍである。そこで、孔４１の周りと脚４０との間には、約０．５ｍｍの隙間を設けておくことで、容易に脚４０をプレス加工できる。

そして、この脚４０の上方には前記開口部３５が形成されるので、この開口部３５から脚４０とスルーホール１０との間の半田付けを容易に確認でき、半田付けの不具合を防止できる。

前記連結部３９には、シールドケース３１を回路基板１へ装着時に前記接続パターン２３に対応する位置に導体退避部（段差の一例として用いた）４２が形成されている。シールドケース３１を回路基板１へ装着時に仕切り板３６が前記接続パターン２３に接触しないように設けられたこの導体退避部４２は、幅は接続パターン２３の幅よりも約1ｍｍ大きくしている。また、その高さは０．３ｍｍである。ここで、導体退避部４２は、任意の位置の形成することができるので、発振器４とＰＬＬ回路５との間の回路接続は、任意の位置で接続することができる。

このように、導体退避部４２を設けることで、スルーホールなどを介さなくても、容易に回路ブロック同士を電気的に接続できる。
なお、第２の壁３８と天面３２ａと側板部３３との交差部と、第１の壁３７と天面３２ｂと側板部３３との交差部の夫々に、切り欠き部４３が設けられている。そしてさらに、側板部３３には、切り欠き部４３から下方に向かって、側板部３３を分断するように分断部４４が形成されている。分断部４４は、開口部３５を臨む位置に形成されている。

このように構成したシールドケース３１を、予め電子部品２，３などが装着された回路基板１上へ図１に示すように装着する。そして、接続部３４とスルーホール８の間や、脚４０とスルーホール１０間とにクリーム半田を供給し、リフロー加熱することによって、シールドケース３１が回路基板１上に半田付けして、発振器４とＰＬＬ回路５とが、シールドケース３１で分離された高周波モジュール４５を得ることができる。

次に、図５〜図８に基づいてシールドケース３１の製造工程を詳しく説明する。
図５はシールドケース３１の製造フローチャート図を示す。
基準孔加工工程５２では、ロール状に巻かれたフープ材５１をシールドケース３１の材料として引き出し、これに基準となる孔を加工する。

基準孔の加工工程５２の後に設けられた打ち抜き工程５３では、図６に示す拡大図のように、脚４０，孔４１，導体退避部４２，切り欠き部４３と分断部４４とを打抜き加工する。

Ｖ字しぼり工程５４では、図７に示す拡大図のようにＶ字状の雄型５５と雌型５６との間にフープ材５１を挟むことによって、フープ材５１上にＶ字状の仕切り３６ａを成形する。仕切り３６ａは後に前記仕切り板３６となる部分であり、この状態では、まだ連結部３９の角度５７は、約１２０度までしか折り曲げられていない。

次に、Ｖ字しぼり工程５４の後に設けられた仕切り整形工程５８では、仕切り３６ａを図８に示す拡大図のように、連結部３９が略１８０度となるまで折り曲げ整形される。この仕切り整形工程５８では、Ｖ字しぼり工程５４で形成されたＶ字状の仕切り３６ａを雌型５９に設けられた孔６０へ押し込むことによって、略１８０度に折り曲げた前記仕切り板３６を得る。

なお、この孔６０の幅を、０．４５ｍｍとしておくことで、整形後の開口部３５の幅を板厚よりも小さな０．０５ｍｍ程度としている。これにより、Ｖ字しぼり工程５４と仕切り整形工程５８によって開口部３５の幅を板厚よりも小さくできる。これにより、仕切り板３６は２重となるが、厚みを０．４５ｍｍ程度で実現できるので、その厚みは分厚くならない。これにより回路基板１の上に発振器４やＰＬＬ回路５を形成できる領域が狭くなることを防止できる。また、発振器４とＰＬＬ回路５との間の距離も小さくできるので、小型の高周波モジュール４５を実現できる。

また、仕切り板３６は、Ｖ字しぼり工程５４と仕切り整形工程５８とを経て形成するので、仕切り板３６の高さ精度が良好なシールドケース３１を実現できる。したがって、回路基板１へ装着時に連結部３９の先端と、グランドパターン２１との間の隙間を小さくすることができるので、シールド性は良くなる。また、連結部３９とグランドパターン２１とを、堅固に安定して確りと半田付けすることができるので、確実にシールドできる。

次に、外形加工工程６１において、側板部３３や、接続部３４を成形するために打ち抜き加工を実施し、この外形加工工程６１の後で、側板部３３の内の２面を折り曲げる折り曲げ工程６２を経て、切断工程６３によって、残りの側面２面を曲げるとともに切断し、シールドケース３１が完成する。

なお、ここでは、順送プレス加工による加工方法を例に挙げて説明したが、これは、トランスファーによる方法でも良い。また、Ｖ字しぼり工程５４と仕切り整形工程５８とは、折り曲げ工程６２の上流に設けているが、これは折り曲げ工程６２と切断工程６３との間に設けても良い。

以上の製造工程によって、仕切り板３６は、第１の壁３７と第２の壁３８とは連結部３９が略１８０度折り曲げて成形されこととなる。そしてさらに、この仕切り板３６に隣接する側板部３３には切り欠き部４３と分断部４４とが形成されるので、天井部３２に孔を設けなくても仕切り板３６を形成することができる。

したがって、回路基板１上に形成された回路の信号などが、外部へ漏れることを防止できるシールド性の良好なシールドケース３１を実現できる。
さらに、連結部３９で仕切り板３６が１８０度折り曲げて成形されるので、発振器４とＰＬＬ回路５との間に、第１，第２の壁３７，３８の２重の壁が形成されることとなる。したがって、それらの回路ブロック間を、確りとシールドすることができ、それぞれの信号同士の干渉によって発生する妨害などは生じ難くなる。

（実施の形態２）
図９と図１０は本発明の(実施の形態２)を示す。
図９の上面図に示すように、この(実施の形態２)のシールドケース３１Ｂは、吸着面１０６が天井部３２の中央部に形成されている点だけが（実施の形態１）とは異なっている。１０７は吸着面１０６を切り起すことで、第１，第２の壁３７，３８のうちの一方の壁である第１の壁３７に形成される孔である。

図１０はこのシールドケース３１Ｂを用いた高周波モジュール４５Ｂのマザー基板１０３への装着工程の概略図である。
シールドケース３１Ｂは、図９に示したように中央で発振器４とＰＬＬ回路５とに仕切られており、仕切り板３６がシールドケース３１Ｂの中心を通過する位置に形成されている。つまりこの場合、開口部３５が、天井部３２の中心を通過する位置となる。回路基板１とシールドケース３１Ｂとで構成された高周波モジュール４５Ｂを、図１０に示すように自動実装機などを用いてマザー基板１０３へ装着しようとする場合には、自動実装機の吸着ノズル１０４は、高周波モジュール４５Ｂの略中心部を吸着する。

しかし、この中心部が（実施の形態１）の場合には開口部３５になってしまって吸着ノズル１０４で高周波モジュールを吸引することができないが、この（実施の形態２）におけるシールドケース３１Ｂでは、開口部３５の略中心位置に、天井部３２から連結して形成した吸着面１０６を設けてある。これにより、吸着ノズル１０４は、シールドケース３１Ｂの中心部にある吸着面１０６で高周波モジュール４５Ｂを吸着することができるので、高周波モジュール４５Ｂを中心で吸着することができる。これにより装着時に傾きなどが生じ難く、安定した装着ができる。

したがって、高周波モジュール４５Ｂの装着ずれなどは発生し難く、高周波モジュール４５Ｂとマザー基板１０３とを良好に半田付け接続できる。
なお、吸着面１０６を切り起すことで、一方の第１の壁３７に孔１０７が形成されるが、仕切り板３６は２重となっているので、発振器４とＰＬＬ回路５の信号による妨害は発生し難くなる。

なお、開口部３５は高周波モジュール４５Ｂの略中心を通過したが、これは、重心点の近傍である場合においても有用である。つまり、重心点を開口部３５が通過するような場合においても、吸着面１０６で確りと吸着することができるので、装着ずれなどの発生を少なくすることができる。

なお、開口部３５は高周波モジュールの略中心位置あるいは略重心位置を除いた位置に設けても良い。この場合には、吸着面１０６を設けることなく自動実装機の吸着ノズル１０４で天井部３２を吸着できるので、吸着面１０６を形成することによる孔１０７も不要となるので、さらにシールド性が良好となる。この場合、開口部３５が吸引ノズル１０４にかからないようにすればよいが、開口部３５の幅が０．０５ｍｍであるので、仕切り板３６は中心や重心からの移動量は少なくても良い。これにより、仕切り板３６を設ける位置の自由度を大きくすることができる。

（実施の形態３）
図１１〜図１４は本発明の（実施の形態１）のシールドケースを示し、図１５，図１６はその製造工程を示している。

図１１は回路基板１Ｂにシールドケース３１Ｃを半田付けして構成された高周波モジュール４５Ｃの断面図であり、回路基板１Ｂに電子部品２，３で構築された第１，第２の回路ブロックとしての発振器４，ＰＬＬ回路５を覆って発振器４とＰＬＬ回路５をシールドしている点は前記の各実施の形態と同じであって、シールドケース３１Ｃには前記接続パターン２３がシールドケースに接触しないようにする導体退避部４２が設けられていない。

図１２は回路基板１Ｂの平面図を示している。
この（実施の形態３）に用いる回路基板１Ｂは４層の回路基板であり、この回路基板１Ｂは、略中央にグランドパターン１１２が設けられている。そしてこのグランドパターン１１２は、回路基板１Ｂの外周に沿って設けられたグランドパターン１１３と接続され、回路基板１Ｂの端部に設けられたグランド端子１１４に接続されている。

グランドパターン１１３で囲まれた領域内に、電子部品２，３が装着され、図１２におけるグランドパターン１１２の右側に発振器４（第１の回路ブロックの一例として用いた）が形成され、グランドパターン１１２の左側にＰＬＬ回路５（第２の回路ブロックの一例として用いた）が形成される。これによって、グランドパターン１１２が発振器４とＰＬＬ回路５とを分離することとなる。発振器４とＰＬＬ回路５との間の接続は、それぞれの回路ブロック内に設けられたスルーホール１１７ａ，１１７ｂが内層導体１１８によって接続されている。

図１１，図１３，図１４に示す（実施の形態３）におけるシールドケース３１Ｃは、板厚が０．２ｍｍであり、その材質は洋白を用いている。天井部３２からその四方にしぼり加工によって形成された側板部１３３と隣接する側板部１３３同士がしぼり部１３３ａで連結されたシールドケース３１Ｃは、天井部３２が、回路基板１Ｂの上面１１１ａを覆うように装着されている。

これにより、側板部間に隙間のないシールドケース３１Ｃを実現できる。したがって、発振器４による発振周波数信号やＰＬＬ回路５内での高周波信号などが外部へ漏洩しにくくなる。

１３４は、側板部１３３の先端全周設に回路基板１Ｂの上面１１１ａと平行に設けられた接続部である。この接続部１３４は、グランドパターン１１３に半田付け接続される。したがって、回路基板１Ｂの上面で接続部１３４とグランドパターン１１３とを半田付けできるので、半田付けが容易になる。また、接続部１３４を全周に形成しているので、発振器４やＰＬＬ回路５などの高周波回路がグランドで確りと囲まれることとなる。これにより、発振器４による発振周波数信号やＰＬＬ回路５内での高周波信号などが外部へ漏洩しにくくなる。

天井部３２に形成された開口部１３５の幅は、０．０５ｍｍ程度としてある。そして、この開口部１３５を挟んで一方には発振器４の上方を覆う天面３２ａを有し、他方側にはＰＬＬ回路５の上方を覆う天面３２ｂを有している。

仕切り板１３６は、天面３２ａと天面３２ｂとの間を連結するとともに、発振器４のブロックとＰＬＬ回路５のブロックとを電気的に分離するものである。そしてこの仕切り板１３６は、壁１３７と壁１３８と、これらの先端同士を連結する連結部１３９によって構成され、この連結部１３９は、略１８０度折り曲げて形成されている。

図１５は、シールドケース３１Ｃを回路基板１Ｂへ装着時における連結部近傍の拡大図である。
連結部１３９の先端には回路基板１Ｂへの装着時にグランドパターン１１２と略平行となるような平坦部１４０が形成されている。そして、この平坦部１４０と、グランドパターン１１２とが半田１４１によって接続される。

なお、このとき、連結部１３９には、略等間隔で孔１４２を設けている。これは、孔１４２から連結部１３９とグランドパターン１２２との半田付け状態を確認するために設けられている。そして、この孔１４２より確認し、半田１４１による接続が不完全である場合には、開口部１３５からこの孔１４２を介して半田１４１へ熱風を吹き込むことで、容易に半田１４１の不具合を修正できる。

図１３に示す切り欠き部１４３は、壁１３８と天面３２ａと側板部１３３との交差部と、壁１３７と天面３２ｂと側板部１３３との交差部の夫々に設けられている。さらに側板部１３３には、切り欠き部１４３から下方に向かって、側板部１３３を分断するように分断部１４４が形成されている。分断部１４４は開口部１３５を臨む位置に設けてある。

そしてこのようなシールドケース３１Ｃを、予め電子部品２，３などが装着されるとともにグランドパターン１１２，１１３へ半田が供給された回路基板１上へ装着する。そして、接続部１３４とグランドパターン１１３の間や、連結部１３９とグランドパターン１１２とが、リフロー加熱されることで半田付け接続される。

なお、半田１４１は、電子部品２，３を装着するための工程で予めスクリーン印刷されたものである。つまり、電子部品２，３をリフロー半田付けする工程の後に、シールドケース３１Ｃを装着する。そこで、シールドケース３１Ｃの装着前に、予めフラックスのみをグランドパターン１１２，１１３の上に供給しておくことが必要である。

そしてこのようにして、発振器４とＰＬＬ回路５とが、仕切り板１３６で分離された高周波モジュール４５Ｃを得ることができる。
次に、図１６に基づいてシールドケース３１Ｃの製造工程を詳しく説明する。

基準孔加工工程５２では、ロール状に巻かれたフープ材５１をシールドケース３１の材料として引き出し、これに基準となる孔を加工する。
打ち抜き工程１５１では、切り欠き部１４３、分断部１４４、孔１４２、ならびに後のしぼり加工においてフープ材５１と連結状態を維持するためのランスとを打ち抜き加工する。

Ｖ字しぼり工程５４では、フープ材５１上に後に仕切り板１３６となるＶ字状の仕切りが成形される。なおこの状態では、図７に示したように連結部１３９の角度５７は、約１２０度までしか折り曲げられていない。

仕切り整形工程５８では、連結部１３９が図８に示したように略１８０度となるまで折り曲げ整形される。
このように仕切り板１３６は、Ｖ字しぼり工程５４と、仕切り整形工程５８とによって形成されるので、仕切り板１３６の高さ精度の良好なシールドケース３１Ｃを実現できる。したがって、回路基板１Ｂへ装着時に連結部１３９の先端と、グランドパターン１１２との間の隙間を小さくすることができるので、シールド性は良くなる。また、連結部１３９とグランドパターン１１２との間を、確りと半田付けすることができるので、さらに確りとシールドすることができる。

仕切り整形工程５８の後に設けられたしぼり加工工程１５２では、側板部１３３を同時にしぼり成形される。しぼり加工工程１５２では、側板部１３３としぼり部１３３ａとが同時に加工されるので、側板部１３３やしぼり部１３３ａの高さの精度が良い。したがってシールドケース３１Ｃを回路基板１Ｂへ装着する場合のがたつきなどが発生しにくくなる。

平坦部形成工程１５３では、連結部１３９の先端を平押しすることで、平坦部１４０を成形するものである。なお、連結部１３９には略一定の間隔で孔１４２を設けてあるので、面押し時に連結部１３９の先端近傍が変形し、壁１３７や１３８が変形したり、連結部１３９の角度が開いたりすることを起こりにくくできる。

ただし、孔１４２を設けないような場合など、平坦部形成工程１５３によって壁１３７，１３８に変形が生じるような場合には、この平坦部形成工程は行わず、平坦部１４０の加工は行われない。

平坦部加工工程１５３の後に設けられた外形加工工程１５４では、接続部1３４の外周を切断する。そして以上の工程によって、シールドケース３１Ｃが完成する。
なお、順送プレス加工による加工方法を用いたが、これは、トランスファーによる方法でも良い。

以上の構成によって、仕切り板１３６において、壁１３７と壁１３８とは、連結部１３９が略１８０度折り曲げられて連結されることとなる。そしてさらに、この仕切り板１３６に隣接する側板部１３３には切り欠き部１４３と分断部１４４とが形成されるので、天井部３２に孔を設けなくても仕切り板１３６を形成することができる。したがって、回路基板１Ｂ上に形成された回路の信号などが、外部へ漏れることを防止できるので、シールド性の良好なシールドケース３１Ｃを実現できる。

さらに、連結部１３９で仕切り板１３６が１８０度折り曲げて成形されるので、発振器４とＰＬＬ回路５との間に、２重の壁１３７，１３８が形成されることとなる。したがって、それらの回路ブロック間を、確りとシールドすることができ、それぞれの信号同士の干渉によって発生する妨害などは生じ難くなる。

シールドケース３１Ｃはしぼり加工で形成されるので、発振器４，ＰＬＬ回路５のそれぞれの回路ブロックの周囲全周を略完全に高周波的に封印することが可能となる。したがって、シールド性の良好なシールドケース３１Ｃを得ることができる。

それに加えて、平坦部１４０を形成しているので、グランドパターン１１２と平坦部とが対向する面積を大きくすることができる。これにより、連結部１３６とグランドパターン１１２とを確りと半田付けすることができ、接続強度を大きくできるので、接続部での半田クラックなどの起こり難い信頼性の良好な高周波モジュールを実現できる。

なお、平坦部１４０の先端と接続部１３４とは同じ高さとしたが、これは平坦部１４０の先端を高くし、接続部１３４と平坦部１４０との間に段差を設けることによって、回路基板１Ｂへ装着時に平坦部１４０の先端とグランドパターン１１２との間に隙間ができるようにしてもよい。これにより回路基板１Ｂへシールドケース３１Ｃ装着時にガタつきなどが生じなくできる。この場合、グランドパターン１１２との間の隙間をできるだけ小さくするために、段差は０．０２ｍｍ程度としておくとよい。

（実施の形態４）
図１７〜図２０は本発明の（実施の形態４）を示す。
図１７は（実施の形態４）における回路基板１Ｃの上面図であり、図１８はシールドケース３１Ｄの下面図である。上記の各実施の形態では、シールドケースは内部が仕切り板によって２つに仕切られていたが、この（実施の形態４）ではシールドケースは内部が仕切り板によって３つに仕切られている点が異なっている。

まず、図１７を用いて回路基板について説明する。
この回路基板１Ｃには、略中央に設けられたグランドパターン２０２と、このグランドパターン２０２の直交して設けられたグランドパターン２０３とを有している。グランドパターン２０２，２０３とは、「Ｔ」字形状をなし、回路基板１Ｃの端部に設けられたグランド端子２０４へそれぞれ接続されている。

このグランドパターン２０２，２０３を挟んだ両側には、それぞれ電子部品２０５，２０６，２０７が装着されている。これにより図１７のようにグランドパターン２０３の上側に発振器２０８（第１の回路ブロックの一例として用いた）が形成され、グランドパターン２０３の下側にＰＬＬ回路２０９（第２の回路ブロックの一例として用いた）が形成され、グランドパターン２０２の右側に受信回路２１０が形成されている。

これによってグランドパターン２０２，２０３が、発振器２０８とＰＬＬ回路２０９、発振器２０８と受信回路２１０、ＰＬＬ回路２０９と受信回路２１０とを分離している。
この回路基板１Ｃとで高周波モジュールを構成するシールドケース３１Ｄは、図１８に示すように構成されている。図１８において、（実施の形態１）と異なる点は、仕切り板を２枚有している点である。具体的には、仕切り板２２２と仕切り板２２３との交差部分にも切り欠き２２４と、分断部２２５を有している。そしてさらに、仕切り板２２２における連結部を分離する分離部２２６を有している。

図１９に示すように仕切り板２２２は、ＰＬＬ回路２０９の上部を覆うことになる天面１３２ａから折り曲げて成形された第１の壁２４０と、受信回路２１０の上部を覆うことになる天面１３２ｂから折り曲げて成形され前記第１の壁２４０と対向した第２の壁２４１と、第１の壁２４０の先端と第２の壁２４１の先端とを接続するように折り曲げ加工されている第１の連結部２４２とで構成されており、この第１の連結部２４２の上方には前記開口部３５と同様に第１の開口部２４３が形成されている。

仕切り板２２３は、仕切り板２２２と同じように折り曲げ加工で作成されている。具体的には、図２０に示すように発振器２０８の上部を覆うことになる天面１３２ｃから折り曲げて成形された第３の壁２３７と、この第３の壁２３７と対向するとともに、ＰＬＬ回路２０９の上方を覆う天面１３２ａから折り曲げて形成された第４の壁２３８と、この第４の壁２３８の先端と前記第３の壁２３７の先端とを連結する第２の連結部２３９とで構成されており、この第２の連結部２３９の上方には前記開口部３５と同様に第２の開口部２３５が形成されている。

さらに、前記第３の壁２３７と前記天面部と前記側板部とが交差する第３の交差部と、前記第４の壁２３８と前記天面部と前記側板部とが交差する第４の交差部と、前記第３の壁２３７と前記天面部と前記天面部から折り曲げて成形された前記第１の仕切り板２２２を形成する第１の壁２４１と第２の壁２４２のうちの第２の壁２４２とが交差する第５の交差部と、前記第４の壁２３８と前記天面部と前記第１，第２の壁２４１，２４２とが交差する第６の交差部の夫々には、第２の切り欠き部２２４と、これらの第２の切り欠き部から下方に向かって前記側板部あるいは前記第１あるいは第２の壁を分断する第２の分断部２２５が設けられている。

その他は（実施の形態１）と同様であり、シールドケース３１Ｄの場合にも、天井部３２からその四方に折り曲げて形成された各側板部３３の先端に接続部３４が形成されている。

これによって高周波モジュールは、連結部がグランドパターン２０２に半田付けされた仕切り板２２２によって、ＰＬＬ回路２０９と受信回路２１０とがシールドして分離される。また、連結部がグランドパターン２０３に半田付けされた仕切り板２２３によって、発振器２０８とＰＬＬ回路２０９とがシールドして分離される。発振器２０８と受信回路２１０との間のシールドは、仕切り板２２２における連結部を分離する分離部２２６によって形成された隔壁２２７，２２８によってシールドして分離される。隔壁２２７，２２８の先端をグランドパターン２０２に半田付けすることによってシールド効果は更に向上する。

（実施の形態５）
図２１は本発明の（実施の形態５）のシールドケース３１Ｅを使用した高周波モジュール４５を示す。図１に示した（実施の形態１）のシールドケース３１における脚４０は、第２の壁３８の端部近傍から延在させて構成したが、この（実施の形態５）では、前記連結部２９から折り曲げにより垂下させて前記脚４０が形成されている。その他は（実施の形態１）と同じである。

なお、上記の各実施の形態においてシールドケースは、回路基板の片面の全体を覆ってシールドしていたが、回路基板の片面の一部に構築された一部の回路ブロックの部分だけを覆うように取り付けてシールドする場合に使用しても、同様の効果を期待できる。

本発明にかかるシールドケースとその製造方法は、回路間でのシールド性が良いという効果を有し、特に高周波装置などに対して利用すると有用である。

本発明の（実施の形態１）におけるシールドケースを用いた高周波モジュールの断面図 同実施の形態の回路基板の上面図 同実施の形態のシールドケースの側面図 同実施の形態のシールドケースの下面図 同実施の形態のシールドケースの製造フローチャート図 同実施の形態の打抜き工程の工程図 同実施の形態のＶしぼり工程の工程図 同実施の形態の整形工程の工程図 本発明の（実施の形態２）におけるシールドケースの上面図 同実施の形態の高周波モジュールの装着工程における工程図 本発明の（実施の形態３）におけるシールドケースを用いた高周波モジュールの断面図 同実施の形態の回路基板の上面図 同実施の形態のシールドケースの側面図 同実施の形態のシールドケースの下面図 同実施の形態の連結部の拡大図 同実施の形態のシールドケースの製造フローチャート図 本発明の（実施の形態４）における回路基板の上面図 同実施の形態のシールドケースの下面図 同実施の形態のシールドケースの側面図 同実施の形態のシールドケースの側面図 本発明の（実施の形態５）におけるシールドケースを用いた高周波モジュールの断面図 従来のシールドケースを用いた高周波モジュールの断面図 従来のシールドケースの下面図

符号の説明

１，１Ｂ，１Ｃ 回路基板
２，３ 電子部品
４ 発振器（第１の回路ブロック）
５ ＰＬＬ回路（第２の回路ブロック）
８ スルーホール
１０ スルーホール
２１ グランドパターン
２２ グランド端子
２３ 接続パターン
２４ グランドパターン２１の非形成部
３１，３１Ｂ，３１Ｃ，３１Ｄ シールドケース
３２ シールドケース３１の天井部
３２ａ 発振器４の上方を覆う天面
３２ｂ ＰＬＬ回路５の上方を覆う天面
３３ 側板部
３４ 接続部
３５ 開口部
３６ 仕切り板
３６ａ Ｖ字状の仕切り
３７，３８ 第１，第２の壁
３９ 連結部
４０ 脚
４１ 孔
４２ 導体退避部
４３ 切り欠き部
４４ 分断部
４５，４５Ｂ，４５Ｃ 高周波モジュール
５２ 基準孔加工工程
５３ 打ち抜き工程
５４ Ｖ字しぼり工程
５８ 仕切り整形工程
６１ 外形加工工程
６２ 折り曲げ工程
６３ 切断工程
１０３ マザー基板
１０４ 自動実装機の吸着ノズル
１０６ 吸着面
１０７ 孔
１１１ａ 回路基板１Ｂの上面
１１２，１１３ グランドパターン
１１４ グランド端子
１１７ａ，１１７ｂ スルーホール
１１８ 内層導体
１３２ａ，１３２ｂ 天面
１３３ 側板部
１３３ａ しぼり部
１３４ 接続部
１３５ 開口部
１３６ 仕切り板
１３７，１３８ 壁
１３９ 連結部
１４０ 平坦部
１４１ 半田
１４２ 孔
１４３ 切り欠き部
１４４ 分断部
１５１ 打ち抜き工程
１５２ しぼり加工工程
１５３ 平坦部形成工程
１５４ 外形加工工程
２０２，２０３ グランドパターン
２０４ グランド端子
２０５，２０６，２０７ 電子部品
２０８ 発振器（第１の回路ブロック）
２０９ ＰＬＬ回路（第２の回路ブロック）
２１０ 受信回路
２２２，２２３ 仕切り板
２２４ 切り欠き
２２５ 分断部
２２６ 分離部
２２７，２２８ 隔壁
２３５ 第２の開口部
２３７ 第３の壁
２３８ 第４の壁
２３９ 第２の連結部
２４０ 第１の壁
２４１ 第２の壁
２４２ 第１の連結部
２４３ 第１の開口部

Claims (12)

1. 回路基板に形成された少なくとも一部の回路ブロックを覆うシールドケースであって、
   前記回路ブロックを覆う天井部と、
   この天井部の外周から垂下された側板部と、
   この側板部の先端に設けられ前記回路基板と接続される接続部と、
   前記天井部から垂下された第１の仕切り板と
   を備え、前記天井部には、開口部と、この開口部の一方の側に設けられた第１の天面部と、前記開口部を挟んで他方の側に設けられた第２の天面部とを設け、前記第１の仕切り板は、
   前記第１の天面部から折り曲げて成形された第１の壁と、
   この第１の壁と対向するとともに、前記第２の天面部から折り曲げて形成された第２の壁と、
   この第２の壁の先端と前記第１の壁の先端とを連結する連結部とを有し、
   前記連結部は折り曲げて形成されるとともに、
   前記第１の壁と前記第１の天面部と前記側板部が交差する第１の交差部と、前記第２の壁と前記第２の天面部と前記側板部とが交差する第２の交差部との夫々に設けられた切り欠き部と、
   これらの切り欠き部から下方に向かって前記側板部を分断する分断部と
   を有したシールドケース。
2. 接続部は、回路基板の上面と平行な方向へ折り曲げられた請求項１に記載のシールドケース。
3. 接続部は、側板部の先端全面に設けられた請求項１に記載のシールドケース。
4. 隣り合う側板部同士は、しぼり部で連結された請求項１に記載のシールドケース。
5. 連結部は、その先端に回路基板の上面に対し平行となる平坦部が形成された請求項１に記載のシールドケース。
6. 第１，第２の壁のいずれか一方の端部から延在されるかもしくは連結部から折り曲げにより垂下された脚を設けた請求項１に記載のシールドケース。
7. 連結部の先端には、孔が設けられた請求項１に記載のシールドケース。
8. 連結部の先端には、段差が設けられた請求項１に記載のシールドケース。
9. 開口部の幅は、シールドケースの板厚以下とした請求項１に記載のシールドケース。
10. 請求項１に記載のシールドケースを製造するに際し、
    切り欠き部と分断部とを形成し、この切り欠き部と分断部とを形成した後に第１，第２の壁と連結部とを同時に折り曲げて成形し、これらの第１，第２の壁と連結部とを形成した後に前記側板部を形成する
    シールドケースの製造方法。
11. 側板部の形成は、しぼり加工で行うとともに、側板部はすべて同時に加工する請求項１０に記載のシールドケースの製造方法。
12. 第１，第２の壁と連結部との折り曲げは、第１と第２の壁とが鋭角な角度で交差するごとくＶ字型に折り曲げ、このＶ字型に折り曲げられた後で前記第１の壁と前記第２の壁とが対向するまでさらに折り曲げる請求項１０に記載のシールドケースの製造方法。

Images