JP2006052453A - 薄膜の製造方法および薄膜 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 対向電極4、5の少なくとも一方の上に基材6を設置する。炭素源を含む原料ガスAを含む雰囲気下で、対向電極4、5間にパルス電圧を印加することにより放電プラズマを生じさせ、基材6上に薄膜7を生成させる。パルス電圧として正パルスと負パルスとを印加し、かつ正パルスおよび負パルスのパルス半値幅が1000nsec以下である。
【選択図】 図1
Description
正パルス11と負パルス12との間隔tは特に限定されないが、1〜1000μsecとすることが好ましく、1〜100μsecとすることが更に好ましい。
正パルス11の周期は特に限定されないが、0.01〜100kHzとすることが好ましく、0.1〜20kHzとすることが更に好ましい。
メタノ−ル、エタノ−ル等のアルコ−ル
メタン、エタン、プロパン、ブタン、ペンタン、ヘキサン等のアルカン
エチレン、プロピレン、ブテン、ペンテン等のアルケン
ペンタジエン、ブタジエン等のアルカジエン
アセチレン、メチルアセチレン等のアルキン、
ベンゼン、トルエン、キシレン、インデン、ナフタレン、フェナントレン等の芳香族炭化水素
シクロプロパン、シクロヘキサン等のシクロアルカン
シクロペンテン、シクロヘキセン等のシクロアルケン
(a) 酸素ガス
(b) 水素ガス
酸素や水素は放電中に原子状となり、ダイヤモンドと同時に生成するグラファイトを除去する効果を有する。
(c) 一酸化炭素、二酸化炭素
(d) 希釈ガス
酸素ガス又は水素ガスのガス雰囲気中に占める濃度は、70vol%以下であることが好ましい。
希釈ガスとしては、周期律第8族の元素のガス及び窒素ガスが挙げられ、これらの少なくとも1種が使用でき、ヘリウム、アルゴン、ネオン、キセノンが挙げられる。希釈ガスの原料ガス雰囲気中に占める濃度は、20〜90vol%が好ましい。
図1を参照しつつ説明した装置を使用し、前述のようにしてダイヤモンド状炭素の薄膜を製造した。電源3としては静電誘導サイリスタ素子を用いた電源を用いた。チャンバー1はステンレス製である。下部電極5の直径は100mmである。電極5はステンレス製である。電極5上にシリコン基板からなる基材6を配置した。基材6の表面から200mm上方に上部電極4を配置した。上部電極4の表面は、直径が200mmである。
実施例1と同様にして、ダイヤモンド状炭素の薄膜を形成した。ただし、正パルス11の波高値は+8.0kVであり、負パルス12の波高値は−8.0kVであり、正パルスの周波数は1kHzであり、正パルスと負パルスとの間隔tは20.0μsecである。正パルス11の半値幅d1は800nsecであり、負パルス12の半値幅d2は1000nsecである。正パルス電流は5.0Aであり、負パルス電流は4Aである。
実施例1と同様にして、ダイヤモンド状炭素の薄膜を形成した。ただし、負パルスのみを印加し、正パルスを印加しなかった。負パルス12の波高値は−8.0kVであり、負パルスの周波数は1kHzであり、負パルス12の半値幅d2は800nsecであり、負パルス電流は4Aである。
実施例1と同様にして、ダイヤモンド状炭素の薄膜を形成した。ただし、正パルス11の波高値は+8.0kVであり、負パルス12の波高値は−8.0kVであり、正パルスの周波数は1kHzであり、正パルスと負パルスとの間隔tは20.0μsecである。正パルス11の半値幅d1は1200nsecであり、負パルス12の半値幅d2は1200nsecである。正パルス電流は5.0Aであり、負パルス電流は4Aである。
Claims (5)
- 炭素源を含む原料ガスを含む雰囲気下で対向電極間にパルス電圧を印加することにより放電プラズマを生じさせ、基材上に薄膜を生成させるのに際して、前記パルス電圧として正パルスと負パルスとを印加し、かつ前記正パルスおよび負パルスのパルス半値幅が1000nsec以下であることを特徴とする、薄膜の製造方法。
- 前記雰囲気の圧力が100Torr以下であることを特徴とする、請求項1記載の方法。
- 前記薄膜が実質的にダイヤモンド状炭素からなることを特徴とする、請求項1または2記載の方法。
- 請求項1〜3のいずれか一つの請求項に記載の方法によって得られたことを特徴とする、薄膜。
- 実質的にダイヤモンド状炭素からなることを特徴とする、請求項4記載の薄膜。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004235992A JP4437426B2 (ja) | 2004-08-13 | 2004-08-13 | 薄膜の製造方法 |
EP05254697A EP1627934B1 (en) | 2004-08-13 | 2005-07-27 | Method for producing thin films |
US11/194,619 US20060035083A1 (en) | 2004-08-13 | 2005-08-02 | Thin films and a method for producing the same |
CNB2005100903593A CN100519837C (zh) | 2004-08-13 | 2005-08-12 | 薄膜的制造方法及薄膜 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004235992A JP4437426B2 (ja) | 2004-08-13 | 2004-08-13 | 薄膜の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006052453A true JP2006052453A (ja) | 2006-02-23 |
JP4437426B2 JP4437426B2 (ja) | 2010-03-24 |
Family
ID=35355538
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004235992A Active JP4437426B2 (ja) | 2004-08-13 | 2004-08-13 | 薄膜の製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20060035083A1 (ja) |
EP (1) | EP1627934B1 (ja) |
JP (1) | JP4437426B2 (ja) |
CN (1) | CN100519837C (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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BRPI0904846A2 (pt) * | 2008-09-26 | 2015-06-30 | Ngk Insulators Ltd | Aparelho para deposição de película |
JP4755262B2 (ja) * | 2009-01-28 | 2011-08-24 | 株式会社神戸製鋼所 | ダイヤモンドライクカーボン膜の製造方法 |
US8425662B2 (en) | 2010-04-02 | 2013-04-23 | Battelle Memorial Institute | Methods for associating or dissociating guest materials with a metal organic framework, systems for associating or dissociating guest materials within a series of metal organic frameworks, and gas separation assemblies |
GB2505685B (en) * | 2012-09-07 | 2015-11-04 | Univ Salford | Method of coating and etching |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19513614C1 (de) * | 1995-04-10 | 1996-10-02 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zur Abscheidung von Kohlenstoffschichten, Kohlenstoffschichten auf Substraten und deren Verwendung |
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JP2003328137A (ja) | 2002-05-10 | 2003-11-19 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 成膜装置 |
-
2004
- 2004-08-13 JP JP2004235992A patent/JP4437426B2/ja active Active
-
2005
- 2005-07-27 EP EP05254697A patent/EP1627934B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-08-02 US US11/194,619 patent/US20060035083A1/en not_active Abandoned
- 2005-08-12 CN CNB2005100903593A patent/CN100519837C/zh active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1627934A3 (en) | 2006-03-29 |
CN100519837C (zh) | 2009-07-29 |
JP4437426B2 (ja) | 2010-03-24 |
US20060035083A1 (en) | 2006-02-16 |
EP1627934B1 (en) | 2007-11-21 |
EP1627934A2 (en) | 2006-02-22 |
CN1733968A (zh) | 2006-02-15 |
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