JP2000297361A

JP2000297361A - 超微粒子膜形成方法及び超微粒子膜形成装置

Info

Publication number: JP2000297361A
Application number: JP11102453A
Authority: JP
Inventors: Atsumichi Ishikura; 淳理石倉
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1999-04-09
Filing date: 1999-04-09
Publication date: 2000-10-24

Abstract

(57)【要約】【課題】簡易な構成で、効率良く成膜可能とする信頼
性に優れた超微粒子膜形成方法及び超微粒子膜形成装置
を提供する。【解決手段】蒸発源の材料を溶解して蒸気とする手段
を一種類だけでなく、複数の手段、例えば、レーザーと
高周波誘導加熱、レーザーとアーク加熱、レーザーと抵
抗加熱、復数種類のレーザーの組合わせ、さらにレーザ
ーと複数種類の加熱源の組合わせ等を併用することで、
より材料を高温に加熱することが可能となり、材料から
の総蒸発量も増加する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ガスデポジション
法により基板表面等に微粒子膜を形成するための超微粒
子膜形成方法及び超微粒子膜形成装置に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】従来、ガスデポジション法により基板表
面等に微粒子膜を形成する方法が知られている。

【０００３】ガスデポジション法とは、例えば、特許公
報第２５２４６２２号，特許公報第１５９５３９８号，
特許公報第２６３２４０９号に開示されているが、これ
について図１を参照して説明する。

【０００４】図１はガスデポジション法を適用した超微
粒子膜形成装置の模式図である。

【０００５】図に示すように、超微粒子生成室１内の超
微粒子を、超微粒子搬送管３を介してガスと共に超微粒
子膜形成室２に導入し、超微粒子膜形成室２内で超微粒
子搬送管３の先端に取り付けられたノズル４から超微粒
子をガスと共に高速で噴射し、膜形成対象物である基板
１０に超微粒子膜を形成する方法である。

【０００６】超微粒生成室１内の蒸発源となる超微粒子
生成用材料８により発生した蒸気原子は、超微粒生成室
１内に導入される不活性ガスとの衝突で急冷され、粒成
長しながら不活性ガスと共に超微粒子搬送管３を移動
し、超微粒子となり超微粒子搬送管３中を移動する。

【０００７】この超微粒子生成室１内の蒸発源で生成さ
れる材料蒸気は、加熱機構（アーク）５により加熱され
ることにより生成される。

【０００８】なお、加熱するための機構（加熱方式）と
しては、アーク溶解、高周波誘導加熱、抵抗加熱、電子
ビーム、通電加熱、プラズマジェット、レーザービーム
加熱などが適用できる（超微粒子技術入門、著者一ノ
瀬昇等、オーム社）。

【０００９】特に、レーザービームによる加熱は、取り
扱いが容易でさらに新しい特性を発揮する複合超微粒子
の製造などに期待されている（特開平０７−２７８６１
８号公報参照）。

【００１０】これら、各種加熱方式の選定は形成しよう
とする膜材料の融点、蒸気圧などで決まる。

【００１１】特に、高融点材料のＺｒやＴｉの超微粒子
からなる膜を形成しようとした場合、ハイパワーの高周
波誘導加熱、ハイパワーレーザーまたはアーク加熱でよ
うやく溶解、蒸発させることができる状態である。

【００１２】なお、図１中、６は超微粒子生成室１内を
真空にするための真空ポンプであり、７は不活性ガスを
導入するためのキャリアガスボンベであり、９は基板１
０の膜形成位置を変えるために基板１０を移動させる基
板移動機構である。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような従来技術の場合には、下記のような問題が生じて
いた。

【００１４】ガスデポジション法により製作する超微粒
子をデバイスの量産に展開する場合に、タクト向上は必
須であるが、それには、蒸発材料からの蒸発量を稼ぎ、
成膜スピードを向上させる必要がある。

【００１５】しかし、一つの蒸発方式（加熱方式）だけ
でこれを実現しようとすると、加熱装置が大掛かりにな
るという問題がある。

【００１６】例えば、高周波誘導加熱でＴｉ蒸気を発生
させようとした場合、２０ＫＷの電源を使用して微量の
蒸気が発生する程度であり、レート向上は更に大パワー
が必要となり、非常に高価な物となる。

【００１７】また、Ｎｄ−ＹＡＧレーザー（ＣＷ（持続
波）、ビーム径１ｍｍ）単独で、同様にＴｉを蒸発させ
ようとした場合、パワー２００Ｗで材料に照射し微量の
蒸気が発生する程度である。

【００１８】現在、市販品でｍａｘ３００〜４００Ｗ程
度であるため、大幅なレートアップは見込めない。

【００１９】また、アーク加熱の場合でもある程度のレ
ートになると、パワーを投入しても蒸発量は増加しな
い。

【００２０】これは、材料内で蒸発部周辺に溶融池が形
成され、その中での熱対流によるものやその周辺部への
熱拡散によるものと思われるが、局所的に効率よく加熱
されていないためである。

【００２１】こうしたことから、単一の加熱方式だけで
効率よく材料を加熱して、蒸気圧を上昇させることは、
コスト面また現状加熱源の性能から困難である。

【００２２】本発明は上記の従来技術の課題を解決する
ためになされたもので、その目的とするところは、簡易
な構成で、効率良く成膜可能とする信頼性に優れた超微
粒子膜形成方法及び超微粒子膜形成装置を提供すること
にある。

【００２３】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明にあっては、超微粒子生成室と超微粒子膜形成
室との圧力差を利用して、超微粒子生成室内から生成さ
れた超微粒子を超微粒子膜形成室内に導き、該超微粒子
膜形成室内に配置された膜形成対象物に超微粒子膜を形
成する超微粒子膜形成方法において、複数の加熱方式を
組み合わせて、超微粒子生成用材料を加熱溶解して蒸気
化させることで、前記超微粒子を生成することを特徴と
する。

【００２４】従って、超微粒子生成用材料は、複数の加
熱方式により加熱されるため効率良く加熱される。

【００２５】前記超微粒子生成室内に不活性ガスを導入
し、前記複数の加熱方式によって加熱して蒸気化した蒸
気原子を前記不活性ガスにより冷却して粒径を大きくし
つつ超微粒子膜形成室へと導くことにより、移送する間
に前記超微粒子を生成するとよい。

【００２６】前記加熱方式の中には、レーザー加熱方式
を含むとよい。

【００２７】超微粒子を生成するための超微粒子生成室
と、室内に膜形成対象物が配置される超微粒子膜形成室
と、前記超微粒子生成室により生成された超微粒子を前
記膜形成対象物に向けて噴射するノズルと、を備える超
微粒子膜形成装置であって、前記超微粒子生成室と超微
粒子膜形成室との圧力差を利用して、前記ノズルから超
微粒子を噴射する超微粒子膜形成装置において、超微粒
子生成用材料を加熱溶解して蒸気化させるための加熱源
を複数種類備えることを特徴とする。

【００２８】従って、超微粒子生成用材料は、複数種類
の加熱源により加熱されるので、効率良く加熱される。

【００２９】前記超微粒子生成室内に不活性ガスを導入
し、前記複数種類の加熱源によって加熱して蒸気化した
蒸気原子を前記不活性ガスにより冷却することによっ
て、先端に前記ノズルが取り付けられた搬送管の中で、
その粒径を大きくさせて前記超微粒子を生成するとよ
い。

【００３０】前記加熱源の中には、レーザーを含むとよ
い。

【００３１】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、この発明
の好適な実施の形態および実施例を例示的に詳しく説明
する。

【００３２】ただし、この実施の形態に記載されている
構成部品の寸法、材質、形状、その相対配置などは、特
に特定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれら
のみに限定する趣旨のものではない。

【００３３】なお、本発明の実施の形態に係る超微粒子
膜形成装置全体の基本的な構成は、上述の従来技術の中
で説明した図１に示したものと同様であるので、その詳
細な説明は省略し、本実施の形態あるいは実施例におい
て特徴的な構成等のみ（特に加熱方式およびそのための
装置）について詳しく説明する。

【００３４】また、以下に参照する図面においては、説
明簡単のため、図１に示した構成と同一の構成（同一の
機能を有するもの）には同一の符号を付して説明する。

【００３５】本発明の実施の形態においては、超微粒子
生成室１において、複数の加熱方式を組み合わせて材料
を溶解して材料蒸気を発生させ、これを超微粒子生成室
１と超微粒子膜形成室２との圧力差を利用して、不活性
ガス流にのせて超微粒子膜形成室２に導きノズル４先端
より超微粒子膜を形成するものである。

【００３６】つまり、蒸発源の材料を溶解して蒸気とす
る手段を一種類だけでなく、複数の手段を併用するもの
である。

【００３７】従って、複数の加熱方式を併用すること
で、より材料を高温に加熱することが可能となり、材料
からの総蒸発量も増加する。

【００３８】具体的には、レーザーと高周波誘導加熱、
レーザーとアーク加熱、レーザーと抵抗加熱、復数種類
のレーザーの組合わせ、さらにレーザーと複数種類の加
熱源の組合わせ等である。

【００３９】上述したが、レーザー、アーク、高周波誘
導、抵抗加熱、電子ビーム、通電加熱、プラズマジェッ
ト等の単一の加熱方式でパワーを高密度で集中させよう
とすると、装置が非常に大きく、高価な物となる。

【００４０】しかし、これらを組み合せることで、単独
の加熱源を使用したときに比べ、より材料を高温に加熱
することが可能となる。

【００４１】従って、蒸発量もアップし成膜レートがア
ップする。

【００４２】さらに、以下に示す各実施例では、これを
実施するに適した装置のいくつかの具体例を提供するも
のであり、超微粒子生成室内の１つの蒸発源に対し、複
数の方式の加熱ができる機構となっているものである。

【００４３】特に複数の加熱機構の一つがレーザーを含
む場合には、レーザー光はファイバー又は光学系によ
り、チャンバー外部からレーザー波長に対し反射防止コ
ーティングを施された窓を通して蒸発材料の置かれてい
る位置に照射される構成である。

【００４４】

【実施例】（第１実施例）図２を参照して、第１実施例
に係る超微粒子膜形成方法及び超微粒子膜形成装置につ
いて説明する。

【００４５】図２は本発明の第１実施例に係る超微粒子
膜形成装置の模式図である。

【００４６】本実施例では、加熱方式およびその方式を
行うための加熱源として、レーザー加熱方式（レーザー
光照射装置）と高周波誘導加熱方式（誘導加熱電源）を
併用した場合の例である。

【００４７】はじめに、超微粒子生成室１内のルツボ１
２にＴｉチップを満たし、誘導加熱電源１３により２０
ＫＷの高周波で加熱して、チップを溶かしルツボ１２を
満たした。

【００４８】そして、高周波加熱を行ない続け、融けた
状態のＴｉにチャンバー外からＮｄ−ＹＡＧレーザーを
照射した。

【００４９】ここで、ＹＡＧレーザーは、ＣＷ（持続
波）、基本波（１０６４ｎｍ）、２００Ｗ、ビーム径φ
１ｍｍであり、レーザー装置本体１６からはファイバー
１４で超微粒子生成室１の窓近傍に引き回し、そこから
レンズ１５で絞り、材料表面で焦点が合うような構成と
した。

【００５０】チャンバー内へのレーザー光の導入は、レ
ーザー波長に対し反射防止コーティングを施したガラス
窓（レーザー光導入窓１１）を通して行なった。

【００５１】こうして発生した材料蒸気をＨｅのキヤリ
アガスにのせて、差圧で超微粒子膜形成室２に運び、Ｔ
ｉからなる超微粒子膜を形成した。

【００５２】超微粒子搬送管３は固定されているので、
基板をスキャンすることでライン上の膜を形成した。

【００５３】なお、基板の移動速度は、０．１ｍｍ／ｓ
ｅｃ．である。

【００５４】こうして形成した膜の膜厚を接触式の膜厚
計で測定したところ、１００μｍ程度であった。

【００５５】なお、成膜条件は、ノズル径：φ１ｍｍ，
基板：ガラス基板，基板加熱：なし，超微粒子生成室圧
力：５３０ｔｏｒｒ，Ｈｅガス流量：４０ｓｃｃｍ，膜
形成室圧力：０．１ｔｏｒｒである。

【００５６】（比較例１−１）比較のために、第１実施
例と同条件で高周波加熱を行なわず、ＹＡＧレーザーの
みで同Ｔｉの加熱を行なった。

【００５７】この場合に、２００Ｗまでパワーを上昇さ
せたが、Ｔｉの蒸発はわずかであり、膜として形成でき
なかった。

【００５８】（比較例１−２）さらに、比較のために、
第１実施例と同条件でレーザー加熱を行なわず、高周波
誘導加熱のみで同Ｔｉの加熱を行なった。

【００５９】２０ＫＷまでパワーを上げても、目視によ
り溶融している状態は確認できるが、膜としては形成で
きなかった。

【００６０】（第２実施例）図３を参照して、第２実施
例に係る超微粒子膜形成方法及び超微粒子膜形成装置に
ついて説明する。

【００６１】図３は本発明の第２実施例に係る超微粒子
膜形成装置の模式図である。

【００６２】本実施例では、加熱方式およびその方式を
行うための加熱源として、レーザー加熱方式（レーザー
光照射装置）とアーク加熱方式（アーク電源）を併用し
た場合の例である。

【００６３】超微粒子生成室１内のＣｕ製の水冷されて
いるルツボ（Ｃｕ製水冷ハース１７）にＺｒチップを満
たし、アーク電源１８によるアーク加熱（図中１９はＷ
（タングステン）製電極）によりチップ１０グラムを溶
解しボタン状とした。

【００６４】この時のアーク投入パワーは１５Ａ、５０
Ｖである。

【００６５】次に、アークパワーを２０Ａ、８０Ｖに上
げ、アーク加熱を続けた状態のＺｒにチャンバー外から
Ｎｄ−ＹＡＧレーザーを照射した。

【００６６】ここで、ＹＡＧレーザーは、ＣＷ、基本波
（１０６４ｎｍ）、２００Ｗ、ビーム径φ１ｍｍであ
り、レーザー装置本体１６からはファイバー１４で超微
粒子生成室１の窓近傍に引き回し、そこからレンズ１５
で絞り材料表面で焦点が合うような構成とした。

【００６７】こうして発生した材料蒸気をＨｅのキヤリ
アガスにのせて、差圧で超微粒子形成室２に運び、Ｚｒ
からなる超微粒子膜を形成した。

【００６８】超微粒子搬送管３は固定されているので、
基板をスキャンすることでライン状の膜を形成した。

【００６９】基板の移動速度は、０．１ｍｍ／ｓｅｃ．
である。

【００７０】こうして形成した膜の膜厚を接触式の膜厚
計で測定したところ、９０μｍ程度であった。

【００７１】他の成膜条件は第１実施例と同様である。

【００７２】（比較例２−１）比較のために、第２実施
例と同条件で、アーク加熱を行なわず、レーザー加熱の
みで材料の蒸発を試みたが、蒸発は見られず、膜形成室
において当然膜も形成されなかった。

【００７３】（比較例２−２）比較のため第２実施例と
同条件で、レーザー加熱を行なわず、アーク加熱のみの
成膜を試みた。

【００７４】アークパワーは２０Ａ、８０Ｖとした。

【００７５】これ以上は、発生した蒸気が搬送管に効率
よく吸い込まれないためである。

【００７６】この時、基板を０．１ｍｍ／ｓｅｃ．でス
キャンし、基板上に形成された膜の膜厚を第２実施例と
同様に測定したところ、６０μｍ程度であった。

【００７７】（第３実施例）図４を参照して、第３実施
例に係る超微粒子膜形成方法及び超微粒子膜形成装置に
ついて説明する。

【００７８】図４は本発明の第３実施例に係る超微粒子
膜形成装置の模式図である。

【００７９】本実施例では、加熱方式およびその方式を
行うための加熱源として、レーザー加熱方式（レーザー
光照射装置）と抵抗加熱方式（抵抗加熱電源）を併用し
た場合の例である。

【００８０】本実施例では、超微粒子生成室１内の蒸発
源で抵抗加熱とレーザーの併用加熱を行ない、Ｃｕから
なる超微粒子膜を形成する。

【００８１】はじめに、タンタル製のボート２０を使用
し、抵抗加熱電源２１による抵抗加熱によってチップを
溶解し、次に、抵抗加熱を続けた状態で溶融状態となっ
たＣｕにチャンバー外からＮｄ−ＹＡＧレーザーを照射
した。

【００８２】ＹＡＧレーザーは、ＣＷ、基本波（１０６
４ｎｍ）、１５０Ｗ、ビーム径φ１ｍｍであり、レーザ
ー装置本体１６からはファイバー１４で超微粒子生成室
の窓近傍に引き回し、そこからレンズ１５で絞り材料表
面で焦点が合うような構成とした。

【００８３】こうして発生したＣｕ蒸気をＨｅのキヤリ
アガスにのせて、差圧で超微粒子形成室２に運び、膜を
形成した。

【００８４】超微粒子搬送管３は固定されているので、
基板をスキャンすることでライン状のＣｕからなる超微
粒子膜を形成した。

【００８５】基板の移動速度は、０．１ｍｍ／ｓｅｃ．
である。

【００８６】こうして形成した膜の膜厚を接触式の膜厚
計で測定したところ、８０μｍ程度であった。

【００８７】他の成膜条件は第１実施例と同様である。

【００８８】（比較例３−１）比較のために、第３実施
例と同条件で、抵抗加熱を行なわず、レーザー加熱のみ
で材料の蒸発を試みた。

【００８９】パワーは第３実施例と同様に１５０Ｗであ
る。

【００９０】この時、基板を０．１ｍｍ／ｓｅｃ．でス
キャンし、基板上に形成された膜の膜厚を第１，２，３
実施例等と同様に測定したところ、６０μｍ程度であっ
た。

【００９１】（比較例３−２）比較のため第３実施例と
同条件で、レーザー加熱を行なわず、抵抗加熱のみの成
膜を試みた。

【００９２】この時、基板を０．１ｍｍ／ｓｅｃ．でス
キャンし、基板上に形成された膜の膜厚を測定したとこ
ろ、５０μｍ程度であった。

【００９３】（第４実施例）図５を参照して、第４実施
例に係る超微粒子膜形成方法及び超微粒子膜形成装置に
ついて説明する。

【００９４】図５は本発明の第４実施例に係る超微粒子
膜形成装置の模式図である。

【００９５】本実施例では、加熱方式およびその方式を
行うための加熱源として、２種類のレーザー加熱方式
（レーザー光照射装置）を併用した場合の例である。

【００９６】すなわち、本実施例では超微粒子生成室１
内の蒸発源でＣＯ₂レーザーとＮｄ−ＹＡＧレーザーの
併用加熱を行ない、Ａｌからなる超微粒子膜を形成す
る。

【００９７】Ｃｕ製の水冷ハースにボタン状のＡｌを１
０グラムを置き、超微粒子生成室のチャンバー外からＣ
Ｏ₂レーザーとＮｄ−ＹＡＧレーザーを同時に照射し
た。

【００９８】ＹＡＧレーザーは、ＣＷ、基本波（１０６
４ｎｍ）、１００Ｗ、ビーム径φ１ｍｍであり、レーザ
ー装置本体１６からはファイバー１４で超微粒子生成室
１の窓近傍に引き回し、そこからレンズ１５で絞り材料
表面で焦点が合うような構成とした。

【００９９】ＣＯ₂レーザーはＣＷで、４０Ｗ、ビーム
径はφ１ｍｍであり、レーザー装置本体２２から光学系
で窓からサンプルに照射される構成となっている。

【０１００】こうして発生したＡｌ蒸気をＨｅのキヤリ
アガスにのせて、差圧で超微粒子形成室２に運び膜を形
成した。

【０１０１】超微粒子搬送管３は固定されているので、
基板をスキャンすることでライン上のＣｕからなる超微
粒子膜を形成した。

【０１０２】基板の移動速度は、０．１ｍｍ／ｓｅｃ．
である。

【０１０３】こうして形成した膜の膜厚を接触式の膜厚
計で測定したところ、６０μｍ程度であった。

【０１０４】他の成膜条件は第１実施例と同様である。

【０１０５】（比較例４−１）比較のために、第４実施
例と同条件で、ＣＯ₂レーザーによる加熱を行なわず、
Ｎｄ−ＹＡＧレーザー加熱のみで材料の蒸発を試みた。

【０１０６】パワーは第４実施例と同様に１００Ｗであ
る。

【０１０７】この時、基板を０．１ｍｍ／ｓｅｃ．でス
キャンし、基板上に形成された膜の膜厚を接触式膜厚計
で測定したところ、４０μｍ程度であった。

【０１０８】（比較例４−２）比較のため実施例４と同
条件で、Ｎｄ―ＹＡＧレーザーによる加熱を行なわず、
４０ＷのＣＯ₂レーザー加熱のみで材料の蒸発を試みた
が、材料の蒸発は見られず、膜形成室の基板上にも膜は
形成されなかった。

【０１０９】（その他）以上、第１実施例〜第４実施例
まで、具体的な例を示したが、これらに限られるもので
はなく、その他の、加熱方式とその際の材料との組み合
わせによって、効果的な膜形成が可能となる。

【０１１０】図６に、効果的に利用できる、加熱方式の
組み合わせとその際の材料との組み合わせの例を一覧表
に示した。

【０１１１】

【発明の効果】以上説明したように、本発明は、複数の
加熱方式（複数種類の加熱源）を組み合わせて、超微粒
子生成用材料を加熱溶解して蒸気化させることで、超微
粒子を生成するようにしたので、簡易な構成で、効率良
く成膜が可能となり、信頼性に優れる。

【図面の簡単な説明】

【図１】ガスデポジション法を適用した超微粒子膜形成
装置の模式図である。

【図２】本発明の第１実施例に係る超微粒子膜形成装置
の模式図である。

【図３】本発明の第２実施例に係る超微粒子膜形成装置
の模式図である。

【図４】本発明の第３実施例に係る超微粒子膜形成装置
の模式図である。

【図５】本発明の第４実施例に係る超微粒子膜形成装置
の模式図である。

【図６】加熱方式の組み合わせとその際に用いる材料の
一覧表図である。

【符号の説明】

１超微粒子生成室２超微粒子膜形成室３超微粒子搬送管４ノズル５加熱機構６真空ポンプ７キャリアガスボンベ８蒸発源材料９基板移動機構１０基板１１レーザー光導入窓１２ルツボ１３誘導加熱電源１４ファイバー１５レンズ１６レーザー本体１７Ｃｕ製水冷ハース１８アーク電源１９Ｗ製電極２０タンタル製ボート２１抵抗加熱電源２２ＣＯ₂レーザー

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】超微粒子生成室と超微粒子膜形成室との圧
力差を利用して、超微粒子生成室内から生成された超微
粒子を超微粒子膜形成室内に導き、該超微粒子膜形成室
内に配置された膜形成対象物に超微粒子膜を形成する超
微粒子膜形成方法において、複数の加熱方式を組み合わせて、超微粒子生成用材料を
加熱溶解して蒸気化させることで、前記超微粒子を生成
することを特徴とする超微粒子膜形成方法。
【請求項２】前記超微粒子生成室内に不活性ガスを導入
し、前記複数の加熱方式によって加熱して蒸気化した蒸
気原子を前記不活性ガスにより冷却して粒径を大きくし
つつ超微粒子膜形成室へと導くことにより、移送する間
に前記超微粒子を生成することを特徴とする請求項１に
記載の超微粒子膜形成方法。
【請求項３】前記加熱方式の中には、レーザー加熱方式
を含むことを特徴とする請求項１または２に記載の超微
粒子膜形成方法。
【請求項４】超微粒子を生成するための超微粒子生成室
と、室内に膜形成対象物が配置される超微粒子膜形成室と、前記超微粒子生成室により生成された超微粒子を前記膜
形成対象物に向けて噴射するノズルと、を備える超微粒
子膜形成装置であって、前記超微粒子生成室と超微粒子膜形成室との圧力差を利
用して、前記ノズルから超微粒子を噴射する超微粒子膜
形成装置において、超微粒子生成用材料を加熱溶解して蒸気化させるための
加熱源を複数種類備えることを特徴とする超微粒子膜形
成装置。
【請求項５】前記超微粒子生成室内に不活性ガスを導入
し、前記複数種類の加熱源によって加熱して蒸気化した
蒸気原子を前記不活性ガスにより冷却することによっ
て、先端に前記ノズルが取り付けられた搬送管の中で、
その粒径を大きくさせて前記超微粒子を生成することを
特徴とする請求項４に記載の超微粒子膜形成装置。
【請求項６】前記加熱源の中には、レーザーを含むこと
を特徴とする請求項４または５に記載の超微粒子膜形成
装置。