JP2006049468A - ドライエッチング方法及びドライエッチング装置 - Google Patents
ドライエッチング方法及びドライエッチング装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006049468A JP2006049468A JP2004226471A JP2004226471A JP2006049468A JP 2006049468 A JP2006049468 A JP 2006049468A JP 2004226471 A JP2004226471 A JP 2004226471A JP 2004226471 A JP2004226471 A JP 2004226471A JP 2006049468 A JP2006049468 A JP 2006049468A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dry etching
- stage
- heat conduction
- pressure
- region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
【解決手段】ステージをいくつかの領域に分割し、各領域毎にステージ温度、熱伝導用ガス流量及び圧力を設定してドライエッチングを行なうこと。1)仕切り25によって、いくつかの領域に一体的に分割されたステージ、2)分割されたステージ毎にステージ温度を設定し、維持する機構27、3)分割されたステージ毎に熱伝導用ガス流量及び圧力を設定し、維持する機構28を具備すること。
【選択図】図6
Description
エッチング中のウェハの温度は、加工寸法やエッチング深さ等のエッチング特性に大きく影響するため、ウェハ温度は重要なパラメータの一つである。従って、より精密なプロセスを実現するために、一般にはウェハの冷却を行ない、ウェハの温度分布を均一化することが要求されている。このため、カソードステージには様々な工夫がなされている。
改善、または意図的に温度分布を持たすことが可能となっている。この方式は、ヒータの独立制御によってウェハ温度をコントロールするものであるが、熱伝導用ガスは第一の従来技術と同様に1系統であるため、熱伝導ガスの圧力を領域毎にコントロールすることはできない。
また、メンブレンの破壊を避けるために熱伝導用ガスの圧力を下げるか、流量をゼロにすると、メンブレンは破れないが、EBマスクや、X線マスク、IPLマスク全体の冷却が不十分になり、レジストとの選択性が低下するなどのエッチング特性が大きく低下していしまう。
ッチング方法及びドライエッチング装置を提供することを課題とするものである。また、本発明は、EBマスクや、X線マスク、IPLマスク、イオン注入装置用マスクに限らず、必要に応じてディスプレイ基板などの様々なドライエッチングにも適応できる。
1)仕切りによって、いくつかの領域に一体的に分割されたステージ、
2)分割されたステージ毎にステージ温度を設定し、維持する機構、
3)分割されたステージ毎に熱伝導用ガス流量及び圧力を設定し、維持する機構、
を少なくとも具備することを特徴とするドライエッチング装置である。
図5及び図6は、本発明のドライエッチング装置のカソードステージユニット23の説明図である。図5はカソードステージユニットの上方からの平面図であり、図6は図5のXY線に沿った断面図である。
い。また、ブロック数を多くした方が、試料の温度、裏面の熱伝導用ガス圧力及び流量の細かい制御が可能となるが、ブロックの数だけ流量コントローラ、圧力計、チラー温度コントローラ、配管等が必要となる。
エッチング前後の酸化膜の膜厚を光学式膜厚計により測定することで、エッチングレートの面内分布を求めた。
その他のエッチング条件は、プラズマソース:500W、バイアスパワー:100W、エッチングガス:CF4 =20sccm、圧力:15mTorrに固定し、カソードステージユニットの条件のみをパラメータとして、酸化膜のエッチングレートの面内分布を測定した。
このように、各領域毎の熱伝導用Heの圧力制御は、各領域毎の温度制御と同様の効果が得られる。
次に、EBレジスト56をコート(図14(b))し、描画、現像によりレジストパターン57を形成した(図14(c))。その後、本発明のドライエッチング装置を用い、3種類のカソードステージの条件でドライエッチングすることによりメンブレン領域にメインパターン形成を実施した(図14(d))。
2、29・・・プラズマ発生用の高周波発振器
3・・・プラズマ
4・・・カソードステージ
5、12、18、38・・・ウェハ
6、30・・・RFバイアス制御用の高周波発振器
7・・・ブロッキングコンデンサ
8、37、39・・・整合器
9、34・・・コイル
10、32・・・反応ガス供給口
11、33・・・反応ガス排気口
13、19・・・ステージ
14、28a〜28i、45・・・熱伝導用ガスの導入口
15、27a〜27e、46・・・加熱及び冷却用チラー配管
16・・・ヒータ
17、25、41,55・・・仕切り
20,54・・・熱伝導用ガスの導入口
21・・・メンブレン領域
22・・・バルク領域
23、35・・・カソードステージユニット
24、40、51・・・静電チャック
26a〜26i・・・ブロック(領域)
36・・・ブロッキングコンデンサ
47・・・エッチング前のシリコンウェハ
48・・・熱酸化膜
49・・・シリコン
50・・・エッチング後のシリコンウェハ
56・・・EBレジスト
57・・・レジストパターン
A・・・外周領域
B・・・通常領域
C、E・・・中心領域
D・・・周辺領域
Claims (3)
- 基板とステージの間に基板の冷却もしくは加熱を促進するための熱伝導用ガスを導入しながらドライエッチングを行なう方法において、ステージをいくつかの領域に分割し、各領域毎にステージ温度、熱伝導用ガス流量及び圧力を設定してドライエッチングを行なうことを特徴とするドライエッチング方法。
- 基板とステージの間に基板の冷却もしくは加熱を促進するための熱伝導用ガスを導入しながらドライエッチングを行なうドライエッチング装置において、
1)仕切りによって、いくつかの領域に一体的に分割されたステージ、
2)分割されたステージ毎にステージ温度を設定し、維持する機構、
3)分割されたステージ毎に熱伝導用ガス流量及び圧力を設定し、維持する機構、
を少なくとも具備することを特徴とするドライエッチング装置。 - 前記熱伝導用ガスが、HeもしくはArであることを特徴とする請求項2記載のドライエッチング装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004226471A JP4595431B2 (ja) | 2004-08-03 | 2004-08-03 | ドライエッチング方法及びドライエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004226471A JP4595431B2 (ja) | 2004-08-03 | 2004-08-03 | ドライエッチング方法及びドライエッチング装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006049468A true JP2006049468A (ja) | 2006-02-16 |
JP4595431B2 JP4595431B2 (ja) | 2010-12-08 |
Family
ID=36027698
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004226471A Expired - Fee Related JP4595431B2 (ja) | 2004-08-03 | 2004-08-03 | ドライエッチング方法及びドライエッチング装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4595431B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010114397A (ja) * | 2008-11-10 | 2010-05-20 | Canon Inc | 露光装置およびデバイス製造方法 |
JP2010183044A (ja) * | 2009-01-08 | 2010-08-19 | Toppan Printing Co Ltd | ステンシルマスク及び電子線露光方法 |
JP2011503877A (ja) * | 2007-11-07 | 2011-01-27 | マットソン テクノロジー インコーポレイテッド | 温度制御のための流体ゾーンを備えるワークピース支持体 |
JP2020068350A (ja) * | 2018-10-26 | 2020-04-30 | 日本特殊陶業株式会社 | 保持装置 |
WO2024070267A1 (ja) * | 2022-09-29 | 2024-04-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1041378A (ja) * | 1996-04-25 | 1998-02-13 | Applied Materials Inc | 温度フィードバックと接触面積が小さくされた圧力ゾーンを有する基板支持体 |
JP2002009064A (ja) * | 2000-06-21 | 2002-01-11 | Hitachi Ltd | 試料の処理装置及び試料の処理方法 |
JP2004259826A (ja) * | 2003-02-25 | 2004-09-16 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
-
2004
- 2004-08-03 JP JP2004226471A patent/JP4595431B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1041378A (ja) * | 1996-04-25 | 1998-02-13 | Applied Materials Inc | 温度フィードバックと接触面積が小さくされた圧力ゾーンを有する基板支持体 |
JP2002009064A (ja) * | 2000-06-21 | 2002-01-11 | Hitachi Ltd | 試料の処理装置及び試料の処理方法 |
JP2004259826A (ja) * | 2003-02-25 | 2004-09-16 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011503877A (ja) * | 2007-11-07 | 2011-01-27 | マットソン テクノロジー インコーポレイテッド | 温度制御のための流体ゾーンを備えるワークピース支持体 |
JP2010114397A (ja) * | 2008-11-10 | 2010-05-20 | Canon Inc | 露光装置およびデバイス製造方法 |
JP2010183044A (ja) * | 2009-01-08 | 2010-08-19 | Toppan Printing Co Ltd | ステンシルマスク及び電子線露光方法 |
JP2020068350A (ja) * | 2018-10-26 | 2020-04-30 | 日本特殊陶業株式会社 | 保持装置 |
JP7198629B2 (ja) | 2018-10-26 | 2023-01-04 | 日本特殊陶業株式会社 | 保持装置 |
WO2024070267A1 (ja) * | 2022-09-29 | 2024-04-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4595431B2 (ja) | 2010-12-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4652140B2 (ja) | プラズマエッチング方法、制御プログラム、コンピュータ記憶媒体 | |
JP5205378B2 (ja) | Rf変調によって弾道電子ビームの均一性を制御する方法及びシステム | |
US7416677B2 (en) | Exhaust assembly for plasma processing system and method | |
TWI689995B (zh) | 被處理體之處理方法 | |
JP5238556B2 (ja) | 基板処理方法 | |
TW200952069A (en) | Plasma processing method and computer readable storage medium | |
TWI601181B (zh) | 利用電漿處理工件之系統、複合工件之選擇性電漿處理法及利用相同方法獲得的經蝕刻之複合工件 | |
TWI525692B (zh) | Plasma etching method, control program and computer memory media | |
JP2011049360A (ja) | プラズマエッチング方法 | |
JP4595431B2 (ja) | ドライエッチング方法及びドライエッチング装置 | |
JP2008172184A (ja) | プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置、制御プログラム及びコンピュータ記憶媒体 | |
US11721522B2 (en) | Plasma processing method and plasma processing apparatus | |
JP6840041B2 (ja) | エッチング方法 | |
JP2004152960A (ja) | ドライエッチング装置及びエッチング方法 | |
JP2007116031A (ja) | 半導体装置の製造方法、半導体装置の製造装置、制御プログラム及びコンピュータ記憶媒体 | |
JP3172340B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP4541193B2 (ja) | エッチング方法 | |
TW201921433A (zh) | 基片蝕刻方法及其相應的處理裝置 | |
TW202002068A (zh) | 蝕刻方法及電漿處理裝置 | |
JP2005026348A (ja) | プラズマ処理方法 | |
JP7229033B2 (ja) | 基板処理方法及び基板処理装置 | |
JP4800077B2 (ja) | プラズマエッチング方法 | |
JP3752468B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP3752464B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2008243939A (ja) | プラズマエッチング方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070726 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080303 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100511 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100709 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100824 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100906 |
|
R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131001 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |