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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7339255B2 (en) * 2004-08-24 2008-03-04 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device having bidirectionally inclined toward <1-100> and <11-20> relative to {0001} crystal planes
JP4693547B2 (ja) * 2004-08-24 2011-06-01 株式会社東芝 半導体基板、半導体素子、及び半導体発光素子
JP4974270B2 (ja) * 2006-03-20 2012-07-11 日本電信電話株式会社 発光ダイオード
KR100755649B1 (ko) * 2006-04-05 2007-09-04 삼성전기주식회사 ＧａＮ계 반도체 발광소자 및 그 제조방법
JP2008244360A (ja) * 2007-03-28 2008-10-09 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体発光素子
JP2008244281A (ja) * 2007-03-28 2008-10-09 Sharp Corp 窒化物半導体レーザ素子の製造方法
JP4232837B2 (ja) * 2007-03-28 2009-03-04 住友電気工業株式会社 窒化物半導体発光素子を作製する方法
CN101772846B (zh) * 2007-08-03 2012-03-21 日亚化学工业株式会社 半导体发光元件以及其制造方法
JP4924498B2 (ja) * 2008-03-18 2012-04-25 住友電気工業株式会社 窒化物系半導体発光素子、エピタキシャルウエハ、及び窒化物系半導体発光素子を作製する方法
JP2009267030A (ja) * 2008-04-24 2009-11-12 Sharp Corp 窒化物半導体レーザ装置の製造方法
JP2009272380A (ja) * 2008-05-01 2009-11-19 Sumitomo Electric Ind Ltd Ｉｉｉ族窒化物結晶およびその表面処理方法、ｉｉｉ族窒化物積層体およびその製造方法、ならびにｉｉｉ族窒化物半導体デバイスおよびその製造方法
US8847249B2 (en) 2008-06-16 2014-09-30 Soraa, Inc. Solid-state optical device having enhanced indium content in active regions
JP5077303B2 (ja) 2008-10-07 2012-11-21 住友電気工業株式会社 窒化ガリウム系半導体発光素子、窒化ガリウム系半導体発光素子を作製する方法、窒化ガリウム系発光ダイオード、エピタキシャルウエハ、及び窒化ガリウム系発光ダイオードを作製する方法
JP5252061B2 (ja) * 2008-10-07 2013-07-31 住友電気工業株式会社 窒化ガリウム系レーザダイオード
JP5332959B2 (ja) * 2009-06-29 2013-11-06 住友電気工業株式会社 窒化物系半導体光素子
US9236530B2 (en) 2011-04-01 2016-01-12 Soraa, Inc. Miscut bulk substrates
US9646827B1 (en) 2011-08-23 2017-05-09 Soraa, Inc. Method for smoothing surface of a substrate containing gallium and nitrogen
JP2011254113A (ja) * 2011-09-16 2011-12-15 Sumitomo Electric Ind Ltd 窒化ガリウム系半導体レーザを作製する方法
JP5668769B2 (ja) * 2013-03-08 2015-02-12 住友電気工業株式会社 Ｉｉｉ族窒化物結晶およびその表面処理方法、ｉｉｉ族窒化物積層体およびその製造方法、ならびにｉｉｉ族窒化物半導体デバイスおよびその製造方法
JP7185867B2 (ja) * 2018-05-18 2022-12-08 旭化成株式会社 レーザダイオード
JP7474963B2 (ja) * 2020-04-09 2024-04-26 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 レーザーダイオードバーの製造方法、レーザーダイオードバー、及び波長ビーム結合システム
JP7486119B2 (ja) * 2020-05-08 2024-05-17 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 レーザーダイオードバー、レーザーダイオードバーを用いた波長ビーム結合システム、及びレーザーダイオードバーの製造方法

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