JP3169278B2 - 薄膜形成方法及び薄膜形成装置 - Google Patents

薄膜形成方法及び薄膜形成装置

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晋一 井上
健一郎 山西
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、薄膜形成方法及び薄
膜形成装置に関し、例えばクラスタイオンビーム法等に
より蒸着形成される酸化物薄膜の特性向上に関するもの
である。
【0002】
【従来の技術】図2は例えば特開平1−290758号
公報に示された従来の酸化物薄膜形成方法のための薄膜
形成装置を示す構成図、図3は図2の装置における膜蒸
着動作を示す一部斜視図であり、多元のクラスタイオン
ビーム法(ICB法)によりY−Ba−Cu−O系高温
超電導薄膜を形成する場合を示している。ここで、IC
B法とは、蒸発材料のクラスタ(塊状原子集団)をイオ
ン化した後、基板へ向けて加速することによって、基板
上に薄膜を形成するものである。
【0003】図において、1はポンプ1aにより排気さ
れる真空槽、2は真空槽1内に保持されている基板、3
は真空槽1内の基板2の背部に設けられ基板2を加熱す
るための基板加熱ヒータである。
【0004】4は真空槽1内に3個設けられ蒸発材料5
であるイットリウム(Y),バリウム(Ba)及び銅
(Cu)を充填し加熱するための坩堝であり、各坩堝4
の基板2に対向する面には、ノズル4aが設けられてい
る。また、坩堝4は、高融点金属又はグラファイト等で
製作されている。6は各坩堝4の外周に設けられ坩堝4
を加熱する加熱用フィラメント、7はノズル4aから噴
出した蒸発材料5の蒸気が断熱膨張を起こすことにより
形成されたクラスタである。8はクラスタ7をイオン化
するための電子を放出するイオン化用フィラメント、9
はクラスタイオンを加速するための加速電極である。
【0005】10a,10b,10cはそれぞれ坩堝
4,加熱用フィラメント6,イオン化用フィラメント8
及び加速電極9等を有する蒸発源であるクラスタイオン
ビーム源、11は各蒸発材料5の基板2への蒸着速度を
モニタするための蒸着速度モニタ、12は真空槽1外に
設けられている高気圧放電を用いたオゾン発生源、13
はオゾン発生源12からのオゾンを基板2上へ照射する
ためのオゾン導入機構である。
【0006】次に、動作について説明する。まず、真空
槽1内を到達真空圧力1×10-5Torr以下に保持す
るとともに、真空槽1内の坩堝4内には、それぞれ蒸発
材料5である金属、即ちイットリウム(Y),バリウム
(Ba)及び銅(Cu)を入れておく。そして、100
0〜2500℃程度に加熱された加熱用フィラメント6
からの輻射熱又は放射電子のエネルギーによって、坩堝
4を900〜2000℃程度に加熱する。加熱された蒸
発材料5であるイットリウム,バリウム及び銅は、蒸気
化し、坩堝4内で0.1〜10Torr程度の圧力の蒸
気となる。
【0007】このような蒸気は、坩堝4のノズル4aか
ら真空槽1内に基板2の方向へ向けて噴射される。この
とき、各蒸発材料5の蒸気は、断熱膨張によってクラス
タ7となる。このようにして生成された各蒸発材料5の
クラスタ7に、イオン化用フィラメント8から放出され
る電子を照射することにより、クラスタ7の一部がイオ
ン化しクラスタイオン7aとなる。
【0008】このクラスタイオン7aは、加速電極9に
よって10kV以下のエネルギーで加速され、イオン化
されていない中性のクラスタ7とともに基板2上に到達
し蒸着する。各蒸発材料5の蒸着速度は、各材料毎に設
けられた蒸着速度モニタ11により計測される。このと
き、オゾン発生源12から発生したオゾンは、オゾン導
入機構13により真空槽1内に導入され、基板2上に直
接噴射されるため、真空槽1内の基板2の近傍は、高濃
度のオゾン雰囲気となる。
【0009】さらに、基板加熱ヒータ3により基板2を
150〜900℃の温度としておくことにより、オゾン
が基板2上で酸素原子と酸素分子とに分解される。酸素
原子は、酸素分子と比較した場合は言うまでもなく、オ
ゾンと比べても反応活性である。これら酸素原子,オゾ
ン及び酸素分子が反応を起こすことにより、ペロプスカ
イト構造を有するYBa2Cu37-Xの高温超電導薄膜
が基板2上に形成される。なお、オゾンを導入した場
合、基板2周辺の圧力は高く保たれるが、坩堝4周辺は
4×10-4Torr以下の低い圧力に保たれる。
【0010】以上は、蒸着中、蒸着後ともオゾンを用い
てYBa2Cu37-Xの薄膜を蒸着形成する場合の例で
あり、反応ガスとしてオゾンの代わりに酸素ガス
(O2)のみを用いることも、膜特性は劣化するが可能
である。しかし、原子状酸素(O)は寿命が短い(0.
001秒以下)ので、オゾンや酸素分子に代えて原子状
酸素を導入して膜形成することはできない。そこで、蒸
着中、蒸着後とも原子状酸素を用いる場合には、図4の
ような装置を使用する。
【0011】図4は例えば特開平1−139758号公
報に示された他の従来の薄膜形成装置を示す構成図であ
り、クラスタイオンビーム源を複数個用いる(図では省
略して1個のみ示す。)多元のクラスタイオンビーム法
によりY−Ba−Cu−O系高温超電導薄膜を形成する
場合を示している。
【0012】図において、21は真空槽1外に設けられ
酸素ガスが充満されているガスボンベ、22は酸素ガス
を真空槽1内に導入するためのリークバルブ、23は真
空槽1内に設けられているとともにリークバルブ22を
介してガスボンベ21に接続されている放電管であり、
この放電管23の基板2に対向する面には、ノズル23
aが設けられている。24a,24bは放電管23の外
周部に設けられた無声放電の放電電極である。25は放
電管23内の圧力を計測するピラニ真空計、26はガス
ボンベ21,リークバルブ22,放電管23,放電電極
24a,24b及びピラニ真空計25等を有する原子状
酸素発生源である。
【0013】次に、動作について説明する。ポンプ1a
により真空槽1内を10-6Torr台の真空度まで排気
する一方で、原子状酸素発生源26の放電管23内にガ
スボンベ21から酸素ガスを導入し、ピラニ真空計25
の計測により、放電管23内の圧力を1〜2Torrと
なるように調節する。この後、両放電電極24a,24
b間に高周波電圧を印加することにより、放電管23内
に無声放電を生じさせる。この放電により、酸素ガスが
解離し、原子状酸素(O)27が発生する。この原子状
酸素27は、ノズル23aを通じて基板2へ向けて噴射
される。
【0014】一方、基板2面に対して傾斜した坩堝4か
ら噴射される蒸発物質5のクラスタイオン7a及び中性
のクラスタ7を、図2の装置と同様に、基板2上に衝突
させる。これにより、基板2付近では、各蒸発物質5の
クラスタ7及びクラスタイオン7aと原子状酸素27と
の反応が進行する。この原子状酸素27は、化学的な活
性度が非常に高いことから、基板2上には膜密度が高
く、超電導特性が良好で、しかも上記特性が長期間持続
する酸化物超電導薄膜が形成される。
【0015】
【発明が解決しようとする課題】上記のように構成され
た従来の薄膜形成装置においては、例えばジョセフソン
素子を作成する場合など、低温成膜(基板温度500℃
以下)を行う場合、蒸着中には結晶化が、また蒸着後に
は酸化が、それぞれ十分に促進されなければならない
が、反応ガスとしてオゾンを用いた場合、原子状酸素に
比べて活性度が低いため、蒸着中の結晶化が十分に行わ
れず、また反応ガスとして原子状酸素を用いた場合に
は、図4の原子状酸素発生源26を基板2の近傍に設置
するのが技術上困難なため、基板2の近傍の酸素分圧が
低下して蒸着後の酸化が十分に行われないという問題点
があった。
【0016】この発明は、上記のような問題点を解決す
ることを課題としてなされたものであり、蒸着中に結晶
化を十分に促進できるとともに蒸着後の酸化を十分に促
進でき、これによってより低い基板温度で酸素含有量の
多い高品質,高特性を有する酸化物薄膜を形成すること
ができる薄膜形成方法及び薄膜形成装置を得ることを目
的とする。
【0017】
【課題を解決するための手段】請求項1の発明に係る薄
膜形成方法は、蒸着中には、原子状酸素発生源から基板
に向けて原子状酸素を吹き付け、蒸着後には、オゾン導
入機構により基板の近傍から基板に向けてオゾンを吹き
付けるようにしたものである。
【0018】請求項2の発明に係る薄膜形成装置は、基
板に向けて原子状酸素を吹き付ける原子状酸素発生源
と、基板近傍から基板に向けてオゾンを吹き付けるオゾ
ン導入機構とを併設したものである。
【0019】請求項3の発明に係る薄膜形成装置は、蒸
発源として複数個のクラスタイオンビーム源を用い、か
つ基板に向けて原子状酸素を吹き付ける原子状酸素発生
源と、基板近傍から基板に向けてオゾンを吹き付けるオ
ゾン導入機構とを併設し、基板上に酸化物超電導薄膜を
形成するようにしたものである。
【0020】
【作用】この発明においては、蒸着中には、反応活性な
原子状酸素を吹き付けることにより結晶化を促進し、蒸
着後には、原子状酸素よりも寿命の長いオゾンを吹き付
け、基板近傍のオゾン分圧を高くすることにより、膜中
への酸素の取り込みを増大させて酸化を促進する。
【0021】
【実施例】以下、この発明の実施例を図について説明す
る。図1はこの発明の一実施例による薄膜形成装置を示
す構成図である。図1に示すように、この実施例の薄膜
形成装置は、図2の装置に図4の原子状酸素発生源26
をさらに組み込んだものである。
【0022】次に、動作について説明する。まず、各ク
ラスタイオンビーム源10a,10b,10cにより、
従来例と同様に、蒸発材料5であるイットリウム
(Y),バリウム(Ba)及び銅(Cu)のクラスタイ
オン7a及び中性のクラスタ7を基板2上に照射する。
これと同時に、この蒸着中、原子状酸素発生源26によ
り、原子状酸素27を基板2へ向けて照射する。この原
子状酸素27は、反応活性度が高いため、蒸着中の結晶
化が十分に促進される。
【0023】しかしながら、このままでは、先にも述べ
たように、基板2の近傍の酸素分圧が低下して蒸着後の
酸化が十分に行われない。そこで、この実施例では、蒸
着後に、先端部が基板2の近傍に位置するノズル管等の
オゾン導入機構13により、基板2へ向けてオゾン28
を照射する。このオゾン28は、原子状酸素27の寿命
(約0.001秒以下)より十分長い寿命を有している
ため、オゾン導入機構13内を搬送される間に消滅する
ようなことはない。
【0024】このように、基板2の近傍から基板2へ向
けてオゾン28を直接照射することにより、基板2の近
傍におけるオゾン分圧が、酸素が膜から解離する圧力よ
り十分高い圧力となる。この結果、膜中への酸素の取り
込みが増大し、蒸着後の酸化が十分に促進される。ここ
で、オゾン28の代わりに、さらに寿命の長い酸素(O
2)を導入した場合、反応活性度がオゾン28より低い
ため、酸化が十分に促進されない。
【0025】以上により、より低い基板温度(例えば5
00℃以下)で、結晶化及び酸化を十分に促進すること
ができ、酸素含有量の多い高品質,高特性を有する酸化
物薄膜、ここではYBa2Cu37-Xを基板2上に形成
することができ、この結果ジョセフソン素子を作成する
こともできる。
【0026】なお、上記実施例では蒸発源としてクラス
タイオンビーム源10a,10b,10cを用いた、即
ちICB装置にオゾン導入機構13と原子状酸素発生源
26とを併設したが、例えば真空蒸着装置,イオンビー
ムスパッタ装置又はレーザ蒸着装置等の他の薄膜形成装
置にオゾン導入機構13と原子状酸素発生源26とを併
設してもよく、蒸発源の個数も特に限定されるものでは
ない。
【0027】また、上記実施例ではYBa2Cu37-X
のY系高温超電導薄膜を形成する場合について説明した
が、例えばBi(ビスマス)系やTl(タリウム)系な
どの高温超電導薄膜であってもよい。さらに、上記実施
例では多元素酸化物であるY−Ba−Cu−O系の高温
超電導薄膜を形成する場合に適用した例を示したが、例
えばPZTやPLZTなど、他の多元素酸化物超電導薄
膜へも適用できる。
【0028】さらにまた、上記実施例ではYBa2Cu3
7-Xの単層膜形成について説明したが、例えばYBa2
Cu37-X/MgO/YBa2Cu37-Xなどの多層膜
形成にも適用できる。
【0029】
【発明の効果】以上説明したように、請求項1の発明の
薄膜形成方法は、蒸着中には、原子状酸素発生源から基
板に向けて原子状酸素を吹き付け、蒸着後には、オゾン
導入機構により基板の近傍から基板に向けてオゾンを吹
き付けるようにしたので、蒸着中に結晶化を十分に促進
できるとともに蒸着後の酸化を十分に促進でき、これに
よってより低い基板温度で酸素含有量の多い高品質,高
特性を有する酸化物薄膜を形成することができるという
効果を奏する。また、結晶化が十分に促進されるため、
結晶性の優れた薄膜を形成することができる。さらに、
蒸着中に原子状酸素を用いて良好な結晶性を有する薄膜
が形成され、蒸着後の酸化が容易になるため、蒸着後の
オゾンによる酸化促進の際の圧力が真空槽内の圧力と同
程度に低く済み、真空槽内に酸化のための密閉構造を別
に設ける必要がない。
【0030】また、請求項2の発明の薄膜形成装置は、
基板に向けて原子状酸素を吹き付ける原子状酸素発生源
と、基板近傍から基板に向けてオゾンを吹き付けるオゾ
ン導入機構とを併設したので、蒸着中には、原子状酸素
発生源から基板に向けて原子状酸素を吹き付け、蒸着後
には、オゾン導入機構により基板の近傍から基板に向け
てオゾンを吹き付けることができ、従って蒸着中に結晶
化を十分に促進できるとともに蒸着後の酸化を十分に促
進でき、これによってより低い基板温度で酸素含有量の
多い高品質,高特性を有する酸化物薄膜を形成すること
ができるという効果を奏する。また、結晶化が十分に促
進されるため、結晶性の優れた薄膜を形成することがで
きる。さらに、蒸着中に原子状酸素を用いて良好な結晶
性を有する薄膜が形成され、蒸着後の酸化が容易になる
ため、蒸着後のオゾンによる酸化促進の際の圧力が真空
槽内の圧力と同程度に低く済み、真空槽内に酸化のため
の密閉構造を別に設ける必要がない。
【0031】さらに、請求項3の発明の薄膜形成装置
は、蒸発源として複数個のクラスタイオンビーム源を用
い、かつ基板に向けて原子状酸素を吹き付ける原子状酸
素発生源と、基板近傍から基板に向けてオゾンを吹き付
けるオゾン導入機構とを併設し、基板上に酸化物超電導
薄膜を形成するようにしたので、蒸着中には、原子状酸
素発生源から基板に向けて原子状酸素を吹き付け、蒸着
後には、オゾン導入機構により基板の近傍から基板に向
けてオゾンを吹き付けることができ、従って蒸着中に結
晶化を十分に促進できるとともに蒸着後の酸化を十分に
促進でき、これによってより低い基板温度で酸素含有量
の多い高品質,高特性を有する酸化物超電導薄膜を形成
することができ、ジョセフソン素子を作成することもで
きるなどの効果を奏する。また、結晶化が十分に促進さ
れるため、結晶性の優れた薄膜を形成することができ
る。さらに、蒸着中に原子状酸素を用いて良好な結晶性
を有する薄膜が形成され、蒸着後の酸化が容易になるた
め、蒸着後のオゾンによる酸化促進の際の圧力が真空槽
内の圧力と同程度に低く済み、真空槽内に酸化のための
密閉構造を別に設ける必要がない。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施例による薄膜形成装置を示す
構成図である。
【図2】従来の薄膜形成装置の一例を示す構成図であ
る。
【図3】図2の装置における膜蒸着動作を示す一部斜視
図である
【図4】従来の薄膜形成装置の他の例を示す構成図であ
る。
【符号の説明】
1 真空槽 2 基板 3 基板加熱ヒータ 5 蒸発材料 7a クラスタイオン 10a クラスタイオンビーム源(蒸発源) 10b クラスタイオンビーム源(蒸発源) 10c クラスタイオンビーム源(蒸発源) 12 オゾン発生源 13 オゾン導入機構 26 原子状酸素発生源 27 原子状酸素 28 オゾン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田中 正明 尼崎市塚口本町8丁目1番1号 三菱電 機株式会社 生産技術研究所内 (56)参考文献 特開 平3−265506(JP,A) 特開 平1−139758(JP,A) 特開 平1−290758(JP,A) 特開 平2−11752(JP,A) 特開 平2−19455(JP,A) 特開 平1−235285(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) C30B 1/00 - 35/00 C01G 1/00 C01G 3/00 C23C 14/58

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 真空槽内で蒸発材料を酸化させて、上記
    真空槽内の基板上に酸化物薄膜を蒸着形成する薄膜形成
    方法において、蒸着中には、原子状酸素発生源から上記
    基板に向けて原子状酸素を吹き付け、蒸着後には、オゾ
    ン導入機構により上記基板の近傍から上記基板に向けて
    オゾンを吹き付けることを特徴とする薄膜形成方法。
  2. 【請求項2】 基板を収容する真空槽と、この真空槽内
    に設けられ上記基板に向けて蒸発材料の蒸気を照射する
    蒸発源と、上記基板に向けて原子状酸素を吹き付ける原
    子状酸素発生源と、基端部がオゾン発生源に接続され、
    かつ先端部が上記基板近傍に設けられ、上記基板に向け
    てオゾンを吹き付けるオゾン導入機構とを備えているこ
    とを特徴とする薄膜形成装置。
  3. 【請求項3】 基板を収容する真空槽と、上記基板を加
    熱する基板加熱ヒータと、それぞれ上記真空槽内に設け
    られ上記基板に向けて蒸発材料のクラスタイオンを照射
    する複数個のクラスタイオンビーム源と、上記基板に向
    けて原子状酸素を吹き付ける原子状酸素発生源と、基端
    部がオゾン発生源に接続され、かつ先端部が上記基板近
    傍に設けられ、上記基板に向けてオゾンを吹き付けるオ
    ゾン導入機構とを備え、上記基板上に酸化物超電導薄膜
    を形成することを特徴とする薄膜形成装置。
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