JP2006032481A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 縦型PNPトランジスタにおいて、コレクタ導出領域のコレクタ抵抗を低抵抗に設定できることによって、コレクタ−エミッタ間耐圧やアーリー電圧を高くする。
【解決手段】 一導電型の半導体層を持つ半導体基板1と、半導体層内に導電率を高くした環状の領域3bを有する逆導電型の第一のコレクタ層5bと、半導体層内に第一のコレクタ層5bの上方に設けられた逆導電型の第二のコレクタ層8bと、第一のコレクタ層5bの環状の領域3bの内側の導電率が低い領域3cの上方で第二のコレクタ層8b内に設けられた一導電型のベース層14と、ベース層14内に設けられた逆導電型のエミッタ層16とを備えている。これによりベース層直下に不純物濃度が低いコレクタ領域3cを持ち、コレクタ領域の周囲は不純物濃度を高めた環状のコレクタ領域3bによってコレクタ抵抗を低抵抗に設定できる。
【選択図】 図1
【解決手段】 一導電型の半導体層を持つ半導体基板1と、半導体層内に導電率を高くした環状の領域3bを有する逆導電型の第一のコレクタ層5bと、半導体層内に第一のコレクタ層5bの上方に設けられた逆導電型の第二のコレクタ層8bと、第一のコレクタ層5bの環状の領域3bの内側の導電率が低い領域3cの上方で第二のコレクタ層8b内に設けられた一導電型のベース層14と、ベース層14内に設けられた逆導電型のエミッタ層16とを備えている。これによりベース層直下に不純物濃度が低いコレクタ領域3cを持ち、コレクタ領域の周囲は不純物濃度を高めた環状のコレクタ領域3bによってコレクタ抵抗を低抵抗に設定できる。
【選択図】 図1
Description
この発明は、コレクタ抵抗を増加させることなく高いアーリー電圧を実現した縦型バイポーラトランジスタを備えた半導体装置およびその製造方法に関する。
一般に高性能なアナログ回路は、NPNトランジスタのみで構成することは困難であるため、NPNトランジスタとPNPトランジスタを相補対に組み合わせて構成することが多い。しかし、高周波信号を扱う回路においては、従来のラテラルPNPトランジスタは高周波化することが難しい為、製造工程が複雑となる縦型PNPトランジスタを形成している。この縦型PNPトランジスタの構造を図5に従って説明する。
P型半導体基板にアンチモンなどのN型不純物を選択拡散してN+領域22を形成し、更にボロンなどのP型不純物を選択拡散して素子分離用のP+領域103を形成する。
基板表面の酸化膜を除去した後に、気層成長法によって全面にN型のエピタキシャル層24を形成する。縦型PNPトランジスタ用のN+領域102を形成し、更にボロンなどのP型不純物を選択拡散して素子分離用のP+領域23aと縦型PNPトランジスタのP+コレクタ埋め込み層23bを形成する。エピタキシャル層24の表面を清浄化した後に熱酸化して膜厚が1000Å程度のシリコン酸化膜を形成し、次いで酸化膜の上に膜厚が1000Å程度のシリコン窒化膜を堆積する。これを通常のホトエッチング技術によってパターニングし、P+コレクタ埋め込み層23bの上方にP+コレクタ埋め込み層23bの平面視の面積よりは小さな面積を持つ耐酸化膜を形成する。そして、1100℃、酸化雰囲気中で1〜3時間程度熱処理することにより、エピタキシャル層24の表面を熱酸化してLOCOS酸化膜を形成する。LOCOS酸化膜は1.5μ程度の膜厚に形成され、酸化前のエピタキシャル層表面から下方に0.6μm程度、上方に0.9μm程度の割合で形成される。
基板表面の酸化膜を除去した後に、気層成長法によって全面にN型のエピタキシャル層24を形成する。縦型PNPトランジスタ用のN+領域102を形成し、更にボロンなどのP型不純物を選択拡散して素子分離用のP+領域23aと縦型PNPトランジスタのP+コレクタ埋め込み層23bを形成する。エピタキシャル層24の表面を清浄化した後に熱酸化して膜厚が1000Å程度のシリコン酸化膜を形成し、次いで酸化膜の上に膜厚が1000Å程度のシリコン窒化膜を堆積する。これを通常のホトエッチング技術によってパターニングし、P+コレクタ埋め込み層23bの上方にP+コレクタ埋め込み層23bの平面視の面積よりは小さな面積を持つ耐酸化膜を形成する。そして、1100℃、酸化雰囲気中で1〜3時間程度熱処理することにより、エピタキシャル層24の表面を熱酸化してLOCOS酸化膜を形成する。LOCOS酸化膜は1.5μ程度の膜厚に形成され、酸化前のエピタキシャル層表面から下方に0.6μm程度、上方に0.9μm程度の割合で形成される。
また、該熱処理によってN+埋め込み層22やP+コレクタ埋め込み層23bが上下方向に拡散される。このとき、熱処理が酸化を行うために酸素を供給した処理であれば、供給した酸素の影響によってN+埋め込み層102やP+コレクタ埋め込み層23bの拡散が増速拡散の影響を受ける。増速酸化の影響はエピタキシャル層24が露出した領域で発生し、酸素を通過しない耐酸化膜下部では影響が出ない。その為、耐酸化膜の下に位置するP+コレクタ埋め込み層23bの中央付近はそれ程拡散されず、周辺部分は大きく拡散されて、断面形状で中央が凹んだ形状に拡散される。中央部と周辺部との拡散量の差は約0.5μmである。
耐酸化膜を除去し、残ったLOCOS酸化膜を選択マスクとして全体に燐をイオン注入し、注入した不純物を熱拡散することによりN―ウェル領域を形成する。
そして、LOCOS酸化膜を除去する。耐酸化膜を形成した部分は選択酸化の影響を受けていないので、LOCOS酸化膜を形成した部分のエピタキシャル層の膜厚は減じられて薄い領域となり、形成しない部分のエピタキシャル層の膜厚は形成前と同等の厚い領域となる。よって、エピタキシャル層24の表面に段差を設けることが出来る。この段差は、約0.6μ程度である。
そして、膜厚の薄い領域のエピタキシャル層24表面からボロンを選択拡散して、素子分離用のP+領域25aと、縦型PNPトランジスタのP+コレクタ導出領域25bを形成する。P+領域25aはP+領域23aに達して素子分離を完成させ、P+コレクタ導出領域25bはコレクタ埋め込み層23bに達して縦型PNPトランジスタのベースとなるべき領域を区画する。
P+領域23bとコレクタ導出領域25bは、共に膜厚の薄い領域からの拡散となる。従って、P+領域23bとコレクタ導出領域25bの拡散の先端部は、LOCOS酸化膜によって形成した段差の分だけ下方に達することになる。
エピタキシャル層24表面から各種拡散処理を行って、縦型PNPトランジスタのN+ベース領域34、P+エミッタ領域36を形成する。P+エミッタ領域36は、耐酸化膜によってエピタキシャル層の膜厚が減じられていない厚い領域からの拡散になる。その後、電極配線を配置する。
この様に、エピタキシャル層表面に段差を設け。段差の上部からP+エミッタ領域36を形成することで、P+エミッタ領域36とコレクタ埋め込み層23bとの間隔を拡大できる。加えて、耐酸化膜で被覆した箇所のコレクタ埋め込み層23bは増速酸化されないので凹んでおり、凹みによって前記間隔を更に拡大することが出来る。よって、縦型PNPトランジスタのエミッタ・コレクタ間耐圧VCEOを増大できる。
特開平11−31386号公報(第3図)
しかしながら、前記従来の半導体装置の製造方法では、次のような問題を有していた。
まず、縦型PNPトランジスタのコレクタ導出領域の上方拡散拡がり量をLOCOS膜形成時の増速拡散にゆだねている為、所望の不純物濃度に制御することは困難である。また、コレクタ導出領域をエミッタ形成領域より低い位置に形成する目的でLOCOS酸化膜を除去し表面が露出している構造となっているので、表面を保護する為に十分な厚さの絶縁膜を形成し、しかる後に各電極を設ける必要がある。このため工程数増加による製造コストの増加や歩留まり低下を生じやすいという課題があった。
したがって、この発明の目的は、前記従来の課題を解決するものであり、工程の増加を伴うことなく真性ベース領域直下のコレクタ領域を低不純物濃度に制御可能であると共にコレクタ導出領域のコレクタ抵抗を低抵抗に設定できることによって、コレクタ−エミッタ間耐圧やアーリー電圧を高くした半導体装置およびその製造方法を提供することである。
前記目的を達成するために、この発明の請求項1記載の半導体装置は、一導電型の半導体層を持つ半導体基板と、前記半導体層内に導電率を高くした環状の領域を有する逆導電型の第一のコレクタ層と、前記半導体層内に前記第一のコレクタ層の上方に設けられた逆導電型の第二のコレクタ層と、前記第一のコレクタ層の前記環状の領域の内側の導電率が低い領域の上方で前記第二のコレクタ層内に設けられた一導電型のベース層と、前記ベース層内に設けられた逆導電型のエミッタ層とを備えた。
請求項2記載の半導体装置は、請求項1記載の半導体装置において、前記第一のコレクタ層の環状の領域に対応して前記第二のコレクタ層を環状に導電率が高くなるように形成した。
請求項3記載の半導体装置の製造方法は、半導体基板に一導電型の埋め込み層を形成する工程と、前記埋め込み層に逆導電型の不純物導入領域を環状に形成する工程と、前記不純物導入領域を形成した前記半導体基板上に一導電型の半導体層を形成する工程と、前記半導体層内に前記不純物領域の導電率を高くした環状の領域を有する逆導電型の第一のコレクタ層を形成する工程と、前記半導体層内に前記第一のコレクタ層の上方に逆導電型の第二のコレクタ層を形成する工程と、前記第一のコレクタ層の前記環状の領域の内側の上方で前記第二のコレクタ層内に一導電型のベース層を形成する工程と、前記ベース層内に逆導電型のエミッタ層を形成する工程とを含む。
請求項4記載の半導体装置の製造方法は、請求項3記載の半導体装置の製造方法において、前記第二のコレクタ層は、前記第一のコレクタ層の環状の領域に対応して逆導電型の不純物導入領域を環状に形成する。
この発明の請求項1記載の半導体装置によれば、半導体層内に導電率を高くした環状の領域を有する逆導電型の第一のコレクタ層と、半導体層内に第一のコレクタ層の上方に設けられた逆導電型の第二のコレクタ層と、第一のコレクタ層の環状の領域の内側の導電率が低い領域の上方で第二のコレクタ層内に設けられた一導電型のベース層と、ベース層内に設けられた逆導電型のエミッタ層とを備えているので、ベース層直下に不純物濃度が低いコレクタ領域を持ち、コレクタ領域の周囲は不純物濃度を高めた環状のコレクタ領域によって、コレクタ導出領域のコレクタ抵抗を低抵抗に設定してコレクタ電流の電流密度を高くしながらベース直下の低不純物濃度のコレクタ領域によってアーリー電圧とエミッタ−コレクタ耐圧を高くした縦型PNPトランジスタを備える半導体装置を実現することができる。
請求項2では、請求項1記載の半導体装置において、第一のコレクタ層の環状の領域に対応して第二のコレクタ層を環状に導電率が高くなるように形成することが望ましい。コレクタ導出領域のコレクタ抵抗をさらに低抵抗に設定できる。
この発明の請求項3記載の半導体装置によれば、埋め込み層に逆導電型の不純物導入領域を環状に形成する工程と、不純物導入領域を形成した半導体基板上に一導電型の半導体層を形成する工程と、半導体層内に不純物領域の導電率を高くした環状の領域を有する逆導電型の第一のコレクタ層を形成する工程と、半導体層内に第一のコレクタ層の上方に逆導電型の第二のコレクタ層を形成する工程と、第一のコレクタ層の環状の領域の内側の上方で第二のコレクタ層内に一導電型のベース層を形成する工程と、ベース層内に逆導電型のエミッタ層を形成する工程とを含むので、ベース層直下に不純物濃度が低いコレクタ領域を持ち、コレクタ領域の周囲に不純物濃度を高めた環状のコレクタ領域を形成することができる。このため、従来のようにLOCOS酸化膜形成時の増速拡散により不純物濃度を制御する場合に比較して、工程の増加を伴うことなく、真性ベース領域直下のコレクタ領域を低不純物濃度に制御可能であり、請求項1と同様の効果が得られる。
請求項4では、請求項3記載の半導体装置の製造方法において、第二のコレクタ層は、第一のコレクタ層の環状の領域に対応して逆導電型の不純物導入領域を環状に形成することが望ましい。コレクタ導出領域のコレクタ抵抗をさらに低抵抗に設定できる。
この発明の実施の形態を図1〜図4に基づいて説明する。図1は本発明の実施形態における半導体装置の断面図である。
図1に示すように、一導電型の半導体層を持つ半導体基板1と、半導体層内に導電率を高くした環状の領域3bを有する逆導電型の第一のコレクタ層5bと、半導体層内に第一のコレクタ層5bの上方に設けられた逆導電型の第二のコレクタ層8bと、第一のコレクタ層5bの環状の領域3bの内側の導電率が低い領域の上方で第二のコレクタ層8b内に設けられた一導電型のベース層14と、ベース層14内に設けられた逆導電型のエミッタ層16とを備えている。
この場合、1はP型シリコン基板、2はN型埋め込み領域、3aはP型埋め込み分離領域、3bはP型埋め込みコレクタ領域、4はN型エピタキシャル層、5aはP型分離領域、5bはP型コレクタ領域(第一のコレクタ領域)、5cはP型低濃度コレクタ領域、6はN型拡散領域、7は酸化膜、8aはP型分離チャネルストッパー領域、8bは第二のコレクタ領域、9は第一のP型ポリシリコン膜、10はコレクタコンタクト領域、11はN型ポリシリコン膜、12は外部ベース領域、13は第1の絶縁膜、14は真性ベース領域、15は第二のP型ポリシリコン膜、16はエミッタ領域、17は第2の絶縁膜、18はコレクタ電極、19はベース電極、20はエミッタ電極である。
次に上記半導体装置の製造方法について説明する。図2〜4は本実施形態における半導体装置の製造方法の工程を示す断面図である。
まず、図2に示すように、P型シリコン基板1に、例えばアンチモンをイオン注入し、1200℃,30分程度の熱処理を実施し、縦型PNPトランジスタのコレクタ領域をP型シリコン基板から分離するN型埋め込み領域2を形成する。その後、例えばボロンをイオン注入し、900℃,30分程度の熱処理によってP型埋め込み分離領域3aと縦型PNPトランジスタの環状に不純物導入領域を設定したP型埋め込みコレクタ領域3bを形成する。
そして、P型シリコン基板1に例えば約2μmのN型エピタキシャル層4を形成する。その後、例えばレジストをマスクとして、ボロンおよびリンを所定の領域にイオン注入し、1100℃,100分程度の熱処理を実施し、P型埋め込み分離領域3aと接続し素子間の分離をするP型分離領域5aと、P型埋め込みコレクタ領域3bと接続して縦型PNPトランジスタのP型コレクタ領域5bと、N型埋め込み領域2と接続して縦型PNPトランジスタのP型埋め込みコレクタ領域3bおよびP型コレクタ領域5bをP型シリコン基板1から分離するN型拡散領域6を形成する。この時、縦型PNPトランジスタの環状P型コレクタ領域の内側は環状の高濃度領域からの横方向拡散により、低濃度のP型コレクタ領域3cを形成する。
さらに、酸化膜7を形成した後に、例えば厚いレジストマクスによって選択酸化膜7を付き抜けた位置にボロンをイオン注入し、P型分離チャネルストッパー領域8aおよび第2のコレクタ領域8bを形成する。
次に、図3に示すように、例えばCVD法によってN型エピタキシャル層(半導体層)4の上部全面にポリシリコン膜を成長させ、レジストマスクによってボロンをイオン注入し、その後再びレジストマスクを用いてリンをイオン注入し、そのポリシリコン膜をエッチングによって所定の形状にし、第1のP型ポリシリコン膜9とN型ポリシリコン膜11を形成する。その後、酸素雰囲気の中、900℃,30分程度の熱処理を実施し、第1のP型ポリシリコン膜9,N型ポリシリコン膜11およびP型コレクタ領域5bの表面に第1の絶縁膜13を形成すると共に、コレクタコンタクト領域10と外部ベース領域12を形成する。その後、例えばボロンを第1の絶縁膜13を付き抜けてイオン注入し低濃度のP型コレクタ領域5cの直上に真性ベース領域14を形成する。
次に、図4に示すように、ポリシリコン膜を成長した後に、例えばボロンをイオン注入し、エッチング処理によって第2のP型ポリシリコン膜15を形成する。その後、例えばBPSG膜を第2の絶縁膜17として成長させて、その後、酸化雰囲気中にて、850℃,60分程度のリフロー処理を実施し、第2の絶縁膜17の表面の平坦化を行うと共にエミッタ領域16を形成する。
その後、第2の絶縁膜17の所定の領域を開孔し、その後、第1のP型ポリシリコン膜9,N型ポリシリコン膜11および第2のP型ポリシリコン膜15に接続するコレクタ電極18、ベース電極19およびエミッタ電極20を形成する(図1)。
以上のように本実施の形態では、縦型PNPトランジスタの埋め込みP型コレクタ領域3bを環状に濃度が高い領域とし、環状の内側の濃度の低いコレクタ領域3cに真性ベース領域14を形成することによって、低抵抗のコレクタ領域3bと低濃度のコレクタ領域3cとの効果から高電流密度と高いアーリー電圧とを実現できる。なお、本実施形態において、第2のコレクタ領域8bを一様に不純物導入して形成したが、これに代えてP型埋め込みコレクタ領域3bと対応して環状に不純物導入して形成しても良い。また、P型埋め込みコレクタ領域3bを環状に不純物導入して形成したが、これに代えて逆スリット状に不純物導入領域を設定して形成しても本効果が得られるのは言うまでもない。
本発明に係る半導体装置およびその製造方法は、真性ベース直下には不純物濃度が低いコレクタ領域を持ち、コレクタ領域の周囲は不純物濃度を高めたコレクタ領域によって、コレクタ電流の電流密度を高めながらアーリー電圧とエミッタ−コレクタ耐圧を高くした縦型PNPトランジスタを備える半導体装置を実現することができ、縦型バイポーラトランジスタの高性能化を実現する方法等に有用である。
1 P型シリコン基板
2,22 N型埋め込み領域
3a,23a P型埋め込み分離領域
3b,23b P型埋め込みコレクタ領域
4,24 N型エピタキシャル層
5a,25a P型分離領域
5b P型コレクタ領域
6 N型拡散領域
7 酸化膜
8a P型分離チャネルストッパー領域
8b 第二のコレクタ領域
9 第一のP型ポリシリコン膜
10 コレクタコンタクト領域
11 N型ポリシリコン膜
12 外部ベース領域
13 第一の絶縁膜
14,34 真性ベース領域
15 第二のP型ポリシリコン膜
16,36 エミッタ領域
17 第二の絶縁膜
18 コレクタ電極
19 ベース電極
20 エミッタ電極
25b コレクタ導出領域
102 N+領域
103 P+領域
2,22 N型埋め込み領域
3a,23a P型埋め込み分離領域
3b,23b P型埋め込みコレクタ領域
4,24 N型エピタキシャル層
5a,25a P型分離領域
5b P型コレクタ領域
6 N型拡散領域
7 酸化膜
8a P型分離チャネルストッパー領域
8b 第二のコレクタ領域
9 第一のP型ポリシリコン膜
10 コレクタコンタクト領域
11 N型ポリシリコン膜
12 外部ベース領域
13 第一の絶縁膜
14,34 真性ベース領域
15 第二のP型ポリシリコン膜
16,36 エミッタ領域
17 第二の絶縁膜
18 コレクタ電極
19 ベース電極
20 エミッタ電極
25b コレクタ導出領域
102 N+領域
103 P+領域
Claims (4)
- 一導電型の半導体層を持つ半導体基板と、
前記半導体層内に導電率を高くした環状の領域を有する逆導電型の第一のコレクタ層と、
前記半導体層内に前記第一のコレクタ層の上方に設けられた逆導電型の第二のコレクタ層と、
前記第一のコレクタ層の前記環状の領域の内側の導電率が低い領域の上方で前記第二のコレクタ層内に設けられた一導電型のベース層と、
前記ベース層内に設けられた逆導電型のエミッタ層とを備えた半導体装置。 - 前記第一のコレクタ層の環状の領域に対応して前記第二のコレクタ層を環状に導電率が高くなるように形成した請求項1記載の半導体装置。
- 半導体基板に一導電型の埋め込み層を形成する工程と、
前記埋め込み層に逆導電型の不純物導入領域を環状に形成する工程と、
前記不純物導入領域を形成した前記半導体基板上に一導電型の半導体層を形成する工程と、
前記半導体層内に前記不純物領域の導電率を高くした環状の領域を有する逆導電型の第一のコレクタ層を形成する工程と、
前記半導体層内に前記第一のコレクタ層の上方に逆導電型の第二のコレクタ層を形成する工程と、
前記第一のコレクタ層の前記環状の領域の内側の上方で前記第二のコレクタ層内に一導電型のベース層を形成する工程と、
前記ベース層内に逆導電型のエミッタ層を形成する工程とを含む半導体装置の製造方法。 - 前記第二のコレクタ層は、前記第一のコレクタ層の環状の領域に対応して逆導電型の不純物導入領域を環状に形成する請求項3記載の半導体装置の製造方法。
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JP2009539248A (ja) * | 2006-06-02 | 2009-11-12 | アギア システムズ インコーポレーテッド | バイポーラ接合トランジスタのためのコレクタ基板静電容量を減少させる構造体および方法 |
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