JP2006086514A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006086514A5 JP2006086514A5 JP2005234671A JP2005234671A JP2006086514A5 JP 2006086514 A5 JP2006086514 A5 JP 2006086514A5 JP 2005234671 A JP2005234671 A JP 2005234671A JP 2005234671 A JP2005234671 A JP 2005234671A JP 2006086514 A5 JP2006086514 A5 JP 2006086514A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive layer
- film
- contact
- semiconductor device
- atoms
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000010408 film Substances 0.000 claims 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 13
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 7
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims 7
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims 7
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 4
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims 3
- 230000003796 beauty Effects 0.000 claims 2
- 239000003610 charcoal Substances 0.000 claims 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 claims 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims 1
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005234671A JP4974493B2 (ja) | 2004-08-20 | 2005-08-12 | 半導体装置及び電子機器 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004240682 | 2004-08-20 | ||
| JP2004240682 | 2004-08-20 | ||
| JP2005234671A JP4974493B2 (ja) | 2004-08-20 | 2005-08-12 | 半導体装置及び電子機器 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011258425A Division JP2012099824A (ja) | 2004-08-20 | 2011-11-28 | 電子機器 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2006086514A JP2006086514A (ja) | 2006-03-30 |
| JP2006086514A5 true JP2006086514A5 (enExample) | 2008-09-18 |
| JP4974493B2 JP4974493B2 (ja) | 2012-07-11 |
Family
ID=36164717
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005234671A Expired - Lifetime JP4974493B2 (ja) | 2004-08-20 | 2005-08-12 | 半導体装置及び電子機器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4974493B2 (enExample) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5216204B2 (ja) | 2006-10-31 | 2013-06-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置及びその作製方法 |
| JP4993292B2 (ja) * | 2007-07-18 | 2012-08-08 | カシオ計算機株式会社 | 表示パネル及びその製造方法 |
| JP2009103732A (ja) * | 2007-10-19 | 2009-05-14 | Sony Corp | 表示装置およびその製造方法 |
| JP2012043821A (ja) * | 2008-12-16 | 2012-03-01 | Sharp Corp | 配線構造体、半導体素子、配線基板、表示用パネル及び表示装置 |
| CN102687275B (zh) * | 2010-02-05 | 2016-01-27 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置 |
| US9000438B2 (en) * | 2010-02-26 | 2015-04-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| CN102244036B (zh) * | 2011-07-08 | 2013-11-06 | 信利半导体有限公司 | 一种广视角液晶显示器的电极绝缘层的制作方法 |
| KR102384945B1 (ko) * | 2015-01-02 | 2022-04-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
| JP6496433B2 (ja) * | 2018-02-27 | 2019-04-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62240734A (ja) * | 1986-04-11 | 1987-10-21 | Nippon Mining Co Ltd | 半導体配線材料用c含有アルミニウム合金 |
| JPS62240738A (ja) * | 1986-04-11 | 1987-10-21 | Nippon Mining Co Ltd | 半導体配線材料用n、c含有アルミニウム合金 |
| JPH0384934A (ja) * | 1989-08-29 | 1991-04-10 | Oki Electric Ind Co Ltd | 薄膜トランジスタアレイの製造方法 |
| JPH0862610A (ja) * | 1994-08-16 | 1996-03-08 | Toshiba Corp | 液晶表示装置用レジスト剥離液 |
| JP2000047260A (ja) * | 1998-07-29 | 2000-02-18 | Toshiba Corp | 液晶表示装置用アレイ基板製造方法 |
| JP3916334B2 (ja) * | 1999-01-13 | 2007-05-16 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタ |
| JP3763381B2 (ja) * | 1999-03-10 | 2006-04-05 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
| TW490857B (en) * | 2001-02-05 | 2002-06-11 | Samsung Electronics Co Ltd | Thin film transistor array substrate for liquid crystal display and method of fabricating same |
| JP2003089864A (ja) * | 2001-09-18 | 2003-03-28 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | アルミニウム合金薄膜及びその薄膜を有する配線回路並びにその薄膜を形成するターゲット材 |
| JP3940385B2 (ja) * | 2002-12-19 | 2007-07-04 | 株式会社神戸製鋼所 | 表示デバイスおよびその製法 |
| JP4282985B2 (ja) * | 2002-12-27 | 2009-06-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置の作製方法 |
-
2005
- 2005-08-12 JP JP2005234671A patent/JP4974493B2/ja not_active Expired - Lifetime
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN108288621B (zh) | 阵列基板的制造方法、阵列基板及显示面板 | |
| CN107808895B (zh) | 透明oled显示器及其制作方法 | |
| CN101826557B (zh) | 薄膜晶体管及其制造方法、以及显示装置 | |
| JP4752925B2 (ja) | 薄膜トランジスタおよび表示装置 | |
| CN101800248B (zh) | 薄膜晶体管和显示器件 | |
| CN111092054B (zh) | 制造显示装置的方法 | |
| TWI535034B (zh) | 畫素結構及其製作方法 | |
| JP7057795B2 (ja) | 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタを有する表示装置、及び薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JP5226154B2 (ja) | 薄膜トランジスタ | |
| CN103715267A (zh) | 薄膜晶体管、tft阵列基板及其制造方法和显示装置 | |
| JP2004145333A5 (enExample) | ||
| CN107507841A (zh) | 阵列基板及其制作方法、显示装置 | |
| JP2010182819A (ja) | 薄膜トランジスタおよび表示装置 | |
| JP2013130615A (ja) | 表示装置および電子機器 | |
| CN104090401B (zh) | 阵列基板及其制备方法、显示装置 | |
| CN106935658A (zh) | 一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板 | |
| CN103956386A (zh) | 薄膜晶体管及制备方法、阵列基板及制备方法和显示装置 | |
| JP2006086514A5 (enExample) | ||
| TWI338528B (enExample) | ||
| CN111969008A (zh) | 有机发光显示基板及其制备方法、显示装置 | |
| CN104409516A (zh) | 薄膜晶体管及制备方法、阵列基板及制备方法和显示装置 | |
| CN106328693B (zh) | 显示面板 | |
| CN107833894B (zh) | 一种顶栅tft基板、显示器件及tft基板的制备方法 | |
| JP2013207015A (ja) | 半導体装置、表示装置および電子機器 | |
| CN103035737B (zh) | 显示装置、其制造方法和电子单元 |