JP2006073776A - 半導体装置用キャップ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 光透過孔12aが設けられたキャップ本体に、前記光透過孔12aを閉塞して、光透過窓体14が低融点ガラス16を封着材として封着された半導体装置用キャップ10において、前記低融点ガラス16が無鉛のバナジン酸塩系の低融点ガラスからなり、前記光透過窓体14が、前記低融点ガラス16に含有されるバナジウム(V)と前記キャップ本体12の表面に被着された金属との共晶反応により形成された共晶合金層を介して封着されている。
【選択図】 図1
Description
図4は、ニッケルと低融点ガラスに含まれるPbとの共晶反応を利用してキャップ本体12に光透過窓体14を封着した封着部の構成を拡大して示している。キャップ本体12(金属)の表面に形成されたNiめっき18と低融点ガラス16との界面に、低融点ガラスに含まれるPb成分とNiとの共晶反応によるNi−Pb共晶合金層20が形成されている。
すなわち、光透過孔が設けられたキャップ本体に、前記光透過孔を閉塞して、光透過窓体が低融点ガラスを封着材として封着された半導体装置用キャップにおいて、前記低融点ガラスが無鉛のバナジン酸塩系の低融点ガラスからなり、前記光透過窓体が、前記低融点ガラスに含有されるバナジウム(V)と前記キャップ本体の表面に被着された金属との共晶反応により形成された共晶合金層を介して封着されていることを特徴とする。
なお、バナジン酸塩系の低融点ガラスとは、バナジウム(V)を主要な構成成分とする(たとえば、酸化物(酸化バナジウム)換算で20重量%以上含有する)低融点ガラスであり、本発明においては鉛成分を含有しない無鉛ガラスをいう。また、低融点ガラスとは、光透過窓体よりも融点の低いガラスであって、光透過窓体が溶融しない加熱温度下で当該窓体を封着することができる特性を持つガラスである。光透過窓体の封着には500℃程度で溶融する低融点ガラスが用いられる。したがって、キャップ本体の表面にめっき等の公知の成膜方法を利用して被着する金属としては、光透過窓体を封着する際の封着温度以下で低融点ガラスに含まれているバナジウム(V)と共晶合金を形成する金属が用いられる。
また、キャップ本体の表面に被着された金属が金(Au)からなり、前記光透過窓体が、前記低融点ガラスに含有されるバナジウム(V)と前記キャップ本体の表面に被着された金(Au)との共晶反応により形成された共晶合金層を介して封着されている製品が好適に用いられる。
(実施形態1)
図1は、本発明に係る半導体装置用キャップ10の構成を示す断面図である。この半導体装置用キャップ10は、封着材として無鉛の低融点ガラス16を使用してキャップ本体12に光透過窓体14を封着したものである。キャップ本体12は金属材をプレス加工することにより開口周縁にフランジ部を有するキャップ状に形成され、上部に光透過孔12aが設けられている。軟質ガラス等からなる板状の光透過窓体14は光透過孔12aの周縁部にキャップ本体12の内面側から低融点ガラス16によって光透過孔12aを閉塞するように封着されている。なお、キャップ本体12の材質はとくに限定されるものではなく、たとえば、鉄、鉄−ニッケル合金、鉄−コバルト−ニッケル合金または銅およびニッケルを主成分とする合金等を用いることができる。
また、第2に、キャップ本体12の表面に、封着材として使用するバナジン酸塩系の低融点ガラスに含まれているバナジウム(V)と光透過窓体14を封着する際の温度で共晶反応を生じるパラジウムや金といった金属を被着させておき、低融点ガラスを溶融して光透過窓体14をキャップ本体12に封着する際に、キャップ本体12と低融点ガラス16との界面に、キャップ本体12の表面に被着された金属と低融点ガラスに含まれているバナジウムとの共晶合金層を形成して光透過窓体14を封着する構成である。
低融点ガラスに含まれるバナジウムはキャップ本体12の表面に被着されたパラジウムと共晶合金層を形成して光透過窓体14を気密に封着する作用を有する。したがって、光透過窓体14の封着材として使用する低融点ガラス材中には相当程度バナジウムが含有されている(酸化物換算で20重量%以上程度)必要がある。
図2(a)は、光透過窓体14を封着する前の状態で、キャップ本体12側にニッケルめっき18とパラジウムめっき22が形成され、パラジウムめっき22に接してバナジン酸塩系の低融点ガラス16aが配置されていることを示す。
表1は、(a)キャップ本体の外側面(胴体部分)を両側から挟み込むように加圧し、光透過窓体がキャップ本体から剥離するときの荷重値と、(b)キャップ本体に封着した光透過窓体を上方から加圧し、光透過窓体がキャップ本体から剥離するときの荷重値を測定した結果を示す。比較例として、Pb系の低融点ガラスを使用し、Ni−Pb共晶合金層を形成して光透過窓体をキャップ本体に封着した従来の製法による半導体装置用キャップについての試験結果を示す。なお、評価試験で使用したサンプル数は20である。
上記半導体装置用キャップのサンプルについて、サーマルショック操作および温度サイクル操作を施し、ヘリウム検知器を使用してキャップのリーク試験を行った。表2に試験結果を示す。サンプル数は20である。
表2の試験結果は、サーマルショック試験および温度サイクル試験とも、半導体装置用キャップの光透過窓体とキャップ本体との接着部にリークはなく、気密性についても十分に実用に供し得ることを示す。
温度120℃、2気圧、湿度100%の条件下にサンプルを48時間晒すPCT試験(プレッシャークッカーテスト)を行った。20個のサンプルについて結露不良の有無を検査したが、結露不良は検出されなかった。
また、上記半導体装置用キャップを金属製ステムに溶接した後、恒温恒湿槽(85℃、湿度85%)中に1000時間晒し結露不良の有無を検査する試験を行ったが、20個のサンプルについて一つも結露不良が検出されなかった。
この耐湿性試験結果も、本実施形態の半導体装置用キャップが十分に実用に供し得る耐湿性を備えていることを示す。
前述したように、光透過窓体14をキャップ本体12に封着する封着材としてバナジン酸塩系の低融点ガラスを使用する場合に、キャップ本体12の表面にパラジウムめっきに替えて金めっきを施し、金と低融点ガラスに含有されるバナジウムとの共晶合金層を介して光透過窓体14をキャップ本体12に封着するようにすることもできる。実施形態2に示す半導体装置用キャップは、キャップ本体12の表面に金めっきを施して作製する半導体装置用キャップである。
キャップ本体12については、下地めっきとしてニッケルめっきを厚さ4μm〜9μm施し、次いで、金めっき25を施した。金めっきの厚さは0.1〜0.5μmである。
また、本発明に係る半導体装置用キャップは、半導体レーザ素子を搭載する半導体レーザ装置に限らず、一般の光透過窓体を備える半導体装置に同様に使用することができる。
12 キャップ本体
12a 光透過孔
14 光透過窓体
16 低融点ガラス
16a バナジン酸塩系の低融点ガラス
18 ニッケルめっき
22 パラジウムめっき
24 Pd−V共晶合金層
25 金めっき
26 Au−V共晶合金層
Claims (3)
- 光透過孔が設けられたキャップ本体に、前記光透過孔を閉塞して、光透過窓体が低融点ガラスを封着材として封着された半導体装置用キャップにおいて、
前記低融点ガラスが無鉛のバナジン酸塩系の低融点ガラスからなり、
前記光透過窓体が、前記低融点ガラスに含有されるバナジウム(V)と前記キャップ本体の表面に被着された金属との共晶反応により形成された共晶合金層を介して封着されていることを特徴とする半導体装置用キャップ。 - キャップ本体の表面に被着された金属がパラジウム(Pd)からなり、
前記光透過窓体が、前記低融点ガラスに含有されるバナジウム(V)と前記キャップ本体の表面に被着されたパラジウム(Pd)との共晶反応により形成された共晶合金層を介して封着されていることを特徴とする請求項1記載の半導体装置用キャップ。 - キャップ本体の表面に被着された金属が金(Au)からなり、
前記光透過窓体が、前記低融点ガラスに含有されるバナジウム(V)と前記キャップ本体の表面に被着された金(Au)との共晶反応により形成された共晶合金層を介して封着されていることを特徴とする請求項1記載の半導体装置用キャップ。
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