JP2006013093A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】出力端子に負電圧が印加されたときの誤動作を防止し、ESD等のサージからも保護する半導体集積回路装置を提供する。
【解決手段】上アーム側のスイッチング素子Q2,Q4,Q6の素子領域2,4,6と小信号部8との間に寄生対策用のダミーアイランド13を配置して、ダミーアイランド13内に形成された高濃度N型拡散層10と、素子領域2,4,6内に形成された高濃度N型拡散層9とを電源端子に接続する。さらに、P型分離拡散層30と高濃度N型拡散層10との離間距離(第1の距離11)をP型分離拡散層30と高濃度N型拡散層9との離間距離(第2の距離12)に比べて短くする。これにより、ダミーアイランド13のブレイクダウン電圧を上アーム側のスイッチング素子2,4,6の耐圧より低くして、スイッチング素子Q2,Q4,Q6を電源サージから保護する。
【選択図】図1
【解決手段】上アーム側のスイッチング素子Q2,Q4,Q6の素子領域2,4,6と小信号部8との間に寄生対策用のダミーアイランド13を配置して、ダミーアイランド13内に形成された高濃度N型拡散層10と、素子領域2,4,6内に形成された高濃度N型拡散層9とを電源端子に接続する。さらに、P型分離拡散層30と高濃度N型拡散層10との離間距離(第1の距離11)をP型分離拡散層30と高濃度N型拡散層9との離間距離(第2の距離12)に比べて短くする。これにより、ダミーアイランド13のブレイクダウン電圧を上アーム側のスイッチング素子2,4,6の耐圧より低くして、スイッチング素子Q2,Q4,Q6を電源サージから保護する。
【選択図】図1
Description
本発明は、半導体集積回路に係り、特にモータ駆動回路等の誘導負荷を駆動する駆動回路を集積化した半導体集積回路装置に関するものである。
従来の半導体集積回路装置において、モータ等のコイル負荷を駆動する場合に、モータ通電切替時などコイル負荷に流れる電流を急速に遮断させたとき、モータ出力端子に接地電位以下の電圧が発生することが知られている。
そして、PN接合分離技術を用いて製造された半導体集積回路装置の外部端子に、このような異常電圧が印加されると、半導体集積回路装置内の寄生トランジスタが動作して、誤動作が起きることが知られている。具体的には下アーム側のスイッチング素子の素子領域(下アーム側のスイッチング素子のドレイン)をエミッタとし、分離拡散層をベースとし、制御回路である小信号部をコレクタとした寄生トランジスタが動作し、誤動作を引き起こす。
そこで、特許文献1には、寄生トランジスタのエミッタを構成するパワー素子と、寄生トランジスタのコレクタを構成する小信号部を配置する際に、コレクタを電源に接続したパワー素子を介して配置し、またスイッチング素子とこのスイッチング素子を制御する小信号部との間にN型の拡散層を設け、N型の拡散層を電源に接続することでチップサイズを大きくすることなく、出力端子に負電圧が印加されたときの回路誤動作を防止する技術が記載されている。
ここで、図4〜図6は従来の半導体集積回路装置を示す図であり、図4〜図6を用いて従来例を説明する。図4は従来の半導体集積回路装置の半導体チップを示す平面図である。図5はモータコイルとスイッチング素子の結線及びダミーアイランドのダイオード、ESD(静電気放電:Electro Static Discharge)保護素子を示す回路図である。図6は従来例の図4におけるB−B’間の断面図である。
図5に示すように、モータコイル14は上アーム側のスイッチング素子Q2,Q4,Q6のソースと下アーム側のスイッチング素子Q3,Q5,Q7のドレインとが結線され、上アーム側のスイッチング素子Q2,Q4,Q6のドレインは電源端子に接続され、下アーム側のスイッチング素子Q3,Q5,Q7のソースは接地されている。また、上アーム側のスイッチング素子Q2,Q4,Q6のドレインには、寄生トランジスタの誤動作を抑制するためのダミーアイランド13に相当するダイオードQ13のカソードが接続され、ダイオードQ13のアノードは接地されている。
電源端子のESD保護をするNPN保護トランジスタQ19は、コレクタを上アーム側のスイッチング素子Q2,Q4,Q6のドレインに接続し、エミッタを接地すると共に、ベースが抵抗20を介して接地されている。
次に、図4に示す半導体チップの平面図を参照しながらレイアウトについて説明する。下アーム側のスイッチング素子Q3,Q5,Q7と小信号部8は上アーム側のスイッチング素子Q2,Q4,Q6を間に挟んで、半導体チップ1に配置される。また、寄生トランジスタの誤動作をさらに抑制するために、P型分離拡散層で囲まれPN接合分離されたダミーアイランド13内に高濃度N型拡散層10を配置している。さらに、電源端子に接続されるESD保護素子18も配置されている。
図6に示す図4におけるB−B’間の断面図について説明する。下アーム側のスイッチング素子Q7の素子領域7と小信号部8との間にP型分離拡散層30−5,30−6で囲まれてPN接合分離されたN型不純物による領域(ダミーアイランド13)を形成しており、そのダミーアイランド13内には高濃度N型拡散層10が形成されており、高濃度N型拡散層10は電源端子に接続されている。
この構成によりモータ出力端子に負電圧が印加されたときに発生する寄生トランジスタ17は、下アーム側のスイッチング素子Q7の素子領域7をエミッタとし、P型半導体基板16をベースとし、素子領域7の周辺に存在するN型不純物による半導体領域をコレクタとして動作する。この寄生トランジスタ17は、電源端子に接続されたコレクタとなる上アーム側のスイッチング素子Q6の素子領域6、またはダミーアイランド13から電流を供給することにより、寄生トランジスタ17のトランジスタ効果を低減している。ダミーアイランド13中には高濃度N型拡散層10が形成されており、抵抗成分を低下させて寄生効果をより低減させている。
特許第3048790号公報
しかしながら、このような構成の半導体集積回路装置は、寄生対策のダミーアイランド及びESD保護トランジスタを配置するためにチップサイズを大幅に増大させるという欠点があった。
また、図5に示すESD保護素子18であるNPN保護トランジスタQ19のコレクタ−ベース間耐圧は通常、上アーム側のスイッチング素子Q2,Q4,Q6、及び下アーム側のスイッチング素子Q3,Q5,Q7のESD破壊耐圧よりも低く、供給される電源電圧よりも高く設計されている。電源電圧が供給されている状態で、電源に高電圧のサージが印加された場合は、ESD保護素子18のNPN保護トランジスタQ19がオンしてサージを吸収する。しかし、NPN保護トランジスタQ19がオンすると、コレクタ−エミッタ間耐圧が電源電圧より低ければ、大電流がNPN保護トランジスタQ19に流れて、NPN保護トランジスタQ19を破壊してしまうという問題があった。
本発明は、前記従来技術の課題を解決することに指向するものであり、出力端子に負電圧が印加されたときの誤動作を防止し、ESD等のサージからも保護することができる半導体集積回路装置を提供することを目的とする。
この目的を達成するために、本発明に係る半導体集積回路装置は、直列に接続された上アーム側のスイッチング素子と下アーム側のスイッチング素子とを有する出力回路を複数備え、前記複数のスイッチング素子と前記複数のスイッチング素子を制御する小信号部が1つのチップ上に形成された半導体集積回路装置において、前記複数のスイッチング素子と前記小信号部との間に形成されP型分離拡散層でPN接合分離されたN型不純物によるダミーアイランドと、前記ダミーアイランド内に形成され電源端子と接続された第1の高濃度N型拡散層と、前記P型分離拡散層でPN接合分離されN型不純物を導入して形成された前記上アーム側のスイッチング素子もしくは下アーム側のスイッチング素子の素子領域と、前記P型分離拡散層から離間した前記素子領域の内周にリング状に形成された第2の高濃度N型拡散層とを備え、前記P型分離拡散層と前記第1の高濃度N型拡散層との離間距離を、前記P型分離拡散層と前記第2の高濃度N型拡散層との離間距離より短くしたことを特徴とする。
また、前記構成に加えて、前記第1の高濃度N型拡散層の不純物濃度を前記第2の高濃度N型拡散層の不純物濃度よりも濃くしたことを特徴とする。
この構成によれば、出力端子に負電圧が印加されたときの誤動作の防止を図り、ESD保護トランジスタを設けることなくESD破壊耐圧を確保して、電源に高電圧のサージが印加されたときのESD破壊耐量を向上できる。
以上説明したように、本発明によれば、ESD保護トランジスタを設けることなくESD破壊耐圧を確保し、電源電圧が供給されている状態で、電源に高電圧のサージが印加されたときのESD破壊耐量を向上でき、寄生誤動作の影響を低減できるという効果を奏する。
以下、図面を参照して本発明における実施の形態を詳細に説明する。
図1は本発明の実施の形態における半導体集積回路装置の半導体チップを示す平面図である。また、本実施の形態では、モータ駆動装置が3相ブラシレスモータを駆動する場合を例とする。なお、前記従来例を示す図4〜図6において説明した構成部材に対応して同等の機能を有するものには同一の符号を付す。
図1に示す本実施の形態の半導体チップのレイアウトについて説明する。図1に示すように、半導体チップ1上には、小信号部8、ダミーアイランド13、上アーム側のスイッチング素子の素子領域2,4,6及び下アーム側のスイッチング素子の素子領域3,5,7がこれらの順に配置されている。ダミーアイランド13を含むこれらの素子領域は、低濃度のN型不純物が導入された半導体層で構成され、それぞれの周囲がP型分離拡散層30で包囲され、それぞれがPN接合分離技術によって電気的に絶縁されるように構成されている。
ダミーアイランド13はP型分離拡散層30との間でPN接合ダイオードを成す。N型のダミーアイランド13の内側には高濃度N型拡散層(第1の高濃度N型拡散層)10が形成されており、この高濃度N型拡散層10はN型のダミーアイランド13全体を低抵抗にする目的で設けられており、電源ライン(図示せず)に接続される。この高濃度N型拡散層10とP型分離拡散層30との離間距離を第1の距離11とする。
上アーム側のスイッチング素子の素子領域2,4,6及び下アーム側のスイッチング素子の素子領域3,5,7は、その内側に高濃度N型拡散層9が形成されており、高濃度N型拡散層9はP型分離拡散層30から離間した内周にリング状に形成されている。この高濃度N型拡散層9とP型分離拡散層30との離間距離を第2の距離12とする。この高濃度N型拡散層9とP型分離拡散層30との離間距離を小さくすると、スイッチング素子Q2〜Q7のドレインとP型分離拡散層30との間の耐圧(言うなれば基板耐圧)が低下するため、通常は基板耐圧が素子耐圧に影響しないように十分に大きな離間距離(第2の距離12)が確保されている。
図2は半導体集積回路装置における要部の回路構成を示す等価回路図であり、ダミーアイランド13とP型分離拡散層30との間で形成されるダイオードQ13と、外部負荷であるモータコイル14と、モータコイル14を駆動するスイッチング素子Q2〜Q7との結線状態を示している。そして、上アーム側のスイッチング素子Q2,Q4及びQ6は図1に示す素子領域2,4及び6内にそれぞれ形成され、下アーム側のスイッチング素子Q3,Q5及びQ7は図1に示す素子領域3,5及び7にそれぞれ形成される。
また、図3は本実施の形態における半導体チップを示す図1のA−A’間の断面図であり、図1と図3を参照しながら本実施の形態を説明する。
図3において、30−1から30−6は図1におけるP型分離拡散層30に対応し、9−1,9−2は図1における高濃度N型拡散層9に対応する。ここで、この半導体集積回路装置の構造について詳しく説明する。P型不純物を導入したP型半導体基板16上の所定箇所にN型埋め込み拡散層15−1,15−2が選択的に形成されており、さらにその上の全域にN型不純物を導入したN型エピタキシャル層が形成されており、そしてN型エピタキシャル層の所定箇所を包囲するようにP型分離拡散層(30−1から30−6)が形成されており、これによって各素子領域が区画され電気的な絶縁を保っている。
そして、上アーム側のスイッチング素子Q6は、P型分離拡散層30−2及び30−5で包囲された素子領域6の内側に高濃度N型拡散層9−1,9−2がリング状の平面形状を有するように、かつN型埋め込み拡散層15−2に達するように深く形成されている。さらにリング状の高濃度N型拡散層9−1,9−2の内側にはP型ボディ拡散層31が形成されており、P型不純物が導入されたP型ボディ拡散層31の内部にN型不純物が導入されたN型ソース拡散層32が形成され、P型ボディ拡散層31の表面上にはゲート電極33が形成されている。N型不純物による素子領域6の高濃度N型拡散層9はスイッチング素子Q6のドレインとなる部位である。この上アーム側のスイッチング素子Q6のデバイス構造はいわゆるDMOSトランジスタと称されている。なお、下アーム側のスイッチング素子Q7もこの上アーム側のスイッチング素子Q6と同様の構成を有している。
寄生対策用のダミーアイランド13(ダイオードQ13)は、図1に示すようにスイッチング素子Q2〜Q7の素子領域と小信号部8との間を遮るよう帯状に形成されており、かつ高濃度のN型不純物による高濃度N型拡散層10が基板表面から深く形成されている。なお、このダミーアイランド13はスイッチング素子Q2〜Q7を包囲するように形成しても良い。
小信号部のQ8は、スイッチング素子Q2〜Q7を制御するための回路要素であり、図3に示すものが抵抗形成領域の場合もあるし、トランジスタの素子領域の場合もある。
以上の構成により、モータ出力端子に負電圧が印加されたときに発生する寄生トランジスタ17は、下アーム側のスイッチング素子Q7の素子領域7をエミッタ、P型半導体基板16をベースとし、その他の素子領域(素子領域6,ダミーアイランド13,小信号部8など)をコレクタとして動作する。寄生トランジスタ17のコレクタとなる上アーム側のスイッチング素子Q6の高濃度N型拡散層9−1,9−2、またはダミーアイランド13中の高濃度N型拡散層10を経由して電源端子より電圧(または電流)を供給することで、寄生トランジスタ17のトランジスタ作用を大幅に低減することができる。換言すると、小信号部の回路要素Q8に影響するリーク電流を小さくすることができる。これにより、回路要素Q8が誤動作すること防止することができ、半導体集積回路装置がラッチアップしてしまうことを防止することができる。
また、P型分離拡散層30と高濃度N型拡散層10との離間距離を第1の距離11とし、上アーム側のスイッチング素子Q6もしくは下アーム側のスイッチング素子Q7の素子領域6,7内に形成される高濃度N型拡散層9とP型分離拡散層30との離間距離を第2の距離12とするとき、第1の距離11を第2の距離12より短くしている。具体的には、第1の距離11を第2の距離12と同じ距離から1/2までの範囲に設定する。このようにすると、P型分離拡散層30の拡散プロファイルの高濃度部分と、高濃度N型拡散層10の拡散プロファイルの高濃度部分とのPN接合ではなく、お互いの拡散プロファイルの低濃度部分同士のPN接合によるブレイクダウン電圧でブレイクダウンさせることができ、そのブレイクダウン電圧を電源電圧よりも高く設定することが可能になる。
P型分離拡散層30と高濃度N型拡散層10との離間距離を小さくすると、ダミーアイランド13のブレイクダウン電圧を低くすることができる。また、第1の距離11を第2の距離12より短くすると、上アーム側のスイッチング素子Q6もしくは下アーム側のスイッチング素子Q7の基板耐圧より低い電圧でダミーアイランド13をブレイクダウンさせることができるため、半導体集積回路装置の電源端子に電源サージが印加されたとき、スイッチング素子Q6,Q7が破壊する電圧より低い電源電圧でダミーアイランド13をブレイクダウンさせて、電源端子に印加されるサージ電荷を接地側に逃がして、電源端子のサージ電圧を制限することができ、スイッチング素子Q6,Q7を電源サージから保護することができる。
また、高濃度N型拡散層10の不純物濃度を高濃度N型拡散層9の不純物濃度よりも濃くすることにより、ダミーアイランド13のブレイクダウン電圧をスイッチング素子Q6,Q7の基板耐圧に比べてさらに低くすることができる。また、高濃度N型拡散層10の不純物濃度を濃くすると、ダミーアイランド13の抵抗成分が小さくなるため、電源端子に印加されたサージ電荷を逃がし易くなり、電源サージに対するサージ耐力をより強化することができる。そして、電源電圧が供給されている状態で、高電圧の電源サージが印加された場合も、大電流を流すことが可能になり、半導体集積回路装置の破壊を防止することができる。
本実施の形態として、モータコイルが直接接続されるモータ駆動の半導体集積回路装置について説明したが、パワーMOSFETのゲートを駆動する半導体集積回路装置においても同様な効果が得られることは言うまでもない。
本発明に係る半導体集積回路装置は、電源電圧が供給されている状態で、電源端子に高電圧のサージが印加されたときのESD破壊耐量を向上でき、寄生誤動作の影響を低減でき、モータ駆動回路等の誘導負荷を駆動する駆動回路の集積化に用いて有用である。
1 半導体チップ
2,4,6 上アーム側スイッチング素子の素子領域
3,5,7 下アーム側スイッチング素子の素子領域
8 小信号部
9,10 高濃度N型拡散層
11 第1の距離
12 第2の距離
13 ダミーアイランド
14 モータコイル
15 N型埋め込み拡散層
16 P型半導体基板
17 寄生トランジスタ
18 ESD保護素子
20 抵抗
30 P型分離拡散層
2,4,6 上アーム側スイッチング素子の素子領域
3,5,7 下アーム側スイッチング素子の素子領域
8 小信号部
9,10 高濃度N型拡散層
11 第1の距離
12 第2の距離
13 ダミーアイランド
14 モータコイル
15 N型埋め込み拡散層
16 P型半導体基板
17 寄生トランジスタ
18 ESD保護素子
20 抵抗
30 P型分離拡散層
Claims (2)
- 直列に接続された上アーム側のスイッチング素子と下アーム側のスイッチング素子とを有する出力回路を複数備え、前記複数のスイッチング素子と前記複数のスイッチング素子を制御する小信号部が1つのチップ上に形成された半導体集積回路装置において、
前記複数のスイッチング素子と前記小信号部との間に形成されP型分離拡散層でPN接合分離されたN型不純物によるダミーアイランドと、
前記ダミーアイランド内に形成され電源端子と接続された第1の高濃度N型拡散層と、
前記P型分離拡散層でPN接合分離されN型不純物を導入して形成された前記上アーム側のスイッチング素子もしくは下アーム側のスイッチング素子の素子領域と、
前記P型分離拡散層から離間した前記素子領域の内周にリング状に形成された第2の高濃度N型拡散層とを備え、
前記P型分離拡散層と前記第1の高濃度N型拡散層との離間距離を、前記P型分離拡散層と前記第2の高濃度N型拡散層との離間距離より短くしたことを特徴とする半導体集積回路装置。 - 前記第1の高濃度N型拡散層の不純物濃度を前記第2の高濃度N型拡散層の不純物濃度よりも濃くしたことを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路装置。
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JP2004187307A JP2006013093A (ja) | 2004-06-25 | 2004-06-25 | 半導体集積回路装置 |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017224738A (ja) * | 2016-06-15 | 2017-12-21 | 富士電機株式会社 | 半導体集積回路装置 |
US10923561B2 (en) | 2017-09-20 | 2021-02-16 | Denso Corporation | Semiconductor device |
-
2004
- 2004-06-25 JP JP2004187307A patent/JP2006013093A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
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JP2017224738A (ja) * | 2016-06-15 | 2017-12-21 | 富士電機株式会社 | 半導体集積回路装置 |
US10923561B2 (en) | 2017-09-20 | 2021-02-16 | Denso Corporation | Semiconductor device |
US11605706B2 (en) | 2017-09-20 | 2023-03-14 | Denso Corporation | Semiconductor device |
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