JPH0959766A - 電子ビーム蒸着用pbnハースライナおよびpbnハースライナを用いた金属の成膜方法 - Google Patents
電子ビーム蒸着用pbnハースライナおよびpbnハースライナを用いた金属の成膜方法Info
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- JPH0959766A JPH0959766A JP23929595A JP23929595A JPH0959766A JP H0959766 A JPH0959766 A JP H0959766A JP 23929595 A JP23929595 A JP 23929595A JP 23929595 A JP23929595 A JP 23929595A JP H0959766 A JPH0959766 A JP H0959766A
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Abstract
属膜を均一に成膜する。 【解決手段】 PBN(パイロリティック窒化ボロン)
からなるライナ本体の表面を導電膜で被覆したハースラ
イナ21を用いて金属を電子ビーム蒸着する。
Description
いられるハースライナおよびこれを用いた金属の成膜方
法に関する。
成する成膜方式としては、電子ビームを蒸着材料に照射
して加熱し、これを蒸発させる電子ビーム蒸着が汎く用
いられている(「薄膜工学ハンドブック」オーム社発
行,p101〜p105,昭和58年12月10日発
行)。電子ビーム蒸着の蒸発源として用いられる電子銃
は、一般には水冷された銅製のハース(るつぼ)を複数
個具えており、ハース内に直接蒸着材料を充填し、必要
に応じてハースを回転させて使用ハースを変更しなが
ら、電子ビームを蒸着材料に直接照射して蒸着すること
ができる。しかし一方において、直接ハース内に蒸着材
料を充填するのではなく、ハース内に収納されるハース
ライナと呼ばれる内容器を用い、このハースライナ内に
蒸着材料を充填して電子ビームを照射する場合が多い。
点が得られる。 (1) 蒸着材料に蒸発源の掃除をするとき、小部品で
あるハースライナを外部に取り出して掃除できるので、
掃除が容易である。 (2) 同一の電子銃で異なる蒸着材料を蒸着するとき
でも、ハースライナのみのを交換すればよく、これによ
り蒸着時の汚染を十分に防止できる。
ライナなどが知られている。しかしながら、Cハースラ
イナ等の従来の素材で作成されたハースライナでは、非
反応性に乏しく、例えばCハースライナを用いてアルミ
ニウムを電子ビーム蒸着すると、炭素とアルミニウムが
反応して炭化アルミニウム(Al4C3)を生じ、得られ
るアルミニウム薄膜の結晶性、純度を低下させる。
電子ビームを照射させると、ハースライナ内の蒸着物質
の全てが溶融するのではなく、電子ビームが照射された
極く近傍しか溶融しないため基板上に形成される成膜の
膜厚分布が取りにくいという問題があった。そのため、
再現性に限界があり、また、大面積基板への均一膜厚の
薄膜形成が困難であった。さらに、アルミニウムのよう
に濡れる物質を電子ビーム蒸着すると、アルミニウムが
ハースライナ内壁に沿って這上り、溶融状態の視察を困
難にしたり、溶け跡の状態が悪いという問題もあった。
蒸着により高純度の金属を成膜することが可能なハース
ライナを提供することを目的とする。本発明は、また、
上記ハースライナを用いて金属の成膜における問題点を
解決することを目的とする。
用PBNハースライナは、PBNからなるハースライナ
本体の表面を導電性膜で被覆したことを特徴とする。上
記PBNハースライナを用いると、電子ビーム蒸着によ
り、大面積に高純度の金属を均一に成膜することができ
る。
イナ21をハース11内に配設した状態で示す実施例で
あり、図2は、このPBNハースライナ21の拡大断面
図である。冷却水13で冷却された銅製のハース11内
にPBNハースライナ21が収納されている。PBNハ
ースライナ21は、PBNからなるPBNライナ本体2
3に導電性膜25が被覆されており、その底部がハース
11に接触して冷却水13により冷却されている。
Nitride:パイロリティック窒化ボロン)は、
CVD(Chemical Vapour Depos
ition:化学的気相成長法)を利用した熱分解法に
より製造できる。PBNは絶縁性である。PBNハース
ライナ21の表面には導電性膜25が施されており、こ
のPBNハースライナ21には、蒸着材料としてのAl
等の金属31が充填されている。電子銃から電子ビーム
を金属31の表面に照射して電子を投入すると、導電性
膜25を通してPBNライナ本体23に電流が流れ、P
BNライナ本体23自体が赤熱し、内部の金属31が蒸
発可能な温度になる。このとき、PBNハースライナ2
3内の金属は全体的に溶融しており、液面全体から金属
31が蒸発し、広い面積にわたって膜厚分布を得ること
ができる。すなわち、大面積の基板に対して均一に成膜
することができる。また、同一の面積の基板について従
来のハースライナと比較すれば、再現性がより良好とな
る。
BNライナ本体23に直接金属31を充填して電子ビー
ムを照射したとすると、PBNライナ本体23自体は絶
縁体であるため電子の逃げ場がなく、チャージアップを
起こす。そこで本発明では、PBNライナ本体23を導
電性膜25で被覆し、チャージアップを防止した。電子
は、導電性膜25を通ってハース11からリークするこ
とができる。
くく、結晶性の良い高純度の金属を成膜することができ
る。導電性膜25の材料、形成方法は問わないが、PB
Nの特性を生かす意味から溶融金属と反応しにくいもの
が好ましい。このような導電性膜25の代表例として
は、PG膜がある。ここでPG膜とはpyrolyti
c Graphite(ピロリティック グラファイ
ト)を指し、PBNと同様の手法で製造できる。PBN
は熱分解法を利用して作成されるため、PBNライナ本
体23は、微視的に見ると図4に示すような一種の積層
膜構造を有し、積層膜の面方向と厚さ方向とでは異方性
を有する。
導が大きく、PBNハースライナ21の温度分布が均一
となる。一方、厚さ方向の熱伝導度は面方向に比べてか
なり小さく保温性に優れ、小さな電子ビームパワーで効
率的に蒸着を行なうことができる。また、Alのように
漏れやすい金属でも、PBNハースライナ21の内壁面
を這上ることがなく、溶融状態の視察の障害となった
り、蒸着処理後にも掃除の面倒などがない。
あるが故の問題点もある。図3に示すように、容器状の
PBNライナ本体23の開口部端面23aでは、積層構
造の末端が露出しており、層間から異物が浸入してPB
Nの積層構造が損傷を受けやすい。図1,2の本発明の
実施例では、この開口部端面23aを導電性膜25で被
覆保護し、上記損傷を防止している。
実施例を示す断面図であり、導電性膜25の形成位置が
異なるだけである。導電性膜25′は、容器状のPBN
ライナ本体23の開口部端面23aを被覆して保護して
いる。電子ビームにより金属31に電子が投入される
と、図1、図2の実施例のようにシース11にリークす
ることはできないが、導電子膜25′が存在することに
より、反射電子、2次電子、熱電子などの形でリーク
し、金属31に電子が蓄積してチャージアップを起こす
ことがない。
用いることにより以下の作用効果が得られる。 (1) 液面全面から金属が蒸発するので、広い面積に
わたって膜厚分布を得ることができ、再現性の改善、大
面積基板に対する均一成膜が可能となる。 (2) 溶融金属との反応性が低いため、高純度の金属
膜を成膜することができる。 (3) 面方向と厚さ方向で異方性を有するため、保温
性に優れ、小さな電子ビームパワーで蒸着でき、Alの
ように濡れやすい金属でも這上りがない。
内にセットした状態を示す断面図である。
模式説明図である。
す断面図である。
Nitride:パイロリティック窒化ボロン)は、
CVD(Chemical Vapour Depos
ition:化学的気相成長法)を利用した熱分解法に
より製造できる。PBNは絶縁性である。PBNハース
ライナ21の表面には導電性膜25が施されており、こ
のPBNハースライナ21には、蒸着材料としてのAl
等の金属31が充填されている。電子銃から電子ビーム
を金属31の表面に照射して電子を投入すると、導電性
膜25を通してPBNライナ21に電流が流れ、PBN
ライナ21自体が赤熱し、内部の金属31が蒸発可能な
温度になる。このとき、PBNハースライナ21内の金
属は全体的に溶融しており、液面全体から金属31が蒸
発し、広い面積にわたって膜厚分布を得ることができ
る。すなわち、大面積の基板に対して均一に成膜するこ
とができる。また、同一の面積の基板について従来のハ
ースライナと比較すれば、再現性がより良好となる。
くく、結晶性の良い高純度の金属を成膜することができ
る。導電性膜25の材料、形成方法は問わないが、PB
Nの特性を生かす意味から溶融金属と反応しにくいもの
が好ましい。このような導電性膜25の代表例として
は、PG膜がある。ここでPG膜とはpyrolyti
c Graphite(パイロリティック グラファイ
ト)を指し、PBNと同様の手法で製造できる。PBN
は熱分解法を利用して作成されるため、PBNライナ本
体23は、微視的に見ると図3に示すような一種の積層
膜構造を有し、積層膜の面方向と厚さ方向とでは異方性
を有する。
実施例を示す断面図であり、導電性膜25の形成位置が
異なるだけである。導電性膜25′は、容器状のPBN
ライナ本体23の開口部端面23aを被覆して保護して
いる。電子ビームにより金属31に電子が投入される
と、図1、図2の実施例のようにハース11にリークす
ることはできないが、導電性膜25′が存在することに
より、反射電子、2次電子、熱電子などの形でリーク
し、金属31に電子が蓄積してチャージアップを起こす
ことがない。
Claims (2)
- 【請求項1】 PBNからなるハースライナ本体の表面
を導電性膜で被覆したことを特徴とする電子ビーム蒸着
用PBNハースライナ。 - 【請求項2】 PBNからなるハースライナ本体の表面
を導電性膜で被覆した電子ビーム蒸着用PBNハースラ
イナ内に金属を収納し、該ハースライナ内に電子ビーム
を照射して蒸着し金属を成膜することを特徴とする金属
の成膜方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23929595A JP3783789B2 (ja) | 1995-08-24 | 1995-08-24 | 電子ビーム蒸着用pbnハースライナおよびpbnハースライナを用いた金属の成膜方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23929595A JP3783789B2 (ja) | 1995-08-24 | 1995-08-24 | 電子ビーム蒸着用pbnハースライナおよびpbnハースライナを用いた金属の成膜方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0959766A true JPH0959766A (ja) | 1997-03-04 |
JP3783789B2 JP3783789B2 (ja) | 2006-06-07 |
Family
ID=17042613
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23929595A Expired - Lifetime JP3783789B2 (ja) | 1995-08-24 | 1995-08-24 | 電子ビーム蒸着用pbnハースライナおよびpbnハースライナを用いた金属の成膜方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3783789B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006104554A (ja) * | 2004-10-08 | 2006-04-20 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Pbn容器及びpbn容器の製造方法 |
WO2013002334A1 (ja) | 2011-06-30 | 2013-01-03 | モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社 | トレーサビリティが表示された製品および製品のトレーサビリティを表示する方法 |
JP2013011000A (ja) * | 2011-06-30 | 2013-01-17 | Momentive Performance Materials Inc | トレーサビリティが表示されたpgコート製品およびその製造方法 |
-
1995
- 1995-08-24 JP JP23929595A patent/JP3783789B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006104554A (ja) * | 2004-10-08 | 2006-04-20 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Pbn容器及びpbn容器の製造方法 |
US7682451B2 (en) | 2004-10-08 | 2010-03-23 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | PBN container and method for producing PBN container |
JP4607535B2 (ja) * | 2004-10-08 | 2011-01-05 | 信越化学工業株式会社 | Pbn容器及びpbn容器の製造方法 |
WO2013002334A1 (ja) | 2011-06-30 | 2013-01-03 | モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社 | トレーサビリティが表示された製品および製品のトレーサビリティを表示する方法 |
JP2013011000A (ja) * | 2011-06-30 | 2013-01-17 | Momentive Performance Materials Inc | トレーサビリティが表示されたpgコート製品およびその製造方法 |
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