JP2006086172A - 光源装置及びその冷却方法、並びに画像表示装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 電流を供給されることによって発光し発熱する発光チップ2がバンプ21を介して基台3上にフリップチップ実装された光源装置1であって、上記発光チップ2と上記基台3との間に少なくとも配置されかつ上記発光チップ2の射出面側に少なくとも非配置とされる絶縁性の冷却媒体Xを備える。
【選択図】 図1
Description
また、上述のように発光チップから射出された発光光が冷却媒体中を通過するため、冷却媒体として、発光光に対して透明なものを用いる必要が生じ、冷却媒体の選択の自由度が低下する。
また、発光チップの射出光の光路上に冷却媒体が存在しないため、冷却媒体として発光チップの射出光に対して透明なものを用いる必要がなくなり、冷却媒体の選択の自由度が向上する。
また、本発明の光源装置においては、冷却媒体として流体を用い、この冷却媒体を流動する流動手段を備えるという構成を採用することが好ましい。このように、流体である冷却媒体を流動させることによって、発光チップの冷却効果を促進させ、より効率的に発光チップを冷却することが可能となる。
このような構成を採用することによって、発光チップと基台との間が狭く圧損が高い場合であっても、確実に冷却媒体を発光チップと基台との間において流動させることができる。
また、本発明の光源装置においては、上記誘導手段が、上記発光チップの側面に沿って形成される整流部であるという構成を採用することができる。
本発明の光源装置によれば、光源装置における照度分布が不均一となることを防止しつつ発光チップを冷却することが可能となる。このため、本発明の画像表示装置によれば、表示特性を向上させることができる。
図1は、本第1実施形態の光源装置1の概略構成を示す断面図である。この図1に示すように、本実施形態に係る光源装置1は、電流を供給されることによって発光し発熱する発光チップ2を備えており、発光チップ2は金属材料によって形成される基台3にフリップチップ実装されている。そして、この基台3上には、陰電極4と陽電極5とが配置されている。そして、発光チップ2がバンプ21を介して陰電極4及び陽電極5と接続されている。なお、図1においては、図示を簡略化しているが、発光チップ2の下面には、図2に示すように、アレイ状に配置された複数のバンプ21が形成されている。また、バンプ21と陰電極4及び陽電極5は、接合材によって接続されている。この接合材としては、導電性を有する材料であれば使用することができるが、製造時における形状変形が容易な半田や導電性接着剤を使用することが好ましい。
なお、本実施形態の光源装置から赤色光を射出する場合には、ガリウムヒ素(GaAs)等の基板上に、AlGaInP系の化合物半導体結晶を成長させることによって形成する。また、GaAs基板は可視光を吸収するため、LEDの光取り出し効率の向上に限界がある。そこで、半導体結晶を成長させた後にGaAs基板を取り除き、発光波長に対して透明なガリウムリン(GaP)基板を高温高圧化で貼り付けることが望ましい。そして、n−GaPからなるクラッド層と、p−GaPのクラッド層との間に、AlGaInPの発光層を挟み込んだダブルヘテロ接合構造を採用することが好ましい。
ここで、本第1実施形態の光源装置1においては、冷却媒体Xが発光チップ2と基台3との間に配置されているため、発光チップ2から発する熱量は、冷却媒体Xを介して放熱される。また、発光チップ2の射出面(上面)がレンズ7と接触されているため、発光チップ2の射出面より上方には冷却媒体Xが存在していなく、発光チップ2の射出光に照度分布のばらつきが生じることもない。
このように、本第1実施形態の光源装置(光源装置の冷却方法)によれば、冷却媒体Xが発光チップ2と基台3との間に少なくとも配置されかつ発光チップ2の射出面側に少なくとも非配置とされるため、光源装置1における照度分布が不均一となることを防止しつつ発光チップ2を冷却し高輝度を得ることが可能となる。
しかしながら、発光チップ2は、発熱する発光層の上に伝熱性の低いサファイア基板が積層される構造を有している。このため、従来の光源装置のように発光チップ全体を冷却媒体Xと接触させた場合であっても、サファイア基板を介して冷却媒体Xによって放熱される熱量を小さい。したがって、本実施形態のように、発光チップ2と基台3との間に冷却媒体Xを配置するだけで、十分に発光チップ2を冷却することが可能となる。
したがって、本第1実施形態の光源装置1においても、発光チップ2を十分に冷却することができる。
次に、本発明の第2実施形態について、図4を参照して説明する。なお、本第2実施形態の説明において、上記第1実施形態と同様の部分については、その説明を省略あるいは簡略化する。
この傾斜部10は、図4に示すように、冷却媒体Xの流路の一部であるレンズ7と基台3との間の空間を、発光チップ2と基台3との間に向けて徐々に狭めていく傾斜面11を備えて構成されている。
したがって、本第2実施形態の光源装置によれば、発光チップ2と基台3との間が狭く圧損が高い場合であっても、確実に冷却媒体Xを発光チップ2と基台3との間において流動させることができ、より確実に発光チップ2を冷却することが可能となる。
次に、本発明の第3実施形態について、図5を参照して説明する。なお、本第3実施形態の説明においても、上記第1実施形態と同様の部分については、その説明を省略あるいは簡略化する。
この整流部20は、発光チップ2の側面に沿って、流れ方向と平行に形成されている。そして、このような整流部20を備えることによって、発光チップ2と基台3との間に流入した冷却媒体Xは、途中で発光チップ2と基台3との間から流れ出ることなく、発光チップ2と基台3との間の空間を流れる。
次に、本発明の第4実施形態として、上記実施形態の光源装置を備えるプロジェクタ(画像表示装置)について説明する。
図6は、本実施形態に係る光源装置を備えたプロジェクタの概略構成図である。図中、符号512,513,514は本実施形態の光源装置、522,523,524は液晶ライトバルブ(光変調素子)、525はクロスダイクロイックプリズム、526は投写レンズを示している。
このような構成を採用することによって、冷却媒体Xとバンプ21との接触面積が増加し、バンプ21を介してより多くの熱量が放熱されるため、より効率的に発光チップ2を冷却することが可能となる。
なお、図7に示すようなバンプ21を備える光源装置において、上記第1実施形態と同様の条件でシミュレーションを行ったところ、発光チップ2の発熱量が10W時における発光チップ2の温度は、約74.6℃であった。
このような構成を採用することによって、発光チップ2と基台3との間における冷却媒体Xが層流化され、より放熱効果を高めることが可能となる。
なお、図8に示すようなバンプ21を備える光源装置において、上記第1実施形態と同様の条件でシミュレーションを行ったところ、発光チップ2の発熱量が10W時における発光チップ2の温度は、約73.9℃であった。
Claims (9)
- 電流を供給されることによって発光し発熱する発光チップがバンプを介して基台上にフリップチップ実装された光源装置であって、
前記発光チップと前記基台との間に少なくとも配置されかつ前記発光チップの射出面側に少なくとも非配置とされる絶縁性の冷却媒体を備えることを特徴とする光源装置。 - 前記冷却媒体が流体であることを特徴とする請求項1記載の光源装置。
- 前記冷却媒体を流動する流動手段を備えることを特徴とする請求項2記載の光源装置。
- 前記冷却媒体を前記発光チップと前記基台との間に誘導する誘導手段を備えることを特徴とする請求項3記載の光源装置。
- 前記誘導手段が、前記冷却媒体の流路を前記発光チップと前記基台との間に向けて徐々に狭める傾斜部であることを特徴とする請求項4記載の光源装置。
- 前記誘導手段が、前記発光チップの側面に沿って形成される整流部であることを特徴とする請求項4記載の光源装置。
- 前記冷却媒体が液体であることを特徴とする請求項1〜6いずれかに記載の光源装置。
- 請求項1〜7いずれかに記載の光源装置を備えることを特徴とする画像表示装置。
- 電流を供給されることによって発光し発熱する発光チップがバンプを介して基台上にフリップチップ実装された光源装置の冷却方法であって、
冷却媒体を前記発光チップと前記基台との間に少なくとも配置しかつ前記発光チップの射出面側に少なくとも非配置とすることを特徴とする光源装置の冷却方法。
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