JPH0354102A - 酸化物超伝導薄膜の製造方法 - Google Patents
酸化物超伝導薄膜の製造方法Info
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- JPH0354102A JPH0354102A JP1188421A JP18842189A JPH0354102A JP H0354102 A JPH0354102 A JP H0354102A JP 1188421 A JP1188421 A JP 1188421A JP 18842189 A JP18842189 A JP 18842189A JP H0354102 A JPH0354102 A JP H0354102A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Oxygen, Ozone, And Oxides In General (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
し産業上の利用分野〕
本発明は酸化物超伝導薄膜の製造方法に関し、詳しくは
、エレクトロニクス分野（特に、ジョセフソン素子、Ｓ
ＱＵＩＤ、トランジスター、光センサ，スイッチ素子む
と）に有用な酸化物超伝導漣ｊ摸の製造方法に関する。
、エレクトロニクス分野（特に、ジョセフソン素子、Ｓ
ＱＵＩＤ、トランジスター、光センサ，スイッチ素子む
と）に有用な酸化物超伝導漣ｊ摸の製造方法に関する。
基板上に超伝導薄膜を形成する手段としては、蒸着法，
スパッタ法、ＣＶＤ法．ＩＣ，Ｂ法など多くが知られて
いる．しかし、これら従来の製造においては基板加熱温
度が高く、電気炉による高温の熱処理を要し、緻密でし
かもａｓ−ｇｒｏｗｎで臨界温度の高い膜作製が困難で
ある。
スパッタ法、ＣＶＤ法．ＩＣ，Ｂ法など多くが知られて
いる．しかし、これら従来の製造においては基板加熱温
度が高く、電気炉による高温の熱処理を要し、緻密でし
かもａｓ−ｇｒｏｗｎで臨界温度の高い膜作製が困難で
ある。
本発明の目的は上記のような欠点を解消し、低基板加熱
温度（５００℃以下）、ａｓ−ｇｒｏｗｎで臨界温度の
高い超伝導薄膜を形成する方法を提供するものである。
温度（５００℃以下）、ａｓ−ｇｒｏｗｎで臨界温度の
高い超伝導薄膜を形成する方法を提供するものである。
本発明の酸化物超伝導薄膜の製造方法は、酸素ガスが導
入される真空槽と，この真空槽内にあって蒸着物質を蒸
発させるための蒸発源と、前記真空槽に配置され基板を
前記蒸発源に対向するように保持させる対電極と、前記
の蒸発源と対電極との間に配備され蒸発物質を通過させ
うるグリッドと、このグリッドを前記対電極の電位に対
し正電位とする手段と、前記真空槽内において前記グリ
ッドより蒸発源側に配備される熱電子発生用フィラメン
トとを右する薄膜形成装置を用い、（イ）導入する酸素
ガスの圧力を２Ｘ１０−２〜１ ０Ｐａとし、（口）蒸
発物質として ａ ） Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−０系又はしｎ−Ｂａ−Ｃｕ−
０系超伝導体においては、複数の蒸発源を用いる場合は
ＹあるいはＬｎ系金属（但し、Ｌｎ系金属はＬａ． Ｃ
ｅ．Ｎｄ． Ｓｍ． Ｅｕ． Ｇｄ．Ｔｂ．Ｄｙ．Ｈｏ
、Ｅｒ． Ｔｍ． Ｙｂ．Ｌｕのいずれか１つである）
、Ｂａ， Ｃｕの各金屈を用い，１つの蒸発源を用いる
場合は所定の組或の焼結体を用い、 ｂ ） Ｂｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０系又はＴｌ−Ｂａ
−Ｃａ−Ｃｕ−０系超伝導体においては、複数の蒸発源
を用いる場合は構或元索の各金属単体又は合金を用い、
１つの蒸発源を用いる場合は所定の組成の焼結体を用い
、 （ハ）グリッド印加電圧を５０〜３００ｖの範囲とし、
（二）成股速度を１〜５０Å／ｓｅｃとし、及び（ホ）
基板加熱温度を７００℃以下 として前記いずれかの超伝導体の薄膜を製膜することを
特徴としている。
入される真空槽と，この真空槽内にあって蒸着物質を蒸
発させるための蒸発源と、前記真空槽に配置され基板を
前記蒸発源に対向するように保持させる対電極と、前記
の蒸発源と対電極との間に配備され蒸発物質を通過させ
うるグリッドと、このグリッドを前記対電極の電位に対
し正電位とする手段と、前記真空槽内において前記グリ
ッドより蒸発源側に配備される熱電子発生用フィラメン
トとを右する薄膜形成装置を用い、（イ）導入する酸素
ガスの圧力を２Ｘ１０−２〜１ ０Ｐａとし、（口）蒸
発物質として ａ ） Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−０系又はしｎ−Ｂａ−Ｃｕ−
０系超伝導体においては、複数の蒸発源を用いる場合は
ＹあるいはＬｎ系金属（但し、Ｌｎ系金属はＬａ． Ｃ
ｅ．Ｎｄ． Ｓｍ． Ｅｕ． Ｇｄ．Ｔｂ．Ｄｙ．Ｈｏ
、Ｅｒ． Ｔｍ． Ｙｂ．Ｌｕのいずれか１つである）
、Ｂａ， Ｃｕの各金屈を用い，１つの蒸発源を用いる
場合は所定の組或の焼結体を用い、 ｂ ） Ｂｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０系又はＴｌ−Ｂａ
−Ｃａ−Ｃｕ−０系超伝導体においては、複数の蒸発源
を用いる場合は構或元索の各金属単体又は合金を用い、
１つの蒸発源を用いる場合は所定の組成の焼結体を用い
、 （ハ）グリッド印加電圧を５０〜３００ｖの範囲とし、
（二）成股速度を１〜５０Å／ｓｅｃとし、及び（ホ）
基板加熱温度を７００℃以下 として前記いずれかの超伝導体の薄膜を製膜することを
特徴としている。
ちなみに、本発明者らは、本発明者らの一人である太田
が先に提案した薄膜形成装置（特開昭５９−８９７６３
号公報）を用い，ガス圧、グリッド印加電圧，或膜速度
などを規定すれば前記目的が十分達威しうろことを見出
した。本発明方法はこれによりなされたものである． なお、本発明の方法に幾分関連していると思われる従来
技術として反応性同時蒸着法がある．Ｙ系或いはＥｒ系
超伝導薄膜の場合には、Ｙ （Ｅｒ）、Ｂａ、Ｃｕ金属
の三元素を抵抗加熱と電子ビーム加熱により同時に蒸発
させ，酸素ガスを導入し高周波電界によりイオン化を行
ないながら作製する方法（Ｙ．Ｔｅｒａｓｈｉｍａ，
Ｋ． Ｉｉｊｉｍａ， Ｋ． Ｙａｍａｍｏｔｏ， Ｙ
， Ｂａｎｄｏａｎｄ Ｈ． Ｍａｚａｋｉ ： Ｊｐ
ｎ． Ｊ． Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ．， ２７（１９８
８）Ｌ９１）であり、また、Ｂｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−
０系超伝導薄膜製法としては， Ｂｉ． Ｓｒ−Ｃａ合
金、Ｃｕ金属を電子ビームにより加熱し同時蒸発させ酸
素ガスを導入しながら作製する方法（Ｔ． Ｙｏｓｈｉ
ｔａｋｅ， Ｔ． Ｓｕｔｏｈ， Ｙ．Ｋｕｂｏ， Ｔ
． Ｍａｎａｋｏ ａｎｄ Ｈ． Ｉｇａｒａｓｈｉ）
である。だが，この酸化物超伝導薄膜の製膜方法は大掛
かりな装置が必要なうえ、大面積の均一な膜を得るのが
困難である。
が先に提案した薄膜形成装置（特開昭５９−８９７６３
号公報）を用い，ガス圧、グリッド印加電圧，或膜速度
などを規定すれば前記目的が十分達威しうろことを見出
した。本発明方法はこれによりなされたものである． なお、本発明の方法に幾分関連していると思われる従来
技術として反応性同時蒸着法がある．Ｙ系或いはＥｒ系
超伝導薄膜の場合には、Ｙ （Ｅｒ）、Ｂａ、Ｃｕ金属
の三元素を抵抗加熱と電子ビーム加熱により同時に蒸発
させ，酸素ガスを導入し高周波電界によりイオン化を行
ないながら作製する方法（Ｙ．Ｔｅｒａｓｈｉｍａ，
Ｋ． Ｉｉｊｉｍａ， Ｋ． Ｙａｍａｍｏｔｏ， Ｙ
， Ｂａｎｄｏａｎｄ Ｈ． Ｍａｚａｋｉ ： Ｊｐ
ｎ． Ｊ． Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ．， ２７（１９８
８）Ｌ９１）であり、また、Ｂｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−
０系超伝導薄膜製法としては， Ｂｉ． Ｓｒ−Ｃａ合
金、Ｃｕ金属を電子ビームにより加熱し同時蒸発させ酸
素ガスを導入しながら作製する方法（Ｔ． Ｙｏｓｈｉ
ｔａｋｅ， Ｔ． Ｓｕｔｏｈ， Ｙ．Ｋｕｂｏ， Ｔ
． Ｍａｎａｋｏ ａｎｄ Ｈ． Ｉｇａｒａｓｈｉ）
である。だが，この酸化物超伝導薄膜の製膜方法は大掛
かりな装置が必要なうえ、大面積の均一な膜を得るのが
困難である。
以下に，本発明方法を添付の図面に従がいながらさらに
詳細に説明する。
詳細に説明する。
第１図は本発明方法に有用な装置であって、ベースプレ
ートｌとベルジャー２とは、パッキング１５を介して一
体化され真空槽を形威している。べ一スプレートｌは支
持体兼用の電極４，６．８により貫通されているが、こ
れら支持体兼用電極４，６．８等の貫通部はもちろん気
密状態であり、さらに、これら支持体兼用電極４．６．
８とベースプレート１とは電気的に絶縁されている．ま
た、ベースプレートｌの中央部に穿設された孔ＩＡは図
示されていない真空排気系へ連結されている。
ートｌとベルジャー２とは、パッキング１５を介して一
体化され真空槽を形威している。べ一スプレートｌは支
持体兼用の電極４，６．８により貫通されているが、こ
れら支持体兼用電極４，６．８等の貫通部はもちろん気
密状態であり、さらに、これら支持体兼用電極４．６．
８とベースプレート１とは電気的に絶縁されている．ま
た、ベースプレートｌの中央部に穿設された孔ＩＡは図
示されていない真空排気系へ連結されている。
蒸発源３には電子ビーム蒸発源あるいは抵抗加熱蒸発源
が用いられる。作製する材料が三元素からなる場合は、
例えば、三台の電子ビーム蒸発源を用いたり、一台を抵
抗加熱蒸発源とし他の二台を電子ビーム蒸発源にする等
の方法がある。
が用いられる。作製する材料が三元素からなる場合は、
例えば、三台の電子ビーム蒸発源を用いたり、一台を抵
抗加熱蒸発源とし他の二台を電子ビーム蒸発源にする等
の方法がある。
一対の支持体兼用電極４の間にはタングステン等による
熱電子発生用のフィラメント５が支持されている。この
フィラメント５の形状は複数本のフィラメントを平行に
配列したり、あるいは網目状にしたりするなどして蒸発
した蒸発物質の粒子の拡がりをカバーするように定めら
れている。支持体兼用電極６にはグリソト７が支持され
ている。
熱電子発生用のフィラメント５が支持されている。この
フィラメント５の形状は複数本のフィラメントを平行に
配列したり、あるいは網目状にしたりするなどして蒸発
した蒸発物質の粒子の拡がりをカバーするように定めら
れている。支持体兼用電極６にはグリソト７が支持され
ている。
このグリッドは蒸発物質を通過させうる形状に定められ
ているが、この例では網［１状である。支持体８には対
電極１０が支持され，その下位には基板１１が保持され
る。
ているが、この例では網［１状である。支持体８には対
電極１０が支持され，その下位には基板１１が保持され
る。
支持体兼用電極４，６．８は導電体であって、それらの
真空槽外へ突出した端部間は図示したように種々の電源
に接続されている。蒸発源の電源は省略してある。支持
体兼用電極６は直流の正電極に接統され、支持体兼用電
極８は接地されている。
真空槽外へ突出した端部間は図示したように種々の電源
に接続されている。蒸発源の電源は省略してある。支持
体兼用電極６は直流の正電極に接統され、支持体兼用電
極８は接地されている。
真空槽内には活性もしくは不活性ガス，或いは，これら
の混合ガスが導入されるようになっており、基板１１は
蒸発源と対向させられている。グリッド７はフィラメン
ト５及び対電極の電位に対し正電位に置かれている。従
って、真空槽内にグリッド７から基板１１に向かう電界
と、グリッド７がら蒸発ｆｊＸ３に向かう電界とが逆向
きに形威される．熱電子発生用のフィラメント５は真空
槽内のグリッド７に関し蒸発源３側に配備され、このフ
ィラメント５により発生する熱電子は蒸発物質の一部を
イオン化するのに供される。
の混合ガスが導入されるようになっており、基板１１は
蒸発源と対向させられている。グリッド７はフィラメン
ト５及び対電極の電位に対し正電位に置かれている。従
って、真空槽内にグリッド７から基板１１に向かう電界
と、グリッド７がら蒸発ｆｊＸ３に向かう電界とが逆向
きに形威される．熱電子発生用のフィラメント５は真空
槽内のグリッド７に関し蒸発源３側に配備され、このフ
ィラメント５により発生する熱電子は蒸発物質の一部を
イオン化するのに供される。
蒸発源３からの蒸発物質は、その一部がフィラメント５
からの電子により正イオンにイオン化される。このよう
に一部イオン化された蒸発物質はグリッド７を通過し、
さらにイオン化されたガスにより正イオン化を促進され
、上記電界の作用により基板１１の方へと加速される。
からの電子により正イオンにイオン化される。このよう
に一部イオン化された蒸発物質はグリッド７を通過し、
さらにイオン化されたガスにより正イオン化を促進され
、上記電界の作用により基板１１の方へと加速される。
なお、フィラメント７からの電子は，フィラメント温度
に相当する運動エネルギーをもってフィラメントから放
射されるので、正電位のグリソド７に直ちに吸収されず
に，これを通過しグリッド７によるクーロン力に引き戻
され、更にグリッド７を通過し、というようにグリッド
７を中心として振動運動を繰返し遂にはグリッド７に吸
収されるので基板１１へは達せず、基板１１は電子？Ｍ
撃を受けないのでそれによる加熱がなく基板ｌ１の温度
上昇が防止できることや膜質への悪影響が小さくなる。
に相当する運動エネルギーをもってフィラメントから放
射されるので、正電位のグリソド７に直ちに吸収されず
に，これを通過しグリッド７によるクーロン力に引き戻
され、更にグリッド７を通過し、というようにグリッド
７を中心として振動運動を繰返し遂にはグリッド７に吸
収されるので基板１１へは達せず、基板１１は電子？Ｍ
撃を受けないのでそれによる加熱がなく基板ｌ１の温度
上昇が防止できることや膜質への悪影響が小さくなる。
第１図に示した装置を用いて酸化物超伝導薄膜を形成す
るには、基板ｌ１を第１図に示した位置にセントし、蒸
着物質として金属Ｂｉ、金属Ｓｒ，金属Ｃａ、金属Ｃｕ
またはＢｉ金属、Ｓｒ−Ｃａ合金、Ｃｕ金属、場合によ
っては、これらの酸化物を用い保持させ杭 真空檜内は予め、１０−３〜１０−’ Ｐａの圧力にし
ておき、酸素ガスを導入し１０’〜１．０−２Ｐａの圧
力にする。
るには、基板ｌ１を第１図に示した位置にセントし、蒸
着物質として金属Ｂｉ、金属Ｓｒ，金属Ｃａ、金属Ｃｕ
またはＢｉ金属、Ｓｒ−Ｃａ合金、Ｃｕ金属、場合によ
っては、これらの酸化物を用い保持させ杭 真空檜内は予め、１０−３〜１０−’ Ｐａの圧力にし
ておき、酸素ガスを導入し１０’〜１．０−２Ｐａの圧
力にする。
この状態において、電′ｒＸｌ４を作動させグリッド７
に正の電位が印加され、対電極１０は接地されフィラメ
ント５には電流が流される。ここでは、例えばグリッド
７は網目状でありｔｏｏｖ印加され、フィラメント５は
タングステンワイヤーで４００Ｗの電力がかかっている
。フィラメント５は抵抗加熱により加熱され熱亀子を放
射する。真空槽内の酸素分子は、フィラメント５より放
出された熱電子との衝突によってイオン化される。
に正の電位が印加され、対電極１０は接地されフィラメ
ント５には電流が流される。ここでは、例えばグリッド
７は網目状でありｔｏｏｖ印加され、フィラメント５は
タングステンワイヤーで４００Ｗの電力がかかっている
。フィラメント５は抵抗加熱により加熱され熱亀子を放
射する。真空槽内の酸素分子は、フィラメント５より放
出された熱電子との衝突によってイオン化される。
蒸発したＢｉ． Ｓｒ． Ｃａ．Ｃｕの粒子は拡がりを
持って基板ｌ１の側へ向かって飛行するが、その一部及
び前記導入ガスはフィラメント５より放出された熱電子
との衝突によってイオン化される。このように一部イオ
ン化させた上記各元素はグリッド７を通過するが、その
際、前記のように、グリッド７近傍において、上下に振
動運動する熱電子及び前記イオン化された導入ガスの衝
突により更にイオン化が促進される。グリッド７を通過
した蒸発物質中いまだイオン化されていない部分は、更
にグリッド７と基板１１との間に於いて、前記イオン化
された導入ガスとの衝突によりイオン化される。
持って基板ｌ１の側へ向かって飛行するが、その一部及
び前記導入ガスはフィラメント５より放出された熱電子
との衝突によってイオン化される。このように一部イオ
ン化させた上記各元素はグリッド７を通過するが、その
際、前記のように、グリッド７近傍において、上下に振
動運動する熱電子及び前記イオン化された導入ガスの衝
突により更にイオン化が促進される。グリッド７を通過
した蒸発物質中いまだイオン化されていない部分は、更
にグリッド７と基板１１との間に於いて、前記イオン化
された導入ガスとの衝突によりイオン化される。
正イオンにイオン化された各元素は、グリッド７から対
電極１０に向かう電界の作用により基板１１に向かって
加速され、基板ｌ１に高エネルギーを持って向かう。更
にその途中及び基板表面に於いて酸素と結合し、Ｂｉ−
Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０酸化物が基板１１に形成される。
電極１０に向かう電界の作用により基板１１に向かって
加速され、基板ｌ１に高エネルギーを持って向かう。更
にその途中及び基板表面に於いて酸素と結合し、Ｂｉ−
Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０酸化物が基板１１に形成される。
熱電子は最終的にはその大部分がグリッド７に吸収され
一部の熱電子はグリッドを通過するが、グリッド７と基
板１１との間で前記電界の作用によって減速されるので
仮に基板１ｌに達しても基板１１を加熱するには到らな
い． 或膜中、対電極１０と絶縁されている基板加熱用ヒータ
ー９によってＭｇＯ （１００）基板を基板加熱温度４
８０℃で加熱しながら膜の結晶化を行なわせる。
一部の熱電子はグリッドを通過するが、グリッド７と基
板１１との間で前記電界の作用によって減速されるので
仮に基板１ｌに達しても基板１１を加熱するには到らな
い． 或膜中、対電極１０と絶縁されている基板加熱用ヒータ
ー９によってＭｇＯ （１００）基板を基板加熱温度４
８０℃で加熱しながら膜の結晶化を行なわせる。
また、組或は各元素の原子比をＢｉ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕ
＝２：２：２：３付近になるよう各蒸発源３からの蒸発
速度をコントロールして蒸発させる。このとき、膜厚は
Ｏ．■μ〜２−にする。また、酸素圧、グリッド電流電
圧、フィラメント電流電圧を変えながら、基板温度が低
くても十分な超伝導特性が得られるようになる。
＝２：２：２：３付近になるよう各蒸発源３からの蒸発
速度をコントロールして蒸発させる。このとき、膜厚は
Ｏ．■μ〜２−にする。また、酸素圧、グリッド電流電
圧、フィラメント電流電圧を変えながら、基板温度が低
くても十分な超伝導特性が得られるようになる。
ここで得られたＣ軸に配向した酸化物超伝導体（Ｂｉ−
Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０）の薄膜の特性は、臨界温度Ｔｃ
：９５）［ 臨界磁場｝１ｃ（７７Ｋ）：約３７（Ｃ面に磁場を印加
した時）である。
Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０）の薄膜の特性は、臨界温度Ｔｃ
：９５）［ 臨界磁場｝１ｃ（７７Ｋ）：約３７（Ｃ面に磁場を印加
した時）である。
また、前記蒸着物質をＹ金属、Ｂａ金属、Ｃｕ金属に代
え、その各元素の原子比をＹ：Ｂａ：Ｃｕ＝ｌ：２：３
付近になるように代えた以外は同様にして酸化物超伝導
体（Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−０）の薄膜をＭｇＯ（１００）基
板上につくった．このものの特性は 臨界温度Ｔｃ：８９Ｋ 臨界磁場Ｈｃ（７７Ｋ）：約２Ｔ （Ｃ面に磁場を印加
した時）である。
え、その各元素の原子比をＹ：Ｂａ：Ｃｕ＝ｌ：２：３
付近になるように代えた以外は同様にして酸化物超伝導
体（Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−０）の薄膜をＭｇＯ（１００）基
板上につくった．このものの特性は 臨界温度Ｔｃ：８９Ｋ 臨界磁場Ｈｃ（７７Ｋ）：約２Ｔ （Ｃ面に磁場を印加
した時）である。
本発明方法によれば、導入酸素圧、或膜速度、グリッド
電流電圧、フィラメント電流電圧をコントロールする二
とにより、低基板加熱温度でしかもａｓ−ｇｒｏ％ｌｊ
ｌで臨界温度の高い酸化物超伝導薄膜が再現性よく得ら
れる．
電流電圧、フィラメント電流電圧をコントロールする二
とにより、低基板加熱温度でしかもａｓ−ｇｒｏ％ｌｊ
ｌで臨界温度の高い酸化物超伝導薄膜が再現性よく得ら
れる．
第ｌ図は本発明の方法に用いられる薄膜形或装置の概略
図である。 １・・・ベースプレート ２・・・ベルジャー ３・・・蒸発源 ４，６．８・・・支持体兼用電極 ５・・・フィラメント ７・・・グリッド ９・・・基板加熱用ヒーター １０・・・対電極 １１・・・基板
図である。 １・・・ベースプレート ２・・・ベルジャー ３・・・蒸発源 ４，６．８・・・支持体兼用電極 ５・・・フィラメント ７・・・グリッド ９・・・基板加熱用ヒーター １０・・・対電極 １１・・・基板
Claims (1)
- （１）酸素ガスが導入される真空槽と、この真空槽内に
あって蒸着物質を蒸発させるための蒸発源と、前記真空
槽に配置され基板を前記蒸発源に対向するように保持さ
せる対電極と、前記の蒸発源と対電極との間に配備され
蒸発物質を通過させうるグリッドと、このグリッドを前
記対電極の電位に対し正電位とする手段と、前記真空槽
内において前記グリッドより蒸発源側より配備される熱
電子発生用フィラメントとを有する薄膜形成装置を用い
。 （イ）導入する酸素ガスの圧力を２×１０＾−＾２〜１
０Ｐａとし、 （ロ）蒸発物質として ａ）Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系又はＬｎ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系
超伝導体においては、複数の蒸発源を用いる場合はＹあ
るいはＬｎ系金属（但し、Ｌｎ系金属はＬａ、Ｃｅ、Ｎ
ｄ、Ｓｍ、Ｆｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ
、Ｙｂ、Ｌｕのいずれか１つである）、Ｂａ、Ｃｕの各
金属を用い、１つの蒸発源を用いる場合は所定の組成の
焼結体を用い。 ｂ）Ｂｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系又はＴｌ−Ｂａ−Ｃ
ａ−Ｃｕ−Ｏ系超伝導体においては、複数の蒸発源を用
いる場合は構成元素の各金属単体又は合金を用い、１つ
の蒸発源を用いる場合は所定の組成の焼結体を用い、 （ハ）グリッド印加電圧を５０〜３００Ｖの範囲とし、 （ニ）成膜速度を１〜５０Å／ｓｅｃとし、及び （ホ）基板加熱温度を７００℃以下 として前記いずれかの超伝導体の薄膜を製膜することを
特徴とする酸化物超伝導薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1188421A JPH0354102A (ja) | 1989-07-19 | 1989-07-19 | 酸化物超伝導薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1188421A JPH0354102A (ja) | 1989-07-19 | 1989-07-19 | 酸化物超伝導薄膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0354102A true JPH0354102A (ja) | 1991-03-08 |
Family
ID=16223371
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1188421A Pending JPH0354102A (ja) | 1989-07-19 | 1989-07-19 | 酸化物超伝導薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0354102A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100417578B1 (ko) * | 2002-04-23 | 2004-02-05 | 캐리어엘지 유한회사 | 제빙기의 얼음 교반장치 |
-
1989
- 1989-07-19 JP JP1188421A patent/JPH0354102A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100417578B1 (ko) * | 2002-04-23 | 2004-02-05 | 캐리어엘지 유한회사 | 제빙기의 얼음 교반장치 |
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