JP2007123949A - 半導体装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】縦型PNPトランジスタにおけるP型コレクタ領域5bの上部に、外部ベース領域12を取り囲む形状で、前記第1のコレクタ領域5bより濃度の高いP型分離チャンネルストッパー領域8aと第2のコレクタ領域8bを形成することによって、真性ベース領域14直下のP型コレクタ領域5bによってアーリー電圧が高まり、低抵抗の第2のコレクタ領域8bによってコレクタ抵抗が下がり、コレクタ電流を大きくすることができる。
【選択図】図1
Description
2 N型埋め込み領域
3a P型埋め込み分離領域
3b P型埋め込みコレクタ領域
4 N型エピタキシャル層
5a P型分離領域
5b P型コレクタ領域(第1のコレクタ領域)
6 N型拡散領域
7 酸化膜
8a P型分離チャンネルストッパー領域
8b 第2のコレクタ領域
9 第1のP型ポリシリコン膜
10 コレクタコンタクト領域
11 N型ポリシリコン膜
12 外部ベース領域
13 第1の絶縁膜
14 真性ベース領域
15 第2のP型ポリシリコン膜
16 エミッタ領域
17 第2の絶縁膜
18 コレクタ電極
19 ベース電極
20 エミッタ電極
Claims (2)
- 埋め込みコレクタ領域と、前記埋め込みコレクタ領域と接続する第1のコレクタ領域と、前記第1のコレクタ領域内へ形成された外部ベース領域と真性ベース領域とを備えるとともに、前記外部ベース領域における前記第1のコレクタ領域との接合位置を前記真性ベース領域における前記第1のコレクタ領域との接合位置に対して上方に配設し、前記第1のコレクタ領域の上部に形成されて前記真性ベース領域における前記第1のコレクタ領域との接合位置と同じ深さに前記外部ベース領域を囲む位置に前記第1のコレクタ領域に対して不純物濃度を高くした素子分離用のチャンネルストッパー層を第2のコレクタ領域として備えたことを特徴とする半導体装置。
- 埋め込みコレクタ領域を形成する工程と、前記埋め込みコレクタ領域と接続するように表面から第1のコレクタ領域を形成する工程と、前記第1のコレクタ領域内へ外部ベース領域を形成する工程と、前記第1のコレクタ領域内へ前記外部ベース領域における前記第1のコレクタ領域との接合位置より下方に真性ベース領域を形成する工程と、前記第1のコレクタ領域の上部に形成されて前記真性ベース領域における前記第1のコレクタ領域との接合位置と同じ深さに前記外部ベース領域を囲む位置に前記第1のコレクタ領域に対して不純物濃度を高くした第2のコレクタ領域を素子分離用のチャンネルストッパー層と同時に形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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