JP2006079780A - 半導体記憶装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 メモリセルから読出されたデータが正しく、かつメモリセルからデータが読み出されて外部に出力されるタイミングとＷＡＩＴ信号が解除されるタイミングとの間にずれがないかのテストを可能とする半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】 ＷＡＩＴ制御回路１２５は、正常に動作する場合には、読出し指示を受けた時から所定の期間経過後、またはセルフリフレッシュの終了後所定の期間経過後にＷＡＩＴ信号を非活性化する。レベル判定回路１８０は、読出された複数個のデータの論理レベルがすべて一致するか否かを示すレベル判定信号ＥＯＲ１を生成する。テスト結果判定回路１８５は、複数個のデータの論理レベルがすべて一致し、かつＷＡＩＴ信号が非活性化されるタイミングとレベル判定信号ＥＯＲ１が変化するタイミングとの間にずれがない正常か否かを示すテスト結果信号ＴＲ１を生成する。
【選択図】 図５

Description

本発明は、半導体記憶装置に関し、特に、テストモードを有する半導体記憶装置に関する。

携帯電話などの携帯端末において用いられる半導体記憶装置は、大容量および制御の簡易性を実現するために、擬似ＳＲＡＭが用いられている。擬似ＳＲＡＭ(Static Random Access Memory)では、内部のメモリセルとしてはＤＲＡＭ(Dynamic Random Access Memory)セルが用いられ、入力される制御信号およびアドレス信号などを規定する外部インタフェースとしては、ＳＲＡＭと類似のクロックに同期しない非同期のインタフェースが用いられている。そして、リフレッシュ動作は、外部からの信号によって制御されるのではなく、内部で自動的に行なわれる。これをセルフリフレッシュという。

さらに、より高速化を実現するために、たとえば、擬似ＳＲＡＭに、同期式のインタフェースを追加した同期式擬似ＳＲＡＭが実用化されている。この同期式擬似ＳＲＡＭでは、ＳＲＡＭ類似のクロックに同期しない非同期式のインタフェースに加えて、クロックに同期した同期式のインタフェースを備える。

ところで、特許文献１には、セルフリフレッシュを行なうＤＲＡＭにおいて、ウエイト信号により、コマンドおよびアドレスの取込みを行なわないようにする機能をチップ内部に持たせる構成が開示されている。

すなわち、ＤＲＡＭは、リフレッシュを自己管理し、リフレッシュ時期になると、ＢＵＳＹ信号線にＷＡＩＴ信号を出力し、リフレッシュが終了したときは、ＷＡＩＴ信号を解除するように構成し、コントローラは、ＤＲＡＭからＢＵＳＹ信号線に出力されたＷＡＩＴ信号を受信したときは、ビジー信号が解除されるまで、擬似ＳＲＡＭに対するアクセスを停止するように構成する。
特開２０００−３５３３８２号公報

ところで、ＤＲＡＭは、メモリセルからのデータの読出しの指示を受けたときにも、ＷＡＩＴ信号を出力する。そして、ＤＲＡＭは、読出し指示を受けてから所定の期間経過後にＷＡＩＴ信号を解除するとともに、データを外部に出力する。また、リフレッシュ中に読出し指示を受けたときには、リフレッシュ終了後もＷＡＩＴ信号の出力を継続し、リフレッシュ終了後所定の期間経過後にＷＡＩＴ信号を出力するともに、データを外部に出力する。

したがって、ＤＲＡＭでは、メモリセルから書込んだデータが正しく読出されるだけでなく、メモリセルからデータが読み出されて外部に出力されるタイミングと、ＷＡＩＴ信号が解除されるタイミングとの間にずれがないことが必要となる。したがって、両者のタイミングの間にずれがなく、かつメモリセルからデータが正しく読出されたかどうかのテストができることが重要となる。

しかしながら、特許文献１に記載のＤＲＡＭは、そのようなテストを行なうことができない。なぜなら、上述のように、読出し指示を受けてからＷＡＩＴ信号が解除されるタイミングが、リフレッシュの実行中に読出し指示を受けたか否かにより相違するからである。

したがって、テスタは、ＢＵＳＹ信号線と接続される端子から出力されるＷＡＩＴ信号が解除されるタイミングを検出して、検出したタイミングでデータ入出力端子から出力されるメモリセルのデータと期待値とを比較する機能が必要となるが、テスタはそのような機能を有しない。

それゆえに、本発明の目的は、メモリセルから読出されたデータが正しく、かつメモリセルからデータが読み出されて外部に出力されるタイミングとＷＡＩＴ信号が解除されるタイミングとの間にずれがないかのテストを可能とする半導体記憶装置を提供することである。

上記課題を解決するために、本発明に係る半導体記憶装置は、テストモードを有する半導体記憶装置であって、行列状に配置された複数のダイナミックランダムアクセスメモリのメモリセルを有するメモリアレイと、メモリアレイのセルフリフレッシュを制御するリフレッシュ制御回路と、セルフリフレッシュの非実行中に読出し指示を受けた場合に、正常の動作によれば、読出し指示を受けた時から所定の期間経過後にウエイト信号を非活性化し、セルフリフレッシュの実行中に読出し指示を受けた場合に、正常の動作によれば、セルフリフレッシュの終了後所定の期間経過後にウエイト信号を非活性化するウエイト制御回路と、テストモード時に、同一の論理レベルを記憶している複数個のメモリセルの各々からデータを同時に読出す読出回路と、読出回路によって読み出された複数個のメモリセルのデータの論理レベルがすべて一致するかどうかを判定し、判定の結果を表わすレベル判定信号を生成するレベル判定回路と、複数個のメモリセルのデータの論理レベルが一致し、かつウエイト信号が非活性化されるタイミングとレベル判定信号が変化するタイミングとの間にずれがない正常の動作であるかどうかを判定し、判定の結果を表わすテスト結果信号を生成するテスト結果判定回路とを備える。

本発明に係る半導体記憶装置によれば、メモリセルから読出されたデータが正しく、かつメモリセルからデータが読み出されて外部に出力されるタイミングと、ＷＡＩＴ信号が解除されるタイミングとが同一であるか否かのテストを行なうことができる。

以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。

［第１の実施形態］
本実施の形態は、テスト機能を有する同期式擬似ＳＲＡＭに関する。

（従来のテスト機能を有する同期式擬似ＳＲＡＭ１の構成）
図１は、従来のテスト機能を有する同期式擬似ＳＲＡＭ１の構成を示す図である。

同図を参照して、この同期式擬似ＳＲＡＭ１は、ＤＲＡＭセルメモリアレイ＋周辺回路群１０１と、アドレスバッファ１１１と、ＢＣＲ（Burst Configuration Register）１１２と、ロウデコーダ１０２と、カラムデコーダ１０３と、読出／書込回路１０５と、入出力バッファ１０４と、制御回路１２０とを備える。

ＤＲＡＭセルメモリアレイ＋周辺回路群１０１は、行および列状に配置された複数のダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）のメモリセルＭＣで構成されるメモリアレイと、行に対応して配置された複数のワード線ＷＬと、列に対応して配置された複数のビット線対ＢＬ，／ＢＬとを含む。

ＤＲＡＭセルメモリアレイ＋周辺回路群１０１は、図示しないが、さらに各列に対応して設けられた列選択線、列選択ゲート、およびセンスアンプなどを含む。

アドレスバッファ１１１は、外部アドレス信号ＡＤＤ［２１：０］を受けて、内部アドレス信号を生成する。同期式擬似ＳＲＡＭでは、アドレスバッファ１１１は、外部アドレス取込み信号ＡＤＶ＃が「Ｌ」のときに、外部アドレス信号ＡＤＤ［２１：０］を取込む。外部アドレス取込信号ＡＤＶ＃が「Ｌ」となるタイミングは、読出し信号ＲＥＡＤまたは書込み信号ＷＲＩＴＥが生成されるタイミングよりも早い。そして、このとき与えられる外部アドレス信号ＡＤＤ［２１：０］は、ロウアドレスだけでなくコラムアドレスも含む。

ＢＣＲ（Burst Configuration Register）１１２は、外部のシステムとのインタフェース、たとえばバーストレングスＢＬおよびコマンドレイテンシＣＬなどを記憶する。

ロウデコーダ１０２は、後述するシフトロウ活性化信号ＡＣＴＦが活性化されると、アドレスバッファ１１１から送られる行アドレスにしたがって、複数のワード線ＷＬのうちのいずれかのワード線ＷＬを選択し、選択したワード線ＷＬを活性化することによって、そのワード線ＷＬに対応する複数のメモリセルＭＣを活性化させる。

カラムデコーダ１０３は、カラムデコーダ活性信号ＣＤが活性化されると、カラムアドレスバッファ１１１から送られる列アドレスにしたがって、複数のビット線対ＢＬ，／ＢＬのうちのいずれかのビット線対を選択する。

グローバル入出力線対ＧＩＯＰは、メモリアレイを１６個に分割した単位ごとに設けられており、カラムデコーダ１０３によって選択されたビット線対ＢＬ，／ＢＬと読出／書込回路１０５とを結びつける。

読出／書込回路１０５は、各データ入出力線対ＧＰＩＯに対して設けられたプリアンプおよびライトドライバを含む。

ライトドライバは、メモリセルＭＣへのデータの書込み時に、ライト動作指示信号／ＷＲが活性化されると、入出力バッファ１０４から送られるデータをグローバル入出力線対ＧＰＩＯに接続されたビット線対ＢＬおよび／ＢＬに出力する。

プリアンプは、メモリセルＭＣからのデータの読出し時に、リード動作指示信号／ＲＥが活性化されると、グローバル入出力線対ＧＰＩＯに接続されたビット線対のセンスアンプ１２で増幅されたメモリセルＭＣからのデータを、さらに増幅して、入出力バッファ１０４に出力する。

入出力バッファ１０４は、データ入出力端子ＤＱ０〜ＤＱ１５を通じて、外部のシステム側との間でデータの入出力を行なう。すなわち、入出力バッファ１０４は、入出力制御回路１２３から与えられる出力イネーブル信号ＯＥが「Ｈ」レベルに活性化されている場合に、読出／書込回路１０５から受けた各メモリセルＭＣからのデータをデータ入出力端子ＤＱ０〜ＤＱ１５の対応する端子に出力する。

制御回路１２０は、コマンドデコーダ１２１と、リフレッシュタイマ１２４と、リフレッシュ制御回路１２６と、コマンドシフト回路１２２と、ＷＡＩＴ制御回路１２５と、入出力制御回路１２３とを含む。

コマンドデコーダ１２１は、外部からの制御信号より内部制御信号を生成し、内部制御信号の論理レベルの組合せに従って、ロウ活性化信号ＡＣＴ、読出し信号ＲＥＡＤ、およびテストモード信号ＴＭＯＤＥなどを生成する。

リフレッシュタイマ１２４は、リング発振器で構成され周期的に活性化されたリフレッシュサイクル信号／Ｒｅｆｃｙｃをリフレッシュ制御回路１２６に出力する。

リフレッシュ制御回路１２６は、リフレッシュサイクル信号／Ｒｅｆｃｙｃを受けて、メモリセルＭＣのセルフリフレッシュの制御を行なう。

図２は、リフレッシュ制御回路１２６の詳細な構成を示す図である。

同図を参照して、リフレッシュ制御回路１２６は、指令信号活性化回路５０と、判定回路６０と、ＮＡＮＤゲート４１，４４と、インバータ４２と、バッファ４８と、遅延回路４３，４９と、フリップフロップ４５とを含む。

指令信号活性化回路５０は、反転リフレッシュ指令信号／ＲＥＦＲを活性化させるためにリフレッシュフラッグ信号Ｒｅｆｆｌａｇを出力する。判定回路６０は、リフレッシュフラッグ信号Ｒｅｆｆｌａｇにより活性化された反転リフレッシュ指令信号／ＲＥＦＲを出力するか否かを判定するために判定信号Ｒｅｆｗｉｎを出力する。

ＮＡＮＤゲート４１は、リフレッシュフラッグ信号Ｒｅｆｆｌａｇと判定信号Ｒｅｆｗｉｎとを受け、リフレッシュフラッグ信号Ｒｅｆｆｌａｇと判定信号Ｒｅｆｗｉｎとの論理積を演算し、その演算結果を反転した信号を反転論理積信号／ＲＥＦＳＦとして出力する。

インバータ４２は、ＮＡＮＤゲート４１から出力された信号／ＲＥＦＳＦを受けて反転した信号φＡ１を出力する。また、遅延回路４３は、反転論理積信号／ＲＥＦＳＦを受けて一定時間遅延させる。

ＮＡＮＤゲート４４は、インバータ４２の出力信号φＡ１と遅延回路４３の出力信号とを受け、信号φＡ１と遅延回路４３の出力信号との論理積を演算し、その演算結果を反転した信号／ＲＥＦＳを出力する。

フリップフロップ４５は、ＮＡＮＤゲート４６および４７で構成される。ＮＡＮＤゲート４６は、信号／ＲＥＦＳとＮＡＮＤゲート４７から出力された出力信号φＡ３とを受け、信号／ＲＥＦＳと信号φＡ３との論理積を演算し、その演算結果を反転した信号φＡ２を出力する。ＮＡＮＤゲート４７は、ＮＡＮＤゲート４６から出力された信号φＡ２と遅延回路４９から出力された信号φＡ４とを受け、信号φＡ２と信号φＡ４との論理積を演算し、その演算結果を反転した信号を反転リフレッシュ指令信号／ＲＥＦＲとして出力する。反転リフレッシュ指令信号／ＲＥＦＲの活性化に応じて、リフレッシュ動作が行なわれる。

遅延回路４９は、フリップフロップ４５から出力された反転リフレッシュ指令信号／ＲＥＦＲを受けて一定時間遅延させた信号φＡ４を出力する。

バッファ４８は、信号φＡ３を受けて反転リフレッシュ指令信号／ＲＥＦＲを出力する。

インバータ５１は、反転リフレッシュ指令信号／ＲＥＦＲを反転して、リフレッシュ指令信号ＲＥＦＲを出力する。

指令信号活性化回路５０は、フリップフロップ５２と、ＮＡＮＤゲート５５と、インバータ５６および５７と、遅延回路５８とを含む。

フリップフロップ５２は、ＮＡＮＤゲート５３および５４で構成される。ＮＡＮＤゲート５３はリフレッシュサイクル信号／ＲｅｆｃｙｃとＮＡＮＤゲート５４の出力信号φＡ１１とを受け、リフレッシュサイクル信号／Ｒｅｆｃｙｃと信号と、φＡ１１との論理積を演算し、その演算結果を反転した信号φＡ１０を出力する。また、ＮＡＮＤゲート５４は、ＮＡＮＤゲート５３から出力された出力信号φＡ１０と、ＮＡＮＤゲート５５から出力された出力信号φＡ１２とを受け、信号φＡ１０と信号φＡ１２との論理積を演算し、その演算結果を反転した信号φＡ１１を出力する。

インバータ５６は、フリップフロップ５２から出力された信号φＡ１１を受け、反転し、反転した信号をリフレッシュフラッグ信号Ｒｅｆｆｌａｇとして出力する。

インバータ５７は、反転リフレッシュ指令信号／ＲＥＦＲを受け、反転する。また、遅延回路５８は、インバータ５７によりリフレッシュ指令信号ＲＥＦＲを受け、リフレッシュ指令信号ＲＥＦＲを一定時間遅延させた信号φＡ１３を出力する。

ＮＡＮＤゲート５５は、反転リフレッシュ指令信号／ＲＥＦＲと遅延回路５８から出力された信号φＡ１３とを受け、反転リフレッシュ指令信号／ＲＥＦＲと信号φＡ１３との論理積を演算し、その演算結果を反転した信号φＡ１２を出力する。

判定回路６０は、バッファ回路６１で構成される。バッファ回路６１は、内部チップイネーブル信号ＺＩＮＴＣＥを受け、判定信号Ｒｅｆｗｉｎを出力する。

再び、図１を参照して、コマンドシフト回路１２２は、コマンドデコーダ１２１から読出し信号ＲＥＡＤおよびロウ活性化信号ＡＣＴを受けるとともに、リフレッシュ制御回路１２６からリフレッシュ指令信号ＲＥＦＲを受けて、シフト読出し信号ＲＥＡＤＦおよびシフトロウ活性化信号ＡＣＴＦを生成する。

コマンドシフト回路１２２は、シフト読出し信号ＲＥＡＤＦを生成する回路１２２ａと、シフトロウ活性信号ＡＣＴＦを生成する回路１２２ｂとを含む。

図３は、シフト読出し信号ＲＥＡＤＦを生成する回路１２２ａの構成を示す図である。なお、シフトロウ活性化信号ＡＣＴＦを生成する回路１２２ｂもこれと同様である。

図３を参照して、リフレッシュ指令信号ＲＥＦＲを受ける反転論理積回路ＮＡＮＤ８１と、読出し信号ＲＥＡＤを受ける反転論理積回路ＮＡＮＤ８２とは、フリップフロップを構成する。インバータＩＶ８１は、リフレッシュ指令信号ＲＥＦＲを反転する。

インバータＩＶ８１の出力を受ける反転論理積回路ＮＡＮＤ８３と、読出し信号ＲＥＡＤを受ける反転論理積回路ＮＡＮＤ８４とは、フリップフロップを構成する。

反転論理積回路ＮＡＮＤ８３の出力およびリセット信号ＺＰＯＲを受ける反転論理積回路ＮＡＮＤ８５と、反転論理積回路ＮＡＮＤ８２の出力および反転論理積回路ＮＡＮＤ８４の出力とを受ける反転論理積回路ＮＡＮＤ８６とは、フリップフロップを構成する。リセット信号ＺＰＯＲは、電源がオンにされると「Ｈ」に活性化される。

インバータＩＶ８２は、反転論理積回路ＮＡＮＤ８６の出力を受ける。インバータＩＶ８３は、インバータＩＶ８２の出力を受ける。反転論理和回路ＮＯＲ８１は、反転論理積回路ＮＡＮＤ８６の出力とインバータＩＶ８３の出力とを受ける。

反転論理積回路ＮＡＮＤ８７は、反転論理和回路ＮＯＲ８１の出力とインバータＩＶ８２の出力とを受ける。遅延回路ＤＬ８１は、反転論理積回路ＮＡＮＤ８７の出力を遅延させる。反転論理和回路ＮＯＲ８２は、インバータＩＶ８３の出力と遅延回路ＤＬ８１の出力とを受ける。遅延回路ＤＬ８２は、反転論理和回路ＮＯＲ８２の出力を遅延させる。

反転論理積回路ＮＡＮＤ８８は、遅延回路ＤＬ８２の出力と反転論理和回路ＮＯＲ８１の出力とを受ける。遅延回路ＤＬ８３は、反転論理積回路ＮＡＮＤ８８の出力を遅延させる。反転論理積回路ＮＡＮＤ８９は、遅延回路ＤＬ８３の出力と反転論理和回路ＮＯＲ８１の出力とを受ける。

インバータＩＶ８４は、反転論理積回路ＮＡＮＤ８９の出力を受ける。インバータＩＶ８５は、インバータＩＶ８４の出力を受ける。反転論理積回路ＮＡＮＤ９０は、インバータＩＶ８５の出力と反転論理積回路ＮＡＮＤ８９の出力とを受ける。反転論理和回路ＮＯＲ８３は、反転論理積回路ＮＡＮＤ９０の出力とインバータＩＶ８４の出力とを受ける。インバータＩＶ８６は、反転論理和回路ＮＯＲ８３の出力を反転する。インバータＩＶ８７は、インバータＩＶ８６の出力を反転する。

反転論理積回路ＮＡＮＤ９１は、反転論理和回路ＮＯＲ８３の出力とインバータＩＶ８７の出力とを受ける。反転論理和回路ＮＯＲ８４は、反転論理積回路ＮＡＮＤ９１の出力とインバータＩＶ８４の出力とを受ける。インバータＩＶ８８は、反転論理和回路ＮＯＲ８４の出力を反転する。反転論理和回路ＮＡＮＤ８５は、インバータＩＶ８４の出力とインバータＩＶ８８の出力とを受ける。インバータＩＶ８９は、反転論理和回路ＮＡＮＤ８５の出力を反転してシフト読出し信号ＲＥＡＤＦを出力する。

図４（ａ）は、リフレッシュ動作が行なわれていないときに生成された読出し信号ＲＥＡＤから生成されるシフト読出し信号ＲＥＡＤＦを表わす図である。

同図に示すように、リフレッシュ動作が行なわれていないときには、リフレッシュ指令信号ＲＥＦＲは「Ｌ」レベルである。この場合、シフト読出し信号ＲＥＡＤＦが活性化されるタイミングは、読出し信号ＲＥＡＤが活性化されるタイミングとほほ同一である。

図４（ｂ）は、リフレッシュ動作が行なわれているときに生成された読出し信号ＲＥＡＤから生成されるシフト読出し信号ＲＥＡＤＦを表す図である。

同図に示すように、リフレッシュ動作が行なわれているときには、リフレッシュ指令信号ＲＥＦＲは「Ｈ」レベルである。この場合、シフト読出し信号ＲＥＡＤＦが活性化されるタイミングは、リフレッシュ指令信号ＲＥＦＲの立ち下り、つまりリフレッシュの終了直後となる。

再び、図１を参照して、ＷＡＩＴ制御回路１２５は、正常に動作する場合には、以下のようにしてＷＡＩＴ信号の活性化／非活性化を制御する。すなわち、ＷＡＩＴ制御回路１２５は、リフレッシュ指令信号ＲＥＦＲが活性化されていない時、つまりリフレッシュ制御回路１２６の制御によりリフレッシュ制御が行なわれていない時で、かつ外部チップイネーブル信号ＣＥが「Ｌ」に活性化されている時に、「Ｈ」レベルのシフト読出し信号ＲＥＡＤＦを受けると、ＷＡＩＴ信号を「Ｌ」レベルに活性化する。

また、ＷＡＩＴ制御回路１２５は、リフレッシュ指令信号ＲＥＦＲが活性化されているとき、つまりリフレッシュ制御回路１２６の制御によりリフレッシュ制御が行なわれている時に、ＷＡＩＴ信号を「Ｌ」レベルに活性化する。また、ＷＡＩＴ制御回路１２５は、リフレッシュ指令信号ＲＥＦＲが非活性化される時、つまりリフレッシュ制御が終了する時に、「Ｈ」レベルのシフト読出信号ＲＥＡＤＦを受けると、ＷＡＩＴ信号のレベルを「Ｌ」に維持する。

また、ＷＡＩＴ制御回路１２５は、シフト読出し信号ＲＥＡＤＦを受けたときのクロックＣＬＫを含むコマンドレイテンシＣＬの個数のクロックＣＬＫを受けた後、ＷＡＩＴ信号を「Ｈ」レベルに非活性化する。

また、ＷＡＩＴ制御回路１２５は、外部チップイネーブル信号ＣＥが「Ｈ」に非活性化されたことに応じて、ＷＡＩＴ信号をＨｉ−Ｚにする。

入出力制御回路１２３は、シフトロウ活性化信号ＡＣＴＦの活性化に応じて、センスアンプ活性化信号ＳＥを活性化する。

また、入出力制御回路１２３は、シフト読出し信号ＲＥＡＤＦの活性化に応じて、コラムイネーブル信号ＣＤを活性化し、リード動作指示信号／ＲＥを活性化する。

また、入出力制御回路１２３は、シフト読出し信号ＲＥＡＤＦを受けたときのクロックＣＬＫの含むコマンドレイテンシＣＬの個数のクロックＣＬＫを受けた後から、バーストレングスＢＬのクロック数の期間、出力イネーブル信号ＯＥを「Ｈ」レベルに活性化する。

（第１の実施形態に係るテスト機能を有する同期式擬似ＳＲＡＭ２の構成）
図５は、第１の実施形態に係るテスト機能を有する同期式擬似ＳＲＡＭ２の構成を示す図である。

図５の同期式擬似ＳＲＡＭ２が、図１の従来の同期式擬似ＳＲＡＭ１と相違する点は、図５の同期式擬似ＳＲＡＭ２が、図１の同期式擬似ＳＲＡＭ１には含まれないレベル判定回路１８０と、テスト結果判定回路１８５と、スイッチ１８３とを備える点と、図５の入出力バッファ２０４が図１の入出力バッファ１０４と相違する点である。

スイッチ１８３は、テストモード信号ＴＭＯＤＥのレベルに応じて制御される。すなわち、スイッチ１８３は、通常時には、テストモード信号ＴＭＯＤＥが「Ｌ」となり、スイッチ１８３は、ＷＡＩＴ制御回路１２５とＷＡＩＴ出力端子とを接続する。この場合、ＷＡＩＴ信号がＷＡＩＴ出力端子から出力される。また、テスト時にはテストモード信号ＴＭＯＤＥが「Ｈ」となり、スイッチ１８３は、ＷＡＩＴ制御回路１２５とテスト結果判定回路１８５とを接続する。この場合、ＷＡＩＴ信号がＷＡＩＴ出力端子から出力されない。

レベル判定回路１８０は、たとえば、反転排他的論理和回路で構成されている。レベル判定回路１８０は、読出／書込回路１０５から出力された１６ビットのテストデータを受けて、いわゆるマルチビットテストの結果を表わすレベル判定信号ＥＯＲ１を出力する。すなわち、レベル判定回路１８０は、受けた１６ビットのテストデータのレベルがすべて同一のときには、「Ｈ」レベルのレベル判定信号ＥＯＲ１を出力し、１６ビットのテストデータのうち、他と同一のレベルでないものが存在するときには、「Ｌ」レベルのレベル判定信号ＥＯＲ１を出力する。

テスト結果判定回路１８５は、１６ビットのテストデータのレベルがすべて同一で、かつＷＡＩＴ信号が解除される（つまり、「Ｈ」レベルに非活性化される）タイミングとレベル判定信号ＥＯＲ１が変化するタイミングとの間にずれがない正常の動作であるか否かを判定し、判定の結果を表わすテスト結果信号ＴＲ１を出力する。以下、このテスト判定回路１８５の具体的な構成について詳説する。

図６は、テスト結果判定回路１８５の構成の一例を示す図である。

同図を参照して、テスト結果判定回路１８５は、遅延回路３０１と、インバータ３０２と、論理積回路３０３と、論理積回路３０４とを含む。

遅延回路３０１は、クロックＣＬＫを所定の時間αだけ遅延させる。

インバータ３０２は、遅延回路３０１の出力を判定する。

論理積回路３０３は、クロックＣＬＫとインバータ３０２の出力との論理積を出力する。つまり、論理積回路３０３は、クロックＣＬＫの立ち上がりに同期したワンショットパルスを生成する。

論理積回路３０４は、論理積回路３０３から出力されるワンショットパルスと、ＷＡＩＴ信号と、レベル判定信号ＥＯＲ１との論理積を出力する。つまり、論理積回路３０４は、クロックＣＬＫに同期したタイミング（つまりクロックＣＬＫの立ち上がりを起点とした所定時間αの期間）において、ＷＡＩＴ信号のレベルが「Ｈ」、かつレベル判定信号ＥＯＲ１のレベルが「Ｈ」のときには、テスト結果が正常を表わす「Ｈ」レベルのテスト結果信号ＴＲ１（ワンショットパルス）を入出力バッファ２０４に出力する。

一方、論理積回路３０４は、上記の場合以外で、ＷＡＩＴ信号およびレベル判定信号ＥＯＲ１がＨｉ−ｚでないときには、テスト結果が異常を表わす「Ｌ」レベルのテスト結果信号ＴＲ１を入出力バッファ２０４に出力する。

入出力バッファ２０４は、データ入出力端子ＤＱ０〜ＤＱ１５を通じて、外部のシステム側との間でデータの入出力を行なう。すなわち、入出力バッファ２０４は、入出力制御回路１２３から与えられる出力イネーブル信号ＯＥが「Ｈ」レベルに活性化されている場合に、読出／書込回路１０５から受けた各メモリセルＭＣからの読出しデータをデータ入出力端子ＤＱ０〜ＤＱ１５の対応する端子に出力する。また、入出力バッファ２０４は、出力イネーブル信号ＯＥが「Ｈ」レベルに活性化されている場合に、テスト結果判定回路１８５から受けたテスト結果信号ＴＲ１をデータ入出力端子ＤＱ０に出力する。

（従来のテスト機能を有する同期式擬似ＳＲＡＭ１の動作の一例）
次に、従来の同期式擬似ＳＲＡＭ１の動作の一例として、リフレッシュが行なわれていない時に、外部からの制御信号によって読出し信号ＲＥＡＤが生成された場合の動作を説明する。

図７は、従来の同期式擬似ＳＲＡＭ１の動作の一例を表わすタイミングチャートである。同図において、コマンドレイテンシＣＬ＝３とし、バーストレングスＢＬ＝２とする。

図７で示されるタイミングに先立って、コマンドデコーダ１２１は、外部からの制御信号を受け、それに基づきテストモード信号ＴＭＯＤＥを生成する。

次に、メモリアレイへのテストデータの書込み処理が以下のようにして行なわれる。

外部からデータ入出力端子ＤＱ０〜ＤＱ１５を通じて、１６ビットのテストデータが入出力バッファ１０４に入力される。このテストデータは、すべてのビットのレベルが同一である。

ロウデコーダ１０２は、１個のワード線ＷＬを選択する。カラムデコーダ１０３は、１６個のビット線対ＢＬ，／ＢＬを選択する。これにより、選択されたワード線ＷＬと、選択された１６対のビット線対ＢＬ，／ＢＬの交点に位置する１６個のメモリセルＭＣが選択される。

読出／書込回路１０５は、入出力バッファ１０４から１６ビットのテストデータを受けて、１６ビットのグローバル入出力線対ＧＰＩＯおよび選択された１６対のビット線対ＢＬ，／ＢＬを通じて、１６ビットのテストデータを選択された１６個のメモリセルＭＣに書込む。

選択するワード線ＷＬおよび、ビット線対ＢＬ，／ＢＬを変えて、以上の処理を繰返することにより、ＤＲＡＭのすべてのメモリセルＭＣに同一のレベルを書込む。

次に、メモリアレイからのテストデータの読出し処理が以下のようにして行なわれる。ここで、メモリセルＭＣからのテストデータの読出しは、正しく行なわれるとする。すなわち、メモリセルＭＣから読出されたテストデータのレベルは、メモリセルＭＣに書込んだテストデータのレベルと同一のレベルとする。

図７を参照して、第０番目のクロックＣＬＫにおいて、コマンドデコーダ１２１は、外部からの制御信号を受け、それに基づきロウ活性化信号ＡＣＴおよび読出し信号ＲＥＡＤを生成する。

コマンドシフト回路１２２は、リフレッシュ指令信号ＲＥＦＲが「Ｌ」レベルの非活性なので、読出し信号ＲＥＡＤとほぼ同一のタイミングのシフト読出し信号ＲＥＡＤＦを生成し、ロウ活性化信号ＡＣＴとほぼ同一のタイミングのシフトロウ活性化信号ＡＣＴＦを生成する。

ＷＡＩＴ制御回路１２５は、外部チップイネーブル信号ＣＥが「Ｌ」レベルに活性化されているときに、「Ｈ」レベルのシフト読出し信号ＲＥＡＤＦを受けると、ＷＡＩＴ信号を「Ｌ」レベルに活性化する。

次に、「Ｈ」レベルに非活性化されたＷＡＩＴ信号が出力されるタイミング（つまり、ＷＡＩＴ信号が解除されるタイミング）とメモリセルＭＣからのテストデータが出力されるタイミングとがずれない場合（図７の（１）に示す場合）と、ずれる場合（図７の（２）に示す場合）について説明する。

（１） まず、「Ｈ」レベルに非活性化されたＷＡＩＴ信号が出力されるタイミングとメモリセルＭＣからのテストデータが出力されるタイミングのずれがない場合（図７の（１）に示す場合）について説明する。

ＷＡＩＴ制御回路１２５は、シフト読出し信号ＲＥＡＤＦを受けたタイミングである第０番目のクロックＣＬＫを含むコマンドレイテンシＣＬ（＝３）の個数のクロックＣＬＫを受けた後（つまり、第２番目のクロックＣＬＫを受けた後）、ＷＡＩＴ信号のレベルを「Ｈ」に非活性化する。

入出力制御回路１２３は、シフトロウ活性化信号ＡＣＴＦ、シフト読出し信号ＲＥＡＤＦの活性化に応じて、センスアンプ活性化信号ＳＥ、カラムデコーダ活性化信号ＣＤ、および読出し動作指示信号／ＲＥを活性化する。

また、入出力制御回路１２３は、シフト読出し信号ＲＥＡＤＦを受けたときの第０番目のクロックＣＬＫを含むコマンドレイテンシＣＬ（＝３）の個数のクロックＣＬＫを受けた後（つまり、第２番目のクロックＣＬＫを受けた後）から、バーストレングスＢＬ（＝２）のクロック数の期間（つまり、２個のクロックの期間）、出力イネーブル信号ＯＥを「Ｈ」レベルに活性化する。

ロウデコーダ１０２は、シフトロウ活性化信号ＡＣＴＦの活性化に応じて、１個のワード線ＷＬを選択する。

次に、以下のようにして、バースト読出しの第０ビット目が行なわれる。

カラムデコーダ１０３は、カラムデコーダ活性化信号ＣＤの活性化に応じて、１６対のビット線対ＢＬ，／ＢＬを選択する。これにより、選択されたワード線ＷＬと、選択された１６対のビット線対ＢＬ，／ＢＬの交点に位置する１６個のメモリセルＭＣが選択される。

読出／書込回路１０５は、読出し動作指示信号／ＲＥの活性化に応じて、選択された１６個のメモリセルＭＣのテストデータ（Ｄ０）を読出して、入出力バッファ１０４に出力する。入出力バッファ１０４は、「Ｈ」レベルに活性化された出力イネーブル信号ＯＥを受けて、読出／書込回路１０５から受けた各メモリセルＭＣからのテストデータ（Ｄ０）をデータ入出力端子ＤＱ０〜ＤＱ１５の対応する端子に出力する。

次に、以下のようにバースト読出しの第１ビット目が行なわれる。

カラムデコーダ１０３は、カラムデコーダ活性化信号ＣＤの活性化に応じて、１６対のビット線対ＢＬ，／ＢＬを選択する。これにより、選択されたワード線ＷＬと、選択された１６対のビット線対ＢＬ，／ＢＬの交点に位置する１６個のメモリセルＭＣが選択される。

読出／書込回路１０５は、読出し動作指示信号／ＲＥの活性化に応じて、選択された１６個のメモリセルＭＣのテストデータ（Ｄ１）を読出して、入出力バッファ１０４に出力する。

入出力バッファ１０４は、「Ｈ」レベルに活性化された出力イネーブル信号ＯＥを受けて、読出／書込回路１０５から受けた各メモリセルＭＣからのテストデータ（Ｄ１）をデータ入出力端子ＤＱ０〜ＤＱ１５の対応する端子に出力する。

外部のテスタは、ＷＡＩＴ出力端子を通じてＷＡＩＴ信号を受け、データ入出力端子ＤＱ０〜ＤＱ１５を通じてテストデータを受ける。もし、テスタに、ＷＡＩＴ信号が「Ｈ」に非活性化されたタイミングで、メモリセルＭＣからのテストデータ（Ｄ０，Ｄ１）と期待値とを比較する機能があれば、図７の（１）に示す場合には、「Ｈ」レベルに非活性化されたＷＡＩＴ信号が出力されるタイミングとメモリセルＭＣからのテストデータが出力されるタイミングのずれがなく、かつメモリセルＭＣからのテストデータと期待値とが同一であり、テスト結果が正常であることを検出することができる。しかし、テスタにはそのような機能がないため、テスト結果が正常であることを検出することができない。

（２） 次に、「Ｈ」レベルに非活性化されたＷＡＩＴ信号が出力されるタイミングとメモリセルＭＣからのテストデータが出力されるタイミングとにずれがある場合（図７の（２）に示す場合）について説明する。

入出力制御回路１２３、ロウデコーダ１０２、カラムデコーダ１０３、読出／書込回路１０５、および入出力バッファ１０４は、上述の両者のタイミングにずれがない場合と同様に動作する。

ＷＡＩＴ制御回路１２５は、上述の両者のタイミングにずれがない場合とは異なり、異常動作する。つまり、ＷＡＩＴ制御回路１２５は、シフト読出し信号ＲＥＡＤＦを受けたタイミングである第０番目のクロックＣＬＫを含むコマンドレイテンシＣＬ（＝３）の個数のクロックＣＬＫを受けた後（つまり、第２番目のクロックＣＬＫを受けた後）ではなく、第２番目のクロックＣＬＫを受けた後よりも遅いタイミングで、ＷＡＩＴ信号のレベルを「Ｈ」に活性化する。

外部のテスタは、ＷＡＩＴ出力端子を通じてＷＡＩＴ信号を受け、データ入出力端子ＤＱ０〜ＤＱ１５を通じてテストデータを受ける。もし、テスタに、ＷＡＩＴ信号が「Ｈ」に非活性化されたタイミングで、メモリセルＭＣからのテストデータ（Ｄ０，Ｄ１）と期待値とを比較する機能があれば、図７の（２）に示す場合には、「Ｈ」レベルに非活性化されたＷＡＩＴ信号が出力されるタイミングとメモリセルＭＣからのテストデータが出力されるタイミングのずれがあり、テスト結果が異常であることを検出することができる。しかし、テストにはそのような機能がないため、テスト結果が異常であることを検出することができない。

（第１の実施形態に係るテスト機能を有する同期式擬似ＳＲＡＭ２の動作の一例）
次に、第１の実施形態に係る同期式擬似ＳＲＡＭ２の動作の一例として、リフレッシュが行なわれていない時に、外部からの制御信号によって読出し信号ＲＥＡＤが生成された場合の動作を説明する。

図８は、第１の実施形態に係る同期式擬似ＳＲＡＭ２の動作の一例を表わすタイミングチャートである。同図において、コマンドレイテンシＣＬ＝３とし、バーストレングスＢＬ＝２とする。

同図を参照して、図７のタイミングチャートに追加された点について説明する。

（１） まず、「Ｈ」レベルに非活性化されたＷＡＩＴ信号が出力されるタイミングとメモリセルＭＣからのテストデータが出力されるタイミングとにずれがない場合（図８の（１）に示す場合）について説明する。

スイッチ１８３は、テストモード信号ＴＭＯＤＥを受けて、ＷＡＩＴ制御回路１２５とテスト結果判定回路１８５とを接続する。

レベル判定回路１８０は、バースト読出しの第０ビット目につき読出／書込回路１０５から出力された１６ビットのテストデータ（Ｄ０）を受けて、１６ビットのテストデータのレベルがすべて同一であるので、「Ｈ」レベルのレベル判定信号ＥＯＲ１（Ｄ０′）を出力する。

テスト結果判定回路１８５は、第３番目のクロックＣＬＫの立ち上がりを起点とした所定時間αの期間に、ＷＡＩＴ信号が「Ｈ」レベル、かつレベル判定信号ＥＯＲ１が「Ｈ」レベルを示すので、テスト結果が正常であることを示す、レベルが「Ｈ」であるワンショットパルスのテスト結果信号ＴＲ１を入出力バッファ２０４に出力する。

入出力バッファ２０４は、「Ｈ」レベルに活性化された出力イネーブル信号ＯＥを受けて、テスト結果判定回路１８５から受けたテスト結果信号ＴＲ１をデータ入出力端子ＤＱ０に出力する。

次に、レベル判定回路１８０は、バースト読出しの第１ビット目につき読出／書込回路１０５から出力された１６ビットのテストデータ（Ｄ１）を受けて、１６ビットのテストデータのレベルがすべて同一であるので、「Ｈ」レベルのレベル判定信号ＥＯＲ１（Ｄ１′）を出力する。

テスト結果判定回路１８５は、第４番目のクロックＣＬＫの立ち上がりを起点とした所定時間αの期間に、ＷＡＩＴ信号が「Ｈ」レベル、かつレベル判定信号ＥＯＲ１が「Ｈ」レベルを示すので、テスト結果が正常であることを示す、レベルが「Ｈ」であるワンショットパルスのテスト結果信号ＴＲ１を入出力バッファ１０４に出力する。

入出力バッファ２０４は、「Ｈ」レベルに活性化された出力イネーブル信号ＯＥを受けて、テスト結果判定回路１８５から受けたテスト結果信号ＴＲ１をデータ入出力端子ＤＱ０に出力する。

以上のように、メモリセルＭＣからテストデータが正しく読出され、かつ「Ｈ」レベルに非活性化されたＷＡＩＴ信号が出力されるタイミングとメモリセルＭＣからのテストデータが出力されるタイミングとにずれがない場合には、バーストレングスＢＬ（＝２）の個数分のテスト結果が正常であることを示す、レベルが「Ｈ」のワンショットパルスが出力される。したがって、テスタは、データ入出力端子ＤＱ０を通じてバーストレングスＢＬの個数の「Ｈ」レベルのワンショットパルスを受けることによって、バーストレングスＢＬの個数分のテスト結果が正常であると検出することができる。

（２） 次に、「Ｈ」レベルに非活性化されたＷＡＩＴ信号が出力されるタイミングとメモリセルＭＣからのテストデータが出力されるタイミングとにずれがある場合（図８の（２）に示す場合）について説明する。

スイッチ１８３は、テストモード信号ＴＭＯＤＥを受けて、ＷＡＩＴ制御回路１２５とテスト結果判定回路１８５とを接続する。

レベル判定回路１８０は、バースト読出しの第０ビット目につき読出／書込回路１０５から出力された１６ビットのテストデータ（Ｄ０）を受けて、１６ビットのテストデータのレベルがすべて同一であるので、「Ｈ」レベルのレベル判定信号ＥＯＲ１（Ｄ０′）を出力する。

テスト結果判定回路１８５は、第３番目のクロックＣＬＫの立ち上がりを起点とした所定時間αの期間に、ＷＡＩＴ信号が「Ｌ」レベル、かつレベル判定信号ＥＯＲ１が「Ｈ」レベルを示すので、テスト結果が異常であることを示す、レベルが「Ｌ」のテスト結果信号ＴＲ１を入出力バッファ２０４に出力する。

入出力バッファ２０４は、「Ｈ」レベルに活性化された出力イネーブル信号ＯＥを受けて、テスト結果判定回路１８５から受けたテスト結果信号ＴＲ１をデータ入出力端子ＤＱ０に出力する。

次に、レベル判定回路１８０は、バースト読出しの第１ビット目につき読出／書込回路１０５から出力された１６ビットのテストデータ（Ｄ１）を受けて、１６ビットのテストデータのレベルがすべて同一であるので、「Ｈ」レベルのレベル判定信号ＥＯＲ１（Ｄ１′）を出力する。

テスト結果判定回路１８５は、第４番目のクロックＣＬＫの立ち上がりを起点とした所定時間αの期間に、ＷＡＩＴ信号が「Ｈ」レベル、かつレベル判定信号ＥＯＲ１が「Ｈ」レベルを示すので、テスト結果が正常であることを示す、レベルが「Ｈ」であるワンショットパルスのテスト結果信号ＴＲ１を入出力バッファ２０４に出力する。

入出力バッファ２０４は、「Ｈ」レベルに活性化された出力イネーブル信号ＯＥを受けて、テスト結果判定回路１８５から受けたテスト結果信号ＴＲ１をデータ入出力端子ＤＱ０に出力する。

以上のように、データ入出力端子ＤＱ０を通じて外部に出力される「Ｈ」レベルのワンショットパルスは１個のみである。つまり、「Ｈ」レベルに非活性化されたＷＡＩＴ信号が出力されるタイミングとメモリセルＭＣからのテストデータが出力されるタイミングとにずれがある場合には、バーストレングスＢＬ（＝２）の個数分のテスト結果が正常であることを示す、レベルが「Ｈ」のワンショットパルスが出力されない。したがって、テスタは、データ入出力端子ＤＱ０を通じてバーストレングスＢＬの個数の「Ｈ」レベルのワンショットパルスを受けず、バーストレングスＢＬの個数分のいずれかのテストの結果が異常であると検出することができる。

（従来のテスト機能を有する同期式擬似ＳＲＡＭ１の動作の別の例）
次に、従来の同期式擬似ＳＲＡＭ１の動作の別の例として、リフレッシュが行なわれている時に、外部からの制御信号によって読出し信号ＲＥＡＤが生成された場合の動作を説明する。

図９は、従来の同期式擬似ＳＲＡＭ１の動作の別の例を表わすタイミングチャートである。同図において、コマンドレイテンシＣＬ＝３とし、バーストレングスＢＬ＝２とする。

図７に示す場合と同様に、テストモード信号ＴＭＯＤＥの生成、およびメモリアレイへのテストデータの書込み処理が行なわれる。

次に、メモリアレイからのテストデータの読出し処理が以下のようにして行なわれる。ここで、メモリセルＭＣからのテストデータの読出しは、正しく行なわれるとする。すなわち、メモリセルＭＣから読出されたテストデータのレベルは、メモリセルＭＣに書込んだテストデータのレベルと同一のレベルとする。

図９を参照して、第０番目のクロックＣＬＫにおいて、コマンドデコーダ１２１は、外部からの制御信号を受け、それに基づきロウ活性化信号ＡＣＴおよび読出し信号ＲＥＡＤを生成する。

コマンドシフト回路１２２は、リフレッシュ指令信号ＲＥＦＲが「Ｈ」レベルに活性化されているので、リフレッシュ指令信号ＲＥＦＲの立ち下りのタイミングでシフト読出し信号ＲＥＡＤＦ、およびシフトロウ活性化信号ＡＣＴＦを生成する。

ＷＡＩＴ制御回路１２５は、リフレッシュ指令信号ＲＥＦＲが非活性化される時、つまりリフレッシュ制御が終了する時に、「Ｈ」レベルのシフト読出信号ＲＥＡＤＦを受けて、ＷＡＩＴ信号のレベルを「Ｌ」に維持する。

次に、「Ｈ」レベルに非活性化されたＷＡＩＴ信号が出力されるタイミング（つまり、ＷＡＩＴ信号が解除されるタイミング）とメモリセルＭＣからのテストデータが出力されるタイミングとがずれない場合（図９の（１）に示す場合）と、ずれる場合（図９の（２）に示す場合）について説明する。

（１） まず、「Ｈ」レベルに非活性化されたＷＡＩＴ信号が出力されるタイミングとメモリセルＭＣからのテストデータが出力されるタイミングのずれがない場合（図９の（１）に示す場合）について説明する。

ＷＡＩＴ制御回路１２５は、シフト読出し信号ＲＥＡＤＦを受けたタイミングである第２番目のクロックＣＬＫを含むコマンドレイテンシＣＬ（＝３）の個数のクロックＣＬＫを受けた後（つまり、第４番目のクロックＣＬＫを受けた後）、ＷＡＩＴ信号のレベルを「Ｈ」に非活性化する。

入出力制御回路１２３は、シフトロウ活性化信号ＡＣＴＦ、およびシフト読出し信号ＲＥＡＤＦの活性化に応じて、センスアンプ活性化信号ＳＥ、カラムデコーダ活性化信号ＣＤ、および読出し動作指示信号／ＲＥを活性化する。

また、入出力制御回路１２３は、シフト読出し信号ＲＥＡＤＦを受けたときの第２番目のクロックＣＬＫを含むコマンドレイテンシＣＬ（＝３）の個数のクロックＣＬＫを受けた後（つまり、第４番目のクロックＣＬＫを受けた後）から、バーストレングスＢＬ（＝２）のクロック数の期間（つまり、２個のクロックの期間）、出力イネーブル信号ＯＥを「Ｈ」レベルに活性化する。

ロウデコーダ１０２は、シフトロウ活性化信号ＡＣＴＦの活性化に応じて、１個のワード線ＷＬを選択する。

次に、以下のようにバースト読出しの第０ビット目が行なわれる。

カラムデコーダ１０３は、カラムデコーダ活性化信号ＣＤの活性化に応じて、１６対のビット線対ＢＬ，／ＢＬを選択する。これにより、選択されたワード線ＷＬと、選択された１６対のビット線対ＢＬ，／ＢＬの交点に位置する１６個のメモリセルＭＣが選択される。

読出／書込回路１０５は、読出し動作指示信号／ＲＥの活性化に応じて、選択された１６個のメモリセルＭＣのテストデータ（Ｄ０）を読出して、入出力バッファ１０４に出力する。

入出力バッファ１０４は、「Ｈ」レベルに活性化された出力イネーブル信号ＯＥを受けて、読出／書込回路１０５から受けた各メモリセルＭＣからのテストデータ（Ｄ０）をデータ入出力端子ＤＱ０〜ＤＱ１５の対応する端子に出力する。

次に、以下のようにバースト読出しの第１ビット目が行なわれる。

カラムデコーダ１０３は、カラムデコーダ活性化信号ＣＤの活性化に応じて、１６対のビット線対ＢＬ，／ＢＬを選択する。これにより、選択されたワード線ＷＬと、選択された１６対のビット線対ＢＬ，／ＢＬの交点に位置する１６個のメモリセルＭＣが選択される。

読出／書込回路１０５は、読出し動作指示信号／ＲＥの活性化に応じて、選択された１６個のメモリセルＭＣのテストデータ（Ｄ１）を読出して、入出力バッファ１０４に出力する。

入出力バッファ１０４は、「Ｈ」レベルに活性化された出力イネーブル信号ＯＥを受けて、読出／書込回路１０５から受けた各メモリセルＭＣからのテストデータ（Ｄ１）をデータ入出力端子ＤＱ０〜ＤＱ１５の対応する端子に出力する。

外部のテスタは、ＷＡＩＴ出力端子を通じてＷＡＩＴ信号を受け、データ入出力端子ＤＱ０〜ＤＱ１５を通じてテストデータを受ける。もし、テスタに、ＷＡＩＴ信号が「Ｈ」に非活性化されたタイミングで、メモリセルＭＣからのテストデータ（Ｄ０，Ｄ１）と期待値とを比較する機能があれば、図９の（１）に示す場合には、「Ｈ」レベルに非活性化されたＷＡＩＴ信号が出力されるタイミングとメモリセルＭＣからのテストデータが出力されるタイミングのずれがなく、かつメモリセルＭＣからのテストデータと期待値とが同一であり、テスト結果が正常であることを検出することができる。しかし、テスタにはそのような機能がないため、テスト結果が正常であることを検出することができない。

（２） 次に、「Ｈ」レベルに非活性化されたＷＡＩＴ信号が出力されるタイミングとメモリセルＭＣからのテストデータが出力されるタイミングとにずれがある場合（図９の（２）に示す場合）について説明する。

入出力制御回路１２３、ロウデコーダ１０２、カラムデコーダ１０３、読出／書込回路１０５、および入出力バッファ１０４は、上述の両者のタイミングにずれがない場合と同様に動作する。

ＷＡＩＴ制御回路１２５は、上述の両者のタイミングにずれがない場合とは異なり、異常動作する。つまり、ＷＡＩＴ制御回路１２５は、シフト読出し信号ＲＥＡＤＦを受けたタイミングである第２番目のクロックＣＬＫを含むコマンドレイテンシＣＬ（＝３）の個数のクロックＣＬＫを受けた後（つまり、第４番目のクロックＣＬＫを受けた後）ではなく、第４番目のクロックＣＬＫを受けた後よりも早いタイミングで、ＷＡＩＴ信号のレベルを「Ｈ」に活性化する。

外部のテスタは、ＷＡＩＴ出力端子を通じてＷＡＩＴ信号を受け、データ入出力端子ＤＱ０〜ＤＱ１５を通じてテストデータを受ける。もし、テスタに、ＷＡＩＴ信号が「Ｈ」に非活性化されたタイミングで、メモリセルＭＣからのテストデータ（Ｄ０，Ｄ１）と期待値とを比較する機能があれば、図９の（２）に示す場合には、「Ｈ」レベルに非活性化されたＷＡＩＴ信号が出力されるタイミングとメモリセルＭＣからのテストデータが出力されるタイミングのずれがあり、テスト結果が異常であることを検出することができる。しかし、テストにはそのような機能がないため、テスト結果が異常であることを検出することができない。

（第１の実施形態に係るテスト機能を有する同期式擬似ＳＲＡＭ２の動作の別の例）
次に、第１の実施形態に係る同期式擬似ＳＲＡＭ２の動作の別の例として、リフレッシュが行なわれている時に、外部からの制御信号によって読出し信号ＲＥＡＤが生成された場合の動作を説明する。

図１０は、第１の実施形態に係る同期式擬似ＳＲＡＭ２の動作の別の例を表わすタイミングチャートである。同図において、コマンドレイテンシＣＬ＝３とし、バーストレングスＢＬ＝２とする。

同図を参照して、図９のタイミングチャートに追加された点について説明する。

（１） まず、「Ｈ」レベルに非活性化されたＷＡＩＴ信号が出力されるタイミングとメモリセルＭＣからのテストデータが出力されるタイミングとにずれがない場合（図１０の（１）に示す場合）について説明する。

レベル判定回路１８０は、バースト読出しの第０ビット目につき読出／書込回路１０５から出力された１６ビットのテストデータ（Ｄ０）を受けて、１６ビットのテストデータのレベルがすべて同一であるので、「Ｈ」レベルのレベル判定信号ＥＯＲ１（Ｄ０′）を出力する。

テスト結果判定回路１８５は、第５番目のクロックＣＬＫの立ち上がりを起点とした所定時間αの期間に、ＷＡＩＴ信号が「Ｈ」レベル、かつレベル判定信号ＥＯＲ１が「Ｈ」レベルを示すので、テスト結果が正常であることを示す、レベルが「Ｈ」であるワンショットパルスのテスト結果信号ＴＲ１を入出力バッファ２０４に出力する。

入出力バッファ２０４は、「Ｈ」レベルに活性化された出力イネーブル信号ＯＥを受けて、テスト結果判定回路１８５から受けたテスト結果信号ＴＲ１をデータ入出力端子ＤＱ０に出力する。

次に、レベル判定回路１８０は、バースト読出しの第１ビット目につき読出／書込回路１０５から出力された１６ビットのテストデータ（Ｄ１）を受けて、１６ビットのテストデータのレベルがすべて同一であるので、「Ｈ」レベルのレベル判定信号ＥＯＲ１（Ｄ１′）を出力する。

テスト結果判定回路１８５は、第６番目のクロックＣＬＫの立ち上がりを起点とした所定時間αの期間に、ＷＡＩＴ信号が「Ｈ」レベル、かつレベル判定信号ＥＯＲ１が「Ｈ」レベルを示すので、テスト結果が正常であることを示す、レベルが「Ｈ」であるワンショットパルスのテスト結果信号ＴＲ１を入出力バッファ２０４に出力する。

入出力バッファ２０４は、「Ｈ」レベルに活性化された出力イネーブル信号ＯＥを受けて、テスト結果判定回路１８５から受けたテスト結果信号ＴＲ１をデータ入出力端子ＤＱ０に出力する。

以上のように、「Ｈ」レベルに非活性化されたＷＡＩＴ信号が出力されるタイミングとメモリセルＭＣからのテストデータが出力されるタイミングとにずれがない場合には、バーストレングスＢＬ（＝２）の個数分のテスト結果が正常であることを示す、レベルが「Ｈ」のワンショットパルスが出力される。したがって、テスタは、データ入出力端子ＤＱ０を通じてバーストレングスＢＬの個数の「Ｈ」レベルのワンショットパルスを受けることによって、バーストレングスＢＬの個数分のテスト結果が正常であると検出することができる。

（２） 次に、「Ｈ」レベルに非活性化されたＷＡＩＴ信号が出力されるタイミングとメモリセルＭＣからのテストデータが出力されるタイミングとにずれがある場合（図１０の（２）に示す場合）について説明する。

レベル判定回路１８０は、バースト読出しの第０ビット目につき読出／書込回路１０５から出力された１６ビットのテストデータ（Ｄ０）を受けて、１６ビットのテストデータのレベルがすべて同一であるので、「Ｈ」レベルのレベル判定信号ＥＯＲ１（Ｄ０′）を出力する。

テスト結果判定回路１８５は、第５番目のクロックＣＬＫの立ち上がりを起点とした所定時間αの期間に、ＷＡＩＴ信号が「Ｈ」レベル、かつレベル判定信号ＥＯＲ１が「Ｈ」レベルを示すので、テスト結果が正常であることを示す、レベルが「Ｈ」であるワンショットパルスのテスト結果信号ＴＲ１を入出力バッファ２０４に出力する。

入出力バッファ２０４は、「Ｈ」レベルに活性化された出力イネーブル信号ＯＥを受けて、テスト結果判定回路１８５から受けたテスト結果信号ＴＲ１をデータ入出力端子ＤＱ０に出力する。

次に、レベル判定回路１８０は、バースト読出しの第１ビット目につき読出／書込回路１０５から出力された１６ビットのテストデータ（Ｄ１）を受けて、１６ビットのテストデータのレベルがすべて同一であるので、「Ｈ」レベルのレベル判定信号ＥＯＲ１（Ｄ１′）を出力する。

テスト結果判定回路１８５は、第４番目のクロックＣＬＫの立ち上がりを起点とした所定時間αの期間に、ＷＡＩＴ信号が「Ｌ」レベル、かつレベル判定信号ＥＯＲ１が「Ｈ」レベルを示すので、テスト結果が異常であることを示す、レベルが「Ｌ」のテスト結果信号ＴＲ１を入出力バッファ２０４に出力する。

入出力バッファ２０４は、「Ｈ」レベルに活性化された出力イネーブル信号ＯＥを受けて、テスト結果判定回路１８５から受けたテスト結果信号ＴＲ１をデータ入出力端子ＤＱ０に出力する。

以上のように、データ入出力端子ＤＱ０を通じて外部に出力される「Ｈ」レベルのワンショットパルスは１個のみである。つまり、「Ｈ」レベルに非活性化されたＷＡＩＴ信号が出力されるタイミングとメモリセルＭＣからのテストデータが出力されるタイミングとにずれがある場合には、バーストレングスＢＬ（＝２）の個数分のテスト結果が正常であることを示す、レベルが「Ｈ」のワンショットパルスが出力されない。したがって、テスタは、データ入出力端子ＤＱ０を通じてバーストレングスＢＬの個数の「Ｈ」レベルのワンショットパルスを受けず、バーストレングスＢＬの個数分のいずれかのテストの結果が異常であると検出することができる。

以上のように、第１の実施形態に係るテスト機能を有する同期式擬似ＳＲＡＭ２によれば、メモリセルから読出されたデータが正しく、かつメモリセルからデータが読み出されて外部に出力されるタイミングとＷＡＩＴ信号が解除されるタイミングとの間にずれがないかどうかのテストを行なうことができる。

［第２の実施形態］
本実施の形態は、それぞれのワード線が異なる複数のサブアレイのメモリセルに共通のデータを書込み、これらのメモリセルから読出されるデータを読出すテストを行なう機能を有する同期式擬似ＳＲＡＭに関する。

（従来のテスト機能を有する同期式擬似ＳＲＡＭ３の構成）
図１１は、従来の同期式擬似ＳＲＡＭ３の構成を示す図である。図１１の同期式擬似ＳＲＡＭ３が、図１の従来の同期式擬似ＳＲＡＭ１と相違する点は以下である。

図１１の同期式擬似ＳＲＡＭ３は、図１の同期式擬似ＳＲＡＭ１には含まれないレベル判定回路２４０を備える。また、図１１の同期式擬似ＳＲＡＭ３は、ＤＲＡＭセルメモリサブアレイ＋周辺回路群１０１ａ，１０１ｂを含み、それぞれに対応して、カラムデコーダ１０３ａ，１０３ｂと、読出／書込回路１０５ａ，１０５ｂを備える。また、図１１の同期式擬似ＳＲＡＭ３のロウデコーダ２０２、入出力バッファ２４１は、図１の同期式擬似ＳＲＡＭ１のロウデコーダ１０２、入出力バッファ１０４と相違する。

ロウデコーダ２０２は、ＤＲＡＭセルメモリサブアレイ＋周辺回路群１０１ａ内のメモリサブアレイ（以下、メモリサブアレイａとする）に配置された１個のワード線ＷＬ、およびＤＲＡＭセルメモリサブアレイ＋周辺回路群１０１ｂ内のメモリサブアレイ（以下、メモリサブアレイｂとする）に配置された１個のワード線を選択し、選択したワード線ＷＬを活性化し、それらのワード線ＷＬに対応する複数のメモリセルＭＣを活性化させる。

レベル判定回路２４０は、たとえば、反転排他的論理和回路で構成されている。レベル判定回路２４０は、読出／書込回路１０５ａから出力された１６ビットのテストデータと、読出／書込回路１０５ｂから出力された１６ビットのテストデータとを受けて、いわゆるマルチビットテストの結果を表わすレベル判定信号ＥＯＲ２を出力する。すなわち、レベル判定回路２４０は、受けた３２ビットのテストデータのレベルがすべて同一のときには、「Ｈ」レベルのレベル判定信号ＥＯＲ２を出力し、３２ビットのテストデータのうち、他と同一のレベルでないものが存在するときには、「Ｌ」レベルのレベル判定信号ＥＯＲ２を出力する。

入出力バッファ２４１は、データ入出力端子ＤＱ０〜ＤＱ１５を通じて、外部のシステム側との間でデータの入出力を行なう。すなわち、入出力バッファ２４１は、入出力制御回路１２３から与えられる出力イネーブル信号ＯＥが「Ｈ」レベルに活性化されている場合に、読出／書込回路１０５ａ，１０５ｂから受けた各メモリセルＭＣからの読出しデータをデータ入出力端子ＤＱ０〜ＤＱ１５の対応する端子に出力する。また、入出力バッファ２４１は、出力イネーブル信号ＯＥが「Ｈ」レベルに活性化されている場合に、レベル判定回路２４０から受けたレベル判定信号ＥＯＲ２をデータ入出力端子ＤＱ０に出力する。

（第２の実施形態に係るテスト機能を有する同期式擬似ＳＲＡＭ４の構成）
図１２は、第２の実施形態に係る同期式擬似ＳＲＡＭ４の構成を示す図である。

図１２の同期式擬似ＳＲＡＭ４が、図１１の従来の同期式擬似ＳＲＡＭ３と相違する点は、図１２の同期式擬似ＳＲＡＭ４が、図１１の同期式擬似ＳＲＡＭ３には含まれない、テスト結果判定回路２５１と、スイッチ２５２とを備える点と、図１２の入出力バッファ２４２が図１１の入出力バッファ２４１と相違する点である。

スイッチ２５２は、テストモード信号ＴＭＯＤＥのレベルに応じて制御される。すなわち、通常時には、テストモード信号ＴＭＯＤＥが「Ｌ」となり、スイッチ２５２は、ＷＡＩＴ制御回路１２５とＷＡＩＴ出力端子とを接続する。この場合、ＷＡＩＴ信号がＷＡＩＴ出力端子から出力される。また、テスト時にはテストモード信号ＴＭＯＤＥが「Ｈ」となり、スイッチ２５２は、ＷＡＩＴ制御回路１２５とテスト結果判定回路２５１とを接続する。この場合、ＷＡＩＴ信号がＷＡＩＴ出力端子から出力されない。

テスト結果判定回路２５１は、３２ビットのテストデータのレベルがすべて同一で、かつＷＡＩＴ信号が解除される（つまり、「Ｈ」レベルに非活性化される）タイミングとレベル判定信号ＥＯＲ２が変化するタイミングとの間にずれがない正常の動作であるか否かを判定し、判定の結果を表わすテスト結果信号ＴＲ２を出力する。以下、このテスト判定回路２５１の具体的な構成について詳説する。

図１３は、テスト結果判定回路２５１の構成の一例を示す図である。

同図を参照して、テスト結果判定回路２５１は、遅延回路３１１と、インバータ３１２と、論理積回路３１３と、論理積回路３１４とを含む。

遅延回路３１１は、クロックＣＬＫを所定の時間αだけ遅延させる。

インバータ３１２は、遅延回路３１１の出力を反転する。

論理積回路３１３は、クロックＣＬＫとインバータ３１２の出力との論理積を出力する。つまり、論理積回路３１３は、クロックＣＬＫの立ち上がりに同期したワンショットパルスを生成する。

論理積回路３１４は、論理積回路３１３から出力されるワンショットパルスと、ＷＡＩＴ信号と、レベル判定信号ＥＯＲ２との論理積を出力する。つまり、論理積回路３１４は、クロックＣＬＫに同期したタイミング（つまりクロックＣＬＫの立ち上がりを起点とした所定時間αの期間）において、ＷＡＩＴ信号のレベルが「Ｈ」、かつレベル判定信号ＥＯＲ２のレベルが「Ｈ」のときには、テスト結果が正常を表わす「Ｈ」レベルのテスト結果信号ＴＲ２（ワンショットパルス）を入出力バッファ２４２に出力する。

一方、論理積回路３１４は、上記の場合以外で、ＷＡＩＴ信号およびレベル判定信号ＥＯＲ２がＨｉ−ｚでないときには、テスト結果が異常を表わす「Ｌ」レベルのテスト結果信号ＴＲ２を入出力バッファ２４２に出力する。

入出力バッファ２４２は、データ入出力端子ＤＱ０〜ＤＱ１５を通じて、外部のシステム側との間でデータの入出力を行なう。すなわち、入出力バッファ２４２は、入出力制御回路１２３から与えられる出力イネーブル信号ＯＥが「Ｈ」レベルに活性化されている場合に、読出／書込回路１０５ａ，１０５ｂから受けた各メモリセルＭＣからの読出しデータをデータ入出力端子ＤＱ０〜ＤＱ１５の対応する端子に出力する。また、入出力バッファ２４２は、出力イネーブル信号ＯＥが「Ｈ」レベルに活性化されている場合に、テスト結果判定回路２５１から受けたテスト結果信号ＴＲ２をデータ入出力端子ＤＱ０に出力する。

（従来のテスト機能を有する同期式擬似ＳＲＡＭ３の動作の一例）
次に、従来の同期式擬似ＳＲＡＭ３の動作の一例として、リフレッシュが行なわれていない時に、外部からの制御信号によって読出し信号ＲＥＡＤが生成された場合の動作を説明する。

図１４は、従来の同期式擬似ＳＲＡＭ３の動作の一例を表わすタイミングチャートである。同図において、コマンドレイテンシＣＬ＝３とし、バーストレングスＢＬ＝２とする。

図１４で示されるタイミングに先立って、コマンドデコーダ１２１は、外部からの制御信号を受け、それに基づきテストモード信号ＴＭＯＤＥを生成する。

次に、メモリアレイへのテストデータの書込み処理が以下のようにして行なわれる。

外部からデータ入出力端子ＤＱ０〜ＤＱ１５を通じて、１６ビットのテストデータが入出力バッファ１０４に入力される。このテストデータは、すべてのビットのレベルが同一である。

ロウデコーダ２０２は、メモリサブアレイａに配置された１個のワード線ＷＬ、およびメモリサブアレイｂに配置された１個のワード線を選択する。カラムデコーダ１０３ａは、メモリサブアレイａに配置された１６個のビット線対ＢＬ，／ＢＬを選択し、カラムデコーダ１０３ｎは、メモリサブアレイｂに配置された１６個のビット線対ＢＬ，／ＢＬを選択する。これにより、選択されたワード線ＷＬと、選択された３２対のビット線対ＢＬ，／ＢＬの交点に位置する３２個のメモリセルＭＣが選択される。

読出／書込回路１０５ａは、入出力バッファ２４１から１６ビットのテストデータを受けて、１６ビットのグローバル入出力線対ＧＰＩＯおよび選択された１６対のビット線対ＢＬ，／ＢＬを通じて、１６ビットのテストデータをメモリサブアレイａ内の選択された１６個のメモリセルＭＣに書込む。また、読出／書込回路１０５ｂは、入出力バッファ２４１から１６ビットのテストデータを受けて、１６ビットのグローバル入出力線対ＧＰＩＯおよび選択された１６対のビット線対ＢＬ，／ＢＬを通じて、１６ビットのテストデータをメモリサブアレイｂ内の選択された１６個のメモリセルＭＣに書込む。

選択するワード線ＷＬおよび、ビット線対ＢＬ，／ＢＬを変えて、以上の処理を繰返することにより、ＤＲＡＭのすべてのメモリセルＭＣに同一のレベルを書込む。

次に、メモリアレイからのテストデータの読出し処理が以下のようにして行なわれる。ここで、メモリセルＭＣからのテストデータの読出しは、正しく行なわれるとする。すなわち、メモリセルＭＣから読出されたテストデータのレベルは、メモリセルＭＣに書込んだテストデータのレベルと同一のレベルとする。

図１４を参照して、第０番目のクロックＣＬＫにおいて、コマンドデコーダ１２１は、外部からの制御信号を受け、それに基づきロウ活性化信号ＡＣＴおよび読出し信号ＲＥＡＤを生成する。

コマンドシフト回路１２２は、リフレッシュ指令信号ＲＥＦＲが「Ｌ」レベルの非活性なので、読出し信号ＲＥＡＤとほぼ同一のタイミングのシフト読出し信号ＲＥＡＤＦを生成し、ロウ活性化信号ＡＣＴとほぼ同一のタイミングのシフトロウ活性化信号ＡＣＴＦを生成する。

ＷＡＩＴ制御回路１２５は、外部チップイネーブル信号ＣＥが「Ｌ」レベルに活性化されているときに、「Ｈ」レベルのシフト読出し信号ＲＥＡＤＦを受けると、ＷＡＩＴ信号を「Ｌ」レベルに活性化する。

次に、「Ｈ」レベルに非活性化されたＷＡＩＴ信号が出力されるタイミング（つまり、ＷＡＩＴ信号が解除されるタイミング）とマルチビットテストの結果を表わすレベル判定信号ＥＯＲ２が出力されるタイミングとがずれない場合（図１４の（１）に示す場合）と、ずれる場合（図１４の（２）に示す場合）について説明する。

（１） まず、「Ｈ」レベルに非活性化されたＷＡＩＴ信号が出力されるタイミングとマルチビットテストの結果を表わすレベル判定信号ＥＯＲ２が出力されるタイミングのずれがない場合（図１４の（１）に示す場合）について説明する。

ＷＡＩＴ制御回路１２５は、シフト読出し信号ＲＥＡＤＦを受けたタイミングである第０番目のクロックＣＬＫを含むコマンドレイテンシＣＬ（＝３）の個数のクロックＣＬＫを受けた後（つまり、第２番目のクロックＣＬＫを受けた後）、ＷＡＩＴ信号のレベルを「Ｈ」に非活性化する。

入出力制御回路１２３は、シフトロウ活性化信号ＡＣＴＦ、およびシフト読出し信号ＲＥＡＤＦの活性化に応じて、センスアンプ活性化信号ＳＥ、カラムデコーダ活性化信号ＣＤ、および読出し動作指示信号／ＲＥを活性化する。

また、入出力制御回路１２３は、シフト読出し信号ＲＥＡＤＦを受けたときの第０番目のクロックＣＬＫを含むコマンドレイテンシＣＬ（＝３）の個数のクロックＣＬＫを受けた後（つまり、第２番目のクロックＣＬＫを受けた後）から、バーストレングスＢＬ（＝２）のクロック数の期間（つまり、２個のクロックの期間）、出力イネーブル信号ＯＥを「Ｈ」レベルに活性化する。

ロウデコーダ２０２は、シフトロウ活性化信号ＡＣＴＦの活性化に応じて、メモリサブアレイａに配置された１個のワード線ＷＬと、メモリサブアレイｂに配置された１個のワード線ＷＬとを選択する。

次に、以下のようにして、バースト読出しの第０ビット目が行なわれる。

カラムデコーダ１０３ａは、カラムデコーダ活性化信号ＣＤの活性化に応じて、メモリサブアレイａ内の１６対のビット線対ＢＬ，／ＢＬを選択する。カラムデコーダ１０３ｂは、カラムデコーダ活性化信号ＣＤの活性化に応じて、メモリサブアレイｂ内の１６対のビット線対ＢＬ，／ＢＬを選択する。これにより、選択されたワード線ＷＬと、選択された３２対のビット線対ＢＬ，／ＢＬの交点に位置する３２個のメモリセルＭＣが選択される。

読出／書込回路１０５ａは、読出し動作指示信号／ＲＥの活性化に応じて、メモリサブアレイａ内の選択された１６個のメモリセルＭＣのテストデータを読出して、レベル判定回路２４０に出力する。読出／書込回路１０５ｂは、読出し動作指示信号／ＲＥの活性化に応じて、メモリサブアレイｂ内の選択された１６個のメモリセルＭＣのテストデータを読出して、レベル判定回路２４０に出力する。

レベル判定回路２４０は、読出／書込回路１０５ａから出力された１６ビットのテストデータと、読出／書込回路１０５ｂから出力された１６ビットのテストデータとを受けて、これら３２ビットのテストデータ（Ｄ０）のレベルがすべて同一なので、「Ｈ」レベルのレベル判定信号ＥＯＲ２（Ｄ０′）を出力する。

入出力バッファ２４１は、「Ｈ」レベルに活性化された出力イネーブル信号ＯＥを受けて、レベル判定回路２４０から受けたレベル判定信号ＥＯＲ２（Ｄ０′）をデータ入出力端子ＤＱ０に出力する。

次に、以下のようにバースト読出しの第１ビット目が行なわれる。

カラムデコーダ１０３ａは、カラムデコーダ活性化信号ＣＤの活性化に応じて、メモリサブアレイａ内の１６対のビット線対ＢＬ，／ＢＬを選択する。カラムデコーダ１０３ｂは、カラムデコーダ活性化信号ＣＤの活性化に応じて、メモリサブアレイｂ内の１６対のビット線対ＢＬ，／ＢＬを選択する。これにより、選択されたワード線ＷＬと、選択された３２対のビット線対ＢＬ，／ＢＬの交点に位置する３２個のメモリセルＭＣが選択される。

読出／書込回路１０５ａは、読出し動作指示信号／ＲＥの活性化に応じて、メモリサブアレイａ内の選択された１６個のメモリセルＭＣのテストデータを読出して、レベル判定回路２４０に出力する。読出／書込回路１０５ｂは、読出し動作指示信号／ＲＥの活性化に応じて、メモリサブアレイｂ内の選択された１６個のメモリセルＭＣのテストデータを読出して、レベル判定回路２４０に出力する。

レベル判定回路２４０は、読出／書込回路１０５ａから出力された１６ビットのテストデータと、読出／書込回路１０５ｂから出力された１６ビットのテストデータとを受けて、これら３２ビットのテストデータ（Ｄ１）のレベルがすべて同一なので、「Ｈ」レベルのレベル判定信号ＥＯＲ２（Ｄ１′）を出力する。

入出力バッファ２４１は、「Ｈ」レベルに活性化された出力イネーブル信号ＯＥを受けて、レベル判定回路２４０から受けたレベル判定信号ＥＯＲ２（Ｄ１′）をデータ入出力端子ＤＱ０に出力する。

外部のテスタは、ＷＡＩＴ出力端子を通じてＷＡＩＴ信号を受け、データ入出力端子ＤＱ０を通じてレベル判定信号ＥＯＲ２（Ｄ０′，Ｄ１′）を受ける。もし、テスタに、ＷＡＩＴ信号が「Ｈ」に非活性化されたタイミングで、「Ｈ」レベルのレベル判定信号ＥＯＲ２（Ｄ０′，Ｄ１′）が出力されたことを識別する機能があれば、図１４の（１）に示す場合には、「Ｈ」レベルに非活性化されたＷＡＩＴ信号が出力されるタイミングとレベル判定信号ＥＯＲ２が出力されるタイミングのずれがなく、かつメモリセルＭＣから読出されたテストデータが正しいデータであり、テスト結果が正常であることを検出することができる。しかし、テスタにはそのような機能がないため、テスト結果が正常であることを検出することができない。

（２） 次に、「Ｈ」レベルに非活性化されたＷＡＩＴ信号が出力されるタイミングとマルチビットテストの結果を表わすレベル判定信号ＥＯＲ２が出力されるタイミングとにずれがある場合（図１４の（２）に示す場合）について説明する。

入出力制御回路１２３、ロウデコーダ２０２、カラムデコーダ１０３ａ，１０３ｂ、読出／書込回路１０５ａ，１０５ｂ、および入出力バッファ２４１は、上述の両者のタイミングにずれがない場合と同様に動作する。

ＷＡＩＴ制御回路１２５は、上述の両者のタイミングにずれがない場合とは異なり、異常動作する。つまり、ＷＡＩＴ制御回路１２５は、シフト読出し信号ＲＥＡＤＦを受けたタイミングである第０番目のクロックＣＬＫを含むコマンドレイテンシＣＬ（＝３）の個数のクロックＣＬＫを受けた後（つまり、第２番目のクロックＣＬＫを受けた後）ではなく、第２番目のクロックＣＬＫを受けた後よりも遅いタイミングで、ＷＡＩＴ信号のレベルを「Ｈ」に活性化する。

外部のテスタは、ＷＡＩＴ出力端子を通じてＷＡＩＴ信号を受け、データ入出力端子ＤＱ０を通じてレベル判定信号ＥＯＲ２（Ｄ０′，Ｄ１′）を受ける。もし、テスタに、ＷＡＩＴ信号が「Ｈ」に非活性化されたタイミングで、「Ｈ」レベルのレベル判定信号ＥＯＲ２（Ｄ０′，Ｄ１′）が出力されたことを識別する機能があれば、図１４の（２）に示す場合には、「Ｈ」レベルに非活性化されたＷＡＩＴ信号が出力されるタイミングとレベル判定信号ＥＯＲ２が出力されるタイミングのずれがあり、テスト結果が異常であることを検出することができる。しかし、テスタにはそのような機能がないため、テスト結果が異常であることを検出することができない。

（第２の実施形態に係るテスト機能を有する同期式擬似ＳＲＡＭ４の動作の一例）
次に、第２の実施形態に係る同期式擬似ＳＲＡＭ４の動作の一例として、リフレッシュが行なわれていない時に、外部からの制御信号によって読出し信号ＲＥＡＤが生成された場合の動作を説明する。

図１５は、第２の実施形態に係る同期式擬似ＳＲＡＭ４の動作の一例を表わすタイミングチャートである。同図において、コマンドレイテンシＣＬ＝３とし、バーストレングスＢＬ＝２とする。

同図を参照して、図１４のタイミングチャートに追加された点について説明する。

（１） まず、「Ｈ」レベルに非活性化されたＷＡＩＴ信号が出力されるタイミングとマルチビットテストの結果を表わすレベル判定信号ＥＯＲ２が出力されるタイミングとにずれがない場合（図１５の（１）に示す場合）について説明する。

スイッチ２５２は、テストモード信号ＴＭＯＤＥを受けて、ＷＡＩＴ制御回路１２５とテスト結果判定回路２５１とを接続する。

レベル判定回路２４０は、バースト読出しの第０ビット目につき「Ｈ」レベルのレベル判定信号ＥＯＲ２（Ｄ０′）をテスト結果判定回路２５１に出力する。

テスト結果判定回路２５１は、第３番目のクロックＣＬＫの立ち上がりを起点とした所定時間αの期間に、ＷＡＩＴ信号が「Ｈ」レベル、かつレベル判定信号ＥＯＲ２が「Ｈ」レベルを示すので、テスト結果が正常であることを示す、レベルが「Ｈ」であるワンショットパルスのテスト結果信号ＴＲ２を入出力バッファ２４２に出力する。

入出力バッファ２４２は、「Ｈ」レベルに活性化された出力イネーブル信号ＯＥを受けて、テスト結果判定回路２５１から受けたテスト結果信号ＴＲ２をデータ入出力端子ＤＱ０に出力する。

次に、レベル判定回路２４０は、バースト読出しの第１ビット目につき「Ｈ」レベルのレベル判定信号ＥＯＲ２（Ｄ１′）をテスト結果判定回路２５１に出力する。

テスト結果判定回路２５１は、第３番目のクロックＣＬＫの立ち上がりを起点とした所定時間αの期間に、ＷＡＩＴ信号が「Ｈ」レベル、かつレベル判定信号ＥＯＲ２が「Ｈ」レベルを示すので、テスト結果が正常であることを示す、レベルが「Ｈ」であるワンショットパルスのテスト結果信号ＴＲ２を入出力バッファ２４２に出力する。

入出力バッファ２４２は、「Ｈ」レベルに活性化された出力イネーブル信号ＯＥを受けて、テスト結果判定回路２５１から受けたテスト結果信号ＴＲ２をデータ入出力端子ＤＱ０に出力する。

以上のように、「Ｈ」レベルに非活性化されたＷＡＩＴ信号が出力されるタイミングとマルチビットテストの結果を表わすレベル判定信号ＥＯＲ２が出力されるタイミングが出力されるタイミングとにずれがない場合には、バーストレングスＢＬ（＝２）の個数分のテスト結果が正常であることを示す、レベルが「Ｈ」のワンショットパルスが出力される。
したがって、テスタは、データ入出力端子ＤＱ０を通じてバーストレングスＢＬの個数の「Ｈ」レベルのワンショットパルスを受けることによって、バーストレングスＢＬの個数分のテスト結果が正常であると検出することができる。

（２） 次に、「Ｈ」レベルに非活性化されたＷＡＩＴ信号が出力されるタイミングとマルチビットテストの結果を表わすレベル判定信号ＥＯＲ２が出力されるタイミングとにずれがある場合（図１５の（２）に示す場合）について説明する。

スイッチ２５２は、テストモード信号ＴＭＯＤＥを受けて、ＷＡＩＴ制御回路１２５とテスト結果判定回路２５１とを接続する。

レベル判定回路２４０は、バースト読出しの第０ビット目につき「Ｈ」レベルのレベル判定信号ＥＯＲ２（Ｄ０′）をテスト結果判定回路２５１に出力する。

テスト結果判定回路２５１は、第３番目のクロックＣＬＫの立ち上がりを起点とした所定時間αの期間に、ＷＡＩＴ信号が「Ｌ」レベル、かつレベル判定信号ＥＯＲ２が「Ｈ」レベルを示すので、テスト結果が異常であることを示す、レベルが「Ｌ」のテスト結果信号ＴＲ２を入出力バッファ２４２に出力する。

入出力バッファ２４２は、「Ｈ」レベルに活性化された出力イネーブル信号ＯＥを受けて、テスト結果判定回路２５１から受けたテスト結果信号ＴＲ２をデータ入出力端子ＤＱ０に出力する。

次に、レベル判定回路２４０は、バースト読出しの第１ビット目につき「Ｈ」レベルのレベル判定信号ＥＯＲ２（Ｄ１′）をテスト結果判定回路２５１に出力する。

テスト結果判定回路２５１は、第３番目のクロックＣＬＫの立ち上がりを起点とした所定時間αの期間に、ＷＡＩＴ信号が「Ｈ」レベル、かつレベル判定信号ＥＯＲ２が「Ｈ」レベルを示すので、テスト結果が正常であることを示す、レベルが「Ｈ」であるワンショットパルスのテスト結果信号ＴＲ２を入出力バッファ２４２に出力する。

入出力バッファ２４２は、「Ｈ」レベルに活性化された出力イネーブル信号ＯＥを受けて、テスト結果判定回路２５１から受けたテスト結果信号ＴＲ２をデータ入出力端子ＤＱ０に出力する。

以上のように、データ入出力端子ＤＱ０を通じて外部に出力される「Ｈ」レベルのワンショットパルスは１個のみである。つまり、「Ｈ」レベルに非活性化されたＷＡＩＴ信号が出力されるタイミングとマルチビットテストの結果を表わすレベル判定信号ＥＯＲ２が出力されるタイミングとにずれがある場合には、バーストレングスＢＬ（＝２）の個数分のテスト結果が正常であることを示す、レベルが「Ｈ」のワンショットパルスが出力されない。したがって、テスタは、データ入出力端子ＤＱ０を通じてバーストレングスＢＬの個数の「Ｈ」レベルのワンショットパルスを受けず、バーストレングスＢＬの個数分のいずれかのテストの結果が異常であると検出することができる。

（従来のテスト機能を有する同期式擬似ＳＲＡＭ３の動作の別の例）
次に、従来の同期式擬似ＳＲＡＭ３の動作の別の例として、リフレッシュが行なわれている時に、外部からの制御信号によって読出し信号ＲＥＡＤが生成された場合の動作を説明する。

図１６は、従来の同期式擬似ＳＲＡＭ３の動作の別の例を表わすタイミングチャートである。同図において、コマンドレイテンシＣＬ＝３とし、バーストレングスＢＬ＝２とする。

図１４に示す場合と同様に、テストモード信号ＴＭＯＤＥの生成、およびメモリアレイへのテストデータの書込み処理が行なわれる。

次に、メモリアレイからのテストデータの読出し処理が以下のようにして行なわれる。ここで、メモリセルＭＣからのテストデータの読出しは、正しく行なわれたとする。すなわち、メモリセルＭＣから読出されたテストデータのレベルは、メモリセルＭＣに書込んだテストデータのレベルと同一のレベルとする。

図１６を参照して、第０番目のクロックＣＬＫにおいて、コマンドデコーダ１２１は、外部からの制御信号を受け、それに基づきロウ活性化信号ＡＣＴおよび読出し信号ＲＥＡＤを生成する。

コマンドシフト回路１２２は、リフレッシュ指令信号ＲＥＦＲが「Ｈ」レベルに活性化されているので、リフレッシュ指令信号ＲＥＦＲの立ち下りのタイミングでシフト読出し信号ＲＥＡＤＦ、およびシフトロウ活性化信号ＡＣＴＦを生成する。

ＷＡＩＴ制御回路１２５は、リフレッシュ指令信号ＲＥＦＲが非活性化される時、つまりリフレッシュ制御が終了する時に、「Ｈ」レベルのシフト読出信号ＲＥＡＤＦを受けて、ＷＡＩＴ信号のレベルを「Ｌ」に維持する。

次に、「Ｈ」レベルに非活性化されたＷＡＩＴ信号が出力されるタイミング（つまり、ＷＡＩＴ信号が解除されるタイミング）とマルチビットテストの結果を表わすレベル判定信号ＥＯＲ２が出力されるタイミングとがずれない場合（図１６の（１）に示す場合）と、ずれる場合（図１６の（２）に示す場合）について説明する。

（１） まず、「Ｈ」レベルに非活性化されたＷＡＩＴ信号が出力されるタイミングとマルチビットテストの結果を表わすレベル判定信号ＥＯＲ２が出力されるタイミングのずれがない場合（図１６の（１）に示す場合）について説明する。

ＷＡＩＴ制御回路１２５は、シフト読出し信号ＲＥＡＤＦを受けたタイミングである第２番目のクロックＣＬＫを含むコマンドレイテンシＣＬ（＝３）の個数のクロックＣＬＫを受けた後（つまり、第４番目のクロックＣＬＫを受けた後）、ＷＡＩＴ信号のレベルを「Ｈ」に非活性化する。

入出力制御回路１２３は、シフトロウ活性化信号ＡＣＴＦ、およびシフト読出し信号ＲＥＡＤＦの活性化に応じて、センスアンプ活性化信号ＳＥ、カラムデコーダ活性化信号ＣＤ、および読出し動作指示信号／ＲＥを活性化する。

また、入出力制御回路１２３は、シフト読出し信号ＲＥＡＤＦを受けたときの第２番目のクロックＣＬＫを含むコマンドレイテンシＣＬ（＝３）の個数のクロックＣＬＫを受けた後（つまり、第４番目のクロックＣＬＫを受けた後）から、バーストレングスＢＬ（＝２）のクロック数の期間（つまり、２個のクロックの期間）、出力イネーブル信号ＯＥを「Ｈ」レベルに活性化する。

ロウデコーダ２０２は、シフトロウ活性化信号ＡＣＴＦの活性化に応じて、メモリサブアレイａに配置された１個のワード線ＷＬと、メモリサブアレイｂに配置された１個のワード線ＷＬとを選択する。

次に、以下のようにして、バースト読出しの第０ビット目が行なわれる。

カラムデコーダ１０３ａは、カラムデコーダ活性化信号ＣＤの活性化に応じて、メモリサブアレイａ内の１６対のビット線対ＢＬ，／ＢＬを選択する。カラムデコーダ１０３ｂは、カラムデコーダ活性化信号ＣＤの活性化に応じて、メモリサブアレイｂ内の１６対のビット線対ＢＬ，／ＢＬを選択する。これにより、選択されたワード線ＷＬと、選択された３２対のビット線対ＢＬ，／ＢＬの交点に位置する３２個のメモリセルＭＣが選択される。

読出／書込回路１０５ａは、読出し動作指示信号／ＲＥの活性化に応じて、メモリサブアレイａ内の選択された１６個のメモリセルＭＣのテストデータを読出して、レベル判定回路２４０に出力する。読出／書込回路１０５ｂは、読出し動作指示信号／ＲＥの活性化に応じて、メモリサブアレイｂ内の選択された１６個のメモリセルＭＣのテストデータを読出して、レベル判定回路２４０に出力する。

レベル判定回路２４０は、読出／書込回路１０５ａから出力された１６ビットのテストデータと、読出／書込回路１０５ｂから出力された１６ビットのテストデータとを受けて、これら３２ビットのテストデータ（Ｄ０）のレベルがすべて同一なので、「Ｈ」レベルのレベル判定信号ＥＯＲ２（Ｄ０′）を出力する。

入出力バッファ２４１は、「Ｈ」レベルに活性化された出力イネーブル信号ＯＥを受けて、レベル判定回路２４０から受けたレベル判定信号ＥＯＲ２（Ｄ０′）をデータ入出力端子ＤＱ０に出力する。

次に、以下のようにバースト読出しの第１ビット目が行なわれる。

カラムデコーダ１０３ａは、カラムデコーダ活性化信号ＣＤの活性化に応じて、メモリサブアレイａ内の１６対のビット線対ＢＬ，／ＢＬを選択する。カラムデコーダ１０３ｂは、カラムデコーダ活性化信号ＣＤの活性化に応じて、メモリサブアレイｂ内の１６対のビット線対ＢＬ，／ＢＬを選択する。これにより、選択されたワード線ＷＬと、選択された３２対のビット線対ＢＬ，／ＢＬの交点に位置する３２個のメモリセルＭＣが選択される。

読出／書込回路１０５ａは、読出し動作指示信号／ＲＥの活性化に応じて、メモリサブアレイａ内の選択された１６個のメモリセルＭＣのテストデータを読出して、レベル判定回路２４０に出力する。読出／書込回路１０５ｂは、読出し動作指示信号／ＲＥの活性化に応じて、メモリサブアレイｂ内の選択された１６個のメモリセルＭＣのテストデータを読出して、レベル判定回路２４０に出力する。

レベル判定回路２４０は、読出／書込回路１０５ａから出力された１６ビットのテストデータと、読出／書込回路１０５ｂから出力された１６ビットのテストデータとを受けて、これら３２ビットのテストデータ（Ｄ１）のレベルがすべて同一なので、「Ｈ」レベルのレベル判定信号ＥＯＲ２（Ｄ１′）を出力する。

入出力バッファ２４１は、「Ｈ」レベルに活性化された出力イネーブル信号ＯＥを受けて、レベル判定回路２４０から受けたレベル判定信号ＥＯＲ２（Ｄ１′）をデータ入出力端子ＤＱ０に出力する。

外部のテスタは、ＷＡＩＴ出力端子を通じてＷＡＩＴ信号を受け、データ入出力端子ＤＱ０を通じてレベル判定信号ＥＯＲ２（Ｄ０′，Ｄ１′）を受ける。もし、テスタに、ＷＡＩＴ信号が「Ｈ」に非活性化されたタイミングで、「Ｈ」レベルのレベル判定信号ＥＯＲ２（Ｄ０′，Ｄ１′）が出力されたことを識別する機能があれば、図１６の（１）に示す場合には、「Ｈ」レベルに非活性化されたＷＡＩＴ信号が出力されるタイミングとレベル判定信号ＥＯＲ２が出力されるタイミングのずれがなく、かつメモリセルＭＣから読出されたテストデータが正しいデータであり、テスト結果が正常であることを検出することができる。しかし、テスタにはそのような機能がないため、テスト結果が正常であることを検出することができない。

（２） 次に、「Ｈ」レベルに非活性化されたＷＡＩＴ信号が出力されるタイミングとマルチビットテストの結果を表わすレベル判定信号ＥＯＲ２が出力されるタイミングとにずれがある場合（図１６の（２）に示す場合）について説明する。

入出力制御回路１２３、ロウデコーダ２０２、カラムデコーダ１０３ａ，１０３ｂ、読出／書込回路１０５ａ，１０５ｂ、および入出力バッファ２４１は、上述の両者のタイミングにずれがない場合と同様に動作する。

ＷＡＩＴ制御回路１２５は、上述の両者のタイミングにずれがない場合とは異なり、異常動作する。その結果、ＷＡＩＴ制御回路１２５は、シフト読出し信号ＲＥＡＤＦを受けたタイミングである第２番目のクロックＣＬＫを含むコマンドレイテンシＣＬ（＝３）の個数のクロックＣＬＫを受けた後（つまり、第４番目のクロックＣＬＫを受けた後）ではなく、第４番目のクロックＣＬＫを受けた後よりも早いタイミングで、ＷＡＩＴ信号のレベルを「Ｈ」に活性化する。

外部のテスタは、ＷＡＩＴ出力端子を通じてＷＡＩＴ信号を受け、データ入出力端子ＤＱ０を通じてレベル判定信号ＥＯＲ２（Ｄ０′，Ｄ１′）を受ける。もし、テスタに、ＷＡＩＴ信号が「Ｈ」に非活性化されたタイミングで、「Ｈ」レベルのレベル判定信号ＥＯＲ２（Ｄ０′，Ｄ１′）が出力されたことを識別する機能があれば、図１６の（２）に示す場合には、「Ｈ」レベルに非活性化されたＷＡＩＴ信号が出力されるタイミングとレベル判定信号ＥＯＲ２が出力されるタイミングのずれがあり、テスト結果が異常であることを検出することができる。しかし、テスタにはそのような機能がないため、テスト結果が異常であることを検出することができない。

（第２の実施形態に係るテスト機能を有する同期式擬似ＳＲＡＭ４の動作の別の例）
次に、第２の実施形態に係る同期式擬似ＳＲＡＭ４の動作の別の例として、リフレッシュが行なわれている時に、外部からの制御信号によって読出し信号ＲＥＡＤが生成された場合の動作を説明する。

図１７は、第２の実施形態に係る同期式擬似ＳＲＡＭ４の動作の別の例を表わすタイミングチャートである。同図において、コマンドレイテンシＣＬ＝３とし、バーストレングスＢＬ＝２とする。

同図を参照して、図１６のタイミングチャートに追加された点について説明する。

（１） まず、「Ｈ」レベルに非活性化されたＷＡＩＴ信号が出力されるタイミングとマルチビットテストの結果を表わすレベル判定信号ＥＯＲ２が出力されるタイミングとにずれがない場合（図１７の（１）に示す場合）について説明する。

レベル判定回路２４０は、バースト読出しの第０ビット目につき「Ｈ」レベルのレベル判定信号ＥＯＲ２（Ｄ０′）をテスト結果判定回路２５１に出力する。

テスト結果判定回路２５１は、第５番目のクロックＣＬＫの立ち上がりを起点とした所定時間αの期間に、ＷＡＩＴ信号が「Ｈ」レベル、かつレベル判定信号ＥＯＲ２が「Ｈ」レベルを示すので、テスト結果が正常であることを示す、レベルが「Ｈ」であるワンショットパルスのテスト結果信号ＴＲ２を入出力バッファ２４２に出力する。

入出力バッファ２４２は、「Ｈ」レベルに活性化された出力イネーブル信号ＯＥを受けて、テスト結果判定回路２５１から受けたテスト結果信号ＴＲ２をデータ入出力端子ＤＱ０に出力する。

次に、レベル判定回路２４０は、バースト読出しの第１ビット目につき「Ｈ」レベルのレベル判定信号ＥＯＲ２（Ｄ１′）をテスト結果判定回路２５１に出力する。

テスト結果判定回路２５１は、第６番目のクロックＣＬＫの立ち上がりを起点とした所定時間αの期間に、ＷＡＩＴ信号が「Ｈ」レベル、かつレベル判定信号ＥＯＲ２が「Ｈ」レベルを示すので、テスト結果が正常であることを示す、レベルが「Ｈ」であるワンショットパルスのテスト結果信号ＴＲ２を入出力バッファ２４２に出力する。

入出力バッファ２４２は、「Ｈ」レベルに活性化された出力イネーブル信号ＯＥを受けて、テスト結果判定回路２５１から受けたテスト結果信号ＴＲ２をデータ入出力端子ＤＱ０に出力する。

以上のように、「Ｈ」レベルに非活性化されたＷＡＩＴ信号が出力されるタイミングとマルチビットテストの結果を表わすレベル判定信号ＥＯＲ２が出力されるタイミングとにずれがない場合には、バーストレングスＢＬ（＝２）の個数分のテスト結果が正常であることを示す、レベルが「Ｈ」のワンショットパルスが出力される。したがって、テスタは、データ入出力端子ＤＱ０を通じてバーストレングスＢＬの個数の「Ｈ」レベルのワンショットパルスを受けることによって、バーストレングスＢＬの個数分のテスト結果が正常であると検出することができる。

（２） 次に、「Ｈ」レベルに非活性化されたＷＡＩＴ信号が出力されるタイミングとマルチビットテストの結果を表わすレベル判定信号ＥＯＲ２が出力されるタイミングとにずれがある場合（図１７の（２）に示す場合）について説明する。

レベル判定回路２４０は、バースト読出しの第０ビット目につき「Ｈ」レベルのレベル判定信号ＥＯＲ２（Ｄ０′）をテスト結果判定回路２５１に出力する。

テスト結果判定回路２５１は、第５番目のクロックＣＬＫの立ち上がりを起点とした所定時間αの期間に、ＷＡＩＴ信号が「Ｈ」レベル、かつレベル判定信号ＥＯＲ２が「Ｈ」レベルを示すので、テスト結果が正常であることを示す、レベルが「Ｈ」であるワンショットパルスのテスト結果信号ＴＲ２を入出力バッファ２４２に出力する。

入出力バッファ２４２は、「Ｈ」レベルに活性化された出力イネーブル信号ＯＥを受けて、テスト結果判定回路２５１から受けたテスト結果信号ＴＲ２をデータ入出力端子ＤＱ０に出力する。

次に、レベル判定回路２４０は、バースト読出しの第１ビット目につき「Ｈ」レベルのレベル判定信号ＥＯＲ２（Ｄ１′）をテスト結果判定回路２５１に出力する。

テスト結果判定回路２５１は、第６番目のクロックＣＬＫの立ち上がりを起点とした所定時間αの期間に、ＷＡＩＴ信号が「Ｌ」レベル、かつレベル判定信号ＥＯＲ２が「Ｈ」レベルを示すので、テスト結果が異常であることを示す、レベルが「Ｌ」であるテスト結果信号ＴＲ２を入出力バッファ２４２に出力する。

入出力バッファ２４２は、「Ｈ」レベルに活性化された出力イネーブル信号ＯＥを受けて、テスト結果判定回路２５１から受けたテスト結果信号ＴＲ２をデータ入出力端子ＤＱ０に出力する。

以上のように、データ入出力端子ＤＱ０を通じて外部に出力される「Ｈ」レベルのワンショットパルスは１個のみである。つまり、「Ｈ」レベルに非活性化されたＷＡＩＴ信号が出力されるタイミングとマルチビットテストの結果を表わすレベル判定信号ＥＯＲ２が出力されるタイミングとにずれがある場合には、バーストレングスＢＬ（＝２）の個数分のテスト結果が正常であることを示す、レベルが「Ｈ」のワンショットパルスが出力されない。したがって、テスタは、データ入出力端子ＤＱ０を通じてバーストレングスＢＬの個数の「Ｈ」レベルのワンショットパルスを受けず、バーストレングスＢＬの個数分のいずれかのテストの結果が異常であると検出することができる。

以上のように、第２の実施形態に係る同期式擬似ＳＲＡＭ４によれば、第１の実施形態と同様に、メモリセルから読出されたデータが正しく、かつメモリセルからデータが読み出されて外部に出力されるタイミングとＷＡＩＴ信号が解除されるタイミングとの間にずれがないかどうかのテストを行なうことができる。

本発明は、上記の実施形態に限定されるものではなく、以下のような変形例も含む。

（変形例）
（１） レベル判定回路およびテスト結果判定回路の配置
本発明の実施形態では、レベル判定回路１８０，２４０は、レベル判定信号ＥＯＲ１，ＥＯＲ２をテスト結果判定回路１８５，２５１に出力し、ＷＡＩＴ制御回路１２５は、ＷＡＩＴ信号をテスト結果判定回路１８５，２５１に出力し、テスト結果判定回路１８５，２５１は、テスト結果信号ＴＲ１，ＴＲ２を生成して、入出力バッファ２０４，２４２に出力し、入出力バッファ２０４，２４２は、テスト結果信号ＴＲ１，ＴＲ２をデータ入出力端子ＤＱ０を通じて外部に出力したが、このような構成および処理の流れに限定するものではない。

図１８は、第１の実施形態の変形例に係る同期式擬似ＳＲＡＭの構成を示す図である。第２の実施形態の変形例に係る同期式擬似ＳＲＡＭの構成もこれと同様である。

同図に示すように、レベル判定回路１９０は、レベル判定信号ＥＯＲ１を入出力バッファ９９に出力する。入出力バッファ９９は、レベル判定信号ＥＯＲ１をテスト結果判定回路９７に出力する。ＷＡＩＴ制御回路１２５は、ＷＡＩＴ信号をテスト結果判定９７に出力する。テスト結果判定回路９７は、テスト結果信号ＴＲ１を出力する。スイッチ９８は、通常時およびテストモードの書込み時には、入出力バッファ９９とデータ入出力端子ＤＱ０とを接続し、テストモードの読出し時には、テスト結果判定回路９７とデータ入出力端子ＤＱ０とを接続する。

また、その他の変形例として、たとえば、レベル判定回路およびテスト結果判定回路を入出力バッファよりもデータ入出力端子に近い側に配置するものとしてもよい。すなわち、読出／書込回路１０５，１０５ａ，１０５ｂが、テストデータを入出力バッファに出力し、入出力バッファがテストデータをレベル判定回路に出力し、レベル判定回路がレベル判定信号ＥＯＲ１，ＥＯＲ２をテスト結果判定回路に出力し、テスト結果判定回路がテスト結果信号ＴＲ１，ＴＲ２をデータ入出力端子ＤＱ０を通じて外部に出力するものであってもよい。

（２） コマンドシフト回路
本発明の実施形態では、コマンドシフト回路１２２は、リフレッシュ動作が行なわれているとき読出し信号が生成された場合には、リフレッシュの終了直後にシフト読出し信号ＲＥＡＤＦを活性化することによってＷＡＩＴ信号を非活性化するタイミングおよびメモリセルからのデータを出力するタイミングを遅らせたが、これに限定するものではない。たとえば、コマンドシフト回路は、リフレッシュ動作が行なわれているときに読出し信号が生成された場合には、一定のクロック数分の期間経過後にシフト読出し信号ＲＥＡＤＦを活性化することによってＷＡＩＴ信号を非活性化するタイミングおよびメモリセルからのデータを出力するタイミングを遅らせるものとしてもよい。

（３） テスト結果信号ＴＲ１およびＴＲ２を出力する端子
本発明の実施形態では、テスト結果信号ＴＲ１およびＴＲ２は、データ入出力端子ＤＱ０から出力されるものとしたが、これに限定されるものではない。データ入出力端子ＤＱ０〜ＤＱ１５のいずれか、ＷＡＩＴ出力端子、またはその他の端子から出力されるものであってもよい。

（４） 同期式擬似ＳＲＡＭ
本発明は、同期式擬似ＳＲＡＭに限定して適用されるものではなく、セルフリフレッシュ機能を有するＤＲＡＭであれば、どのようなものにも適用することができる。

今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

従来の同期式擬似ＳＲＡＭの構成を示す図である。 リフレッシュ制御回路１２６の詳細な構成を示す図である。 シフト読出し信号ＲＥＡＤＦを生成する回路１２２ａの構成を示す図である。 （ａ）は、リフレッシュ動作が行なわれていないときに入力された読出し信号ＲＥＡＤから生成されるシフト読出し信号ＲＥＡＤＦを表わす図であり、（ｂ）は、リフレッシュ動作が行なわれているときに生成された読出し信号ＲＥＡＤから生成されるシフト読出し信号ＲＥＡＤＦを表す図である。 第１の実施形態に係る同期式擬似ＳＲＡＭの構成を示す図である。 テスト結果判定回路１８５の構成の一例を示す図である。 従来の同期式擬似ＳＲＡＭの動作の一例を表わすタイミングチャートである。 第１の実施形態に係る同期式擬似ＳＲＡＭの動作の一例を表わすタイミングチャートである。 従来の同期式擬似ＳＲＡＭの動作の別の例を表わすタイミングチャートである。 第１の実施形態に係る同期式擬似ＳＲＡＭの動作の別の例を表わすタイミングチャートである。 従来の同期式擬似ＳＲＡＭの構成を示す図である。 第２の実施形態に係る同期式擬似ＳＲＡＭの構成を示す図である。 テスト結果判定回路２５１の構成を示す図である。 従来の同期式擬似ＳＲＡＭの動作の一例を表わすタイミングチャートである。 第２の実施形態に係る同期式擬似ＳＲＡＭの動作の一例を表わすタイミングチャートである。 従来の同期式擬似ＳＲＡＭの動作の別の例を表わすタイミングチャートである。 第２の実施形態に係る同期式擬似ＳＲＡＭの動作の別の例を表わすタイミングチャートである。 第１の実施形態の変形例に係る同期式擬似ＳＲＡＭの構成を示す図である。

符号の説明

１，２，３，４，５ 同期式擬似ＳＲＡＭ、４１，４４，４６，４７，５３〜５５，ＮＡＮＤ８１〜ＮＡＮＤ９１ 反転論理積回路、４２，５６，５７，３０２，３１２，ＩＶ８１〜ＩＶ８９ インバータ、４３，４９，５８，３０１，３１１，ＤＬ８１〜ＤＬ８３ 遅延回路、４５，５２ フリップフロップ、５０ 指令信号活性化回路、６０ 判定回路、４８，６１ バッファ回路、９７，１８５，２５１ テスト結果判定回路、９８，１８３，２５２ スイッチ、９９，１０４，２０４，２４１，２４２ 入出力バッファ、１０１ ＤＲＡＭセルメモリアレイ＋周辺回路群、１０１ａ，１０１ｂ ＤＲＡＭセルメモリサブアレイ＋周辺回路群、１０２，２０２ ロウデコーダ、１０３，１０３ａ，１０３ｂ カラムデコーダ、１０５，１０５ａ，１０５ｂ 読出／書込回路、１１１ アドレスバッファ、１１２ ＢＣＲ、１２０ 制御回路、１２１ コマンドデコーダ、１２２ コマンドシフト回路、１２３ 入出力制御回路、１２４ リフレッシュタイマ、１２５ ＷＡＩＴ制御回路、１２６ リフレッシュ制御回路、１８０，１９０，２４０ レベル判定回路、３０３，３０４，３１３，３１４ 論理積回路、ＮＯＲ８１〜ＮＯＲ８５ 反転論理和回路。

Claims (6)

1. テストモードを有する半導体記憶装置であって、
   行列状に配置された複数のダイナミックランダムアクセスメモリのメモリセルを有するメモリアレイと、
   前記メモリアレイのセルフリフレッシュを制御するリフレッシュ制御回路と、
   前記セルフリフレッシュの非実行中に読出し指示を受けた場合に、正常の動作によれば、前記読出し指示を受けた時から所定の期間経過後にウエイト信号を非活性化し、前記セルフリフレッシュの実行中に読出し指示を受けた場合に、正常の動作によれば、前記セルフリフレッシュの終了後所定の期間経過後に前記ウエイト信号を非活性化するウエイト制御回路と、
   テストモード時に、同一の論理レベルを記憶している複数個のメモリセルの各々からデータを同時に読出す読出回路と、
   前記読出回路によって読み出された複数個のメモリセルのデータの論理レベルがすべて一致するかどうかを判定し、前記判定の結果を表わすレベル判定信号を生成するレベル判定回路と、
   前記複数個のメモリセルのデータの論理レベルが一致し、かつ前記ウエイト信号が非活性化されるタイミングと前記レベル判定信号が変化するタイミングとの間にずれがない正常の動作であるかどうかを判定し、前記判定の結果を表わすテスト結果信号を生成するテスト結果判定回路とを備えた半導体記憶装置。
2. 前記メモリアレイは、接続されるワード線が相違する複数個のサブメモリアレイに分割され、
   前記読出回路は、テストモード時に、同一の論理レベルを記憶している前記複数個のサブメモリアレイに属する複数個のメモリセルの各々からデータを同時に読出し、
   前記レベル判定回路は、前記読出回路によって読出された複数個のサブメモリアレイに属する複数個のメモリセルの論理レベルが一致するか否かを判定し、前記判定の結果を表わすレベル判定信号を出力し、
   前記テスト判定回路は、前記複数個のサブメモリアレイに属する複数個のメモリセルのデータの論理レベルが一致し、かつ前記ウエイト信号が非活性化されるタイミングと前記レベル判定信号が変化するタイミングとの間にずれがない正常の動作であるかどうかを判定する、請求項１記載の半導体記憶装置。
3. 前記半導体記憶装置は、クロックに同期して動作し、
   前記テスト結果判定回路は、クロックの立ち上がりに同期したタイミングにおいて、前記ウエイト信号のレベルが非活性を示し、かつ前記レベル判定信号のレベルが一致を示すときに、正常の判定結果を表すテスト結果信号を生成する、請求項１記載の半導体記憶装置。
4. 前記半導体記憶装置は、さらに、
   各メモリセルから読出されたデータをいずれかのデータ出力端子を通じて外部に出力するための出力バッファを備え、
   前記出力バッファは、前記テスト結果信号を受けて、前記テスト結果信号をいずれかの前記データ出力端子に出力する、請求項１記載の半導体記憶装置。
5. 前記半導体記憶装置は、さらに、
   各メモリセルから読出されたデータをいずれかのデータ出力端子を通じて外部に出力するための出力バッファを備え、
   前記テスト結果判定回路は、前記出力バッファを経由して前記レベル判定信号を受け、前記レベル判定信号に基づき前記テスト結果信号を生成し、前記テスト結果信号をいずれかの前記データ出力端子またはウエイト出力端子に出力する、請求項１記載の半導体記憶装置。
6. 前記半導体記憶装置は、さらに、
   通常時に、前記ウエイト制御回路とウエイト出力端子とを接続し、テストモード時に、前記ウエイト制御回路と前記テスト結果判定回路とを接続するスイッチを備える請求項１記載の半導体記憶装置。

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