JP2006080171A - 薄膜トランジスタパネルの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 ゲート絶縁膜4の上面に半導体薄膜形成用膜41を成膜し、半導体薄膜形成用膜41の上面にチャネル保護膜6を形成し、チャネル保護膜6を含む半導体薄膜形成用膜41の上面にオーミックコンタクト層形成用膜43及びソース・ドレイン電極形成用膜44を成膜し、ソース・ドレイン電極形成用膜44の上面にソース・ドレイン電極形成用レジスト膜45a、45bをフォトリソグラフィ法により形成する。そして、ソース・ドレイン電極形成用レジスト膜45a、45b(チャネル保護膜6を含む)をマスクとして、ソース・ドレイン電極形成用膜44、オーミックコンタクト層形成用膜43及び半導体薄膜形成用膜41を順次エッチングする。
【選択図】 図6
Description
図6に示すように、レジスト膜45a〜45eを形成した後に、レジスト膜45a〜45eをマスクとして、クロム膜44をウェットエッチングすると、図10に示すように、レジスト膜45a下にドレイン電極10が形成され、レジスト膜45b下にソース電極9が形成され、レジスト膜45c、45d、45e下にクロム膜15c、21c、31dが形成される。
図10に示すように、レジスト膜45a〜45e下にドレイン電極10、ソース電極9及びクロム膜15c、21c、31dをウェットエッチングにより形成した後に、レジスト膜45a〜45eを剥離すると、図11に示すようになる。次に、ドレイン電極10、ソース電極9及びクロム膜15c、21c、31d(チャネル保護膜6を含む)をマスクとして、n型アモルファスシリコン膜43及び真性アモルファスシリコン膜41をドライエッチングすると、図8に示すようになる。
図12はこの発明の製造方法により製造された薄膜トランジスタパネルの他の例の要部の断面図を示す。この薄膜トランジスタパネルにおいて、図1に示す場合と大きく異なる点は、画素電極12をオーバーコート膜13の上面に設けた点である。この場合の製造方法の一部について説明すると、オーバーコート膜13を成膜した後に、ソース電極9及びクロム膜21c、31d上におけるオーバーコート膜13に、フォトリソグラフィ法により、開口部16、22、33を形成する。
2 ゲート電極
3 ゲート線
4 ゲート絶縁膜
5 半導体薄膜
6 チャネル保護膜
7、8 オーミックコンタクト層
9 ソース電極
10 ドレイン電極
11 薄膜トランジスタ
12 画素電極
13 オーバーコート膜
15 ドレイン線
21 ドレイン線の外部接続端子
31 ゲート線の外部接続端子
Claims (7)
- 基板上にゲート電極が設けられ、前記ゲート電極を含む前記基板上にゲート絶縁膜が設けられ、前記ゲート電極上における前記ゲート絶縁膜上に半導体薄膜が設けられ、前記半導体薄膜上にチャネル保護膜が設けられ、前記チャネル保護膜の上面両側及びその両側における前記半導体薄膜の上面にオーミックコンタクト層及びソース・ドレイン電極が設けられた薄膜トランジスタパネルの製造方法において、前記ソース・ドレイン電極、前記オーミックコンタクト層及び前記半導体薄膜を1回のフォトリソグラフィ工程で形成することを特徴とする薄膜トランジスタパネルの製造方法。
- 請求項1に記載の発明において、前記ゲート絶縁膜の上面に半導体薄膜形成用膜を成膜し、前記半導体薄膜形成用膜の上面に前記チャネル保護膜を形成し、前記チャネル保護膜を含む前記半導体薄膜形成用膜の上面にオーミックコンタクト層形成用膜及びソース・ドレイン電極形成用膜を成膜し、前記ソース・ドレイン電極形成用膜の上面にソース・ドレイン電極形成用レジスト膜をフォトリソグラフィ法により形成し、前記ソース・ドレイン電極形成用レジスト膜をマスクとして、前記ソース・ドレイン電極形成用膜、前記オーミックコンタクト層形成用膜及び前記半導体薄膜形成用膜をパターニングして、前記ソース・ドレイン電極、前記オーミックコンタクト層及び前記半導体薄膜を形成することを特徴とする薄膜トランジスタパネルの製造方法。
- 請求項1に記載の発明において、前記ゲート絶縁膜の上面に半導体薄膜形成用膜を成膜し、前記半導体薄膜形成用膜の上面に前記チャネル保護膜を形成し、前記チャネル保護膜を含む前記半導体薄膜形成用膜の上面にオーミックコンタクト層形成用膜及びソース・ドレイン電極形成用膜を成膜し、前記ソース・ドレイン電極形成用膜の上面にソース・ドレイン電極形成用レジスト膜をフォトリソグラフィ法により形成し、前記ソース・ドレイン電極形成用レジスト膜をマスクとして、前記ソース・ドレイン電極形成用膜をパターニングして、前記ソース・ドレイン電極を形成し、前記ソース・ドレイン電極形成用レジスト膜を剥離し、前記ソース・ドレイン電極をマスクとして、前記オーミックコンタクト層形成用膜及び前記半導体薄膜形成用膜をパターニングして、前記オーミックコンタクト層及び前記半導体薄膜を形成することを特徴とする薄膜トランジスタパネルの製造方法。
- 請求項2または3に記載の発明において、前記ソース・ドレイン電極形成用膜のパターニングはウェットエッチングで行ない、前記オーミックコンタクト層形成用膜及び前記半導体薄膜形成用膜のパターニングはドライエッチングで行なうことを特徴とする薄膜トランジスタパネルの製造方法。
- 請求項1に記載の発明において、前記ソース・ドレイン電極、前記オーミックコンタクト層及び前記半導体薄膜を形成した後に、成膜された透明導電膜をパターニングすることにより、画素電極を前記ソース電極に接続させて形成することを特徴とする薄膜トランジスタパネルの製造方法。
- 請求項5に記載の発明において、前記ドレイン電極に接続されたドレイン線及びその外部接続端子を、下から順に、前記半導体薄膜形成用膜、前記オーミックコンタクト層形成用膜及び前記ソース・ドレイン電極形成用膜の3層構造として形成することを特徴とする薄膜トランジスタパネルの製造方法。
- 請求項5に記載の発明において、前記ゲート電極に接続されたゲート線の外部接続端子を、下から順に、前記ゲート電極と同一の金属材料からなる金属膜、前記半導体薄膜形成用膜、前記オーミックコンタクト層形成用膜、前記ソース・ドレイン電極形成用膜及び前記透明導電膜の5層構造として形成することを特徴とする薄膜トランジスタパネルの製造方法。
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