JP2006078421A - パターン欠陥検出装置及びその方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 パターンの欠陥を漏れなく検出し、検出速度を低下させず、欠陥領域を分離させずに検出可能なパターン欠陥検出装置及びその方法を提供する。
【解決手段】 本発明のパターン欠陥検出方法は、基板上に形成された周期的なパターンにおける欠陥を検出するものであり、周期分ずれた位置同士のパターンの画像を比較し、欠陥を有するパターンを検出する欠陥検出過程と、検出された欠陥の位置座標と、前回検出された欠陥の位置座標とを比較し、両位置座標が所定の距離以下であるか否かを検出する距離検出過程と、前記両位置座標が所定の距離以下である場合、これら２つの欠陥を１つの欠陥として結合する欠陥領域結合過程とを有することを特徴とする。
【選択図】 図２

Description

本発明は、撮影部と照明部とからなる撮像系を搭載して、デバイスが形成された基板の広範囲の領域を撮像し、形成された電子回路のパターンの欠陥を検出するパターン欠陥検出装置及びその方法に関する。

従来、撮影装置（例えば、ラインセンサカメラ）により、基板上に形成された、電子回路の周期的なパターンを順次読み込み、１周期ずれたパターン同士の輝度値を比較し、輝度値の差が所定の数値を超えている場合に、対応するパターン箇所を欠陥として検出するパターン検査が行われている。
ここで、ラインセンサカメラである場合、受光素子が一列に並べられたＣＣＤであり、一列の単位で撮像した測定データを出力する。
すなわち、記憶部にパターンの１列分の測定データを記憶させつつ、記憶した測定データであるパターンの１周期分の測定データと、この位置に対応する１周期分だけ前の測定データとの比較を順次行う、いわゆる隣接比較法が知られている。

ここで、図６（ａ）に示すように、周期パターンの一周期を超えるような大きい欠陥領域が存在した場合、測定する箇所が欠陥であったとしても、一周期分だけ前に対応する箇所が欠陥であると、欠陥同士の比較となり所定の輝度値の差が得られないことがある。その場合図６（ｂ）に示すように欠陥を欠陥なしとして検出してしまい、１つの欠陥領域を２つの領域に分離してしまうこととなる。（図６（ｂ）において内部が斜線のブロックが欠陥点と判定された部分）

また、図７（ａ）に示すように、欠陥箇所が配線パターン上をその近傍に存在し、配線上の欠陥部と配線パターンとのコントラストが生じにくい場合、この欠陥のある配線パターンを欠陥なしとして検出してしまうことがある。と、図７（ｂ）に示すように、１つの欠陥領域を２つの領域に分離してしまうこととなる。
さらに、図８（ａ）に示すように、欠陥箇所が配線パターンで無くとも、欠陥の一部が欠陥領域と欠陥のない領域とのコントラストが低い場合、１つの欠陥領域が図８（ｂ）に示すように、複数の領域に分離してしまうこととなる。（図８（ｂ）において内部が斜線のブロックが欠陥点、点が書き込まれている部分がコントラストが低く欠陥なしと判定されたブロック）

図６から図８に示す場合、欠陥が検出されるものの、欠陥領域が複数の領域に分割されてしまうと、これらの領域を欠陥候補として、後の高い精度による欠陥の再検出の際、検出漏れを生じて、ショート部分の切断処理が行われず、この欠陥のためにデバイスが不良となることとなる。
欠陥の検出を行う際の輝度値の差による良否判定の閾値を低く設定することも考えられるが、感度が高く成りすぎて、欠陥のないもの同士の比較においても、輝度値の差が閾値を超え、欠陥なしを欠陥と判定してしまう箇所が多くなる。そして後の高い精度の再検出を行う候補が多く成りすぎて、測定時間が増加し、生産性が低下してしまうことになる。

図６のような、検出された欠陥が一周期より大きい場合に、他の欠陥でない領域とこの欠陥として検出された領域を比較して、欠陥の再検査を行う検査方法が知られている（特許文献１参照）。
特開２００１−３１９２２２号公報

しかしながら、特許文献１に示すパターン欠陥検出方法にあっては、配線パターンの両サイドに欠陥のあるものを欠陥として検出するため、欠陥により配線パターンが消失してしまっている場合、欠陥の検出が行えないこととなる。
また、上記パターン欠陥検出方法においては、欠陥領域として認識した範囲を、この範囲と対応した位置における他の正常な領域とを比較しているため、測定データの記憶容量が必要となり、かつ比較のための演算量が増加してしまう。
さらに、上記パターン欠陥検出方法においては、一旦、検査が終了した後でないと、欠陥領域を検出することができず、処理時間が必要となる。また、図７，８のような欠陥に対応できるものではない。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、パターンが欠陥である可能性のある欠陥候補を漏れなく、検出速度を低下させずに、欠陥領域を分離させないで検出することが可能なパターン欠陥検出は装置及びその方法を提供することを目的とする。

本発明のパターン欠陥検出方法は、基板上に形成された周期的なパターンにおける欠陥を検出するパターン欠陥検出方法であり、周期分ずれた位置同士のパターンの画像を比較し、欠陥を有するパターンを検出する欠陥検出過程と、検出された欠陥の位置座標と、前回検出された欠陥の位置座標とを比較し、両位置座標間が所定の距離以下であるか否かを検出する距離検出過程と、前記両位置座標が所定の距離以下である場合、これら２つの欠陥を１つの欠陥として結合する欠陥領域結合過程とを有することを特徴とする。
本発明のパターン欠陥検出は、基板上に形成された周期的なパターンにおける欠陥を検出するパターン欠陥抽装置であり、周期分ずれた位置同士のパターンの画像を比較し、欠陥を有するパターンを検出する欠陥検出部と、検出された欠陥の位置座標と、前回検出された欠陥の位置座標とを比較し、両位置座標間が所定の距離以下であるか否かを検出する距離検出部と、前記両位置座標が所定の距離以下である場合、これら２つの欠陥を１つの欠陥として結合する欠陥領域結合部とを有することを特徴とする。

上述した構成により、本発明のパターン欠陥検出方法及び装置は、１つの欠陥領域が別々の複数の欠陥領域として検出されても、所定の距離以下である欠陥領域を１つの欠陥として結合するため、従来ではコントラストが明確でない部分があると別の欠陥として検出されたままであった部分も、所定の距離以内にあれば漏れなく１つの欠陥領域として検出することが可能となる。
また、本発明のパターン欠陥検出方法及び装置は、リアルタイムに欠陥領域を順次結合させて行くので、特許文献１のように、欠陥のあるパターン間を欠陥のある候補として検出し、後で、検出した部分に対応する位置の測定データと比較して、欠陥の再検査を行う必要がないため、検査時間を短縮することができる。

本発明のパターン欠陥検出方法は、前記距離検出過程において、前記位置座標の距離の比較が、ｘ軸方向及びｙ軸方向各々個別に行われることを特徴とする。
本発明のパターン欠陥検出装置は、前記距離検出部が、前記位置座標の距離の比較を、ｘ軸方向及びｙ軸方向各々個別に行うことを特徴とする。
上述した構成により、本発明のパターン欠陥検出方法及び装置は、矩形形状で欠陥領域を結合することとなり、周囲の形状を確認する必要がないため、結合処理の演算を容易に行え、欠陥部分の検出を高速に行うことができる。

本発明のパターン欠陥検出方法及び装置は、前記所定の距離がｘ軸方向及びｙ軸方向ともに、周期的パターンのピッチの距離であることを特徴とする。
上述した構成により、本発明のパターン欠陥検出方法及び装置は、周期的なパターンのピッチの距離を閾値とし、欠陥領域間の距離がこの閾値より短い距離の配線パターンなどの輝度値の差が出来にくい部分も、欠陥なしとされずに周辺の欠陥に結合されて１つの欠陥とされるため、欠陥の検出の漏れを防止することが可能である。

本発明のパターン欠陥検出方法は、前記欠陥検出過程において、ラインセンサにより時系列に取得される画像の１ライン毎に欠陥の座標位置の距離の比較処理を行うことを特徴とする。
本発明のパターン欠陥検出装置は、前記欠陥検出部が、ラインセンサにより時系列に取得される画像の１ライン毎に欠陥の座標位置の距離の比較処理を行うことを特徴とする。
上述した構成により、本発明のパターン欠陥検出方法及び装置は、ラインセンサから入力される画像が欠陥であると判定された場合、この欠陥部分と欠陥が検出された部分との距離を、１ライン毎に順次リアルタイムに計算することとなるため、欠陥の領域間の結合処理を高速に行うことが可能となる。

本発明のパターン欠陥検出方法は、結合された欠陥の領域のサイズを求め、サイズ内の領域と該領域外とにおいて、周期的に対応する部分を比較して、欠陥部分の再検査を行う欠陥再検査過程を有することを特徴とする。
本発明のパターン欠陥検出装置は、結合された欠陥の領域のサイズを求め、サイズ内の領域と該領域外とにおいて、周期的に対応する部分を比較して、欠陥部分の再検査を行う欠陥再検査部を有することを特徴とする。
上述した構成により、本発明のパターン欠陥検出方法及び装置は、欠陥領域結合処理された欠陥領域の座標に基づき、順次、この欠陥領域と対応する位置の他の位置の欠陥のない領域のデータの輝度値を比較して、欠陥はないが欠陥と判定された領域を検出して、欠陥のないデータに書き替えるため、検査速度を低下させずに、欠陥検出の検出精度を向上させることができる。

以上説明したように、本発明のパターン欠陥検出方法及び装置によれば、本来１つの欠陥領域が別々の領域として検出された欠陥領域に対して、所定の距離以下である欠陥領域を１つの欠陥として結合するので、従来ではコントラストが明確でない部分があると別の欠陥としたまま検出された部分も、所定の距離以内にあれば漏れなく検出することが可能となる。
また、本発明のパターン欠陥検出方法及び装置は、リアルタイムに欠陥領域を順次結合させて行くので、特許文献１のように、欠陥のあるパターン間を欠陥のある候補として検出し、全体の検査が終了した後に、検出した部分に対応する他の領域における測定データと比較する、欠陥の再検査を行う必要がないため、検査時間を短縮することができる。

以下、本発明の一実施例による基板におけるパターンの欠陥を検出するパターン欠陥検出装置を図面を参照して説明する。
図１は同実施例の構成例を示す概念図である。
この図において、検査装置は、撮像部１（ラインセンサ）及び照明部２からなる撮像系と、欠陥検出を行う画像処理部４と、校正用サンプル３の位置を調整する保持移動部５と、基板８が配置されるステージ６と、該ステージ６において基板８を移動させる基板搬送部７とを有している。
ここで、本発明は、画像処理部４及び複数の撮像系からなる基板のパターン欠陥検出装置である。撮像系は図面奥に向かって複数配置されており、各々撮像部１と照明装置２とから構成されている。

撮像部１は、受光素子であるＣＣＤ（電荷結合素子）が画素単位で一列に並んで配置されたラインセンサカメラで構成されている。
照明部２は、例えば、ハロゲンランプを光源としており、被撮像対象である基板８に対して所定の光量の光を放射させる。
また、撮像部１は、上記照明部２から被撮像対象に照射された光の反射光を受光して、所定の輝度情報、すなわち輝度値を示すデジタルデータを、画像処理部４に対して出力する。

画像処理部４は、本発明の特徴的な部分であり、後に詳細な説明を行うが、複数の撮像系（撮像部１，照明部２）各々を制御して、パターンの欠陥を検出する処理を行う。
校正用サンプル３は、各照明部２の光量の調整、及び撮像装置間の機差の低減処理を行うための輝度情報を取得するために用いられる。
保持移動部５は、上記校正用サンプル３の位置を調整、すなわち、校正に使用する際に、照明装置２から放射された光が反射して、反射した反射光が撮像部１の受光部に入射する位置に移動させ、検査が行われており、使用されない際に、ステージ６上における基板８の搬送に邪魔にならない位置に移動さる。
基板搬送部７は、撮像系が基板８における画像をサンプリングするタイミングに対応させた速度で、基板８をステージ６上において搬送させる。
基板８には、同一のパターンがＸ軸方向及びＹ軸方向、またはＸ軸方向に所定のピッチで周期的に作成されている。ここで、Ｘ軸方向の周期のピッチをＸsとし、Ｙ軸方向の周期のピッチをＹsとする。

すなわち、照明部２は、ハロゲンランプなどの高照度の光を発光する光源と、この光源の光量を調整する調光制御部とを有しており、上記制御管理部からの制御信号により所定の光量の光を放射する。
撮像部１は、基板からの反射光を受光し、受光素子により受光した光量を画素毎の輝度値に変換して、この輝度値を示すデジタルデータとして出力する受光部と、所定の制御信号により、所定の周期のサンプリングタイミング毎に、受光部が光を受光する時間幅すなわち露光時間を制御する撮像制御部とを有している。撮像部１がＣＣＤによるラインセンサカメラであるので、１次元に並べられた受光素子が各々１画素の輝度値を出力することになる。

保持移動部５は、ステージ６上において、校正用サンプル３の反射面を照明部２及び、撮像部１に対して基板８の検査面と同一の高さに調整するサンプル上下駆動制御部を有している。
基板搬送部７は、基板８を乗せて移動する搬送部と、搬送部の移動速度を上記サンプリングタイミングに対応した速度に調整する搬送制御部と、搬送部に基板８を固定する基板クランプ部と、この基板クランプ部における基板８の固定及び固定の解除の制御を行うクランプ制御部とを有している。

＜第１の実施例＞
次に、図２を参照して、詳細に図１の欠陥検出を行う画像処理部の説明を行う。図２は、上記画像処理部の第１の実施例による構成例を詳細に示すブロック図である。
画像処理部４は画像メモリ１０と欠陥検出部１１と、ランレングスデータ記憶メモリ１２と、欠陥距離検出部１３と、欠陥領域結合部１４と、欠陥情報記憶メモリ１５とから構成されており、検査中において、欠陥検出部１１は検査画像を生成し、この検査画像から欠陥の可能性のある部分を検出し、この部分の座標を出力する。

画像メモリ１０は撮像部１により撮像された画像データである測定データ（測定された輝度値）が、１ピッチの周期単位で記憶されており、撮像部１の画素に対応したシフトレジスタ（例えば、FIFO(First-in-First-out)メモリなど）の構成となっている。
例えば、撮像部１が画像メモリ１０に対して出力する一周期分のデータが記憶されると、その周期の測定データが欠陥検出部１１に対して順次出力される。

欠陥検出部１１は、撮像部１から入力され、画像メモリ１０から出力されたラインの画素毎の輝度とを１周期分毎にその前後で比較し、予め設定された閾値を超える輝度値の差がある場合、その画素（位置）の点を欠陥候補として、この位置の座標値及びこの欠陥点を特定する識別番号を付加して、ランレングスデータ記憶メモリ１２に格納する。
上記閾値は、基板８の検出から統計的に得られたものであり、複数の基板８において実験して、複数種類のパターンに対してデータを取得して、検出漏れの少ない輝度の差を求めて用いている。例えば、閾値として、良品同士の輝度差の上述の統計からとり、その３σの３倍〜５倍などの数値を用いる。

ランレングスデータ記憶メモリ１２は、基板８において欠陥と判定された部分の座標値と、この欠陥部分を識別する識別番号とが対応付けられた欠陥情報を記憶している。
欠陥距離検出部１３は、ランレングスデータ記憶メモリ１２から、１ライン毎に時系列に順次入力される欠陥情報間の座標値から、Ｘ軸方向及びＹ軸方向おのおのの距離を計算する。
ここで、Ｘ軸方向については時系列な欠陥情報のＹ軸方向の座標値が同一な点の距離であり、Ｙ軸方向については同一のタイミング（Ｘ軸方向の座標値）での距離である。
また、１ライン毎とは、ラインセンサから１サンプリング毎に出力されるタイミングを示しており、一列に並んだラインセンサの受光素子単位である。
欠陥点の座標は、Ｘ軸方向として時系列に移動してサンプリングされる位置であり、Ｙ軸方向としてラインセンサの受光素子の位置で決定される。

欠陥領域結合部１４は、欠陥距離検出部１３から出力される欠陥情報間の距離（Ｘ軸方向及びＹ軸方向）が、所定の設定距離以下であるか否かの検出を行う。
ここで、設定距離は、例えば、Ｘ軸方向及びＹ軸方向それぞれに対して、基板８における周期的なパターンのＸ軸方向及びＹ軸方向各々のピッチＸs，Ｙs（１周期の距離）とする。
また、欠陥領域結合部１４は、上記設定距離以下である欠陥情報の識別番号を小さい方の識別番号に合わせて、２つの欠陥情報を結合させる。
一方、欠陥領域結合部１４は、設定距離を超える欠陥情報に対して、その時点の識別番号を変更させず、かつ結合を行わない。

欠陥情報記憶メモリ１５は、結合処理が終了した欠陥情報、及びこの欠陥情報によって生成された欠陥領域を特定する座標値が記憶されている。
すなわち、欠陥領域結合部１４は、基板８の欠陥検出の処理が終了した時点において、欠陥情報記憶メモリ１５に記憶されている欠陥情報から識別番号が同一な欠陥点をグループ化（同一の欠陥領域として結合）し、このグループ単位にＸ軸座標及びＹ軸座標毎に最も小さい座標値と大きい座標値とを抽出し、この求められた座標値から欠陥点のグループを矩形形状の欠陥領域として、同一の識別番号に対応させて、欠陥情報記憶メモリ１５に格納する。

次に、図２及び図３を参照して、第１の実施例の動作を説明する。図３は第１の実施例によるパターン欠陥検出装置の動作例を示すフローチャートである。
ユーザが設定距離値Ｘs（Ｘ軸方向），Ｙs（Ｙ軸方向）を図示しない入力装置から入力し、欠陥領域結合部１４に予め設定される（ステップＳ１）。このＸｓ，Ｙｓは絵素サイズに該当し、この値を一周期分の画素数（距離）としている。
撮像部１は、撮像した輝度値を順次画像メモリ１０に書き込むそして画像メモリ１０は、欠陥検出部１１へ出力する。
これにより、欠陥検出部１１には、画像メモリ１０から出力された一周期前の対応する位置（Ｘ軸方向及びＹ軸方向共に対応する位置）の輝度値が入力されており、新たに画像メモリ１０から出力された対応位置の輝度値が入力される（ステップＳ２）。

次に、欠陥検出部１１には、上記画像メモリ１０から出力された一周期分前の位置の輝度値と、新たに入力された位置（座標）の輝度値との比較を行い、双方の輝度値の差が所定の閾値以上であると、このサンプリングされた座標のパターンを欠陥として検出する（ステップＳ３）。
そして、欠陥検出部１１は、欠陥とされた座標を欠陥点として、この欠陥点の座標値と欠陥点を識別する識別番号とを対応させて欠陥情報として、ランレングスデータ記憶メモリ１２へ格納する（ステップＳ４）。
そして、ステップＳ２からステップＳ４までの処理が基板８の欠陥検出の処理が終了されるまで、所定のサンプリング周期で、輝度値が検出されての比較が繰り返される。

次に、欠陥距離検出部１３は、ランレングスデータ記憶メモリ１２に順次格納される欠陥情報を時系列に読み出し、順次、各々の座標間の距離を演算する。
このとき、欠陥距離検出部１３は、例えば、欠陥情報が識別番号Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３，…の順序で記憶されているとすると、Ｂ１とＢ２との欠陥点の座標の距離を比較した後、Ｂ２とＢ３との距離を比較していき、すなわち時系列に隣接する２つの欠陥点の距離を順次、設定された距離と比較していく。

そして、欠陥領域結合部１４は、識別番号Ｂ１とＢ２との座標上の距離を計算して、Ｘ軸方向の距離が設定距離Ｘs以下であるか、Ｙ軸方向の距離が設定距離Ｙs以下であるかのいずれかの場合、２つの欠陥情報の識別番号を小さい方とするため、識別番号Ｂ２を識別番号Ｂ１に書き替え、双方の欠陥点ともに識別番号Ｂ１として２つの欠陥点の結合を行い、欠陥情報記憶メモリ１５に各欠陥点を格納する（ステップＳ６）。

次に、欠陥領域結合部１４は、基板８の欠陥検出処理において、欠陥点間の距離、すなわち異なる識別番号間の距離が、所定の設定距離を超えている場合、１つの識別番号への書き換えによる結合処理を終了し、この結合処理をしたグループ、すなわち識別番号が同一のグループからＸ軸方向における最小及び最大の座標値を各々抽出し、またＹ軸方向における最小及び最大の座標値を各々抽出し、これら抽出された座標値から欠陥領域を矩形状とし、識別番号とともに矩形形状の座標値を欠陥情報記憶メモリ１５に格納する（ステップＳ７，ステップＳ８）。ここで上記矩形形状の領域（外接矩形）に含まれるサンプリングされた座標（測定点）は全て欠陥点とされる。

次に、欠陥領域結合部１４は、上記外接矩形の座標から欠陥の中心位置を求め（ステップＳ１０）、外形矩形の座標からこの外形矩形のサイズ（高さ×幅）を求め、識別番号に対応させて、欠陥情報記憶メモリ１５へ登録する（ステップＳ１１）。
そして、欠陥領域結合部１４は、ランレングスデータ記憶メモリ１２の測定データが終了するまで、次に連続している欠陥点の距離を測定し、欠陥点の結合処理、すなわちステップＳ５からステップＳ１１の処理を繰り返して行う。

＜第２の実施例＞
図４に第２の実施例によるパターン欠陥検出装置の構成を示す。図４は、第２の実施例によるパターン欠陥検出装置の構成例を示すブロック図である。
第１の実施例と同様な構成については同一の符号を付しており、第２の実施例は欠陥再検査部１６の構成が第１の実施例に加えられている。
上記欠陥再検査部１６は、欠陥として登録した座標範囲の輝度値と、この座標範囲に対応しており、登録した座標範囲と重ならない他の周期位置の座標範囲の輝度値とを比較し、すなわち、欠陥のない部分と欠陥の部分とを比較して欠陥点を検出し、欠陥がないにもかかわらず欠陥と判定した部分を除外する処理を行う。

次に、図４及び図５を参照して、第２の実施例の動作を説明する。図５は第２の実施例によるパターン欠陥検出装置の動作例を示すフローチャートである。
第２の実施例において、ステップＳ１からステップＳ６までと、ステップＳ９からステップＳ１１までとが同様であるため、このステップＳ６からステップＳ９の間に挿入されたステップＳ２１からステップＳ２５の処理について説明する。ここでステップＳ２１以降の処理は、ステップＳ６において、欠陥領域結合部１４が、欠陥点間の距離、すなわち異なる識別番号間の距離が、所定の設定距離を超えていない場合、１つの識別番号への書き換えによる結合処理を終了した後に行う。
欠陥再検査部１６は、欠陥情報記憶メモリ１５に格納されている同一の識別番号の欠陥点の集合から、Ｘ軸方向において最小及び最大の座標値を抽出し、再検査範囲として内部に登録する（ステップＳ２１）。

そして、欠陥再検査部１６は、登録した上記再検査範囲と重ならない、他の位置にある欠陥がなく、周期的に再検査範囲と対応する位置の輝度値を画像メモリ１０から読み出す（ステップＳ２２）。
ここで、画像メモリ１０は、第１の実施例と異なり、第２の実施例において、複数の周期に渡りパターンの測定データを格納している。
次に、欠陥再検査部１６は、登録した再検査範囲の輝度値を読み出し（ステップＳ２３）、他の位置にある良品の輝度値と再検査範囲の輝度値とを比較し、ほぼ同一に近い（例えば、輝度値の１０パーセント以内の輝度差である）輝度値の場合、再検査範囲の座標の点を良品とし、それ以外を欠陥点として欠陥情報記憶メモリ１５の前回のデータに上書きする（ステップＳ２４）。

そして、欠陥領域結合部１４は、欠陥の再検査が終了すると、１ライン毎（Ｘ軸方向毎）に存在する欠陥点が、設定距離以内であれば、同一の識別番号を付加し、設定距離を超えた場合には異なる識別番号を付加し、欠陥情報記憶メモリ１５に格納し、処理をステップＳ９へ進める（ステップＳ２５）。

なお、図１におけるパターン欠陥検出装置の機能を実現するためのプログラムをコンピュータ読み取り可能な記録媒体に記録して、この記録媒体に記録されたプログラムをコンピュータシステムに読み込ませ、実行することによりパターン欠陥の検出の処理を行ってもよい。なお、ここでいう「コンピュータシステム」とは、ＯＳや周辺機器等のハードウェアを含むものとする。また、「コンピュータシステム」は、ホームページ提供環境（あるいは表示環境）を備えたＷＷＷシステムも含むものとする。また、「コンピュータ読み取り可能な記録媒体」とは、フレキシブルディスク、光磁気ディスク、ＲＯＭ、ＣＤ−ＲＯＭ等の可搬媒体、コンピュータシステムに内蔵されるハードディスク等の記憶装置のことをいう。さらに「コンピュータ読み取り可能な記録媒体」とは、インターネット等のネットワークや電話回線等の通信回線を介してプログラムが送信された場合のサーバやクライアントとなるコンピュータシステム内部の揮発性メモリ（ＲＡＭ）のように、一定時間プログラムを保持しているものも含むものとする。

また、上記プログラムは、このプログラムを記憶装置等に格納したコンピュータシステムから、伝送媒体を介して、あるいは、伝送媒体中の伝送波により他のコンピュータシステムに伝送されてもよい。ここで、プログラムを伝送する「伝送媒体」は、インターネット等のネットワーク（通信網）や電話回線等の通信回線（通信線）のように情報を伝送する機能を有する媒体のことをいう。また、上記プログラムは、前述した機能の一部を実現するためのものであっても良い。さらに、前述した機能をコンピュータシステムにすでに記録されているプログラムとの組み合わせで実現できるもの、いわゆる差分ファイル（差分プログラム）であっても良い。

本発明の第１及び第２の実施例によるパターン欠陥検出装置を説明する概念図である。 第１の実施例による図１の画像処理部４の構成例を示すブロック図である。 第１の実施例による図１の画像処理部４の動作例を説明するフローチャートである。 第２の実施例による図１の画像処理部４の構成例を示すブロック図である。 第２の実施例による図１の画像処理部４の動作例を説明するフローチャートである。 １つの欠陥が複数の欠陥に分割されて検出される場合を説明する概念図である。 １つの欠陥が複数の欠陥に分割されて検出される場合を説明する概念図である。 １つの欠陥が複数の欠陥に分割されて検出される場合を説明する概念図である。

符号の説明

１…撮像部 ２…照明部
３…校正用サンプル ４…画像処理部
５…保持移動部 ６…ステージ
７…基板搬送部 ８…基板
１０…画像メモリ １１…欠陥検出部
１２…ランレングスデータ記憶メモリ １３…欠陥距離検出部
１４…欠陥領域結合部 １５…欠陥情報記憶メモリ
１６…欠陥再検査部

Claims (10)

1. 基板上に形成された周期的なパターンにおける欠陥を検出するパターン欠陥検出方法であり、
   周期分ずれた位置同士のパターンの画像を比較し、欠陥を有するパターンを検出する欠陥検出過程と、
   検出された欠陥の位置座標と、前回検出された欠陥の位置座標とを比較し、両位置座標間が所定の距離以下であるか否かを検出する距離検出過程と、
   前記両位置座標が所定の距離以下である場合、これら２つの欠陥を１つの欠陥として結合する欠陥領域結合過程と
   を有することを特徴とするパターン欠陥検出方法。
2. 前記距離検出過程において、前記位置座標の距離の比較が、ｘ軸方向及びｙ軸方向各々個別に行われることを特徴とする請求項１に記載のパターン欠陥検出方法。
3. 前記所定の距離がｘ軸方向及びｙ軸方向ともに、周期的パターンのピッチの距離であることを特徴とする請求項２に記載のパターン欠陥検出方法。
4. 前記欠陥検出過程において、ラインセンサにより時系列に取得される画像の１ライン毎に欠陥の座標位置の距離の比較処理を行うことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載のパターン欠陥検出方法。
5. 結合された欠陥の領域のサイズを求め、サイズ内の領域と該領域外とにおいて、周期的に対応する部分を比較して、欠陥部分の再検査を行うこと欠陥再検査過程を特徴とする請求項１から請求項４のいずれかに記載のパターン欠陥検出方法。
6. 基板上に形成された周期的なパターンにおける欠陥を検出するパターン欠陥検出装置であり、
   周期分ずれた位置同士のパターンの画像を比較し、欠陥を有するパターンを検出する欠陥検出部と、
   検出された欠陥の位置座標と、前回検出された欠陥の位置座標とを比較し、両位置座標間が所定の距離以下であるか否かを検出する距離検出部と、
   前記両位置座標が所定の距離以下である場合、これら２つの欠陥を１つの欠陥として結合する欠陥領域結合部と
   を有することを特徴とするパターン欠陥検出装置。
7. 前記距離検出部が、前記位置座標の距離の比較を、ｘ軸方向及びｙ軸方向各々個別に行うことを特徴とする請求項６に記載のパターン欠陥検出装置。
8. 前記所定の距離がｘ軸方向及びｙ軸方向ともに、周期的パターンのピッチの距離であることを特徴とする請求項７に記載のパターン欠陥検出装置。
9. 前記欠陥検出部が、ラインセンサにより時系列に取得される画像の１ライン毎に欠陥の座標位置の距離の比較処理を行うことを特徴とする請求項６から請求項８のいずれかに記載のパターン欠陥検出装置。
10. 結合された欠陥の領域のサイズを求め、サイズ内の領域と該領域外とにおいて、周期的に対応する部分を比較して、欠陥部分の再検査を行う欠陥再検査部を有することを特徴とする請求項６から請求項９のいずれかに記載のパターン欠陥検出装置。
    

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