KR100755649B1 - ＧａＮ계 반도체 발광소자 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

광출력 및 발광효율이 향상될 수 있도록 그 구조가 개선된 GaN계 반도체 발광소자가 개시된다. 본 발명에 따른 GaN계 반도체 발광소자는, n-전극, p-전극, 그리고 이들 사이에 n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층을 구비하고, 여기에서 상기 p-전극은 상기 p형 반도체층 상에 Zn 또는 Zn계 합금으로 형성된 제1 전극층, 상기 제1 전극층 상에 Ag 또는 Ag계 합금으로 형성된 제2 전극층 및 상기 제2 전극층 상에 투명전도성 산화물로 형성된 제3 전극층을 포함한다.

Description

ＧａＮ계 반도체 발광소자 및 그 제조방법{GaN-based semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same}
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 GaN계 반도체 발광소자의 단면도이다.
도 2는 도 1에서 p-전극의 확대도이다.
도 3은 ZnNi(2.5㎚)/Ag(2.5㎚)/ITO(200㎚) 적층구조로 제조된 p-전극을 보여주는 TEM 사진이다.
도 4는 ZnNi(2.5㎚)/Ag(2.5㎚)/ITO(200㎚) 적층구조로 제조된 p-전극에 대해 전류-전압특성을 측정한 결과그래프이다.
도 5는 ZnNi(2.5㎚)/Ag(2.5㎚)/ITO(200㎚) 적층구조의 p-전극을 구비한 GaN계 반도체 발광소자의 전류-전압특성을 측정한 결과그래프이다.
도 6a 내지 도 6d는 본 발명에 따른 GaN계 반도체 발광소자의 제조방법을 보여주는 도면이다.
< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 >
10:기판 20:n형 반도체층
30:활성층 40:p형 반도체층
50:n-전극 60:p-전극
60a:제1 전극층 60b:제2 전극층
60c:제3 전극층
본 발명은 반도체 발광소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 광출력 및 발광효율이 향상될 수 있도록 그 구조가 개선된 GaN계 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
화합물 반도체의 특성을 이용하여 전기적 신호를 빛으로 변화시키는 화합물 반도체 발광소자, 예를 들어 LED(Light Emitting Diode) 또는 LD(Laser Diode)와 같은 반도체 레이저 다이오드의 레이저광은 광통신, 다중통신, 우주통신과 같은 응용분야에서 현재 실용화되어 가고 있다. 반도체 레이저는 광통신 등과 같은 통신 분야나 컴팩 디스크 플레이어(CDP; Compact Disk Player)나 디지털 다기능 디스크 플레이어(DVDP; Digital Versatile Disk Player) 등과 같은 장치에서 데이터의 전송이나 데이터의 기록 및 판독을 위한 수단의 광원으로써 널리 사용되고 있다.
이러한 화합물 반도체 발광소자는 광의 출사방향에 따라 탑-에미트형 발광다이오드(top-emitting light emitting diode; TLED)와 플립칩 발광다이오드(flip-chip light emitting diodes: FCLED)로 분류된다.
플립칩 발광다이오드는 활성층에서 발생된 광이 p형 화합물 반도체층 위에 형성된 반사전극에서 반사되며, 상기 반사광이 기판을 통하여 출사되는 구조를 가진다. 이에 반하여, 탑에미트형 발광다이오드는 p형 화합물 반도체층과 오믹콘택을 형성하는 p-전극을 통해 광이 출사되는 구조를 가진다. 여기에서, 상기 탑에미트형 발광다이오드의 p-전극은 주로 p형 화합물 반도체층 위에 니켈(Ni)층과 금(Au)층이 순차적으로 적층된 구조를 가진다. 이러한 Ni/Au 적층구조의 p-전극에 대한 보다 상세한 설명을 위해서는 미국특허 5,877,558이 참조될 수 있다. 그러나, Ni/Au 적층구조로 형성된 p-전극은 반투명성을 가지기 때문에, 상기 Ni/Au 적층구조의 p-전극이 적용된 탑에미트형 발광다이오드는 낮은 광이용효율 및 낮은 휘도 특성을 가진다. 따라서, 이러한 문제점을 해결하고자 낮은 접촉저항과 높은 광투과율을 가지는 전극물질 및 전극구조에 관한 연구가 진행되고 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 상술한 종래기술의 문제점을 개선하기 위한 것으로, 광출력 및 발광효율이 향상될 수 있도록 그 구조가 개선된 GaN계 반도체 발광소자 및 그 제조방법을 제공함에 있다.
본 발명에 따른 GaN계 반도체 발광소자는,
n-전극, p-전극, 그리고 이들 사이에 n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층을 구비하고, 여기에서 상기 p-전극은,
상기 p형 반도체층 상에 Zn 또는 Zn계 합금으로 형성된 제1 전극층;
상기 제1 전극층 상에 Ag 또는 Ag계 합금으로 형성된 제2 전극층; 및
상기 제2 전극층 상에 투명전도성 산화물로 형성된 제3 전극층;을 포함한다.
여기에서, 상기 Zn계 합금은 Ag, Mg, Sc, Hf, Zr, Te, Se, Ta, W, Nb, Cu, Si, Ni, Co, Mo, Cr, Mn, Hg, Pr 및 La으로 이루어지는 그룹에서 선택된 적어도 하나의 금속과 Zn을 포함한다. 바람직하게, 상기 Zn계 합금은 Zn-Ni, Zn-Mg 및 Zn-Cu 으로 이루어지는 그룹에서 선택된 어느 하나이다. 그리고, 상기 Ag계 합금은 Zn, Mg, Sc, Hf, Zr, Te, Se, Ta, W, Nb, Cu, Si, Ni, Co, Mo, Cr, Mn, Hg, Pr 및 La으로 이루어지는 그룹에서 선택된 적어도 하나의 금속과 Ag를 포함한다. 바람직하게, 상기 Ag계 합금은 Ag-Cu, Ag-Ni, Ag-Zn 및 Ag-Mg 으로 이루어지는 그룹에서 선택된 어느 하나이다. 그리고, 상기 투명전도성 산화물은 In, Sn, Zn, Ga, Cd, Mg, Be, Ag, Mo, V, Cu, Ir, Rh, Ru, W, Co, Ni, Mn 및 La으로 이루어지는 그룹에서 선택된 적어도 어느 한 금속의 산화물이다. 바람직하게, 상기 투명전도성 산화물은 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 아연산화물(ZnO)이다.
바람직하게, 상기 제1 및 제2 전극층 각각은 0.1㎚ 내지 500㎚의 두께로 형성될 수 있으며, 상기 제3 전극층은 10㎚ 내지 1000㎚의 두께로 형성될 수 있다.
본 발명에 따른 GaN계 반도체 발광소자의 제조방법은,
기판 위에 순차로 n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층을 형성하는 단계;와 상기 n형 반도체층 상에 n-전극을 형성하는 단계; 및 상기 p형 반도체층 상에 p-전극을 형성하는 단계;를 포함하고, 여기에서 상기 p-전극을 형성하는 단계는,
상기 p형 반도체층 상에 Zn 또는 Zn계 합금으로 제1전극층을 형성하는 단계;
상기 제1전극층 상에 Ag 또는 Ag계 합금으로 제2 전극층을 형성하는 단계;
상기 제2 전극층 상에 투명전도성 산화물로 제3 전극층을 형성하는 단계; 및
상기 제1, 제2, 제3 전극층을 열처리하는 단계;를 포함한다.
바람직하게, 상기 열처리는 200℃ 내지 700℃의 온도범위에서, 10초 내지 2시간 동안 수행된다. 그리고, 상기 열처리는 산소를 포함하는 가스분위기에서 수행되며, 바람직하게, 상기 가스분위기는 질소, 아르곤, 헬륨, 수소 및 공기로 이루어지는 그룹에서 선택된 적어도 하나의 가스를 더 포함할 수 있다. 여기에서, 상기 제1, 제2 및 제3 전극층 각각은 전자빔 및 열에 의한 증착기(e-beam & thermal evaporator)에 의해 형성될 수 있다.
본 발명에 따르면, 낮은 접촉저항 및 높은 광투과율을 갖는 p-전극을 구비한 GaN계 반도체 발광소자가 제조될 수 있다. 따라서, p-전극에서의 전류-전압특성 및 광투과율이 개선되어, 종래 보다 광출력 및 발광효율이 향상된 GaN계 반도체 발광소자를 얻을 수 있다.
이하에서는, 본 발명에 따른 GaN계 반도체 발광소자 및 그 제조방법의 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다. 이 과정에서 도면에 도시된 층이나 영역들의 두께는 명세서의 명확성을 위하여 과장되게 도시된 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 GaN계 반도체 발광소자의 단면도이며, 도 2는 도 1에서 p-전극의 확대도이다.
도 1 및 도 2를 함께 참조하면, 본 발명에 따른 GaN계 반도체 발광소자는 n-전극(50), p-전극(60), 그리고 이들 사이에 배치된 n형 반도체층(20), 활성층(30) 및 p형 반도체층(40)을 구비한다. 구체적으로, 기판(10) 상에 순차로 n형 반도체층(20), 활성층(30) 및 p형 반도체층(40)이 적층되었으며, 상기 p형 반도체층(40)의 최상면 중 그 일부영역으로부터 n형 반도체층(20)의 소정깊이까지 식각되어 상 기 n형 반도체층(20)의 일영역이 노출되었다. 그리고, 상기 n형 반도체층(20)의 노출면 상에 n-전극(50)이 형성되었으며, 상기 p-전극(60)은 상기 p형 반도체층(40)의 최상면 상에 형성되었다. 이와 같은 구조의 GaN계 반도체 발광소자에서, 상기 n-전극(50)과 p-전극(60) 사이에 소정의 전압이 인가되면, 상기 n형 반도체층(20)과 p형 반도체층(40)으로부터 각각 전자들(electrons)과 정공들(holes)이 상기 활성층(30)으로 주입되어, 이들이 활성층(30) 내에서 결합함으로써 활성층(30)으로부터 광이 출력될 수 있다.
본 발명에서, 상기 p-전극(60)은 상기 n형 반도체층(20) 상에 순차로 적층된 제1, 제2 및 제3 전극층(60a, 60b, 60c)을 포함하는 다층구조의 전극으로 형성되었으며, 이러한 p-전극(60)의 구조 및 그 형성물질에 본 발명의 특징이 있다. 구체적으로, 본 발명에 따른 GaN계 반도체 발광소자에서, 상기 p-전극(60)은 상기 p형 반도체층(40) 상에 Zn 또는 Zn계 합금으로 형성된 제1 전극층(60a), 상기 제1 전극층(60a) 상에 Ag 또는 Ag계 합금으로 형성된 제2 전극층(60b), 그리고 상기 제2 전극층(60b) 상에 투명전도성 산화물로 형성된 제3 전극층(60c)을 포함한다. 이와 같은 순서로 적층된 제1, 제2, 제3 전극층(60a, 60b, 60c)들의 조합으로 형성된 p-전극(60)에 의하면, 실험적으로 상기 p-전극(60)에서 낮은 접촉저항 및 높은 광투과율을 얻을 수 있었기 때문에, 궁극적으로 GaN계 반도체 발광소자의 광출력 및 발광효율을 종래 보다 향상시킬 수 있었다.
여기에서, 상기 Zn계 합금은 Ag, Mg, Sc, Hf, Zr, Te, Se, Ta, W, Nb, Cu, Si, Ni, Co, Mo, Cr, Mn, Hg, Pr 및 La으로 이루어지는 그룹에서 선택된 적어도 하 나의 금속과 Zn을 포함한다. 바람직하게, 상기 Zn계 합금은 Zn-Ni, Zn-Mg 및 Zn-Cu 으로 이루어지는 그룹에서 선택된 어느 하나이다. 그리고, 상기 Ag계 합금은 Zn, Mg, Sc, Hf, Zr, Te, Se, Ta, W, Nb, Cu, Si, Ni, Co, Mo, Cr, Mn, Hg, Pr 및 La으로 이루어지는 그룹에서 선택된 적어도 하나의 금속과 Ag를 포함한다. 바람직하게, 상기 Ag계 합금은 Ag-Cu, Ag-Ni, Ag-Zn 및 Ag-Mg 으로 이루어지는 그룹에서 선택된 어느 하나이다. 그리고, 상기 투명전도성 산화물은 In, Sn, Zn, Ga, Cd, Mg, Be, Ag, Mo, V, Cu, Ir, Rh, Ru, W, Co, Ni, Mn 및 La으로 이루어지는 그룹에서 선택된 적어도 어느 한 금속의 산화물이다. 바람직하게, 상기 투명전도성 산화물은 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 아연산화물(ZnO)이다. 여기에서, 상기 제1 및 제2 전극층(60a, 60b) 각각은 0.1㎚ 내지 500㎚의 두께로 형성되며, 상기 제3 전극층(60c)은 10㎚ 내지 1000㎚의 두께로 형성되는 것이 바람직하다.
상기 기판(10)으로 사파이어 기판 또는 프리스탠딩 GaN 기판이 이용될 수 있다. 그리고, 상기 n형 반도체층(20)은 AlInGaN계 Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체 물질로 형성하되, 특히 n-GaN층 또는 n-GaN/AlGaN층으로 형성하는 것이 바람직하다. 그리고, 상기 p형 반도체층(40)은 p-GaN 계열의 Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체층으로 형성하되, 특히 p-GaN층 또는 p-GaN/AlGaN층으로 형성하는 것이 바람직하다.
상기 활성층(30)은 InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1, 0≤y≤1 그리고 0≤x+y≤1)인 GaN계열의 Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체층으로 형성하되, 특히 InGaN층 또는 AlGaN층으로 형성하는 것이 바람직하다. 여기에서, 상기 활성층(30)은 다중양자우물(multi- quantum well, 이하 'MQW'라 함) 또는 단일양자우물 중 어느 하나의 구조를 가질 수 있으며, 이러한 활성층(30)의 구조는 본 발명의 기술적 범위를 제한하지 않는다. 예를 들어, 상기 활성층(30)은 GaN/InGaN/GaN MQW 또는 GaN/AlGaN/GaN MQW 구조로 형성되는 것이 가장 바람직할 수 있다.
도 3은 ZnNi(2.5㎚)/Ag(2.5㎚)/ITO(200㎚) 적층구조로 제조된 p-전극을 보여주는 TEM 사진이며, 도 4는 ZnNi(2.5㎚)/Ag(2.5㎚)/ITO(200㎚) 적층구조로 제조된 p-전극에 대해 전류-전압특성을 측정한 결과그래프이다. 그리고, 도 5는 ZnNi(2.5㎚)/Ag(2.5㎚)/ITO(200㎚) 적층구조의 p-전극을 구비한 GaN계 반도체 발광소자의 전류-전압특성을 측정한 결과그래프이다.
도 6a 내지 도 6d는 본 발명에 따른 GaN계 반도체 발광소자의 제조방법을 보여주는 도면이다.
도 6a를 참조하면, 기판(10) 상에 순차로 n형 반도체층(20), 활성층(30) 및 p형 반도체층(40)을 적층한다. 구체적으로, 미리 준비된 기판(10), 예를 들어 GaN 또는 사파이어 기판 상에 동종(예를 들어 GaN 기판 상에 GaN계열의 결정층 성장) 또는 이종 적층(예를 들어 사파이어 기판 상에 GaN계열의 결정층 성장) 방법에 의해 n형 반도체층(20)을 형성한다. 상기 n형 반도체층(20)은 AlInGaN계 Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체 물질로 형성하되, 특히 n-GaN층 또는 n-GaN/AlGaN층으로 형성하는 것이 바람직하다.
상기 활성층(30)은 InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1, 0≤y≤1 그리고 0≤x+y≤1)인 GaN 계열의 Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체층으로 형성하되, 특히 InGaN층 또는 AlGaN층으로 형성하는 것이 바람직하다. 여기에서, 상기 활성층(30)은 다중양자우물(multi-quantum well, 이하 'MQW'라 함) 또는 단일양자우물 중 어느 하나의 구조를 가질 수 있으며, 이러한 활성층(30)의 구조는 본 발명의 기술적 범위를 제한하지 않는다. 예를 들어, 상기 활성층(30)은 GaN/InGaN/GaN MQW 또는 GaN/AlGaN/GaN MQW 구조로 형성되는 것이 가장 바람직할 수 있다.
상기 p형 반도체층(40)은 p-GaN 계열의 Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체층으로 형성하되, 특히 p-GaN층 또는 p-GaN/AlGaN층으로 형성하는 것이 바람직하다.
여기에서, 각각의 물질층은 반도체 제조공정에서 일반적으로 이용되는 박막증착법, 예를 들어 PVD(Physical Vapor Deposition), CVD(Chemical Vapor Deposition) 또는 증발법(evaporation) 등과 같은 기상증착법(vapor deposition)으로 형성될 수 있으며, 이들 방법은 널리 알려져 있으므로 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.
도 6b 및 도 6c를 함께 참조하면, 상기 p형 반도체층(40)의 최상면 중 일부영역을 선택하여, 상기 선택된 영역으로부터 n형 반도체층(20)의 소정깊이까지 식각하여, 상기 n형 반도체층(20)의 일부영역을 노출시킨다. 그리고나서, 상기 n형 반도체층(20)의 노출면 상에 Ag 또는 Al과 같은 도전성 물질로 n-전극(50)을 형성한다. 그리고, 상기 p형 반도체층(40) 상에 제1, 제2 및 제3 전극층(60a, 60b, 60c)를 순차로 적층한다. 이 때, 상기 제1 전극층(60a)은 Zn 또는 Zn계 합금으로 형성되며, 0.1㎚ 내지 500㎚의 두께로 형성된다. 여기에서, 상기 Zn계 합금은 Ag, Mg, Sc, Hf, Zr, Te, Se, Ta, W, Nb, Cu, Si, Ni, Co, Mo, Cr, Mn, Hg, Pr 및 La으로 이루어지는 그룹에서 선택된 적어도 하나의 금속과 Zn을 포함한다. 바람직하게, 상기 Zn계 합금은 Zn-Ni, Zn-Mg 및 Zn-Cu 으로 이루어지는 그룹에서 선택된 어느 하나이다. 그리고, 상기 제2 전극층(60b)은 Ag 또는 Ag계 합금으로 형성되며, 0.1㎚ 내지 500㎚의 두께로 형성된다. 여기에서, 상기 Ag계 합금은 Zn, Mg, Sc, Hf, Zr, Te, Se, Ta, W, Nb, Cu, Si, Ni, Co, Mo, Cr, Mn, Hg, Pr 및 La으로 이루어지는 그룹에서 선택된 적어도 하나의 금속과 Ag를 포함한다. 바람직하게, 상기 Ag계 합금은 Ag-Cu, Ag-Ni, Ag-Zn 및 Ag-Mg 으로 이루어지는 그룹에서 선택된 어느 하나이다. 그리고, 상기 제3 전극층(60c)은 투명전도성 산화물로 형성되며, 10㎚ 내지 1000㎚의 두께로 형성된다. 여기에서, 상기 투명전도성 산화물은 In, Sn, Zn, Ga, Cd, Mg, Be, Ag, Mo, V, Cu, Ir, Rh, Ru, W, Co, Ni, Mn 및 La으로 이루어지는 그룹에서 선택된 적어도 어느 한 금속의 산화물이다. 바람직하게, 상기 투명전도성 산화물은 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 아연산화물(ZnO)이다. 여기에서, 상기 제1, 제2 및 제3 전극층(60a, 60b, 60c) 각각은 전자빔 및 열에 의한 증착기(e-beam & thermal evaporator)에 의해 형성될 수 있다.
도 6d를 참조하면, 상기 제1, 제2, 제3 전극층(60a, 60b, 60c)을 200℃ 내지 700℃의 온도범위, 바람직하게는 530℃에서, 10초 내지 2시간 동안 열처리한다. 상기 열처리는 산소를 포함하는 가스분위기에서 수행된다. 바람직하게, 상기 가스분위기는 질소, 아르곤, 헬륨, 수소 및 공기로 이루어지는 그룹에서 선택된 적어도 하나의 가스를 더 포함할 수도 있다. 이와 같은 공정과정을 통하여, 본 발명에 따 른 낮은 접촉저항 및 높은 광투과율을 갖는 p-전극(60)을 구비한 GaN계 반도체 발광소자가 제조될 수 있다.
본 발명에 따르면, 낮은 접촉저항 및 높은 광투과율을 갖는 p-전극을 구비한 GaN계 반도체 발광소자가 제조될 수 있다. 따라서, p-전극에서의 전류-전압특성 및 광투과율이 개선되어, 종래 보다 광출력 및 발광효율이 향상된 GaN계 반도체 발광소자를 얻을 수 있다.
이상에서, 이러한 본원 발명의 이해를 돕기 위하여 몇몇의 모범적인 실시예가 설명되고 첨부된 도면에 도시되었으나, 이러한 실시예들은 예시적인 것에 불과하며 당해 분야에서 통상적 지식을 가진 자라면 상기 실시예로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점이 이해되어야 할 것이다. 따라서, 본 발명은 도시되고 설명된 구조와 공정순서에만 국한되는 것은 아니며, 특허청구범위에 기재된 발명의 기술사상을 중심으로 보호되어야 할 것이다.

Claims (25)

  1. n-전극, p-전극, 그리고 이들 사이에 n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층을 구비하는 GaN계 반도체 발광소자에 있어서,
    상기 p-전극은,
    상기 p형 반도체층 상에 Zn 또는 Zn계 합금으로 형성된 제1 전극층;
    상기 제1 전극층 상에 0.1㎚ 이상 50㎚ 미만인 두께의 Ag 또는 Ag계 합금으로 형성된 제2 전극층; 및
    상기 제2 전극층 상에 투명전도성 산화물로 형성된 제3 전극층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 GaN계 반도체 발광소자.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 Zn계 합금은 Ag, Mg, Sc, Hf, Zr, Te, Se, Ta, W, Nb, Cu, Si, Ni, Co, Mo, Cr, Mn, Hg, Pr 및 La으로 이루어지는 그룹에서 선택된 적어도 하나의 금속과 Zn을 포함하는 것을 특징으로 하는 GaN계 반도체 발광소자.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 Zn계 합금은 Zn-Ni, Zn-Mg 및 Zn-Cu 으로 이루어지는 그룹에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 GaN계 반도체 발광소자.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 Ag계 합금은 Zn, Mg, Sc, Hf, Zr, Te, Se, Ta, W, Nb, Cu, Si, Ni, Co, Mo, Cr, Mn, Hg, Pr 및 La으로 이루어지는 그룹에서 선택된 적어도 하나의 금속과 Ag를 포함하는 것을 특징으로 하는 GaN계 반도체 발광소자.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 Ag계 합금은 Ag-Cu, Ag-Ni, Ag-Zn 및 Ag-Mg 으로 이루어지는 그룹에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 GaN계 반도체 발광소자.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 투명전도성 산화물은 In, Sn, Zn, Ga, Cd, Mg, Be, Ag, Mo, V, Cu, Ir, Rh, Ru, W, Co, Ni, Mn 및 La으로 이루어지는 그룹에서 선택된 적어도 어느 한 금속의 산화물인 것을 특징으로 하는 GaN계 반도체 발광소자.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 투명전도성 산화물은 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 아연산화물(ZnO)인 것을 특징으로 하는 GaN계 반도체 발광소자.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 전극층은 0.1㎚ 내지 500㎚의 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 GaN계 반도체 발광소자.
  9. 삭제
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 제3 전극층은 10㎚ 내지 1000㎚의 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 GaN계 반도체 발광소자.
  11. 기판 위에 순차로 n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층을 형성하는 단계;와 상기 n형 반도체층 상에 n-전극을 형성하는 단계; 및 상기 p형 반도체층 상에 p-전극을 형성하는 단계;를 포함하는 GaN계 반도체 발광소자의 제조방법에 있어서,
    상기 p-전극을 형성하는 단계는,
    상기 p형 반도체층 상에 Zn 또는 Zn계 합금으로 제1전극층을 형성하는 단계;
    상기 제1전극층 상에 0.1㎚ 이상 50㎚ 미만인 두께의 Ag 또는 Ag계 합금으로 제2 전극층을 형성하는 단계;
    상기 제2 전극층 상에 투명전도성 산화물로 제3 전극층을 형성하는 단계; 및
    상기 제1, 제2, 제3 전극층을 열처리하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 GaN계 반도체 발광소자의 제조방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 열처리는 200℃ 내지 700℃의 온도범위에서 수행되는 것을 특징으로 하는 GaN계 반도체 발광소자의 제조방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 열처리는 10초 내지 2시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 GaN계 반도체 발광소자의 제조방법.
  14. 제 12 항에 있어서,
    상기 열처리는 산소를 포함하는 가스분위기에서 수행되는 것을 특징으로 하는 GaN계 반도체 발광소자의 제조방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 가스분위기는 질소, 아르곤, 헬륨, 수소 및 공기로 이루어지는 그룹에서 선택된 적어도 하나의 가스를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 GaN계 반도체 발광소자의 제조방법.
  16. 제 11 항에 있어서,
    상기 제1, 제2 및 제3 전극층 각각은 전자빔 및 열에 의한 증착기(e-beam & thermal evaporator)에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 GaN계 반도체 발광소자의 제조방법.
  17. 제 11 항에 있어서,
    상기 Zn계 합금은 Ag, Mg, Sc, Hf, Zr, Te, Se, Ta, W, Nb, Cu, Si, Ni, Co, Mo, Cr, Mn, Hg, Pr 및 La으로 이루어지는 그룹에서 선택된 적어도 하나의 금속과 Zn을 포함하는 것을 특징으로 하는 GaN계 반도체 발광소자의 제조방법.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 Zn계 합금은 Zn-Ni, Zn-Mg 및 Zn-Cu 으로 이루어지는 그룹에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 GaN계 반도체 발광소자의 제조방법.
  19. 제 11 항에 있어서,
    상기 Ag계 합금은 Zn, Mg, Sc, Hf, Zr, Te, Se, Ta, W, Nb, Cu, Si, Ni, Co, Mo, Cr, Mn, Hg, Pr 및 La으로 이루어지는 그룹에서 선택된 적어도 하나의 금속과 Ag를 포함하는 것을 특징으로 하는 GaN계 반도체 발광소자의 제조방법.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 Ag계 합금은 Ag-Cu, Ag-Ni, Ag-Zn 및 Ag-Mg 으로 이루어지는 그룹에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 GaN계 반도체 발광소자의 제조방법.
  21. 제 11 항에 있어서,
    상기 투명전도성 산화물은 In, Sn, Zn, Ga, Cd, Mg, Be, Ag, Mo, V, Cu, Ir, Rh, Ru, W, Co, Ni, Mn 및 La으로 이루어지는 그룹에서 선택된 적어도 어느 한 금속의 산화물인 것을 특징으로 하는 GaN계 반도체 발광소자의 제조방법.
  22. 제 21 항에 있어서,
    상기 투명전도성 산화물은 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 아연산화물(ZnO)인 것을 특징으로 하는 GaN계 반도체 발광소자의 제조방법.
  23. 제 11 항에 있어서,
    상기 제1 전극층은 0.1㎚ 내지 500㎚의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 GaN계 반도체 발광소자의 제조방법.
  24. 삭제
  25. 제 11 항에 있어서,
    상기 제3 전극층은 10㎚ 내지 1000㎚의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 GaN계 반도체 발광소자의 제조방법.
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