JP2006093446A

JP2006093446A - 半導体製造システム

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Publication number: JP2006093446A
Application number: JP2004277943A
Authority: JP
Inventors: Kazuhide Asai; 一秀浅井
Original assignee: Hitachi Kokusai Electric Inc
Current assignee: Hitachi Kokusai Electric Inc
Priority date: 2004-09-24
Filing date: 2004-09-24
Publication date: 2006-04-06
Anticipated expiration: 2024-09-24
Also published as: JP5259042B2

Abstract

【課題】ロギング条件を任意設定できるようにして汎用ロギング機構を実現する。
【解決手段】表示画面300上で、複数の装置ステータス欄311〜315、321〜325(Tube Status、Trans Mode、Boat Mode、Step Name、及びValve Number)の各項目の中から任意の装置ステータスの組み合わせを選択することにより、ロギング条件を設定する。その際、ロギング開始条件(Start Trigger)308とロギング終了条件(End Trigger)309とをそれぞれ設定できるようにする。表示画面300上から設定された装置ステータスと、実際の装置から検出された装置ステータスとを所定時間間隔毎に比較して、開始条件が成立している場合は、条件フラグを立て、その状態で終了条件が成立した場合は条件フラグを落とすようにして、条件フラグの有無によりロギング条件の確立を判定する。積算方式欄(Accumulation Type)327でTIMEを選択して確立した時間を積算すると、それがロギングデータとなる。MFCNo.を選択すると積算ガス流量が換算できる。
【選択図】図４

Description

本発明は、ロギング機能を備えた半導体製造システムに関する。

半導体製造システムは、ウェハに成膜等の処理を行う半導体製造装置を、ネットワークを介して集中管理装置で管理するものである。従来の集中管理装置は、半導体製造装置から成膜処理に関するロギングデータ（例えば、炉内温度やガス流量）をネットワークを介して収集し、記憶部に保存し、必要に応じて各種のロギングデータを表示画面に出力するようになっている。

しかしながら、従来の集中管理装置が有するロギング機能は、ロギング条件が固定されており、その固定条件下の材料供給情報（ガス流量や炉内温度）等を、単に記録するものであった。これらのロギングの用途は、成膜後にその品質を推測するための確認手段（プロセス中に安定した材料が供給されていたか？）として使用される程度で、成膜品質を確認する目的に限定されていた。

したがって、これらのデータからは、成膜等の処理中に実際に消費したガス流量や、電力消費量等を求めることができなかった。得られるロギングデータは、各種消費量の目安になるに過ぎず、有用なデータとはいえなかった。特に、ロギング条件が固定されているため、その固定された条件下でのデータしか求めることができず、半導体製造メーカ等のユーザの幅広い要請に柔軟に応えることができなかった。

例えば、所定の装置ステータスを維持するためには、そのための設備的な資源（ガスや電力等）を絶えず装置へ供給する必要があり、そのときの設備的な資源消費量（以後、設備消費量という。）を知りたいときがあるが、所定の装置ステータスをロギング条件として設定することが困難であるため、そのときの設備的な資源消費量を容易に知ることができなかった。
また、ロギング条件は、成膜等の処理中に限定されているため、処理中のデータを得ることはできても、非処理中のデータを求めることはできなかった。一例として、装置にカセットが投入されていないアイドル（ＩＤＬＥ）時に流す不活性ガス流量を求めることが困難であるため、アイドル時にどれくらいのガスが無駄に放出されているのかを知りたくても、容易には知ることができなかった。

また、汎用性のない固定的なロギング方式では、例えば、ユーザ毎に装置の設備消費量の計算方法が異なる場合には、個別に仕様を作る必要があった。そのため仕様作成作業が煩雑であり、すべてのユーザに共通なロギング機能を実現することが難しかった。

本発明の課題は、上述した従来技術の問題点を解消して、汎用的なロギング機構を実現することが可能な半導体製造システムを提供することにある。

第１の発明は、半導体製造装置の状態を示す複数の装置ステータスのうち、任意の装置ステータスの組み合わせをロギング条件として、前記ロギング条件が成立している時間を積算することを特徴とする半導体製造システムである。ここで、装置ステータスとしては、運転の状況を示す装置運転モードでいえば、「ＲＥＳＥＴ」、「ＲＵＮ」、「ＥＮＤ」等があり、移載機の状態を示すメカモードでいえば、「ＲＥＭＯＴＥ」、「ＬＯＣＡＬ」があり、ボートの状況を示すボートモードでいえば、「ＨＯＭＥ」、「ＬＯＡＤＩＮＧ」、「ＣＡＰ」等があり、バルブ開閉状態を示すバルブ開閉ステータスでいえば、バルブ番号の通番（＃１〜＃６４）等がある。
ロギング条件が固定されているものと異なり、装置ステータスの組み合わせによりロギング条件を任意に設定できるようにしたので、汎用的なロギング機能を実現できる。

第２の発明は、半導体製造装置を管理装置で管理する半導体製造システムにおいて、前記管理装置は、前記半導体製造装置のロギング条件を、前記半導体製造装置の状態を示す複数の装置ステータスの中から任意の装置ステータスを選択することにより設定する条件設定部と、前記半導体製造装置の装置ステータスを検出する検出部と、前記条件設定部で設定した装置ステータスと、前記検出部で検出した装置ステータスとを比較し、これらが一致したとき前記ロギング条件の確立を判定して、確立した時間を積算する制御部とを備えていることを特徴とする半導体製造システムである。
条件設定部により任意の装置ステータスの組み合わせとして、ロギング条件が設定される。検出部により半導体製造装置の複数の装置ステータスが検出される。検出された装置ステータスは制御部に入力されて、ロギング条件として設定されている装置ステータスと比較される。比較結果が一致したとき、制御部は、ロギング条件が確立したと判断して、確立している時間を積算する。
ロギング条件が確立している期間の積算時間がわかるので、この積算時間を含むロギングデータを定量的に求めることができる。したがって、有用なロギング機能を実現できる。

第３の発明は、第２の発明において、前記制御部が、前記設定部で設定された任意の装置ステータスを保存し、前記検出部で検出された半導体製造装置の装置ステータスを保存する第１の記憶部と、第１の記憶部に保存された前記条件設定部で設定した装置ステータスと前記検出部で検出された装置ステータスとを比較してこれらが一致したとき前記ロギング条件の確立を判定する条件判定部と、前記条件判定部で判定された前記ロギング条件の確立しているときの時間を求める計算部と、前記計算部で求めた時間を保存する第２の記憶部と、を備えている半導体製造システムである。
制御部が、第１の記憶部と、条件判定部と、計算部と、第２の記憶部とで構成されているので、汎用的なロギング機能を容易に実現できる。

第４の発明は、第２の発明において、前記ロギング条件は開始条件と終了条件から構成され、前記検出部による半導体製造装置の装置ステータスの検出と、前記条件判定部による設定装置ステータスと検出装置ステータスとの比較は、所定時間間隔毎に行い、前記条件判定部は、前記開始条件が成立している場合は、条件フラグを立て、フラグが立っている状態で終了条件が成立した場合は、条件フラグを落として、前記条件フラグの有無により前記ロギング条件の確立を判定するようにした半導体製造システムである。
ロギング条件の確立しているか否かを、条件フラグの有無により判定できるので、ロギング条件の確立判断が容易であり、汎用的なロギング機能を容易に実現できる。

第５の発明は、第２の発明ないし第３の発明において、ロギングデータの出力要求を行うとともに、ロギングデータを画面に表示出力する入出力部と、前記入出力部からロギングデータの出力要求があったとき、前記第２の記憶部からロギングデータを読み出して前記入出力部にロギングデータを出力させる出力制御部とを備えた半導体製造システムである。
ロギングデータの出力要求があったとき入出力部にロギングデータを表示画面に出力させるので、必要に応じてロギングデータを容易に参照することができる。

第６の発明は、第１の発明ないし第５の発明において、前記半導体製造装置はネットワークを介して前記管理装置に複数接続されていることを特徴とする半導体製造システムである。
半導体製造装置はネットワークを介して管理装置に複数接続されているので、複数の半導体製造装置について汎用的なロギング機能を実現できる。

第７の発明は、第２の発明ないし第６の発明において、前記条件設定部で設定したロギング条件における単位時間当たりの前記半導体製造装置の設備消費量と、前記ロギング条件が確立した時間とを積算することにより、前記半導体製造装置の設備消費量を換算できるようにしたことを特徴とする半導体製造システムである。
半導体製造装置の設備消費量を換算できるので、半導体製造装置の設備消費量の管理を行える汎用的なロギング機能を実現できる。

第８の発明は、第１の発明ないし第７の発明において、前記ロギング条件は複数登録できることを特徴とする半導体製造システムである。
任意の装置ステータスの組み合わせによるロギング条件を複数登録できるようにしたので、より汎用的なロギング機能を実現できる。

第９の発明は、処理室に接続される配管のバルブステータスをロギング条件として、ロギング条件が成立している時間の積算値、又は、バルブを流れるガス流量の積算値をロギング可能とした半導体製造システムである。

第１０の発明は、第９の発明において、基板の処理を行う処理室に接続される材料を供給するガス配管のバルブステータスをロギング条件として、ロギング条件が成立している時間の積算値、又は、バルブを流れるガス流量の積算値をロギング可能とした半導体製造システムである。

第１１の発明は、第９の発明において、処理室を排気するポンプに接続される排気配管のバルブステータスをロギング条件として、ロギング条件が成立している時間の積算値、又は、バルブを流れるガス流量の積算値をロギング可能とした半導体製造システムである。

第１２の発明は、処理室に基板を移載する移載機のモードをロギング条件として、ロギング条件が成立している時間の積算値をロギング可能とした半導体製造システムである。

第１３の発明は、複数の基板を水平姿勢に多段に保持する基板保持具のボートモードをロギング条件として、ロギング条件が成立している時間の積算値をロギング可能とした半導体製造システムである。

本発明によれば、任意の装置ステータスの組み合わせをロギング条件としたので、汎用的なロギング機構を実現することができる。
また、ユーザが自由に選べ、任意のロギング条件を作成することが可能なので、現状存在していないロギング条件をユーザが要求したときに、ソフト改造無しで実現できる。

以下に本発明の実施の形態を説明する。
［実施の形態の概要］
本実施の形態は、半導体製造装置が保有する種々の装置ステータスを定期的に検出して、検出された装置ステータスが、ロギング条件として設定されている特定の装置ステータスの組み合わせを満たしている場合、その特定の装置ステータスが維持されている時間を積算し、日ベースで記録していくというロギング機能を備えたシステムである。

装置運用において、特定の装置ステータスを維持するためには、設備的な資源を絶えず供給する必要がある。資源として、例えば、炉内温度を保つための電源供給や、付着性ガスによる配管目詰まり防止用のＮ₂ガス供給等がある。特定の装置ステータスが維持されている時間を積算した値は、特定の装置ステータスを維持するための設備的な資源の消費量への換算に使用できる。

例えば、装置運転状態がＲＵＮ（成膜）の時に、ＳｉＨ₂Ｃｌ₂（ＤＣＳ）ガスをどれだけ消費したか換算する場合を、図８を用いて説明する。図８（ａ）、（ｂ）は２種類のガス配管パターンを示し、配管上に示されている□印はマスフローコントローラ（ＭＦＣ）を、○印は開閉バルブをそれぞれ意味する。ＭＦＣに付けたNo.はチャンネル番号であり、バルブに付けた＃番号はバルブ番号である。例えば、ＭＦＣは１６チャンネルあり、バルブは６４個ある。一般に、各ＭＦＣは、それによって制御されるガス流量が固定されているから、ＭＦＣNo.１〜１６を選択することにより、ガス流量を指定できるようになっている。なお、ガス配管パターンも、ＭＦＣやバルブに付される番号も固定ではなく、ユーザによって異なる。

ガス配管パターンを使ってＳｉＨ₂Ｃｌ₂を供給する場合、このＳｉＨ₂Ｃｌ₂の消費量を換算するには、図８（ａ）と図８（ｂ）の様にガス配管パターンが違うときは、ロギング条件を異ならせる必要がある。すなわち、ＳｉＨ₂Ｃｌ₂を流量制御するＭＦＣのチャンネル番号と、ＳｉＨ₂Ｃｌ₂源から当該ＭＦＣへ通じるガス配管を開閉するバルブ番号とを組み合わせて、これをロギング条件とする必要がある。

ＭＦＣによって流量制御されるＳｉＨ₂Ｃｌ₂流量と、バルブが開いている時間が分かれば、ガス消費量が分かる。
各ＭＦＣによって流量制御されるガス流量は、通常、決まっており既知である。バルブの開閉状態は、バルブの状態が変化して検出された装置ステータスと、スタートトリガ（開始条件）およびエンドトリガ（終了条件）とを比較し、条件を満足しているか否かで判定する。スタートトリガはバルブの開状態を検出し、エンドトリガはバルブの閉状態を検出する。所定時間間隔毎にスタートトリガとエンドトリガを検出された装置ステータスと比較し、その結果から、バルブの開状態が続いている時間を求め、これを積算する。これにより、ＳｉＨ₂Ｃｌ₂が、当該番号のバルブを介して当該チャンネル番号のＭＦＣを流れている継続時間が求まる。ＭＦＣによって制御されるガス流量は既知であるから、この既知流量に継続時間を掛合わせることによって、ＳｉＨ₂Ｃｌ₂の消費量を計算することができる。すなわち継続時間からＳｉＨ₂Ｃｌ₂の消費量を換算できる。
なお、ＭＦＣによって制御されるＳｉＨ₂Ｃｌ₂の流量は、例えばＳｉＨ₂Ｃｌ₂とＮＨ₃を用いて窒化膜を形成する場合は、２ｓｌｍ、あるいは３ｓｌｍである。

ＳｉＨ₂Ｃｌ₂が供給されている時間を求めるためのロギング条件となる装置ステータスは、図８（ａ）にあってはＭＦＣNo.５と＃８、＃２８のバルブとの組み合わせであり、図８（ｂ）にあってはＭＦＣNo.３とバルブ＃７との組み合せである。

また、図８（ｂ）の例で説明すると、ＭＦＣNo.３を選択した場合でも、必ずしもこのＭＦＣNo.３にＳｉＨ₂Ｃｌ₂を流しているとは限らず、ＳｉＨ₂Ｃｌ₂と置換されてＮ₂を流しているときもある。このＮ₂のロギング条件は、ＭＦＣNo.３とバルブ＃６との組み合わせにする必要がある。

また、装置運転モードにおいて、ＩＤＬＥ時の無駄ガス量を換算するためのロギング条件は、ＭＦＣのチャンネル番号とバルブ番号とを組み合わせるだけでなく、装置運転モードのパラメータである「ＩＤＬＥ」もロギング条件に組み合わせる必要がある。

また、装置の稼働時の電力消費を換算するためには、稼働時は排気ポンプを常にＯＮしていることから、装置ステータスとして排気ポンプのＯＮ／ＯＦＦ状態をロギング条件とすればよい。

また、装置のメンテナンスに要した時間を換算するためには、装置ステータス欄「ＴｒａｎｓＭｏｄｅ」のパラメータ「ＬＯＣＡＬ」を条件とすればよい。トランスモードはウェハ移載機の動作モードを示し、ウェハ移載機の動作モード中のパラメータのうち、メンテナンス時は、必ず移載機をＬＯＣＡＬモードにしてから行うからである。

このように実施の形態では、複数の装置ステータスの組み合わせを、ユーザが自由にロギング条件とすることができるので、汎用的なロギング機構を実現することができる。また、装置ステータスが維持されている時間の積算結果から、装置ステータスを維持するための設備消費量を換算することができるので、汎用的なロギング機構を実現することができる。

［実施の形態の詳細］
以下に実施の形態の半導体製造システムを詳細に説明する。

図９に、半導体製造装置を制御する半導体製造システムを示す。半導体製造システムは、複数の半導体製造装置１０、集中管理装置２０、及び複数の半導体製造装置１０を集中管理装置２０に接続するネットワーク３０から構成される。
集中管理装置２０は各半導体製造装置１０で使用するレシピを保有し、各レシピの編集や、用いられた生産レシピの履歴の保存などの管理を行っており、ネットワーク３０を介して実行すべき生産レシピを各半導体製造装置１０に受け渡している。また、集中管理装置２０は、各半導体製造装置１０の処理データを記録するロギング機能を有し、ネットワーク３０を介して各半導体製造装置１０の様々な装置ステータスを収集している。

半導体製造装置１０は、レシピに基づいて運転され、その処理データ例えば温度、圧力、ガス流量、及びそれらの経時変化などはロギングデータとしてネットワーク３０を介して集中管理装置２０に受け渡される。

図１０に実施の形態による半導体製造装置の概略構成を示す。
筐体１０１内部の前面側には、図示しない外部搬送装置との間で基板収納容器としてのカセット１００の授受を行う保持具授受部材としてのカセットステージ１０５が設けられ、カセットステージ１０５の後側には昇降手段としてのカセットエレベータ１１５が設けられ、カセットエレベータ１１５には搬送手段としてのカセット移載機１１４が取りつけられている。また、カセットエレベータ１１５の後側には、カセット１００の載置手段としてのカセット棚１０９が設けられると共にカセットステージ１０５の上方にも予備カセット棚１１０が設けられている。予備カセット棚１１０の上方にはクリーンユニット１１８が設けられクリーンエアを筐体１０１の内部を流通させるように構成されている。

筐体１０１の後部上方には、処理炉２０２が設けられ、処理炉２０２の下方には基板としてのウェハ２００を水平姿勢で多段に保持する基板保持手段としてのボート２１７を処理炉２０２に昇降させる昇降手段としてのボートエレベータ１２１が設けられ、ボートエレベータ１２１に取りつけられた昇降部材１２２の先端部には蓋体としてのシールキャップ２１９が取りつけられボート２１７を垂直に支持している。ボートエレベータ１２１とカセット棚１０９との間には昇降手段としての移載エレベータ１１３が設けられ、移載エレベータ１１３には搬送手段としてのウェハ移載機１１２が取りつけられている。また、ボートエレベータ１２１の横には、開閉機構を持ち処理炉２０２の下面を塞ぐ遮蔽部材としての炉口シャッタ１１６が設けられている。

ウェハ２００が装填されたカセット１００は、図示しない外部搬送装置からカセットステージ１０５にウェハ２００が上向き姿勢で搬入され、ウェハ２００が水平姿勢となるようカセットステージ１０５で９０°回転させられる。更に、カセット１００は、カセットエレベータ１１５の昇降動作、横行動作及びカセット移載機１１４の進退動作、回転動作の協働によりカセットステージ１０５からカセット棚１０９又は予備カセット棚１１０に搬送される。

カセット棚１０９にはウェハ移載機１１２の搬送対象となるカセット１００が収納される移載棚１２３があり、ウェハ２００が移載に供されるカセット１００はカセットエレベータ１１５、カセット移載機１１４により移載棚１２３に移載される。

カセット１００が移載棚１２３に移載されると、ウェハ移載機１１２の進退動作、回転動作及び移載エレベータ１１３の昇降動作の協働により移載棚１２３から降下状態のボート２１７にウェハ２００を移載する。
ボート２１７に所定枚数のウェハ２００が移載されるとボートエレベータ１２１によりボート２１７が処理炉２０２に挿入され、シールキャップ２１９により処理炉２０２が気密に閉塞される。気密に閉塞された処理炉２０２内ではウェハ２００が加熱されると共に処理ガスが処理炉２０２内に供給され、ウェハ２００に処理がなされる。

ウェハ２００への処理が完了すると、ウェハ２００は上記した作動の逆の手順により、ボート２１７から移載棚１２３のカセット１００に移載され、カセット１００はカセット移載機１１４により移載棚１２３からカセットステージ１０５に移載され、図示しない外部搬送装置により筐体１０１の外部に搬出される。カセット移載機１１４等の搬送動作は、搬送制御手段１２４により制御される。上述した半導体製造装置の運転は、レシピに基づいて行われる。

図１に、実施の形態による集中管理装置２０の構成を示す。集中管理装置は、第１の記憶部としての内部記憶部（以下内部メモリ）２１、検出部としての装置間通信部２２、入出力部２３、条件設定部２４、条件判定部２５、計算部２６、第２の記憶部としての外部記憶部２７、表示制御部２８から構成される。上記内部メモリ２１、条件判定部２５、計算部２６、及び外部記憶部２７からロギング条件の確立を判定して確立した時間を積算する制御部が構成される。この制御部（記憶部を除く）、及び装置間通信部２２、条件設定部２５は、プログラムによって各機能を実現するＣＰＵで構成される。

内部メモリ２１は、各半導体製造装置から検出される様々な装置ステータス、条件設定部２４で設定された装置ステータス、条件フラグ等を記憶する。設定された装置ステータスには、ロギング開始条件となる設定装置ステータスと、ロギング終了条件となる設定装置ステータスとがある。内部メモリ２１はＲＡＭなどで構成される。

装置間通信部２２は、ネットワーク３０に接続され、このネットワーク３０を介して送られてくる各半導体製造装置１０の様々な装置ステータスを所定時間間隔毎に検出し、内部メモリ２１に保存する。保存される装置ステータスが検出装置ステータスとなる。

入出力部２３は、入力手段となるキーボードやマウス（キーボード等）２３ａと、出力手段となる表示装置２３ｂとを備える。表示装置２３ｂに表示されるロギング条件設定時の表示画面（後述）を見ながら、複数の装置ステータスの中から特定の装置ステータスをキーボード等２３ａから選択して、ロギング開始条件及び終了条件を設定したり、キーボード等２３ａから表示制御部２８に積算時間表示要求を行ったり、ロギングデータの出力結果を表示装置２３ｂに表示したりする。

条件設定部２４は、入出力部２３で設定される複数の装置ステータスの組み合わせからなるロギング開始条件及び終了条件を内部メモリ２１に保存する。保存される装置ステータスが設定装置ステータスとなる。

条件判定部２５は、内部メモリ２１の検出装置ステータスと設定装置ステータスとを所定時間間隔毎に比較してロギング開始条件またはロギング終了条件が成立したか否かを判定する。

計算部２６は、算出部と保存実行部とを有し、条件判定部２５で判定された条件が確立した間の継続時間を算出部で積算し、積算後、保存実行部に保存指令を与えるように構成される。

外部記憶部２７は、計算部２６の保存実行部から保存命令を受けて、積算結果を保存する。外部記憶部２７としては例えばハードディスク（ＨＤ）を挙げることができる。以下外部記憶部をハードディスク（ＨＤ）２７という。

表示制御部２８は、入出力部２３のキーボード等２３ａから積算時間表示要求があったとき、ハードディスク（ＨＤ）２７から積算した結果を読み出して、表示装置２３ｂに積算時間モニタ表示指令を与える。

図２のフローチャートを用いて、条件設定部２４及び条件判定部２５の機能を説明する。条件判定部２５によるロギング処理の流れには、（ａ）装置ステータス展開、（ｂ）ロギング条件設定、（ｃ）ロギングデータ表示処理、（ｄ）装置ステータス監視の４つがある。

（ａ）装置ステータス展開
条件判定部２５は、内部メモリ２１に保存されている検出装置ステータスが変化したか否かを判定し（ステップ２１）、変化がないときはなにもしない。装置ステータスの変化があったときは、最新の検出装置ステータスを内部メモリ２１に保存（展開）する（ステップ２２）。

（ｂ）条件設定
条件設定部２４は、入出力部２３から新しいロギング条件が設定されたか否かを判定し（ステップ３１）、新しいロギング条件が設定されたら、設定された最新の装置ステータスを内部メモリ２１に展開する（ステップ３２）。入出力部２３から新しいロギング条件が設定されなかったら条件設定は終了する。

（ｃ）表示処理
条件設定部２４は、入出力部２３から新しいロギング条件が設定されたか否かを判定する（ステップ３１）。新しいロギング条件が設定されたら、表示制御部２８は、ユーザ操作によりキーボード等２３ａから積算時間表示要求を受け付け、ハードディスク（ＨＤ）２７から積算時間を取得する（ステップ４２）。表示制御部２８は、取得した積算時間を含むロギングデータを表示装置２３ｂの表示画面に表示する（ステップ４３）。新しいロギング条件が設定されなかったら、表示処理は終了する。

（ｄ）監視
図３のタイミングチャートも用いて説明する。
条件判定部２５は、ロギング条件の確立を監視するために、内部メモリ２１の条件フラグ状態に応じ定期的に内部メモリ２１の装置ステータスと（ａ）ロギング開始条件、または（ｂ）ロギング終了条件を比較し、ロギング開始条件を満足していて条件フラグが立（ＯＮ）っていなければ（ｃ）条件フラグを立てる（ステップ５２と５３）、逆にロギング終了条件を満足していて条件フラグが立っていれば条件フラグを落（ＯＦＦ）とする（ステップ５４と５５）。

また、条件判定部２５は、（ｃ）条件フラグが前回の定期的チェックから継続して立っていれば、計算部２６に継続時間を積算させ、ハードディスク（ＨＤ）２７の内容を更新させる（ステップ５６）。

条件フラグＯＦＦ（ステップ５５）、積算時間加算（ステップ５６）後は、条件フラグＯＮ（ステップ５３）のときと同様に、一定時間待ってから（ステップ５７）、条件フラグの判定（ステップ５１、５２）を繰り返す。ここで一定時間とは、スタートトリガの周期であり、スタートトリガとエンドトリガの間隔を例えば１秒とすれば、２秒である。また、設定装置ステータスと検出装置ステータスとを比較する所定時間間隔は１秒である。尚、本実施の形態においては、１秒毎に比較を行っているが、定期的な比較は何秒毎でもかまわない。

このようにして設定されたロギング条件が成立しているか否かを常に監視し、ロギング条件が成立しているときだけ、ロギング条件に対応する特定の装置ステータスが維持されている時間を積算するので、そのときに消費される設備的な資源消費量を知ることができる。

次に、図４及び図５を用いて、上述したロギング条件設定画面、及びロギングデータの表示画面の説明をする。

図４は集中管理装置２０の表示装置２３ｂにおけるロギング条件設定時の入力表示画面３００を示す図である。この表示画面を説明する。

入力表示画面３００の上部には、画面タイトルとして「ＧＥＮＥＲＡＬＬＯＧＧＩＮＧＰＡＲＡＭＥＴＥＲ」が示され、その右側には、「ＭＥＮＵ」、「ＣＯＰＹ」、「ＥＸＩＴ」の各ボタン３０１、３０２、３０３が表示される。

「ＭＥＮＵ」ボタン３０１は、そのボタンをタッチすることにより、メニュー画面に切替える。「ＣＯＰＹ」ボタン３０２は、そのボタンをタッチすることにより、表示されているロギング条件をフロッピイデスク等へコピーする。「ＥＸＩＴ」ボタン３０３は、そのボタンをタッチすることにより、ロギング設定画面から抜け出して初期画面に戻る。

上記タイトルの下部には、最終編集（ユーザＬａｓｔＥｄｉｔＵｓｅｒ）、及びその編集時間（ＭＭ／ＤＤ／ＹＹ：ＭＭ’ＳＳ”）が記入できるようになっている。図示例では、「ＨＡＮＡ」、及び「（１１／２１／０３）１６：５２’２６”」がそれぞれ記入されている。
さらにその下部には、ロギング条件の名前（Ｎａｍｅ）及びコメント（Ｃｏｍｍｅｎｔ）欄３０４が設けられ、ロギング条件に名前やコメントが記入できるようになっている。図示例では、「ＲＵＮ−ＥＮＤ」、及び「Ｔ：ｈａｎａ」がそれぞれ記入されている。その右側には、「ＰＡＲＡＭ．ＣＬＥＡＲ」、「ＰＲＥＶ」、「ＮＥＸＴ」の各ボタン３０５、３０６、３０７が表示される。

「ＰＡＲＡＭ．ＣＬＥＡＲ」ボタン３０５は、そのボタンをクリックすることにより、選択された装置ステータス（パラメータ）をクリアして、反転したパラメータの表示を元に戻す。「ＰＲＥＶ」ボタン３０６は、そのボタンをクリックすることにより、前の画面を表示する。「ＮＥＸＴ」ボタン３０７は、そのボタンをクリックすることにより、次の画面を表示する。

また、「ＰＡＲＡＭ．ＣＬＥＡＲ」と「ＰＲＥＶ」との間に表示されている数字「０１／１０」は、ぺージ数、すなわち「表示ぺージ／最大ぺージ」を表す。開始／終了のパターンは多数あるので、ロギング条件は１〜１０ページまで作成可能としてある。このようにロギング条件を複数登録できるようにすることで、より汎用的なロギング機能を実現する。

画面の主要部にはロギング条件が表示される。主要部は、上下に二分割され、上部が「ＳｔａｒｔＴｒｉｇｇｅｒ」とタイトルを付けられたロギング開始条件設定部３０８、下部が「ＥｎｄＴｒｉｇｇｅｒ」とタイトルを付けられたロギング終了条件設定部３０９であり、ロギング開始終了条件が個々に設定登録できるようになっている。

上部のロギング開始条件設定部３０８には、横並びの５つの装置ステータス欄３１１〜３１５が表示されている。５つの欄に付けられたタイトルは、左から順に、「ＴｕｂｅＳｔａｔｕｓ」欄３１１、「ＴｒａｎｓＭｏｄｅ」欄３１２、「ＢｏａｔＭｏｄｅ」欄３１３、「ＳｔｅｐＮａｍｅ」欄３１４、及び「ＶａｌｖｅＮｕｍｂｅｒ」（配管のバルブステータス）欄３１５である。これらはそれぞれ複数の装置ステータス（パラメータ）を有し、これらを選択設定できるようになっている。

「ＴｕｂｅＳｔａｔｕｓ」は装置運転モードと呼ばれ、装置の運転ステータスを指定できる。「ＴｒａｎｓＭｏｄｅ」は移載機の動作モードであり、移載機のステータスを指定できる。「ＢｏａｔＭｏｄｅ」はボートの動作モードであり、ボートのステータスを指定できる。「ＳｔｅｐＮａｍｅ」はレシピのステップ名称であり、レシピ内の実行中のステップ名称を指定できる。「ＶａｌｖｅＮｕｍｂｅｒ」はバルブ番号の通番（＃１〜＃６４）であり、対応するバルブの番号を指定できる。

下部のロギング終了条件設定部３０９には、ロギング開始条件設定部３０８と同一タイトルで同一内容の横並びの５つの装置ステータス欄３２１〜３２５が表示され、それらの欄名は同じく「ＴｕｂｅＳｔａｔｕｓ」、「ＴｒａｎｓＭｏｄｅ」、「ＢｏａｔＭｏｄｅ」、「ＳｔｅｐＮａｍｅ」、及び「ＶａｌｖｅＮｕｍｂｅｒ」である。

「ＴｕｂｅＳｔａｔｕｓ」（装置運転モード）には、「ＮＯＳＥＬＥＣＴ」、「ＲＥＳＥＴ」、「ＧＯＳＴＮＢＹ」、「ＳＴＡＮＢＹ」、「ＲＵＮ」、「ＥＮＤ」、「ＭＡＮＵＡＬ」、「ＩＤＬＥ」、「ＥＲＲＥＮＤ」の選択可能なパラメータがある。

「ＮＯＳＥＬＥＣＴ」は特定のパラメータを選択せず、パラメータが任意であることを表す。「ＲＥＳＥＴ」は、装置立上げ直後の状態で、装置の稼動が休止状態を表す。「ＧＯＳＴＮＢＹ」は、「ＳＴＡＮＢＹ」に移行途中の状態で、「ＳＴＡＮＢＹ」は、カセット１００（図１０参照）が半導体製造装置に投入済でレシピをスタートできる状態を表す。「ＲＵＮ」はレシピ実行中すなわち成膜中を表し、「ＥＮＤ」はレシピが終了した状態を表す。「ＭＡＮＵＡＬ」は、メンテナンス中の状態で、「ＩＤＬＥ」は、「ＳＴＡＮＢＹ」前の状態で処理カセットが投入されていない状態を表す。「ＥＲＲＥＮＤ」は、「ＥＮＤ」と同じ状態だが、「ＲＵＮ」中に異常が発生し「ＥＮＤ」になった状態を表す。これら複数の装置モードパラメータ３２１ａは、ロギング開始／終了条件設定時、自由に選択が行える。選択されたモードは色が変化（例えば反転など）するようになっている。

なお、レシピにより設定される炉内温度は、ＳｉＨ₂Ｃｌ₂とＮＨ₃を用いて窒化膜を形成する場合、例えばＩＤＬＥ時では６００℃、成膜時では７００℃〜７４０℃である。

「ＴｒａｎｓＭｏｄｅ」（移載機動作モード）には、「ＮＯＳＥＬＥＣＴ」の他に、「ＬＯＣＡＬ」と「ＲＥＭＯＴＥ」がある。「ＲＥＭＯＴＥ」はウェハ移載機１１２（図１０参照）が稼働時のモードであり、「ＬＯＣＡＬ」はメンテナンス時のモードである。

「ＢｏａｔＭｏｄｅ」（ボート動作モード）には、「ＨＯＭＥ」、「ＬＯＡＤＩＮＧ」、「ＵＮＬＯＡＤＩＮＧ」、「ＣＡＰ」がある。「ＨＯＭＥ」はボート２１７（図１０参照）が処理炉（石英系チューブ）２０２（図１０参照）の下方位置にあり、「ＬＯＡＤＩＮＧ」はボートが上昇中にあり、「ＵＮＬＯＡＤＩＮＧ」はボートが下降中である。「ＣＡＰ」はボートのシールキャップ２１９（図１０参照）により処理炉が閉じられている状態を意味する。

「ＳｔｅｐＮａｍｅ」（レシピのステップ名称）には、ステップ名称（ＳＴＥＰ３２、ＳＴＥＰ０２、ＳＴＥＰ１１…）が表示されている。
半導体製造装置１０の対象装置で実行されるべき複数のレシピがステップ名称を付けられて並んでおり、これらのステップ名称を選択できるようになっている。

「ＶａｌｖｅＮｕｍｂｅｒ」（バルブ番号の通番）には、バルブの番号（０２ＣＨ、３０ＣＨ、６４ＣＨ…）が表示されており、これらのバルブ番号１２５ａは最大１０までのバルブ番号を同時に抽出選択できるようになっている。なおＣＨはチャンネルを意味する。

なお、図４に表示のない装置ステータス欄は、任意に追加することが可能である。

上述した入力表示画面３００の主要部右側の空き領域には、「ＴａｒｇｅｔＴｕｂｅ」欄３２６が表示されるようになっており、対象装置が選択できるようになっている。ここではＮｏ.０１に「Ｊ３」が表示されている。

画面の下部に「ＡｃｃｕｍｕｌａｔｉｏｎＴｙｐｅ」（積算形式）欄３２７の表示があり、ＡｃｃｕｍｕｌａｔｉｏｎＴｙｐｅにおいては、「ＴＩＭＥ」（時間の蓄積を見る）だけでなく、「ＭＦＣ０２」（ＭＦＣ０２は例示。ＭＦＣNo.１〜１６を選択して、選択したＭＦＣNo.の流量蓄積を見る）を指定できるようになり、これによりガス流量の指定を可能にしている。図示例では、「ＴＩＭＥ」の表示部をクリックすると積算形式を「時間」とする選択をしたことになる。「ＭＦＣ０２」の表示部をクリックすると、積算形式を「ガス流量」とした選択をしたことになる。具体的には「ＭＦＣ０２」をクリックすると、リストＢＯＸが現れ、「ＭＦＣ０１」〜「ＭＦＣ１６」まで選べる様になっている。

画面下部の右端に、「ＳＥＴ」ボタン３２８が表示され、表示画面上で選択したロギング条件を設定登録できるようになっている。

図４に示す入力表示画面３００において、設備消費量として、例えばＳｉＨ₂Ｃｌ₂の流量、ＩＤＬＥ時の無駄ガスの流量、電力消費量、及びメンテナンスに要した時間をそれぞれ求めるには、下記実施例（１）〜（４）でそれぞれ例示したような組み合わせをロギング条件として設定すればよい。

（１）成膜時のＳｉＨ₂Ｃｌ₂の流量を求めるには、上述した図８（ｂ）の配管パターン例の場合でいえば、ロギング条件は、バルブ＃７とＭＦＣNo.３の組合せとする。
すなわち、入力表示画面３００に表示された「ＳｔａｒｔＴｒｉｇｇｅｒ」及び「ＥｎｄＴｒｉｇｇｅｒ」において、ともに「ＶａｌｖｅＮｕｍｂｅｒ」中の「０７ＣＨ」を選択し、「ＡｃｃｕｍｕｌａｔｉｏｎＴｙｐｅ」で「ＴＩＭＥ」及び「ＭＦＣ０３」を選択する。また、「ＴｕｂｅＳｔａｔｕｓ」中の「ＲＵＮ」を「ＳｔａｒｔＴｒｉｇｇｅｒ」として、「ＥＮＤ」を「ＥｎｄＴｒｉｇｇｅｒ」として選択する。
このロギング条件下において、積算時間表示要求があったときに、バルブ＃７が開いている積算時間が１０ｍｉｎであったとする。ＭＦＣNo.３により流量制御されるＳｉＨ₂Ｃｌ₂の流量が２ｓｌｍであると、出力表示画面４００には、「Ｔｏｔａｌ」の「Ｔｉｍｅ」に積算数「００００００：１０'００”」が表示され、ガス消費量の換算値欄（図示せず）には「２０ｌ」が表示されることになる。

（２）ＩＤＬＥ時の無駄ガスの流量を求めるには、図８（ｂ）の配管パターンの場合、ロギング条件をバルブ＃６とＭＦＣNo.３とＩＤＬＥモードとの組合せとする。
すなわち、入力表示画面３００に表示された「ＳｔａｒｔＴｒｉｇｇｅｒ」及び「ＥｎｄＴｒｉｇｇｅｒ」において、「ＴｕｂｅＳｔａｔｕｓ」中の「ＩＤＬＥ」以外を選択し、「ＡｃｃｕｍｕｌａｔｉｏｎＴｙｐｅ」では「ＴＩＭＥ」を選択するか、又は「ＶａｌｖｅＮｕｍｂｅｒ」中の「０６ＣＨ」を選択し、さらに「ＡｃｃｕｍｕｌａｔｉｏｎＴｙｐｅ」では「ＴＩＭＥ」及び「ＭＦＣ０３」を選択する。このように設定することにより、ＩＤＬＥで０６ＣＨが開けられたときから積算を開始し、装置モードがＩＤＬＥ以外又は０６ＣＨがとじられた場合に積算を終了できる。このようにするのは、ＩＤＬＥ時にＭＦＣNo.３を介して流れるＮ₂ガス量が無駄ガス流量となるからである。

（３）稼働時に排気ポンプを常にＯＮ状態にしている装置について、電力消費量を求めるには、ドライポンプ（図示せず）のＯＮ状態をロギング条件とする。一般に、ドライポンプのＯＮ／ＯＦＦ状態は、特定のバルブの開閉と対応するので、ドライポンプのＯＮ／ＯＦＦ状態はバルブ番号で特定することができる。したがって、入力表示画面３００に表示された「ＳｔａｒｔＴｒｉｇｇｅｒ」及び「ＥｎｄＴｒｉｇｇｅｒ」において、ともに「ＶａｌｖｅＮｕｍｂｅｒ」中の当該バルブ番号を選択すればよい。

（４）「ＴｒａｎｓＭｏｄｅ」が「ＬＯＣＡＬ」の場合、移載機のメンテナンスを示すが、特に自動生産中の突発的な移載機のメンテナンスに要した時間を求めるには、例えば、開始条件となる移載機「ＬＯＣＡＬ」モード及び装置「ＲＵＮ」モードから、終了条件となる移載機「ＲＥＭＯＴＥ」モードへ遷移するまでの蓄積時間で求められる。メンテナンス時は、必ず移載機を「ＬＯＣＡＬ」モードに切替えてから行うが、「ＴｕｂｅＳｔａｔｕｓ」の「ＲＵＮ」中に装置が故障すると、「ＴｕｂｅＳｔａｔｕｓ」を「ＲＥＳＥＴ」等のモードに戻すことなく、そのまま「ＬＯＣＡＬ」モードに切り替えてメンテナンスを行う場合が通常である。
したがって、この場合、入力表示画面３００に表示された「ＳｔａｒｔＴｒｉｇｇｅｒ」では、「ＴｕｂｅＳｔａｔｕｓ」中の「ＲＵＮ」と、「ＴｒａｎｓＭｏｄｅ」中の「ＬＯＣＡＬ」を選択し、「ＥｎｄＴｒｉｇｇｅｒ」では、「ＴｒａｎｓＭｏｄｅ」中の「ＲＥＭＯＴＥ」を選択する。

図５は表示装置２３ｂにおけるロギングデータ出力時の出力表示画面４００を示す図である。この出力表示画面４００を説明する。
出力表示画面４００の上部には、表示画面のタイトルとして「ＧＥＮＥＲＡＬＬＯＧＧＩＮＧＤＡＴＡ」が示され、その右側には、図４と同様に、「ＭＥＮＵ」、「ＣＯＰＹ」、「ＥＸＩＴ」ボタンが表示される。

その下部には、「ＨｉｓｔｏｒｙＤａｔａ」というタイトルの付いた欄４０１があり、その欄４０１にユーザが定義したロギング条件名称とコメントが入力できるようになっている。

その右側に「ＣＵＲＲＥＮＴＤＡＴＡ」ボタン４０２があり、このボタンをクリックすることにより、現在表示されている以外の履歴データを表示するようになっている。

画面の主要部となる出力表示部４０３には、所定装置のロギングデータが表示される。所定装置は、「ＴｕｂｅＩＤ」としてｔｕｂｅ０１が例示されている。

ロギングデータは、「Ｎｏ．」欄４０４、「Ｄａｔｅ」欄４０５、「ＳｔａｒｔＤａｔｅ」欄４０６、「Ｔｏｔａｌ」欄４０７、「ＤａｙＢａｓｅ」欄４１１がある。「Ｔｏｔａｌ」欄４０７は、さらに「ＯｆｆＴｉｍｅ」欄４０８、「Ｃｏｕｎｔ」欄４０９、「Ｔｉｍｅ」欄４１０がある。「ＤａｙＢａｓｅ」欄４１１にも同様に、「ＯｆｆＴｉｍｅ」欄４０１、「Ｃｏｕｎｔ」欄４１３、「Ｔｉｍｅ」欄４１４がある。

「Ｎｏ．」欄４０４はロギングデータの通し番号である。「Ｄａｔｅ」欄４０５には、日付４０５ａが表示されて日毎に記録がリスト化されるようになっている。「ＳｔａｒｔＤａｔｅ」欄４０６にはロギング開始日時４０６ａが表示される。「Ｔｏｔａｌ」欄４０７の「ＯｆｆＴｉｍｅ」欄４０８には、装置間通信部２２を介して行われる集中管理装置２０と半導体製造装置１０との間の通信切れを考慮したロス時間４０７ａが表示される。「Ｃｏｕｎｔ」欄４０９には、ロギング開始条件が成立した回数で、ロギング開始からの積算数４０９ａが表示される。「Ｔｉｍｅ」欄４１０には、ロギング条件が確立している間の経過時間で、ロギング開始からの積算数４１０ａが表示される。「ＤａｙＢａｓｅ」欄４１１には、左側の「Ｔｏｔａｌ」欄４０７と同じ内容だが、日ベースの差分４１１ａが表示される。これにより、ユーザ要請のある、どの日の積算数が多いかの判別が容易になる。これらロギングデータはスクロールバー４１７によりスクロールされる。出力表示画面４００の下部には、左側に記録数４１５が表示される。ここでは、「ＸＸＸＸ／１０９５」が例示されている。また、右側にロギングデータをＣＳＶファイルとして出力するためのＣＳＶボタン４１６がある。

ここに、装置運転モードでＲＵＮ→ＥＮＤまでの時間を積算する場合についての出力表示画面の具体例を示す。図６に示すように、ロギング条件設定時の表示画面上で、ログネームを「ＲＵＮ−ＥＮＤ」、コメントを「ｈａｎａ」とした上で、ロギング開始条件（ＳｔａｒｔＴｒｉｇｇｅｒ）に装置運転モード（ＴｕｂｅＳｔａｔｕｓ）の「ＲＵＮ」を選択して文字表示を反転させ、ロギング終了条件（ＥｎｄＴｒｉｇｇｅｒ）に装置運転モード（ＴｕｂｅＳｔａｔｕｓ）の「ＥＮＤ」を選択して文字表示を反転させることで、ロギング条件を「成膜中」に設定する。「ＡｃｃｕｍｕｌａｔｉｏｎＴｙｐｅ」で、「ＴＩＭＥ」を選択して、上記条件で装置モードがＲＵＮ→ＥＮＤまでの時間を積算する。「ＴｒａｎｓＭｏｄｅ」は、ともに「ＮＯＳＥＬＥＣＴ」である。なお、図示例では、ＴａｒｇｅｔＴｕｂｅ「Ｊ３」を始めとして１７台の半導体製造装置１０がネットワーク３０を介して集中管理装置２０に接続されている。

上記ロギング条件のもとで得られたロギングデータは、図７に示すように、ロギングデータの表示画面上に表示される。画面上の数値から、ＴｕｂｅＩＤ「Ｊ３」の装置が、２００３／１１／２１から今（２００４／７／２９）まで、「ＲＵＮ」と「ＥＮＤ」とを１サイクルとする成膜事象が４５回発生し、４１０：３：３８時間（４１０時間３分３８秒）、その条件を満たした時間が継続したことがわかる。

以上説明したように、本実施の形態によれば、ロギング条件が固定されているものと異なり、任意の装置ステータスの組み合わせでロギング条件を設定できるようにしたので、ユーザインタフェースが汎用的になり、汎用ロギング機能を実現できる。したがって、装置の異常を見逃す危険性を排除でき、必要に応じて的確な処置をすばやく行うことが可能となる。また、障害の原因を究明することができる。

また、実施の形態によれば、半導体製造装置群を管理する集中管理システムにおいて、装置から所定時間間隔毎に収集しているすべての装置ステータスの組合せをロギング条件にできるようにしたので、半導体製造メーカ側が行う設備消費量の管理を強力に支援することができ、無駄な設備消費量やメンテナンス時間の削減につながり、経済的な効果を得ることができる。

具体的には、装置のＩＤＬＥ状態（ユーザが無駄だと思う状態）をロギングの開始条件に設定し、ロギングを開始し運用することで、積算結果が多い装置は、生産効率が悪いことがわかり、装置の運用方法を見なおすきっかけとなる。

また、「ロギング開始終了」を複数登録することができ、それぞれに適した名前を付けることができるので、装置が保有するすべてのステータスを条件として選択できるようにしたことから、ユーザの思想に基づく汎用的なロギング機構を実現することができる。

また、ロギング「開始条件」から「終了条件」までの間、所定時間間隔毎に装置ステータスを監視し、同じステータスが続いた場合の時間やステータス数値（ガス流量値等）の積算した結果をロギングとして残す方式であり、その結果の一覧に日ベースの差分を表示するようにしたので、日ベースの差分値を統計的に解析することが可能となり、どの時期に設備消費資源に無駄が発生し易いかという傾向を探ることができる。

また、装置使用時間の和と故障回数がわかるので、従来装置では得られなかった装置のＭＴＢＦ（平均故障間隔）を知ることができる。

また、石英系チューブの熱履歴を知ることもできる。例えば、装置ステータスである「ＢｏａｔＭｏｄｅ」の「ＣＡＰ」を開始条件とし、「ＨＯＭＥ」を終了条件とし、１秒毎に監視する。装置ステータスが「ＣＡＰ」であれば、加熱継続中となり、「ＨＯＭＥ」であれば加熱停止である。この加熱継続中の時間を積算することにより、石英系チューブの熱履歴を換算できる。熱履歴は、石英系チューブの寿命を知る上で重要な要素となると考えられるからである。
また、ロギング条件を複数登録できるので、上記実施例（１）〜（４）をページ毎に設定することにより、同時に行うことができる。

なお、本発明の半導体製造システムには、枚葉装置だけでなく縦型装置でも横型装置にも適用できる。さらに、半導体製造装置の処理は成膜に限定されず、酸化、拡散、アニールなどの他の処理にも広く適用できる。

実施の形態による集中管理装置の構成図である。実施の形態による集中管理装置の機能を説明するフローチャートであり、（ａ）は装置ステータス展開、（ｂ）は条件設定、（ｃ）は表示処理、（ｄ）は監視を示す。実施の形態による監視のタイミングチャート図である。実施の形態によるロギング条件を入力する入力表示画面を示す図である。実施の形態によるロギングデータを出力する出力表示画面を示す図である。具体例による入力表示画面を示す図である。具体例による出力表示画面を示す図である。実施の形態によるガス配管パターンの説明図である。実施の形態による半導体製造システムの構成図である。実施の形態による半導体製造装置の概略構成９図である。

符号の説明

３００ロギング条件の入力表示画面
３０８ロギング開始条件設定部
３０９ロギング終了条件設定部
３１１、３２１「ＴｕｂｅＳｔａｔｕｓ」欄（装置ステータス欄）
３１２、３２２「ＴｒａｎｓＭｏｄｅ」欄（装置ステータス欄）
３１３、３２３「ＢｏａｔＭｏｄｅ」欄（装置ステータス欄）
３１４、３２４「ＶａｌｖｅＮｕｍｂｅｒ」欄（装置ステータス欄）
３１５、３２５「ＳｔｅｐＮａｍｅ」欄（装置ステータス欄）
３２７「ＡｃｃｕｍｕｌａｔｉｏｎＴｙｐｅ」欄（積算形式欄）

Claims

半導体製造装置の状態を示す複数の装置ステータスのうち、任意の装置ステータスの組み合わせをロギング条件として、前記ロギング条件が成立している時間を積算することを特徴とする半導体製造システム。