JPH02164793A - エピタキシヤルおよび／または高組織化成長の、異相の少い高Ｔｃ酸化物超伝導体フイルムを基板上に製造する方法および装置 - Google Patents
エピタキシヤルおよび／または高組織化成長の、異相の少い高Ｔｃ酸化物超伝導体フイルムを基板上に製造する方法および装置Info
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- JPH02164793A JPH02164793A JP1263156A JP26315689A JPH02164793A JP H02164793 A JPH02164793 A JP H02164793A JP 1263156 A JP1263156 A JP 1263156A JP 26315689 A JP26315689 A JP 26315689A JP H02164793 A JPH02164793 A JP H02164793A
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- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S505/00—Superconductor technology: apparatus, material, process
- Y10S505/725—Process of making or treating high tc, above 30 k, superconducting shaped material, article, or device
- Y10S505/73—Vacuum treating or coating
- Y10S505/732—Evaporative coating with superconducting material
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はスペンダーターゲットでパルス化シた粒子また
はレーザビームを用いて溶発過程を訪導し、そのｖＡ光
発生るμ範囲の直径金有する小滴を加熱した基板に到達
せしめて、エピタキシャルおよび／または萬組、鐵化取
長の、異相の少い高ＴＣ［化物超伝導体フィルム金基板
上に製造する方法および装置に関する。
はレーザビームを用いて溶発過程を訪導し、そのｖＡ光
発生るμ範囲の直径金有する小滴を加熱した基板に到達
せしめて、エピタキシャルおよび／または萬組、鐵化取
長の、異相の少い高ＴＣ［化物超伝導体フィルム金基板
上に製造する方法および装置に関する。
〔従来の技術〕
超伝導性フィルムのエピタキシャルおよび／または高組
織化成長は （１）該基板平面および該物質の超伝導性相の格子走叙
が比較可能で、 （１１） 基板温度が超伝導性相の成長温度に相応し
、 ０１１）該フィルムの成長速度がエピタキシャル配向を
生せしめることができ、 Ｏｉｌ 化学量論的変動が制限されるときに発生する
。
織化成長は （１）該基板平面および該物質の超伝導性相の格子走叙
が比較可能で、 （１１） 基板温度が超伝導性相の成長温度に相応し
、 ０１１）該フィルムの成長速度がエピタキシャル配向を
生せしめることができ、 Ｏｉｌ 化学量論的変動が制限されるときに発生する
。
酸化物超伝導体の高電匠伝導フィルムの製造で注目すべ
き成果はＵＶ−エキシマレーデを使用することによって
達成することができる。
き成果はＵＶ−エキシマレーデを使用することによって
達成することができる。
この場合にレーザビームはスペンダーターゲット上で鞘
碓に測足されたエネルギー密度により浴元、１７ｉ４程
金元生し、これによって数ナノメーター岸ざの層金殆ど
完全に蒸発させる。
碓に測足されたエネルギー密度により浴元、１７ｉ４程
金元生し、これによって数ナノメーター岸ざの層金殆ど
完全に蒸発させる。
一般には公知の酸化物超伝専坏′ｐ！Ｊ質は蒸気相では
極端に不安定でその個々の成分に分解する。
極端に不安定でその個々の成分に分解する。
それでもレシーブターデッド上のレーデ浴発の際に良好
から非常に良好なまでの化学量論が観測される。これに
類する方法は刊行物″Ｄ。
から非常に良好なまでの化学量論が観測される。これに
類する方法は刊行物″Ｄ。
ＤｉｊｋｋａｍｐおよびＴ、Ｖｅｎｋａｔｅｓａｎ 、
Ｂｅ１ｌ Ｃｏｍｍｕｎｌｋａｌｏｎｓ Ｒｅ５ｅｒ
ｃｈ 、 Ｒｅｄ Ｂａｎｋ 、 Ｎｅｗ Ｊｅｒｓｅ
ｙ”から公知である。
Ｂｅ１ｌ Ｃｏｍｍｕｎｌｋａｌｏｎｓ Ｒｅ５ｅｒ
ｃｈ 、 Ｒｅｄ Ｂａｎｋ 、 Ｎｅｗ Ｊｅｒｓｅ
ｙ”から公知である。
Ｓ、Ｋｏｍｕｒｏ 、 Ｙ、Ａｏｙａｇｉ 、 Ｔ
、 ＭｏｒｉｋａｗａおよびＳ、 Ｎａ、ｍｂａ 、
Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉ
ｅｄｐｈｙｓｉｃｓ 、 Ｖｏｌ、 ２７＋ Ｎｌ
１ 、 Ｊａｎｕａｒｙ、 １９８８゜ｐｐ、 Ｌ
３４〜Ｌ３６から明らかであるように、基板上に超伝
導体物質の小滴を衝突させる際には９００℃での再灼熱
が必要である。すでにこの温度では非常に激しい反応が
フィルムと基板との間に発生し、このためこれは不利で
あると見なされる。というのはこれは多くの重要な基板
物＊ （Ｚｒ０ｚ ＊ Ｓｔ ｐ Ｐｔ ｐ Ａｌ
２Ｏ３等〕を排除するからでるる。このため溶発過程は
、該超伝導性物質が実除に完全に気化し、該フィルムが
基板上に離散した分子の析出によシ造られるように行う
。
、 ＭｏｒｉｋａｗａおよびＳ、 Ｎａ、ｍｂａ 、
Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉ
ｅｄｐｈｙｓｉｃｓ 、 Ｖｏｌ、 ２７＋ Ｎｌ
１ 、 Ｊａｎｕａｒｙ、 １９８８゜ｐｐ、 Ｌ
３４〜Ｌ３６から明らかであるように、基板上に超伝
導体物質の小滴を衝突させる際には９００℃での再灼熱
が必要である。すでにこの温度では非常に激しい反応が
フィルムと基板との間に発生し、このためこれは不利で
あると見なされる。というのはこれは多くの重要な基板
物＊ （Ｚｒ０ｚ ＊ Ｓｔ ｐ Ｐｔ ｐ Ａｌ
２Ｏ３等〕を排除するからでるる。このため溶発過程は
、該超伝導性物質が実除に完全に気化し、該フィルムが
基板上に離散した分子の析出によシ造られるように行う
。
小滴の生成はレーザビームのエネルギーＷ［かめまりに
高く配分されたとき、またはエキシマレーデのかわシに
廉価な長波のレーデ、例えばｃｏ２またはアルゴンレー
デを使用したとぎに特に屡々覗測される。
高く配分されたとき、またはエキシマレーデのかわシに
廉価な長波のレーデ、例えばｃｏ２またはアルゴンレー
デを使用したとぎに特に屡々覗測される。
公知の方法は基板上への離散した分子の析出のために超
伝導性フィルムの構成が非常に緩漫に進行する欠陥金持
っている。
伝導性フィルムの構成が非常に緩漫に進行する欠陥金持
っている。
３００ｍａｒ厚さのフィルムの生成は約１時間を必要と
する。
する。
エキシマレーデは非常に費用がかかシ、従って高価であ
り、その効率は僅かである。フッ化水素を使用するため
に特別の安全策を講じなければならない。できたフィル
ムは屡々平滑でなく、むしろ′ζ流伝導には役立たない
隆起を持つことがめる。
り、その効率は僅かである。フッ化水素を使用するため
に特別の安全策を講じなければならない。できたフィル
ムは屡々平滑でなく、むしろ′ζ流伝導には役立たない
隆起を持つことがめる。
従って本発明の課題は上記記載の欠陥を避けることであ
る。特にエキシマレーデの使用ｔｌｔｆｒ念すべきであ
る。超伝導性フィルムの構成に要する時間をはつきシと
減少すべきでメジ、フィルムは１０μｍまでの範囲で製
造すべきでるる。
る。特にエキシマレーデの使用ｔｌｔｆｒ念すべきであ
る。超伝導性フィルムの構成に要する時間をはつきシと
減少すべきでメジ、フィルムは１０μｍまでの範囲で製
造すべきでるる。
フイ“ルムは広い範囲にわたって単相、すなわち異相僅
少であるべきである。
少であるべきである。
ＣＢ１１．題を解決するための手段〕
前記課翅は本発明により、スペンダーターゲットでパル
ス化した粒子またはレーザビームを用いて浴発過程を誘
導し、その際発生するμ範囲の直径を有する小滴を加熱
した基板に到達せしめて、エピタキシャルおよび／また
は高組織化成長の、異相の少い高ＴＣｗ化物超伝導体フ
ィルムを基板上に製造する方法において、該基板を該小
滴が衝突の原基板をぬらし、かつ均一な の、滑らかフィルムに固化する温度に保持することを特
徴とする、エピタキシャルおよび／または高組織化成長
、異相の少い高Ｔｃ ｒＲ化物超伝導体フィルムを製造
する方法で解決される。
ス化した粒子またはレーザビームを用いて浴発過程を誘
導し、その際発生するμ範囲の直径を有する小滴を加熱
した基板に到達せしめて、エピタキシャルおよび／また
は高組織化成長の、異相の少い高ＴＣｗ化物超伝導体フ
ィルムを基板上に製造する方法において、該基板を該小
滴が衝突の原基板をぬらし、かつ均一な の、滑らかフィルムに固化する温度に保持することを特
徴とする、エピタキシャルおよび／または高組織化成長
、異相の少い高Ｔｃ ｒＲ化物超伝導体フィルムを製造
する方法で解決される。
基板温度は高Ｔｃ酸化物超伝導体の溶融温度より約３０
０〜４００℃低い場合が、有利であることがわかった。
０〜４００℃低い場合が、有利であることがわかった。
基板と超伝導層との間の原子の拡散を阻止するためには
、超伝導性フィルムを製造する前に例えばＺｒＯ２、Ａ
ｔ２０３または３ｒＴｉ０３からなる中間層を基板上に
設けるのが有利である。
、超伝導性フィルムを製造する前に例えばＺｒＯ２、Ａ
ｔ２０３または３ｒＴｉ０３からなる中間層を基板上に
設けるのが有利である。
浴発過程は高出力、例えばＣ０２ｉたはアルゴンレーデ
からのパルス化レーザビームにより発生させることがで
きる。
からのパルス化レーザビームにより発生させることがで
きる。
けれども、浴発過程をエネルギー密度約１０〜２０ｋｅ
ｙおよび電流密度範囲１０３〜１０４Ａ／ａｎ２を有す
るパルス化電子ビームを使用して誘導し、保持するのが
有利である。
ｙおよび電流密度範囲１０３〜１０４Ａ／ａｎ２を有す
るパルス化電子ビームを使用して誘導し、保持するのが
有利である。
浴発過程で造られる小滴は高速で加熱された基板の上に
突き当り、そこで溶けて流れＫＷになシ、エピタキシャ
ルに結晶する。移行した物質のおもな量は滴状で存在す
るから、化学量論からの化学的組成の変動は非常に僅少
でるる。
突き当り、そこで溶けて流れＫＷになシ、エピタキシャ
ルに結晶する。移行した物質のおもな量は滴状で存在す
るから、化学量論からの化学的組成の変動は非常に僅少
でるる。
すなわち、これらは一般に１％よシ少い。従ってできた
フィルムは特に異相が僅少でるる。パルス化電子ビーム
の場合は物質との相互作用機構は実質的にはその密度に
依存する。電子ビームの利点は定義の明確なターデッド
物質への浸透能でるる。１０〜２０ ｋｅＶの電子エネ
ルギーでは酸化物超伝導体での到達距離は数マイクロメ
ーターの程度でるる。電流密度を１０３〜１０４Ａ／ｃ
ＩｒＬ２の範囲に選ぶときは、スペンダーターゲット上
の衝突した狽域は爆発的に液状小滴と蒸気からの混合相
に崩壊する。
フィルムは特に異相が僅少でるる。パルス化電子ビーム
の場合は物質との相互作用機構は実質的にはその密度に
依存する。電子ビームの利点は定義の明確なターデッド
物質への浸透能でるる。１０〜２０ ｋｅＶの電子エネ
ルギーでは酸化物超伝導体での到達距離は数マイクロメ
ーターの程度でるる。電流密度を１０３〜１０４Ａ／ｃ
ＩｒＬ２の範囲に選ぶときは、スペンダーターゲット上
の衝突した狽域は爆発的に液状小滴と蒸気からの混合相
に崩壊する。
電子発生源としては西ドイツ特許発明第２８０４３９３
号明細書に記載されている擬似スパークチャンバーの高
出力実施形を使用することができる。これによって、電
力効率約２０−の際にはパルス長さ約５０ ｎｓの自動
焦点′ζ電子ビーム造られる。これに比較するとエキシ
マレーデの効率は２０倍以上小さい。
号明細書に記載されている擬似スパークチャンバーの高
出力実施形を使用することができる。これによって、電
力効率約２０−の際にはパルス長さ約５０ ｎｓの自動
焦点′ζ電子ビーム造られる。これに比較するとエキシ
マレーデの効率は２０倍以上小さい。
それでも、３００ｎｍの厚さのフィルムの生成はなお５
分程度の時間が必要である。
分程度の時間が必要である。
電子ビームを絶縁したチューブで導き、その一端は電子
発生源に接続し、他の自由端はスペンダーターゲットの
近傍に到達せしひると有利である。このようなチューブ
によって液状小滴による電子発生源の汚染の危険が殆ど
除去される。該チューブの自由端とスペンダーターゲッ
トとの間の距離は数確から数龍でよい。
発生源に接続し、他の自由端はスペンダーターゲットの
近傍に到達せしひると有利である。このようなチューブ
によって液状小滴による電子発生源の汚染の危険が殆ど
除去される。該チューブの自由端とスペンダーターゲッ
トとの間の距離は数確から数龍でよい。
前記チューブの内径は電子ビームの直径と同じ程度でな
くてはならない。該チューブの内径は電子ビームの直径
の大きさの約２倍であるのが有利である。
くてはならない。該チューブの内径は電子ビームの直径
の大きさの約２倍であるのが有利である。
電子ビームの専行は湾曲したチューブであっても可ｉ′
ｄである。チューブの長さは１ｍまでβってもよい。そ
れによって多くの兼行に配設した擬似スパークチャンバ
ーの電子ビームを同時に１つのスペンダーターゲットに
向け、こうして基板の上に大面積のフィルム被覆を造る
可能性が開ける。この場合に該スペンダーターゲットは
有利にはリング状として形成する。該基板をこノ場合に
該スペンダーターゲットに連続的に通過させてもよい。
ｄである。チューブの長さは１ｍまでβってもよい。そ
れによって多くの兼行に配設した擬似スパークチャンバ
ーの電子ビームを同時に１つのスペンダーターゲットに
向け、こうして基板の上に大面積のフィルム被覆を造る
可能性が開ける。この場合に該スペンダーターゲットは
有利にはリング状として形成する。該基板をこノ場合に
該スペンダーターゲットに連続的に通過させてもよい。
従って線形の基板を該スペンダーターゲットの軸方向に
貫通することも可能である。
貫通することも可能である。
該スペンダーターゲットの消耗全減少せしめかつ−様な
溶発を確保するためには該スペンダーターゲットをその
軸に回転せしめる。
溶発を確保するためには該スペンダーターゲットをその
軸に回転せしめる。
次に本発明を２つの実施例に基づき詳細に説明する。
実施例１
第１図は超伝導物質で基板を被覆する装置を示す。
この場合超伝導物質としてはＹ Ｂａ４Ｃｕ３０７−ｚ
を使用した。基板はイツトリウムで安定化したば化ジル
コニウム（ｙｌＯ％）から構成した。
を使用した。基板はイツトリウムで安定化したば化ジル
コニウム（ｙｌＯ％）から構成した。
従って被覆の間８２０℃の温度に保った。
燃料ガスとしては分圧１０ ｐａを有する酸素を使用し
た。
た。
電子発生源としては擬似スパークチャンバーの高出力実
施形１を使用した。外部回路はコンデン？２および高電
圧源３から構成した。電子ビーム４は直径１〜２關およ
び長さ１０ｃＩｒＬのセラミック管５に導入され、その
中では該ビーム４は静電気的な焦点調節作用のために、
殆ど損失なく他の端末に搬送することができる。そこで
該ビーム４はスペンダーターゲット６に当シ、浴発過程
によシ滴霧７金発生し、これはレシーブターデッド８上
で成長する。該小滴の表面での不時の成木損失は酸素燃
料ガスによシ一部補われる。
施形１を使用した。外部回路はコンデン？２および高電
圧源３から構成した。電子ビーム４は直径１〜２關およ
び長さ１０ｃＩｒＬのセラミック管５に導入され、その
中では該ビーム４は静電気的な焦点調節作用のために、
殆ど損失なく他の端末に搬送することができる。そこで
該ビーム４はスペンダーターゲット６に当シ、浴発過程
によシ滴霧７金発生し、これはレシーブターデッド８上
で成長する。該小滴の表面での不時の成木損失は酸素燃
料ガスによシ一部補われる。
また該滴霧７の一部はセラミックチューブのターデッド
側の端末に到達し、そこに所望せざる汚染物９として付
層する。この汚染物は後続するパルス化電子ビームによ
シ蒸発し、大部分は再びスペンダーターゲットの方に吹
きやられる。このようにして擬似スパークチャンバーの
耐久性は浴発蒸気の汚染によってはそこなわれない。−
次電気エネルヤーのパルス毎５ジュールで、擬似スパー
クチャンバーの作用方法を変えることな（４０００００
パルスは達成することができた。
側の端末に到達し、そこに所望せざる汚染物９として付
層する。この汚染物は後続するパルス化電子ビームによ
シ蒸発し、大部分は再びスペンダーターゲットの方に吹
きやられる。このようにして擬似スパークチャンバーの
耐久性は浴発蒸気の汚染によってはそこなわれない。−
次電気エネルヤーのパルス毎５ジュールで、擬似スパー
クチャンバーの作用方法を変えることな（４０００００
パルスは達成することができた。
実爲例２
第２図は基板例えば融材を連続的に超伏４性フィルムで
被覆できる装置を示す。
被覆できる装置を示す。
電子発生源１としては擬似スパーク電源の多数の高出力
実施形を並列接枕する。これら電子発生源１の電子ビー
ムは湾曲した石英ガラスチューブ５を使用してリング状
スペンダーターゲット６に導いた。該スペンダーターゲ
ット６はＭ発過程の間−様の溶発勿達成するためにその
軸庫１ｕの回りを回転させた。該スペンダーターゲット
のリング状によって溶発過程で生成する滴霧７は該スペ
ンダーターゲットの内部かつ下部の空間に集中する。該
空間を貫通して回転軸１０にある線を連続的に通過させ
る。該シリンダー装置は、基板に達しなかった膚は大部
分は再びシリンダー壁に沈析し、故の溶発過程に使用で
きるという利点を有する。前記スペンダーターゲットは
最適に使用される。
実施形を並列接枕する。これら電子発生源１の電子ビー
ムは湾曲した石英ガラスチューブ５を使用してリング状
スペンダーターゲット６に導いた。該スペンダーターゲ
ット６はＭ発過程の間−様の溶発勿達成するためにその
軸庫１ｕの回りを回転させた。該スペンダーターゲット
のリング状によって溶発過程で生成する滴霧７は該スペ
ンダーターゲットの内部かつ下部の空間に集中する。該
空間を貫通して回転軸１０にある線を連続的に通過させ
る。該シリンダー装置は、基板に達しなかった膚は大部
分は再びシリンダー壁に沈析し、故の溶発過程に使用で
きるという利点を有する。前記スペンダーターゲットは
最適に使用される。
第１図は本発明によシ基板に超伝導物質ｔ−被被覆る装
置の略示徊成図及び、第２図は本発明によシ＃ｊＩ状基
板を連続的に超伝導フィルムで被護できる装置の略示摘
成図である。 １・・・電子ビーム発生器、３・・・高電圧入力、４・
・・電子ビーム、５・・・ＰＲチューブ、６・・・スペ
ンダーターゲット、７・・・滴霧、８・・・レシーブタ
ーデット
置の略示徊成図及び、第２図は本発明によシ＃ｊＩ状基
板を連続的に超伝導フィルムで被護できる装置の略示摘
成図である。 １・・・電子ビーム発生器、３・・・高電圧入力、４・
・・電子ビーム、５・・・ＰＲチューブ、６・・・スペ
ンダーターゲット、７・・・滴霧、８・・・レシーブタ
ーデット
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、スペンダーターゲットでパルス化した粒子またはレ
ーザビームを用いて溶発過程を誘導し、その際発生する
μ範囲の直径を有する小滴を加熱した基板に到達せしめ
て、エピタキシャルおよび／または高組織化成長の、異
相の少い高Ｔｃ酸化物超伝導体フィルムを基板上に製造
する方法において、該基板を、該小滴が衝突の際基板を
ぬらしかつ均一の、滑かなフィルムに固化する温度に保
持することを特徴とする、エピタキシャルおよび／また
は高組織化成長、異相の少い高Ｔｃ酸化物超伝導体フィ
ルムを基板上に製造する方法。 ２、前記基板温度が該Ｔｃ酸化物超伝導体の溶融温度よ
りも約３００〜４００℃下にある請求項１記載の方法。 ３、高Ｔｃ酸化物超伝導性フィルムを製造する前に同じ
方法で該基板上に耐酸化性中間層を、製造する請求項１
記載の方法。 ４、前記溶発過程を電子エネルギー約１０〜２０ｋｅＶ
および電流密度範囲１０＾３〜１０＾４Ａ／ｃｍ＾２の
パルス化電子ビームを使用することにより誘導しかつ保
持する請求項１記載の方法。 ５、請求項１から４までのいずれか１項記載の方法を実
施する装置において、粒子ビーム発生のために電子エネ
ルギー約１０〜２０ｋｅＶおよび電流密度範囲１０＾３
〜１０＾４Ａ／ｃｍ＾２のパルス化電子ビームを発生で
きる電子発生源を使用することを特徴とする、エピタキ
シャルおよび／または高組織化成長の、異相の少い高Ｔ
ｃ酸化物超伝導体フィルムを基板上に製造する装置。 ６、前記電子ビームを絶縁物質からなるチューブを介し
て導き、該チューブの一端は電子発生源に連結して他の
自由端はスペンダーターゲットの近傍に至らしめ、この
際該スペンダーターゲットまでの距離はおもに数ｃｍで
ある請求項５記載の装置。 ７、前記チューブの内径が電子ビームの直径と同じ程度
である請求項６記載の装置。 ８、複数の並行に配列した電子発生源を使用し、それに
連結せるチューブを湾曲させ、その自由端はリング状の
、その軸線を中心として回転し得るスペンダーターゲッ
トに向っている請求項５から７までのいずれか１項記載
の装置。 ９、線状基板がリング状スペンダーターゲットを通過ま
たは貫通する請求項８記載の装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3834402.5 | 1988-10-10 | ||
| DE3834402A DE3834402C1 (ja) | 1988-10-10 | 1988-10-10 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02164793A true JPH02164793A (ja) | 1990-06-25 |
| JP2957205B2 JP2957205B2 (ja) | 1999-10-04 |
Family
ID=6364750
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1263156A Expired - Lifetime JP2957205B2 (ja) | 1988-10-10 | 1989-10-11 | エピタキシヤルおよび／または高組織化成長の、異相の少い高Ｔｃ酸化物超伝導体フイルムを基板上に製造する方法および装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5028584A (ja) |
| EP (1) | EP0363554B1 (ja) |
| JP (1) | JP2957205B2 (ja) |
| DE (1) | DE3834402C1 (ja) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AU7653391A (en) * | 1990-03-16 | 1991-10-10 | Conductus, Inc. | High temperature superconducting films on aluminum oxide substrates |
| DE4035073C1 (ja) * | 1990-11-05 | 1992-03-05 | Battelle-Institut Ev, 6000 Frankfurt, De | |
| DE4208764C2 (de) * | 1992-03-19 | 1994-02-24 | Kernforschungsz Karlsruhe | Gasgefüllter Teilchenbeschleuniger |
| DE4226229A1 (de) * | 1992-08-07 | 1994-02-10 | Igenwert Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Impulsbeaufschlagung einer Festkörperoberfläche, insbesondere einer Werkstoffoberfläche |
| US5660746A (en) * | 1994-10-24 | 1997-08-26 | University Of South Florida | Dual-laser process for film deposition |
| US6004881A (en) * | 1997-04-24 | 1999-12-21 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Digital wet etching of semiconductor materials |
| US5858478A (en) * | 1997-12-02 | 1999-01-12 | The Aerospace Corporation | Magnetic field pulsed laser deposition of thin films |
| JP3411497B2 (ja) * | 1998-03-25 | 2003-06-03 | 科学技術振興事業団 | Ｗ超微粒子とその製造方法、およびｗナノ結晶薄膜 |
| US6491759B1 (en) * | 2000-03-14 | 2002-12-10 | Neocera, Inc. | Combinatorial synthesis system |
| US20030054105A1 (en) * | 2001-08-14 | 2003-03-20 | Hammond Robert H. | Film growth at low pressure mediated by liquid flux and induced by activated oxygen |
| US20050000952A1 (en) * | 2003-05-19 | 2005-01-06 | Harter Donald J. | Focusless micromachining |
| KR100621786B1 (ko) * | 2004-05-12 | 2006-09-14 | 고등기술연구원연구조합 | 용융액적 투사를 이용하는 고밀도 에너지빔 용접 시스템 |
| CA2710032A1 (en) * | 2007-12-19 | 2009-07-02 | Carlo Taliani | Method for depositing metal oxide films |
| IT1391802B1 (it) * | 2008-11-21 | 2012-01-27 | Consiglio Nazionale Ricerche | Metodo di realizzazione di celle solari multistrato a film sottile |
| RU2462009C1 (ru) * | 2011-06-08 | 2012-09-20 | Мурадин Абубекирович Кумахов | Способ изменения направления движения пучка ускоренных заряженных частиц, устройство для осуществления этого способа, источник электромагнитного излучения, линейный и циклический ускорители заряженных частиц, коллайдер и средство для получения магнитного поля, создаваемого током ускоренных заряженных частиц |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2804393A1 (de) * | 1978-02-02 | 1979-08-09 | Christiansen Jens | Verfahren zur erzeugung hoher gepulster ionen- und elektronenstroeme |
| US4863581A (en) * | 1987-02-12 | 1989-09-05 | Kawasaki Steel Corp. | Hollow cathode gun and deposition device for ion plating process |
| US4874741A (en) * | 1988-04-14 | 1989-10-17 | The Research Foundation Of State University Of New York | Non-enhanced laser evaporation of oxide superconductors |
-
1988
- 1988-10-10 DE DE3834402A patent/DE3834402C1/de not_active Expired
-
1989
- 1989-03-15 EP EP89104563A patent/EP0363554B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1989-09-15 US US07/407,989 patent/US5028584A/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-10-11 JP JP1263156A patent/JP2957205B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0363554B1 (de) | 1994-04-13 |
| EP0363554A3 (en) | 1990-07-04 |
| DE3834402C1 (ja) | 1989-05-03 |
| US5028584A (en) | 1991-07-02 |
| EP0363554A2 (de) | 1990-04-18 |
| JP2957205B2 (ja) | 1999-10-04 |
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