JP2006104554A - Pbn容器及びpbn容器の製造方法 - Google Patents

Pbn容器及びpbn容器の製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】PBNを積層して形成した本体の表面に、導電性膜を積層した容器であって、耐久性に優れたPBN容器、及びそのようなPBN容器の製造方法を提供する。
【解決手段】PBN(パイロリティック窒化ボロン)を積層して形成した本体の表面に、導電性膜を積層した容器であって、少なくとも、前記本体の層断面と該層断面に接する少なくとも1つの壁面とのなす角度が、20度〜80度であることを特徴とするPBN容器。並びに、PBN(パイロリティック窒化ボロン)容器を製造する方法であって、少なくとも、PBNを積層して本体を形成し、該形成した本体の層断面を、該層断面に接する少なくとも1つの壁面とのなす角度が20度〜80度となるように加工し、該加工した本体の表面に、導電性膜を被覆することを特徴とするPBN容器の製造方法。
【選択図】図1

Description

本発明は、PBN(パイロリティック窒化ボロン、あるいは、熱分解窒化ホウ素)を積層して形成した本体の表面に、導電性膜を積層したPBN容器、並びにそのようなPBN容器の製造方法に関する。
PBNは、熱分解法を利用して作成される。このため、微視的に見ると一種の積層膜構造を有する。そして、積層膜の面方向と厚さ方向とでは異方性を有する。このようなPBNは、高純度の容器をCVD法などにより容易に形成でき、容器由来の汚染を防止できるなど、様々な利点を有している。このため、PBNは、電子ビーム蒸着用ハースライナ、MBE(分子線エピタキシー)用容器、金属溶融用容器、分析用容器等、様々な容器の材料として用いられている。
ここでは、PBN容器として、電子ビーム蒸着用ハースライナを例に挙げ、説明する。
電子ビーム蒸着は、基板に薄膜を形成するのに有用な方法である。電子ビーム蒸着では、電子ビームを蒸着材料に照射することにより材料を加熱し、蒸発させ、そして、蒸発させた材料を基板に蒸着させ、基板上に薄膜を形成する(例えば、非特許文献1参照)。例えば、水冷した銅製のルツボ(ハース)内に電子ビーム蒸着用ハースライナを収容し、該ハースライナ内に充填した蒸着材料に、電子銃より電子ビームを照射して、蒸着材料を蒸発させている。
このとき、蒸着材料を充填するのに電子ビーム蒸着用ハースライナを用いず、ハースに直接蒸着材料を充填することも可能である。しかし、ハースライナは外部に取り出して掃除できるので、掃除が容易であるし、また、異なる蒸着材料を基板に蒸着したい場合には、ハースライナを交換するのみで良く、簡単であり、汚染防止にもなる。そのため、通常は、電子ビーム蒸着用ハースライナを用いる。
図5は、電子ビーム蒸着用ハースライナとハースの一例を示す概略断面図である。この電子ビーム蒸着用ハースライナ50は、銅製のハース51内に収容されており、底部がハース51と接触している。ハース51は、冷却水52で冷却される。また、ハースライナ50内には、図に示すように、アルミニウムなどの蒸着材料53が充填されている。
このような電子ビーム蒸着用ハースライナとして、PBN製の他、炭素製のものなども知られている。しかしながら、炭素製のハースライナは、蒸着材料と反応するという問題がある。例えば、炭素製のハースライナにアルミニウムを充填して電子ビーム蒸着を行うと、炭素とアルミニウムが反応して炭化アルミニウム(Al43)を生じる。このため、基板に蒸着するアルミニウム薄膜は、結晶性、純度が低下する。
これに対して、PBN製のハースライナは、蒸着材料と反応し難いという利点がある。しかし、PBN製のハースライナを用いた場合でも、以下のような問題点がある。先ず、電子ビームを照射した極く近傍で、部分的にしか蒸着材料を溶融させることができず、全体的に溶融させることができない。また、蒸着材料としてアルミニウムを用いた場合、表面張力によってアルミニウムがハースライナ内壁面に沿って這上り、溶融状態の視察を困難にしたり、溶け跡の状態が悪い。さらに、PBNは絶縁性であるため、電子ビームの照射によりチャージアップを引き起こす。これらのことから、大面積で均一な高純度金属膜を安定して製膜することができなかった。
この問題を解決するため、PBNを積層して形成した本体の表面に導電性膜を積層したPBNハースライナが考案されている(例えば、特許文献1参照)。このPBNハースライナを用いると、電子ビームにより導電性膜が熱せられるので、蒸着材料を、全体的に溶融させることができる。また、導電性膜があるので、チャージアップの問題も生じない。さらに、溶融したアルミニウム等の蒸着材料がハースライナ内壁面を這い上がり難くなる。このため、このPBNハースライナを用いることで、大面積で均一な高純度金属膜を安定して製膜することができるとされている。
しかしながら、PBNを積層して形成した本体の表面に導電性膜を積層したハースライナは、破損しやすく、寿命が短かいという問題があった。このため、耐久性に優れたPBNハースライナが求められていた。
特開平9−59766 「薄膜工学ハンドブック」オーム社発行,p101〜p105,昭和58年12月10日発行
本発明はこのような問題に鑑みてなされたもので、PBNを積層して形成した本体の表面に、導電性膜を積層した容器であって、耐久性に優れたPBN容器、及びそのようなPBN容器の製造方法を提供することを目的とする。
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、PBN(パイロリティック窒化ボロン)を積層して形成した本体の表面に、導電性膜を積層した容器であって、少なくとも、前記本体の層断面と該層断面に接する少なくとも1つの壁面とのなす角度が、20度〜80度であることを特徴とするPBN容器を提供する(請求項1)。
PBNと導電性膜では、熱膨張率が大きく異なる。したがって、PBNでできた本体の層断面と壁面との角度が、通常のPBN容器のように、90度近辺であると、加熱及び冷却により、層断面において、PBNと導電性膜との間に残留応力が働き、PBNを層分離させる力が働く。このため、容器の加熱及び冷却を繰り返すうちに剥離が進み、また、溶融した蒸着材料が這い上がり、そこに染み込むなどして、容器を破損してしまっていた。しかし、本発明のPBN容器は、本体の層断面と該層断面に接する少なくとも1つの壁面とのなす角度が、20度〜80度である。このため、層断面において、PBNのみかけ上の熱膨張率が小さくなり、容器の加熱及び冷却を繰り返しても、残留応力が生じ難く、長時間にわたり、容器は破損しない。このように、本発明のPBN容器は、耐久性に優れたものである。
そして、前記PBN容器を、電子ビーム蒸着用PBNハースライナであるものとすることができる(請求項2)。
上述のように、本発明のPBN容器は、耐久性に非常に優れたものである。そのため、電子ビーム蒸着用PBNハースライナとして用いれば、長時間にわたり、大面積で均一な高純度金属膜を製膜することができる。また破損しにくく長寿命のため、交換する回数が減り、装置の稼働率が低下することなく、コスト低減の効果がある。
また、本発明のPBN容器では、前記導電性膜が、PG(パイロリティックグラファイト)であるのが好ましい(請求項3)。
PGは、PBNと同様、CVD法等で高純度のものを容易に製膜することができるし、溶融金属などの充填材料とも反応し難い。また、PGは、導電性にも優れている。これらのことから、導電性膜として好適である。
また、本発明のPBN容器では、前記本体の層断面と、該層断面に接する内壁面とのなす角度が、20度〜80度であるのが好ましい(請求項4)。
容器に材料を充填したとき、表面張力などにより、溶融金属などの充填材料が容器の内壁面を伝って這い上がって、外に漏れることがある。しかし、本発明のように、層断面と、該層断面に接する内壁面とのなす角度を、20度〜80度とすれば、充填材料が容器の内壁面を這い上がり難くなり、容器の外に充填材料が漏れるのをより効果的に防止することができる。
また、本発明のPBN容器では、前記容器の開口部に、折り返したリップ部があるものとすることができる(請求項5)。
このように、リップ部を設けた場合でも、層断面と壁面との角度を、80〜90度とすれば、残留応力が発生し難くなり、容器の破損防止に有効である。
また本発明は、PBN(パイロリティック窒化ボロン)容器を製造する方法であって、少なくとも、PBNを積層して本体を形成し、該形成した本体の層断面を、該層断面に接する少なくとも1つの壁面とのなす角度が20度〜80度となるように加工し、該加工した本体の表面に、導電性膜を被覆することを特徴とするPBN容器の製造方法を提供する(請求項6)。
このように本発明の方法により製造したPBN容器は、本体の層断面と該層断面に接する少なくとも1つの壁面とのなす角度が、20度〜80度である。そのため、加熱及び冷却を繰り返しても残留応力が生じ難く、繰り返し使用しても容器は破損し難い。このように、本発明の製造方法により、耐久性に優れたPBN容器を得ることができる。
そして、前記PBN容器を、電子ビーム蒸着用PBNハースライナとすることができる(請求項7)。
本発明の製造方法により製造したPBN容器は、上述のように耐久性に優れたものであるので、これを、電子ビーム蒸着用PBNハースライナとして用いることで、長時間にわたり、安定して、大面積で均一な高純度金属膜を製膜することができる。また破損しにくく長寿命のため、交換にかかる装置の稼働率を低下させることなく、コスト低減の効果もある。
また、本発明のPBN容器の製造方法では、前記導電性膜を、PG(パイロリティックグラファイト)とするのが好ましい(請求項8)。
このように、導電性膜をPGとすれば、充填材料を汚染する恐れも少ないし、また、チャージアップを確実に防止できる。
また、本発明のPBN容器の製造方法では、前記本体の層断面と、該層断面に接する内壁面とのなす角度を20度〜80度とするのが好ましい(請求項9)。
このように、層断面と、該層断面に接する内壁面とのなす角度を、20度〜80度とすれば、容器の外に充填材料が漏れるのを効果的に防止できる。
また、本発明のPBN容器の製造方法では、前記容器の開口部に、折り返したリップ部を形成することができる(請求項10)。
このように、リップ部を設けた場合でも、層断面と壁面との角度を、80〜90度とすることで、残留応力が発生し難くなり、リップ部の破損防止に有効である。
以上説明したように、本発明によれば、PBNを積層して形成した本体の表面に、導電性膜を積層したPBN容器について、前記本体の層断面と該層断面に接する少なくとも1つの壁面とのなす角度を、20度〜80度とするので、使用中に残留応力が生じ難く、容器は破損し難い。このため、本発明により、耐久性に優れたPBN容器を提供することが可能である。
以下、本発明について説明する。
本発明者は、PBNを積層して形成した本体の表面に、導電性膜を積層したPBN容器について、その耐久性を向上させるべく鋭意検討を行った。
ここで、導電性膜としては、例えばPG(パイロリティックグラファイト、あるいは熱分解グラファイト)が挙げられる。この導電性膜として用いられるPGと、本体として用いられるPBNでは熱膨張率が大きく異なり、また、PBN自体も、面方向と厚さ方向で熱膨張率が大きく異なることが知られている。
以下にPBNとPGの熱膨張率を示す。
PG膨張率 2x10−6〔/℃〕
PBN面方向膨張率 3x10−6〔/℃〕
PBN厚さ方向膨張率 25x10−6〔/℃〕
このように熱膨張率が大きく異なると、次のような問題が生じる。すなわち、従来のように、本体の層断面(厚さ方向の断面)と該層断面に接する壁面のなす角が90度近辺であるPBN容器では、加熱後室温まで冷却したときに層断面の膨張率が大きいので、層断面部に大きな残留応力が発生し、数回の使用うちに、残留応力により、剥離が進み、また、溶融した蒸着材料が這い上がり、染み込むなどして、開口部において破損していた。そのため、PBN容器の寿命を短くする原因となっていた。
そこで、本発明者は、鋭意検討した結果、残留応力の発生を抑えるためには、本体の層断面をアングルカットし、層断面と該層断面に接する少なくとも1つの壁面とのなす角度が20〜80度となるようにして、見かけ上の層断面の線膨張係数が25x10−6〔/℃〕より小さくなるようにすれば良いことに想到し、本発明を完成させた。
すなわち、本発明のPBN容器は、PBN(パイロリティック窒化ボロン)を積層して形成した本体の表面に、導電性膜を積層した容器であって、少なくとも、該本体の層断面と該層断面に接する少なくとも1つの壁面とのなす角度が、20度〜80度であることを特徴とする。
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
図1に、本発明の電子ビーム蒸着用ハースライナの一例を示す。図1(a)は、斜視図であり、図1(b)は断面図である。
図1に示したハースライナ10は、PBNを積層して形成した本体11の表面に、導電性膜12を積層した容器である。そして、本体11の層断面13を、アングルカットし、層断面13に接する内壁面14及び外壁面15のうち、内壁面14と層断面13のなす角度θが、20度〜80度になるようにしている。この場合、導電性膜12を被覆した容器の内壁面16と上端面17とのなす角度も、実質上θと同じ20〜80度となる。
このように、本体の層断面13と内壁面14のなす角度θが、20度〜80度であれば、層断面13において、PBNのみかけ上の熱膨張率が小さくなり、容器の加熱及び冷却を繰り返しても、層断面部に残留応力が生じ難く、長時間にわたり、容器は破損しない。そのため、耐久性に優れた容器となる。このため、この電子ビーム蒸着用ハースライナを用いて、電子ビーム蒸着を行えば、長時間に渡って、安定した膜成長ができるし、また破損しにくく長寿命のため、交換にかかる装置の稼働率低下することなく、コスト低減の効果がある。
この場合、本体の層断面13と内壁面14のなす角度θ(容器の内壁面16と上端面17とのなす角度)を50度以下とすることで、応力の発生をより確実に抑えることができる。一方、本体の層断面13と内壁面14のなす角度θを40度以上とすることにより、アングルカット後の容器の機械的強度をより十分に保つことができる。そのため、より好ましくは、本体の層断面13と内壁面14のなす角度θを、40度以上50度以下とするのが良い。
図1の例では、本体の層断面13と内壁面14とのなす角度θを、20度〜80度としているが、これとは逆に、本体の層断面13と外壁面15とのなす角度を、20度〜80度としても、破損等を防止するには、同様な効果を得ることが出来る。ただし、層断面と、該層断面に接する内壁面とのなす角度を、20度〜80度とした方が、充填材料が内壁面を這い上がり難くなり、容器の外に充填材料が漏れるのをより効果的に防止することができる。
また、図2に示すように、層断面の途中からより急になるように角度を変えても良いし、あるいは、逆方向に角度を変えても良い。この場合にも、角度を変えた後の層断面と壁面とのなす角度θ’を、20度〜80度とするのが良い。
この他、図3に示すように、容器の開口部に、折り返したリップ部30があるものとして良い。この場合でも、層断面33と該層断面33に接する壁面34とのなす角度θが、20度〜80度であれば良い。勿論、これとは逆に、反対側の壁面35と層断面33とのなす角度を20度〜80度としても良い。
次に、本発明のPBN容器に用いる導電性膜としては、PG(パイロリティックグラファイト)を用いるのが良い。PGは、PBNと同様、CVD法等で高純度のものを容易に製膜することができるし、溶融金属などの充填材料とも反応し難い。また、PGは、導電性にも優れている。このため、PBN容器の導電性膜として用いるのに最適である。
このような本発明のPBN容器は、例えば、以下のように製造することができる(図4)。
先ず、所望の形状の容器が得られるように成形された耐熱性基材41を用意し、該耐熱性基材41上に、CVD法などにより、PBNを蒸着させてPBN層40を積層する。そして、蒸着反応終了後、室温まで冷却して炉から取り出す(図4(a))。
この冷却の際、耐熱性基材41とPBN層40は、それぞれ熱膨張係数の違いから両者の間に隙間を生じる。この隙間を利用して、PBN層40を耐熱性基材41から引き抜いて分離することができる。そして、引き抜いたPBN層40を適当な高さにカットし、本体42を得る(図4(b))。
次に、本体42の層断面を、層断面と内壁面とのなす角度を、20度〜80度となるように機械加工する((図4(c)))。もちろん、これとは逆に、本体の層断面と外壁面とのなす角度を、20度〜80度となるように加工してもよい。
そして、層断面を加工後、本体42を再びCVD炉の中に設置し、本体42の表面に導電性膜43を被覆する(図4(d))。導電性膜43として、PGを被覆する場合には、CVD炉内に、炭化水素、塩化炭素などのカーボン源となるガスを導入すれば良い。
尚、上記では、本発明のPBN容器を、電子ビーム蒸着用ハースライナとして用いる場合を例に挙げて説明したが、MBE(分子線エピタキシー)用容器、金属溶融用容器、分析用容器等、その他の容器として用いても良い。
以下、実施例及び比較例を示して本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
(実施例1)
50mmの円柱上カーボン型41をCVD炉内に設置し、温度を1900℃に保ち、窒素源としてアンモニア、ホウ素源となる原料ガスとして三塩化ホウ素をそれぞれ3L/分、1L/分で導入し1mm厚のPBN層40を積層した(図4(a))。そして、冷却後、カーボン型41より蒸着されたPBN層40を抜き取り、25mm高さにカットし、本体42を作製した(図4(b))。
そして、この作製した本体42の層断面を加工研磨し、層断面と該層断面に接する内壁面とのなす角度が、70度となるようにした(図4(c))。加工研磨後、本体42を再びCVD炉の中に設置し、2000℃に保ちカーボン源となるプロパンガスを3L/分で導入し、本体42の表面に厚さ10ミクロンのPG層43を積層した(図4(d))。
このようにして作製したPBNハースライナ44を、実際に、電子ビーム蒸着で用いた。すなわち、アルミニウム10gをPBNハースライナに充填し、電子ビームをスイープしながら照射し基板上にアルミニウム薄膜の成膜を行った。PBNハースライナに充填したアルミニウムが半分になったところで再度アルミニウムを充填し、再度アルミニウム薄膜の製膜に用いた。これを繰り返し、使用回数が55回に至った時に、容器の上端面よりアルミニウムの染み込みが見られた。
(実施例2)
本体の層断面を加工研磨し、層断面と該層断面に接する内壁面とのなす角度が、50度となるようにしたことを除いて、実施例1と同様にPBNハースライナを作製した。
このようにして作製したPBNハースライナを、実際に、電子ビーム蒸着で用いた。すなわち、アルミニウム10gをPBNハースライナに充填し、電子ビームをスイープしながら照射し基板上にアルミニウム薄膜の成膜を行った。PBNハースライナに充填したアルミニウムが半分になったところで再度アルミニウムを充填し、再度アルミニウム薄膜の製膜に用いた。これを繰り返し、使用回数が86回に至った時に、容器の上端面よりアルミニウムの染み込みが見られた。
(実施例3)
本体の層断面を加工研磨し、層断面と該層断面に接する内壁面とのなす角度が、30度となるようにしたことを除いて、実施例1と同様にPBNハースライナを作製した。
このようにして作製したPBNハースライナを、実際に、電子ビーム蒸着で用いた。すなわち、アルミニウム10gをPBNハースライナに充填し、電子ビームをスイープしながら照射し基板上にアルミニウム薄膜の成膜を行った。PBNハースライナに充填したアルミニウムが半分になったところで再度アルミニウムを充填し、再度アルミニウム薄膜の製膜に用いた。これを繰り返し、使用回数が73回に至った時に、容器の上端面よりアルミニウムの染み込みが見られた。
(実施例4)
本体の層断面を加工研磨し、層断面と該層断面に接する内壁面とのなす角度が、20度となるようにしたことを除いて、実施例1と同様にPBNハースライナを作製した。
このようにして作製したPBNハースライナを、実際に、電子ビーム蒸着で用いた。すなわち、アルミニウム10gをPBNハースライナに充填し、電子ビームをスイープしながら照射し基板上にアルミニウム薄膜の成膜を行った。PBNハースライナに充填したアルミニウムが半分になったところで再度アルミニウムを充填し、再度アルミニウム薄膜の製膜に用いた。これを繰り返し、使用回数が39回に至った時に、容器の上端面の一部が欠け、アルミニウムが容器の外に漏れた。
(実施例5)
本体の層断面を加工研磨し、層断面と該層断面に接する内壁面とのなす角度が、80度となるようにしたことを除いて、実施例1と同様にPBNハースライナを作製した。
このようにして作製したPBNハースライナを、実際に、電子ビーム蒸着で用いた。すなわち、アルミニウム10gをPBNハースライナに充填し、電子ビームをスイープしながら照射し基板上にアルミニウム薄膜の成膜を行った。PBNハースライナに充填したアルミニウムが半分になったところで再度アルミニウムを充填し、再度アルミニウム薄膜の製膜に用いた。これを繰り返し、使用回数が35回に至った時に、容器の上端面よりアルミニウムの染み込みが見られた。
(比較例1)
本体の層断面を加工研磨し、層断面と該層断面に接する内壁面とのなす角度が、10度となるようにしたことを除いて、実施例1と同様にPBNハースライナを作製した。
このようにして作製したPBNハースライナを、実際に、電子ビーム蒸着で用いた。すなわち、アルミニウム10gをPBNハースライナに充填し、電子ビームをスイープしながら照射し基板上にアルミニウム薄膜の成膜を行った。PBNハースライナに充填したアルミニウムが半分になったところで再度アルミニウムを充填し、再度アルミニウム薄膜の製膜に用いた。これを繰り返し、使用回数が5回に至った時に、容器の上端面の一部が欠け、アルミニウムが容器の外に漏れた。
(比較例2)
本体の層断面を加工研磨しなかったことを除いて、実施例1と同様にPBNハースライナを作製した。尚、層断面と該層断面に接する内壁面とのなす角度は、90度であった。
このようにして作製したPBNハースライナを、実際に、電子ビーム蒸着で用いた。すなわち、アルミニウム10gをPBNハースライナに充填し、電子ビームをスイープしながら照射し基板上にアルミニウム薄膜の成膜を行った。PBNハースライナに充填したアルミニウムが半分になったところで再度アルミニウムを充填し、再度アルミニウム薄膜の製膜に用いた。これを繰り返し、使用回数が11回に至った時に、容器の上端面よりアルミニウムの染み込が見られた。
実施例1〜5、比較例1,2の結果を以下の表1にまとめた。
Figure 2006104554
表1から、実施例1〜5のPBNハースライナは、35回以上使用することができ、耐久性に優れるものであることが判る。中でも、層断面と該層断面に接する内壁面とのなす角度が50度である実施例3のPBNハースライナは、極めて耐久性に優れている。これに対して、層断面と該層断面に接する内壁面とのなす角度が90度である従来のPBNハースライナは、11回しか使用できず、耐久性に劣る。さらに、層断面と該層断面に接する内壁面とのなす角度が10度となるように加工した場合にも、5回しか使用できず、研削しすぎた場合にも耐久性が落ちることがわかる。
尚、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
本発明の電子ビーム蒸着用ハースライナの一例を示す概略図である。(a)斜視図、(b)断面図。 本発明の電子ビーム蒸着用ハースライナの別の例を示す概略断面図である。 本発明の電子ビーム蒸着用ハースライナのさらに別の例を示す概略断面図である。 本発明のPBN容器の製造方法を示す説明図である。 電子ビーム蒸着用ハースライナとハースの一例を示す概略断面図である。
符号の説明
10、44、50…ハースライナ、 11、42…本体、
12、43…導電性膜(PG層)、 13、33…層断面、
14…内壁面、 15…外壁面、 16…内壁面、 17…上端面、
30…リップ部、 34、35…壁面、
40…PBN層、 41耐熱性基材(カーボン型)、 42…本体、
51…ハース、 52…冷却水、 53…蒸着材料。

Claims (10)

  1. PBN(パイロリティック窒化ボロン)を積層して形成した本体の表面に、導電性膜を積層した容器であって、少なくとも、前記本体の層断面と該層断面に接する少なくとも1つの壁面とのなす角度が、20度〜80度であることを特徴とするPBN容器。
  2. 前記PBN容器が、電子ビーム蒸着用PBNハースライナであることを特徴とする請求項1に記載のPBN容器。
  3. 前記導電性膜が、PG(パイロリティックグラファイト)であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のPBN容器。
  4. 前記本体の層断面と、該層断面に接する内壁面とのなす角度が、20度〜80度であることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載のPBN容器。
  5. 前記容器の開口部に、折り返したリップ部があることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載のPBN容器。
  6. PBN(パイロリティック窒化ボロン)容器を製造する方法であって、少なくとも、PBNを積層して本体を形成し、該形成した本体の層断面を、該層断面に接する少なくとも1つの壁面とのなす角度が20度〜80度となるように加工し、該加工した本体の表面に、導電性膜を被覆することを特徴とするPBN容器の製造方法。
  7. 前記PBN容器を、電子ビーム蒸着用PBNハースライナとすることを特徴とする請求項6に記載のPBN容器の製造方法。
  8. 前記導電性膜を、PG(パイロリティックグラファイト)とすることを特徴とする請求項6又は請求項7に記載のPBN容器の製造方法。
  9. 前記本体の層断面と、該層断面に接する内壁面とのなす角度を20度〜80度とすることを特徴とする請求項6乃至請求項8のいずれか1項に記載のPBN容器の製造方法。
  10. 前記容器の開口部に、折り返したリップ部を形成することを特徴とする請求項6乃至請求項8のいずれか1項に記載のPBN容器の製造方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015107888A (ja) * 2013-12-04 2015-06-11 信越化学工業株式会社 炭素繊維強化炭素複合材

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013002334A1 (ja) * 2011-06-30 2013-01-03 モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社 トレーサビリティが表示された製品および製品のトレーサビリティを表示する方法
JP2013036061A (ja) * 2011-08-04 2013-02-21 Ulvac Techno Ltd ハースライナ、電子ビーム加熱源及び電子ビーム蒸着装置
CN106893981B (zh) * 2017-03-30 2019-01-25 南京大学 一种用于提高蒸发束流稳定性的坩埚和具有该坩埚的源炉

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62153190A (ja) * 1985-12-24 1987-07-08 Kyocera Corp 窒化ホウ素被覆ルツボ
JPH04325685A (ja) * 1991-04-24 1992-11-16 Shin Etsu Chem Co Ltd 薄膜の製造方法
JPH0722314A (ja) * 1993-06-29 1995-01-24 Shin Etsu Chem Co Ltd 分子線エピタキシー用分子線源ルツボ
JPH07172963A (ja) * 1993-12-22 1995-07-11 Shin Etsu Chem Co Ltd 熱分解窒化ホウ素被覆複層成形体及びその製造方法
JPH0959767A (ja) * 1995-08-24 1997-03-04 Shincron:Kk Pbnハースライナを用いた合金の成膜方法
JPH0959766A (ja) * 1995-08-24 1997-03-04 Shincron:Kk 電子ビーム蒸着用pbnハースライナおよびpbnハースライナを用いた金属の成膜方法
JP2004197116A (ja) * 2002-12-16 2004-07-15 Ge Speciality Materials Japan Kk 電子ビーム蒸着用ハースライナー

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5322859U (ja) * 1976-08-03 1978-02-25
US4230674A (en) * 1976-12-27 1980-10-28 Mobil Tyco Solar Energy Corporation Crucible-die assemblies for growing crystalline bodies of selected shapes
US5114528A (en) * 1990-08-07 1992-05-19 Wisconsin Alumni Research Foundation Edge-defined contact heater apparatus and method for floating zone crystal growth
DE4242652A1 (de) * 1992-12-17 1994-06-23 Leybold Ag Tiegel für Bedampfungsanlagen

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62153190A (ja) * 1985-12-24 1987-07-08 Kyocera Corp 窒化ホウ素被覆ルツボ
JPH04325685A (ja) * 1991-04-24 1992-11-16 Shin Etsu Chem Co Ltd 薄膜の製造方法
JPH0722314A (ja) * 1993-06-29 1995-01-24 Shin Etsu Chem Co Ltd 分子線エピタキシー用分子線源ルツボ
JPH07172963A (ja) * 1993-12-22 1995-07-11 Shin Etsu Chem Co Ltd 熱分解窒化ホウ素被覆複層成形体及びその製造方法
JPH0959767A (ja) * 1995-08-24 1997-03-04 Shincron:Kk Pbnハースライナを用いた合金の成膜方法
JPH0959766A (ja) * 1995-08-24 1997-03-04 Shincron:Kk 電子ビーム蒸着用pbnハースライナおよびpbnハースライナを用いた金属の成膜方法
JP2004197116A (ja) * 2002-12-16 2004-07-15 Ge Speciality Materials Japan Kk 電子ビーム蒸着用ハースライナー

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015107888A (ja) * 2013-12-04 2015-06-11 信越化学工業株式会社 炭素繊維強化炭素複合材

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