JP2006052250A - エレクトロルミネッセンス蛍光体、その製造方法、及びエレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents
エレクトロルミネッセンス蛍光体、その製造方法、及びエレクトロルミネッセンス素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006052250A JP2006052250A JP2004233091A JP2004233091A JP2006052250A JP 2006052250 A JP2006052250 A JP 2006052250A JP 2004233091 A JP2004233091 A JP 2004233091A JP 2004233091 A JP2004233091 A JP 2004233091A JP 2006052250 A JP2006052250 A JP 2006052250A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- phosphor
- particles
- layer
- coating layer
- zns
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
- C09K11/025—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor non-luminescent particle coatings or suspension media
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/58—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing copper, silver or gold
- C09K11/582—Chalcogenides
- C09K11/584—Chalcogenides with zinc or cadmium
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
- H05B33/145—Arrangements of the electroluminescent material
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/917—Electroluminescent
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
【解決手段】少なくともZnS系蛍光体粒子とその表面に形成した被覆層とを含むEL蛍光体であって、該粒子が、中心粒子サイズが0.1〜15μmであり、粒子サイズ分布の変動係数が35%未満であり、且つ、5nm以下の面間隔の積層欠陥を10枚以上含有する粒子を粒子全体の30%以上含有するEL蛍光体で、被膜層は、酸化物、窒化物、フッ化物、リン酸塩、有機化合物等である。前記ZnS系蛍光体粒子を流動化させた状態で、被覆層原料を供給して該粒子表面に堆積又は反応させて被膜層を形成する。
【選択図】なし
Description
本発明は更に、該EL蛍光体を用いた発光の均一性の高い分散型EL素子を得ることを目的とし、更に、耐久性の向上したEL素子を提供することを目的とする。
(1)少なくともZnS系蛍光体粒子とその表面に形成した被覆層とを含むエレクトロルミネッセンス蛍光体であって、該粒子が、中心粒子サイズが0.1〜15μmであり、粒子サイズ分布の変動係数が35%未満であり、且つ、5nm以下の面間隔の積層欠陥を10枚以上含有する粒子を粒子全体の30%以上含有することを特徴とするエレクトロルミネッセンス蛍光体。
(2)前記粒子の平均粒子サイズに対する被覆層の平均膜厚の比が、0.001〜0.1の範囲にあることを特徴とする上記(1)に記載のエレクトロルミネッセンス蛍光体。
(4)前記ZnS系蛍光体粒子が、共付活剤としてCl、Br、I、及びAlの群より選ばれる少なくとも1種の元素を含有することを特徴とする上記(1)〜(3)のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセンス蛍光体。
(6)前記被覆層は、酸化物、窒化物、水酸化物、フッ化物、リン酸塩、ダイヤモンド状カーボン及び有機化合物の群より選ばれる少なくとも1種の化合物を含有することを特徴とする上記(1)〜(5)のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセンス蛍光体。
(8)前記流動化の方法が、流動床、撹拌床、振動床及び転動床のいずれか一つの方法を用いることを特徴とする上記(7)に記載のエレクトロルミネッセンス蛍光体の製造方法。
(9)前記Zn系蛍光体粒子の平均粒子サイズよりも大きい平均粒子サイズを有する流動化促進剤の存在下で、蛍光体の流動化を行うことを特徴とする上記(7)又は(8)に記載のエレクトロルミネッセンス蛍光体の製造方法。
(11)前記ZnS系蛍光体粒子と被覆層材料とを混合した状態で、機械的熱的エネルギーを加えることで被覆層を形成することを特徴とする上記(1)〜(6)のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセンス蛍光体の製造方法。
(14)前記中間層は、有機高分子化合物、無機化合物、又はそれら複合物であり、中間層の厚みは10nm〜100μmの範囲であることを特徴とする上記(12)又は(13)に記載の分散型エレクトロルミネッセンス素子。
[EL蛍光体]
(ZnS系EL蛍光体核粒子)
本発明のEL蛍光体に用いられるZnS系蛍光体核粒子は、中心粒子サイズが0.1〜15μmの範囲である。好ましくは1〜10μmである。これにより、蛍光体層の膜厚を小さくして電界強度を高めることができる。
また、粒子サイズの変動係数は、35%未満が好ましく、30%未満がより好ましい。これにより、EL蛍光体粒子の分散性や蛍光体層のEL蛍光体粒子の充填率が向上し、EL素子の発光のざらつき(粒状性)を改善できる。
また、その粒子内部は、積層欠陥の平均面間隔が5nm以下の面間隔で10層以上の積層欠陥を有する粒子が全蛍光体粒子の30%以上存在する。好ましくは、該粒子が50%以上存在し、より好ましくは70%以上存在する。面状の積層欠陥が多い構造を有する方が、EL発光の効率を高めることができ、好ましい。
ZnS系EL蛍光体の原料となる前駆体は、市販の高純度のZnSを用いても良いが、付活剤が均一に添加された前駆体を用いることが好ましい。このような前駆体を得る方法としては、水熱合成法、均一沈殿法、噴霧熱分解法を利用することが好ましい。いずれの方法でも、Zn塩と付活剤の塩とを溶媒に溶解した状態から、ZnSを反応生成させることで付活剤がZnS中に取り込まれた前駆体を得ることができる。付活剤としてはCu、Mn、Ag及び希土類元素を用いることが好ましく、Cuをより好ましく用いることができる。付活剤の添加量は、付活剤の種類によって異なるが、例えばCuの場合には、ZnSが1molに対して1×10-4〜1×10-2molの範囲が好ましく、5×10-4〜5×10-3molがより好ましい。付活剤が添加されていない前駆体を用いる場合には、ZnSを水に分散させて得た懸濁液中に、CuSO4、Cu(NO3)2等の水溶性のCu化合物を添加してZnSの粒子表面にCuxSが析出した前駆体を作製する。このとき、反応後の懸濁液は、副生成物であるZnSO4を除去するため。蒸留水で数回洗浄することが好ましい。
本発明のEL蛍光体は、前記EL蛍光体の核粒子の表面に被覆層を形成してなる。該被覆層の平均膜厚は0.01〜1μmであることが好ましく、0.05〜0.5μmがより好ましい。ここで、被覆層の平均膜厚とは、被覆層を形成したEL蛍光体粒子の断面SEM写真から、10個以上の粒子に対して被覆層膜厚を1粒子当たりに任意の3点を実測し平均した値をいう。
被覆層の平均膜厚が上記の範囲内において、良好な防湿性やイオンバリア性が得られるとともに、EL蛍光体粒子への電界強度を減少させることなく、輝度低下や発光閾値電圧の上昇を引き起こし難いため、好ましい。
また、被覆層は、粒子の平均サイズに適した膜厚であることが好ましく、例えば1μmの粒子に1μmの被覆層を形成した場合には、粒子への電界強度の低下を引き起こし易い。従って、粒子の平均粒子サイズに対する被覆層の平均膜厚の比は、0.001〜0.1の範囲であることが好ましく、0.002〜0.05の範囲であることがより好ましい。
被覆層形成の第1の方法として、EL蛍光体核粒子を流動化させた状態で、被覆層の原料を供給して粒子表面に堆積又は反応させることで被覆層を形成する方法が挙げられる。
この方法では、EL蛍光体核粒子を、溶媒とともに反応容器に導入し、インペラー攪拌機等を用いて分散させることができる。反応容器は、円筒形が好ましく、容器底部は円錐形又は半球形が好ましい。攪拌羽根の形状は、スクリュー型、ねじり羽根型、パドル型、等を利用できるが、撹拌軸の円周方向と垂直方向の撹拌流が形成できるスクリュー−パドル複合型を用いることがより好ましい。図5に示すように、撹拌羽根の周囲にストレーナーを設けて、垂直方向の撹拌流をより強く形成することが好ましい。また、溶媒としては、水、有機溶媒又はそれらの混合物を好ましく用いることができる。特殊な溶媒として、融点以上に加熱して溶融させた尿素を用いることもできる。さらに、溶媒中に界面活性剤、等の分散剤を添加することも好ましい。
被覆層材料は、衝撃や摩擦による機械的熱的エネルギーを受けてEL蛍光体核粒子表面に固化できる。このような機械的熱的エネルギーを与える装置として、ハイブリダイザー、シーターコンポーザー、等を好ましく用いることができる。被覆材料は、高分子樹脂、等の有機化合物を用いることが好ましいが、無機化合物でも可能である。また、有機化合物の被覆層を形成した上に、無機化合物の被覆層を多層化したり、有機化合物と無機化合物の混合物を被覆することも好ましい。
本発明のEL蛍光体は、EL素子の蛍光体層に含有させて用いることが好ましい。EL素子は、基本的には蛍光体層を、少なくとも一方が透明な、対向する一対の電極で挟持した構成をもつ。蛍光体層と電極の間に誘電体層を隣接することが好ましい。また、透明電極層と蛍光体層との間に中間層を付設することが好ましい。
<EL蛍光体粒子A>
ZnS原料として、結晶子サイズが20nmで、中心粒子サイズが2μmのZnSを準備した。このZnSを25g秤量し、300ml容積のビーカーに200mlの蒸留水とともに入れて、マグネットスターラーですべてのZnS粒子が分散するように撹拌した。CuSO4・5H2Oを0.064g秤量し、2mlの蒸留水に溶解した水溶液を準備し、その溶液を前記ZnS粒子が分散した溶液中に、ビュレットを用いて約30秒間で添加した。添加終了から30分間撹拌を維持し、停止した後、静置してZnS粒子が沈降するまでの時間放置して、ZnS粒子が完全に沈降した上澄液をデカンテーションで除去し、洗浄の目的で200mlの蒸留水を加えて再度撹拌して分散させた。10分間の撹拌の後、ZnS粒子を沈降させて上澄液をデカンテーションで除去した。この洗浄操作を3回繰り返した後、温風乾燥機で120℃にて4時間乾燥させてCu添加ZnSを得た。
前記Cu添加ZnSに、下記の融剤及び添加物を加えて乳鉢混合し、混合物を得た。
・塩化ナトリウム ・・・0.5g
・塩化バリウム2水和物 ・・・1.0g
・塩化マグネシウム6水和物 ・・・2.1g
前記EL蛍光体粒子Aと同様の方法でCu添加ZnSを準備した。
前記Cu添加ZnSに、下記の融剤を加えて乳鉢混合し、混合物を得た。
・塩化ストロンチウム6水和物 ・・・27.3g
・塩化バリウム2水和物 ・・・4.2g
・塩化マグネシウム6水和物 ・・・11.1g
・塩化金酸4水和物 ・・・0.0053g
前記EL蛍光体粒子Bの中間蛍光体粒子に、三塩化アンチモン0.03gを添加して焼成したこと以外はEL蛍光体粒子Bと同様にして、ZnS:Cu、Cl、SbのEL蛍光体粒子Cを得た。
前記EL蛍光体粒子Bの中間蛍光体粒子に、三塩化ビスマス0.04gを添加して焼成したこと以外はEL蛍光体粒子Bと同様にして、ZnS:Cu、Cl、BiのEL蛍光体粒子Dを得た。
前記EL蛍光体粒子Aと同様の方法でCu添加ZnSを準備した。
前記Cu添加ZnSに、下記の融剤を加えて乳鉢混合し、混合物を得た。
・塩化ストロンチウム6水和物 ・・・27.3g
・塩化バリウム2水和物 ・・・4.2g
・塩化マグネシウム6水和物 ・・・11.1g
・塩化セシウム ・・・4.5g
前記EL蛍光体粒子Bの第1焼成の温度を1100℃としたこと以外はEL蛍光体粒子Bと同様にして、ZnS:Cu、ClのEL蛍光体粒子Fを得た。
前記EL蛍光体粒子Aの中間蛍光体粒子のボールミル処理を省略したこと以外はEL蛍光体粒子Aと同様にして、ZnS:Cu、ClのEL蛍光体粒子Gを得た。
EL蛍光体粒子A〜Gに対して、下記項目を評価し、その結果を表1に示した。
・中心粒子サイズ(堀場製作所;LA−920で計算されるメジアン径を用いる)
・粒子サイズの変動係数(堀場製作所;LA−920で計算される変動係数を用いる)
・積層欠陥面間隔(蛍光体粒子をメノー乳鉢で磨りつぶし、破片をTEM観察し、積層欠陥の最大面間隔と枚数を測定)
・積層欠陥頻度(上記破片100個をTEM観察し、積層欠陥の頻度を測定)
<被覆EL蛍光体粒子A〜G>
上記EL蛍光体粒子A〜Gを用いて、その粒子表面へ図1に示される流動床反応装置を用いてTiO2からなる被覆層を形成した。流動床反応装置は、円筒形の反応槽7を配置して、反応槽の底部に多孔板8を有する。反応槽は周囲をヒーター9で囲まれ温度制御する。多孔板の下部にEL蛍光体粒子1を流動化させるためのキャリアガス及び気体状の被覆層材料を供給するライン10を接続し、反応槽内部の多孔板よりに反応ガスの供給ライン11に接続された反応ガス導入管12を配置する。各ガス供給ラインもヒーターで加熱され、それぞれの中間には、被覆層材料及び反応剤を気化するための貯槽13、14を備え、貯槽に収容した被覆層材料2及び反応剤3をキャリアガス4、5でバブリングすることで気化する。反応槽より排出される未反応ガス又は副生成ガス6は、排気管15より排出されスクラバー(図示せず)に接続される。
EL蛍光体粒子Bを用いて、前記被覆層AのTiCl4をトリメチルアルミニウムに、反応ガスをO2に換えたこと以外は同様にして、EL蛍光体粒子表面に被覆層を形成し、被覆EL蛍光体粒子Hを得た。回収した被覆EL蛍光体粒子は、その表面に平均膜厚が170nmのAl2O3被覆層を有していた。
EL蛍光体粒子Bを用いて、前記被覆層AのTiCl4をヘキサキスジメチルアミドジアルミニウムに、反応ガスをNH3に換えたこと以外は同様にして、EL蛍光体粒子表面に被覆層を形成し、被覆EL蛍光体粒子Iを得た。回収した被覆EL蛍光体粒子は、その表面に平均膜厚が110nmのAlN被覆層を有していた。
上記EL蛍光体粒子Bを用いて、その粒子表面へ図2に示される撹拌床反応装置を用いてSiO2からなる被覆層を形成した。撹拌床反応装置は、円筒形の反応槽17を配置して、反応槽の中に撹拌装置18を有する。反応槽は周囲をヒーター19で囲まれ温度制御する。反応槽の底部にEL蛍光体粒子1を流動化させるための補助キャリアガス、気体状の被覆層材料及び反応ガスを供給するライン20、21、22を導入する。各ガス供給ラインもヒーターで加熱され、それぞれの中間には、被覆層材料2及び反応剤3を気化するための貯槽23、24を備え、貯槽に収容した被覆層材料及び反応剤をキャリアガス4、5でバブリングすることで気化する。反応槽より排出される未反応ガス又は副生成ガス6は、排気管25より排出されスクラバー(図示せず)に接続される。
上記EL蛍光体粒子Bを用いて、その粒子表面へ図3に示される振動床反応装置を用いてTa2O5からなる被覆層を形成した。振動床反応装置は、蛍光体収容部27を水平配置し、蛍光体収容部を振動発生装置28によって振動させることでEL蛍光体粒子1を流動化する。蛍光体収容部は反応槽29により密閉され、周囲をヒーター30で囲まれ温度制御する。被覆層材料2は、振動床上部にある被覆材料供給ノズル31より送液ポンプ32により液体状で供給され、キャリアガス4及び反応ガス26の供給ラインより供給される反応ガスにより反応する。反応槽より排出される未反応ガス又は副生成ガス6は、排気管より排出されスクラバー(図示せず)に接続される。
上記EL蛍光体粒子Bを用いて、その粒子表面へ図4に示される転動床反応装置を用いてダイヤモンド状カーボンからなる被覆層を形成した。転動床反応装置は、いわゆるロータリーキルンを改良した装置である。回転する石英炉心管34を水平より傾斜角を1°付けて配置した。石英炉心管のほぼ中央部にマイクロ波発生装置35を隣接し、炉心管内部にマイクロ波が照射できるように配置した。EL蛍光体粒子1は、炉心管の傾斜上部の端部より、粉体フィーダー36を用いて供給される。被覆層材料ガス及び背圧ガス33は、EL蛍光体粒子と同じ端部に配置した供給管37より供給される。もう一方の端部は、真空ポンプ(図示せず)に接続され、炉心管内部を減圧する。炉心管内へ供給されたEL蛍光体粒子は、炉心管の回転に伴い徐々に下方へと運搬され、プラズマ発生領域38を経て粉体回収容器39に収容される。
上記EL蛍光体粒子Bを用いて、その粒子表面へ図5に示される液相反応装置を用いてMg3(PO4)2からなる被覆層を形成した。液相反応装置は、半球形の底部を有する反応母液40を収容する円筒形の溶液収容部42と、撹拌装置43と、少なくとも1つの溶液供給管44を有する。撹拌装置の撹拌羽根は、スクリュー型とハドル型の複合型で、上方への撹拌流を形成するように回転され、その周囲にストレーナー45を設けた。溶液供給管は、ストレーナーの底部に供給されるように配置した。溶液供給管は、シリンジポンプ46に接続され、反応液41を供給する。溶液収容部は、ウォータージャケット47で加熱・冷却する。
上記EL蛍光体粒子Bを用いて、その粒子表面へ被覆EL蛍光体粒子Mと同様の液相反応装置を用いてMgF2からなる被覆層を形成した。
溶液収容部に、IPAを2.5L、Mg(CH3COO)2・4H2Oを7.0gを投入し、溶解した。この水溶液中に、EL蛍光体粒子Bを100g投入して、懸濁させて反応母液とした。反応母液を40℃に加熱して、500rpmの回転数で撹拌した。反応溶液として、12.5mlのCF3COOHを87.5mlのIPAに溶解した溶液を調整して、シリンジポンプに収容した。シリンジポンプを稼働させて、反応溶液を2ml/分の速度で添加した。反応溶液の添加終了後、2時間熟成させた。熟成が終了した後、懸濁液を室温まで冷却して、5Cの濾紙を用いて吸引濾過して懸濁液から被覆蛍光体粒子を分離した。ロート上の被覆蛍光体粒子を、ケーキ状のままロート内に蒸留水を1Lずつ3回加えて吸引濾過して洗浄した。濾過した被覆蛍光体粒子のケーキを、真空乾燥機を用いて120℃で4時間の真空乾燥を実施した。乾燥した被覆蛍光体粒子を、空気中で300℃で1時間のアニールをして、被覆EL蛍光体粒子Nを得た。被覆EL蛍光体粒子は、その表面に平均膜厚が50nmのMgF2被覆層を有していた。
上記EL蛍光体粒子Bを用いて、その粒子表面へ図6に示される複合粒子作製装置(シーターコンポーザー)を用いて四フッ化エチレンからなる被覆層を形成した。複合粒子作製装置は、大きな楕円中空を有するローター49と、その楕円の短径より若干小さい長径を有する小さな楕円ローター50が、同軸で組み合わされた構造からなり、大小の楕円のローラーが互いに反対方向に回転する。大小のローターが形成する空間51に、EL蛍光体粒子と被覆材料の混合物48を投入する。
・被覆層膜厚(SEM断面写真から測定)
・遮蔽性(0.1MのAgNO3溶液に浸漬して体色変化を観察し、24時間後変化の無いものを○、暗色化したものを×と評価)
上記で得た被覆EL蛍光体粒子A〜O、及び被覆層を持たないEL蛍光体粒子A〜Gを用いてEL素子を作成した。
100μmのPET支持体上に、表面抵抗率100Ω/□のITO電極を積層させた透明電極フィルムIを準備した。次にITO電極の表面に、中間層を塗布した透明電極フィルムIIを準備した。透明電極フィルムIIは、ビスフェノールAとフタル酸(テレフタル酸とイソフタル酸1:1)のポリエステル(ユニチカ株式会社;U−100)をジクロロメタンに溶解し、濃度14%の溶液を、ディップコート法によって厚み1.5μmの層を形成した。
・シアノレジン ・・・・・25質量部
・シアノレジン ・・・・・30質量部
上記各EL素子に、150Vの交流電圧を印加して、周波数を合わせて300cd/m2となるように駆動したときの初期の発光効率と輝度半減期の測定結果を表2に示した。EL素子の輝度は、輝度計(トプコン;BM9)で測定し、発光効率はEL素子を駆動しているときの消費電力を、パワーマルチメーター(NF回路社製;2721)で測定して発光効率を計算した。
参考として、本発明に用いたEL蛍光体核粒子は、Au、Sb、Bi、CsをZnS母体中に導入することで、EL蛍光体自体の寿命が向上していることが実施例1〜6における核粒子の半減期(H0)の値よりわかる。
53.蛍光体層
54.誘電体層
55.透明電極層
56.PET支持体
57.背面電極層
58.防湿フィルム
Claims (10)
- 少なくともZnS系蛍光体粒子とその表面に形成した被覆層とを含むエレクトロルミネッセンス蛍光体であって、該粒子が、中心粒子サイズが0.1〜15μmであり、粒子サイズ分布の変動係数が35%未満であり、且つ、5nm以下の面間隔の積層欠陥を10枚以上含有する粒子を粒子全体の30%以上含有することを特徴とするエレクトロルミネッセンス蛍光体。
- 前記粒子の平均粒子サイズに対する被覆層の平均膜厚の比が、0.001〜0.1の範囲にあることを特徴とする請求項1に記載のエレクトロルミネッセンス蛍光体。
- 前記ZnS系蛍光体粒子が、付活剤としてCu、Mn、Ag及び希土類元素の群より選ばれる少なくとも1種の元素を含有することを特徴とする請求項1又は2に記載のエレクトロルミネッセンス蛍光体。
- 前記ZnS系蛍光体粒子が、共付活剤としてCl、Br、I、及びAlの群より選ばれる少なくとも1種の元素を含有することを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセンス蛍光体。
- 前記ZnS系蛍光体粒子が、添加物としてAu、Sb、Bi及びCsの群より選ばれる少なくとも1種の元素を含有することを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセンス蛍光体。
- 前記被覆層は、酸化物、窒化物、水酸化物、フッ化物、リン酸塩、ダイヤモンド状カーボン及び有機化合物の群より選ばれる少なくとも1種の化合物を含有することを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセンス蛍光体。
- 前記ZnS系蛍光体粒子の平均粒子サイズよりも大きい平均粒子サイズを有する流動化促進剤の存在下で該粒子を流動化させた状態で、被覆層の原料を供給して該粒子表面に堆積又は反応させることで被覆層を形成することを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセンス蛍光体の製造方法。
- 少なくとも一方が透明である対向する電極対に挟持された蛍光体層と誘電体層とを含む分散型エレクトロルミネッセンス素子において、前記蛍光体層が請求項1〜6のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセンス蛍光体を含むことを特徴とする分散型エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記透明電極と前記蛍光体層の間に少なくとも一層の中間層を付設したことを特徴とする請求項8に記載の分散型エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記中間層は、有機高分子化合物、無機化合物、又はそれら複合物であり、中間層の厚みは10nm〜100μmの範囲であることを特徴とする請求項8又は9に記載の分散型エレクトロルミネッセンス素子。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004233091A JP4562453B2 (ja) | 2004-08-10 | 2004-08-10 | エレクトロルミネッセンス蛍光体、その製造方法、及びエレクトロルミネッセンス素子 |
US11/198,320 US7400085B2 (en) | 2004-08-10 | 2005-08-08 | Electroluminescent phosphor, process for producing the same, and electroluminescent device containing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004233091A JP4562453B2 (ja) | 2004-08-10 | 2004-08-10 | エレクトロルミネッセンス蛍光体、その製造方法、及びエレクトロルミネッセンス素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006052250A true JP2006052250A (ja) | 2006-02-23 |
JP4562453B2 JP4562453B2 (ja) | 2010-10-13 |
Family
ID=36029933
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004233091A Expired - Fee Related JP4562453B2 (ja) | 2004-08-10 | 2004-08-10 | エレクトロルミネッセンス蛍光体、その製造方法、及びエレクトロルミネッセンス素子 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7400085B2 (ja) |
JP (1) | JP4562453B2 (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006124680A (ja) * | 2004-09-29 | 2006-05-18 | Toda Kogyo Corp | 改質蛍光体粒子粉末、該改質蛍光体粒子粉末の製造法及び該改質蛍光体粒子粉末を用いたel素子 |
JP2007273498A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Kyocera Corp | 波長変換器および発光装置 |
JP2007299607A (ja) * | 2006-04-28 | 2007-11-15 | Fujifilm Corp | 無機分散型エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2007299606A (ja) * | 2006-04-28 | 2007-11-15 | Fujifilm Corp | 分散型エレクトロルミネッセンス |
JP2009105044A (ja) * | 2007-10-24 | 2009-05-14 | Samsung Electronics Co Ltd | 分散型無機電界発光素子およびその製造方法 |
JP2012031425A (ja) * | 2010-03-31 | 2012-02-16 | Sekisui Chem Co Ltd | 表面処理蛍光体及び表面処理蛍光体の製造方法 |
WO2013011890A1 (ja) * | 2011-07-15 | 2013-01-24 | タツモ株式会社 | 分散型el用蛍光体および分散型el素子 |
KR20170056677A (ko) * | 2014-09-17 | 2017-05-23 | 코닌클리케 필립스 엔.브이. | 하이브리드 코팅을 갖는 인광체 및 제조 방법 |
JP2017515922A (ja) * | 2014-03-10 | 2017-06-15 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | チオール置換シリコーンを含む複合ナノ粒子 |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4455494B2 (ja) * | 2005-12-28 | 2010-04-21 | 株式会社東芝 | ディスプレイ装置 |
JP4834614B2 (ja) * | 2007-06-12 | 2011-12-14 | キヤノン株式会社 | 放射線検出装置および放射線撮像システム |
US8093797B2 (en) * | 2008-05-01 | 2012-01-10 | Mflex Uk Limited | Electroluminescent displays |
JP2010215787A (ja) * | 2009-03-17 | 2010-09-30 | Fujifilm Corp | 無機蛍光体粒子およびそれを用いた分散型エレクトロルミネッセンス素子 |
JP4980492B2 (ja) | 2010-03-10 | 2012-07-18 | パナソニック株式会社 | Led装置の製造方法 |
DE102010034322A1 (de) | 2010-08-14 | 2012-02-16 | Litec-Lp Gmbh | Oberflächenmodifizierter Silikatleuchtstoffe |
US9196785B2 (en) | 2010-08-14 | 2015-11-24 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting device having surface-modified quantum dot luminophores |
US9234129B2 (en) | 2010-08-14 | 2016-01-12 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Surface-modified quantum dot luminophores |
US9614129B2 (en) | 2010-08-14 | 2017-04-04 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting device having surface-modified luminophores |
CN103855318B (zh) * | 2012-11-30 | 2016-03-23 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 一种有机电致发光器件及其制备方法 |
US9871173B2 (en) | 2015-06-18 | 2018-01-16 | Cree, Inc. | Light emitting devices having closely-spaced broad-spectrum and narrow-spectrum luminescent materials and related methods |
WO2017111099A1 (ja) * | 2015-12-22 | 2017-06-29 | 富士フイルム株式会社 | 波長変換フィルム |
US10541353B2 (en) | 2017-11-10 | 2020-01-21 | Cree, Inc. | Light emitting devices including narrowband converters for outdoor lighting applications |
US10174242B1 (en) * | 2018-05-17 | 2019-01-08 | Eie Materials, Inc. | Coated thioaluminate phosphor particles |
US20240091731A1 (en) * | 2020-04-20 | 2024-03-21 | Lc Sciences | Devices and methods for multiplexing chemical synthesis |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02173086A (ja) * | 1988-12-26 | 1990-07-04 | Toshiba Corp | 電場発光蛍光体及び電場発光素子 |
JPH04264190A (ja) * | 1990-10-05 | 1992-09-18 | Gte Lab Inc | 不感湿性硫化亜鉛ベースのルミネセント物質及びその製造方法 |
JPH08183954A (ja) * | 1994-12-28 | 1996-07-16 | Mitsubishi Materials Corp | El蛍光体粉末 |
JPH08288066A (ja) * | 1995-04-11 | 1996-11-01 | Dainippon Printing Co Ltd | 粉末分散型el素子 |
JPH11204254A (ja) * | 1998-01-14 | 1999-07-30 | Toshiba Corp | 防湿被膜付き蛍光体およびその製造方法 |
JP2000136381A (ja) * | 1998-08-26 | 2000-05-16 | Toshiba Corp | 電場発光蛍光体およびそれを用いた有機分散型電場発光素子 |
JP2002527569A (ja) * | 1998-10-13 | 2002-08-27 | ミネソタ マイニング アンド マニュファクチャリング カンパニー | 酸窒化物カプセル化エレクトロルミネセント蛍光体粒子 |
JP2004137354A (ja) * | 2002-10-17 | 2004-05-13 | Fuji Photo Film Co Ltd | エレクトロルミネッセンス蛍光体 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5643496A (en) * | 1996-04-04 | 1997-07-01 | Osram Sylvania Inc. | Small size electroluminescent phosphor |
JP2001018358A (ja) | 1999-07-07 | 2001-01-23 | Ricoh Microelectronics Co Ltd | 印刷版材、印刷版、該印刷版を用いた印刷方法及び印刷装置 |
DE19953924A1 (de) * | 1999-11-10 | 2001-06-07 | Bundesdruckerei Gmbh | Zinksulfidische Elektroluminophore sowie Verfahren zu ihrer Herstellung |
US20020110702A1 (en) | 2000-12-18 | 2002-08-15 | Gingerich Richard G. W. | Coated electroluminescent phosphor |
US20040007692A1 (en) * | 2002-05-31 | 2004-01-15 | Chenot Charles F. | Method of making electroluminescent phosphor using sonochemistry |
US20050189518A1 (en) * | 2004-02-27 | 2005-09-01 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Method of producing a fluorescent particle |
WO2005087892A1 (ja) * | 2004-03-12 | 2005-09-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | 電界発光蛍光体とその製造方法および電界発光素子 |
JP4051571B2 (ja) | 2004-06-30 | 2008-02-27 | 日本精機株式会社 | 表示装置 |
WO2006046564A1 (ja) * | 2004-10-25 | 2006-05-04 | Fujifilm Corporation | エレクトロルミネッセンス蛍光体及びそれを用いたel素子 |
JP2006233134A (ja) * | 2005-02-28 | 2006-09-07 | Fuji Photo Film Co Ltd | エレクトロルミネッセンス蛍光体、その製造方法及びそれを用いた素子 |
-
2004
- 2004-08-10 JP JP2004233091A patent/JP4562453B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-08-08 US US11/198,320 patent/US7400085B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02173086A (ja) * | 1988-12-26 | 1990-07-04 | Toshiba Corp | 電場発光蛍光体及び電場発光素子 |
JPH04264190A (ja) * | 1990-10-05 | 1992-09-18 | Gte Lab Inc | 不感湿性硫化亜鉛ベースのルミネセント物質及びその製造方法 |
JPH08183954A (ja) * | 1994-12-28 | 1996-07-16 | Mitsubishi Materials Corp | El蛍光体粉末 |
JPH08288066A (ja) * | 1995-04-11 | 1996-11-01 | Dainippon Printing Co Ltd | 粉末分散型el素子 |
JPH11204254A (ja) * | 1998-01-14 | 1999-07-30 | Toshiba Corp | 防湿被膜付き蛍光体およびその製造方法 |
JP2000136381A (ja) * | 1998-08-26 | 2000-05-16 | Toshiba Corp | 電場発光蛍光体およびそれを用いた有機分散型電場発光素子 |
JP2002527569A (ja) * | 1998-10-13 | 2002-08-27 | ミネソタ マイニング アンド マニュファクチャリング カンパニー | 酸窒化物カプセル化エレクトロルミネセント蛍光体粒子 |
JP2004137354A (ja) * | 2002-10-17 | 2004-05-13 | Fuji Photo Film Co Ltd | エレクトロルミネッセンス蛍光体 |
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006124680A (ja) * | 2004-09-29 | 2006-05-18 | Toda Kogyo Corp | 改質蛍光体粒子粉末、該改質蛍光体粒子粉末の製造法及び該改質蛍光体粒子粉末を用いたel素子 |
JP2007273498A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Kyocera Corp | 波長変換器および発光装置 |
JP2007299607A (ja) * | 2006-04-28 | 2007-11-15 | Fujifilm Corp | 無機分散型エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2007299606A (ja) * | 2006-04-28 | 2007-11-15 | Fujifilm Corp | 分散型エレクトロルミネッセンス |
JP2009105044A (ja) * | 2007-10-24 | 2009-05-14 | Samsung Electronics Co Ltd | 分散型無機電界発光素子およびその製造方法 |
JP2012031425A (ja) * | 2010-03-31 | 2012-02-16 | Sekisui Chem Co Ltd | 表面処理蛍光体及び表面処理蛍光体の製造方法 |
WO2013011890A1 (ja) * | 2011-07-15 | 2013-01-24 | タツモ株式会社 | 分散型el用蛍光体および分散型el素子 |
JPWO2013011890A1 (ja) * | 2011-07-15 | 2015-02-23 | タツモ株式会社 | 分散型el用蛍光体および分散型el素子 |
JP2017515922A (ja) * | 2014-03-10 | 2017-06-15 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | チオール置換シリコーンを含む複合ナノ粒子 |
KR20170056677A (ko) * | 2014-09-17 | 2017-05-23 | 코닌클리케 필립스 엔.브이. | 하이브리드 코팅을 갖는 인광체 및 제조 방법 |
JP2017531068A (ja) * | 2014-09-17 | 2017-10-19 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. | ハイブリッドコーティングを有する蛍光体および製造方法 |
JP2020045494A (ja) * | 2014-09-17 | 2020-03-26 | ルミレッズ ホールディング ベーフェー | ハイブリッドコーティングを有する蛍光体および製造方法 |
US11142683B2 (en) | 2014-09-17 | 2021-10-12 | Koninklijke Philips N.V. | Phosphor with hybrid coating and method of production |
JP7048559B2 (ja) | 2014-09-17 | 2022-04-05 | ルミレッズ ホールディング ベーフェー | ハイブリッドコーティングを有する蛍光体および製造方法 |
KR102577454B1 (ko) * | 2014-09-17 | 2023-09-12 | 루미리즈 홀딩 비.브이. | 하이브리드 코팅을 갖는 인광체 및 제조 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7400085B2 (en) | 2008-07-15 |
JP4562453B2 (ja) | 2010-10-13 |
US20070001585A1 (en) | 2007-01-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4562453B2 (ja) | エレクトロルミネッセンス蛍光体、その製造方法、及びエレクトロルミネッセンス素子 | |
JP2006233134A (ja) | エレクトロルミネッセンス蛍光体、その製造方法及びそれを用いた素子 | |
WO2007004577A1 (ja) | 透明導電性フイルム及び該フイルムを用いた分散型エレクトロルミネッセンス素子 | |
US20050189518A1 (en) | Method of producing a fluorescent particle | |
JP2006241183A (ja) | エレクトロルミネッセンス蛍光体及びそれを用いたel素子 | |
WO2006093095A1 (ja) | 分散型エレクトロルミネッセンス素子 | |
CN1354218A (zh) | El荧光体积层薄膜和el元件 | |
US20050104509A1 (en) | Electroluminescent device | |
JP2008251321A (ja) | 無機エレクトロルミネッセンス素子およびこれを備える照明装置 | |
JP2007299606A (ja) | 分散型エレクトロルミネッセンス | |
JP2006232920A (ja) | コアシェル粒子の製造方法 | |
JP2006156358A (ja) | 分散型エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP2005197234A (ja) | エレクトロルミネッセンス素子 | |
US20050122034A1 (en) | Electroluminescent device | |
JP2005306713A (ja) | 無機半導体または蛍光体一次粒子の製造方法および無機半導体または蛍光体一次粒子 | |
US7326366B2 (en) | Method of producing inorganic semiconductor-or phosphor-primary particle and inorganic semiconductor-or phosphor-primary particle | |
JP2006054114A (ja) | エレクトロルミネッセンス素子 | |
WO2006046564A1 (ja) | エレクトロルミネッセンス蛍光体及びそれを用いたel素子 | |
JP2010215787A (ja) | 無機蛍光体粒子およびそれを用いた分散型エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP2006152168A (ja) | エレクトロルミネッセンス蛍光体及びエレクトロルミネッセンス素子 | |
JP2005322567A (ja) | 分散型エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP2006032100A (ja) | 無機分散型エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP2006120555A (ja) | 分散型エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP2005228693A (ja) | 分散型エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 | |
JP2006127978A (ja) | エレクトロルミネッセンス素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20060327 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20061124 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070219 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20071108 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20071115 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20071122 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091005 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091014 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091207 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100420 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100617 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100706 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100727 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130806 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4562453 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |