JP2005530286A - 光学データ記憶媒体及び当該記憶媒体の使用方法 - Google Patents
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Abstract
マルチスタック光学データ記憶媒体(30)であって、この媒体(30)の入射面(41)を介して入射する集束した放射ビーム(40)を用いて記録及び読み出しを行う記憶媒体(30)を提供する。この記憶媒体は第1基板(31a)を有し、この基板(31a)の一方の面にはL0と称する第1記録スタック(33)が設けられており、この第1記録スタック(33)は、第1L0案内溝(38a,38b)の形態に形成された、記録可能型の第1L0記録層(35)を有する。この第1L0記録層(35)と第1基板(31a)との間には第1反射層(39)が設けられている。第2基板(31b)は、その一方の面にL1と称する第2記録スタック(32)が設けられており、この第2記録スタック(32)は、第1L0記録スタック(33)より入射面(41)に近い位置に存在し、第2L1案内溝(37)の形態に形成されている。これら第1及び第2記録スタック(32,33)の間には透明スペーサ層(36)が挟まれている。第1L0案内溝(38a,38b)の深さGL0は100nmより小さい。このようにすることにより、放射ビームの波長を約655nmとした際のL0スタックの反射率が極めて高いものとなる。
Description
第1基板であって、この第1基板の一方の面にL0と称する第1記録スタックが設けられ、この第1記録スタックは、第1L0案内溝の形態に形成された記録可能型の第1L0記録層と、この第1L0記録層及び前記第1基板間に設けられた第1反射層とを有するようにした当該第1基板と、
第2基板であって、この第2基板の一方の面にL1と称する第2記録スタックが設けられ、この第2記録スタックは、記録可能型の第2L1記録層を有するとともに、前記第1L0記録スタックより入射面に近い位置に存在しており、且つ第2L1案内溝の形態に形成されている当該第2基板と、
これら第1及び第2記録スタック間に挟まれた透明スペーサ層であって、前記集束した放射ビームの焦点の深度よりも充分に厚い透明スペーサ層と
を有するマルチスタック光学データ記憶媒体に関するものである。
本発明は、このような媒体の使用方法にも関するものである。
図1は、溝の深さGL0を126nmとした本発明によらない基板を用いた場合の反転L0DVD+Rスタックに関する実験結果を示すものである。溝領域に対する反射率は、ブランク領域(ミラー領域)の反射率の約15%である。この値は、許容しうるものではない。
L1:80nmの色素層/12nmのAg層/UV硬化樹脂層(保護層)、
L0:100nmの(ZnS)80(SiO2 )20層/130nmの色素層/100nmのAg層、
55μmの厚さのスペーサ層
を用いる。この例では、放射ビームの波長を約655nmとした場合、L1からの有効反射率は20%であり、L0からの(L1を介して測定した)有効反射率は21%である。
スタック1
スタック1を以下のように構成する。
基板31aの案内溝の深さを25〜40nmにする。
100nmの厚さの光学的に密封されたAgミラー層を設ける。他の金属、例えばAu、Cu又はAlも使用することができる。
ランド上で130nmの厚さとしたアゾ色素層であって、色素の屈折率を、代表的なDVDの記録可能なの色素の屈折率に相当する2.24〜0.02i(λ=655nm)としたアゾ色素層を設ける。
80〜120nmの厚さの(ZnS)80(SiO2 )20を設ける、n≒2.1とした他の誘電体層でも同じ結果が得られる。
スタック2
スタック2を以下のように構成する。
基板31aの案内溝の深さを25〜40nmにする。
100nmの厚さの光学的に密封した第1Ag反射層39を設ける。他の金属、例えばAu、Cu又はAlも使用することができる。
ランド上で100〜130nmの厚さとしたアゾ色素層であって、色素の屈折率を、代表的な色素の屈折率に相当する2.24〜0.02iにしたアゾ色素層を設ける。
5〜15nmの厚さの第2Ag反射層を設ける。他の金属、例えばAu、Cu又はAlも使用することができる。
このようにして形成したスタック2のランド上の反射率RL 及びランド上の変調率ML を、ランド上の色素層の厚さdL の関数として、種々の平坦度Lの色素層に対して図6a及びbにプロットした。
スタック3
スタック3は以下のように構成する。
基板31aの案内溝の深さを25〜40nmにする。
100nmの厚さの光学的に密封したAg反射層39を設ける。他の金属、例えばAu、Cu又はAlも使用することができる。
ランド上で90〜160nmの厚さとしたアゾ色素層35であって、色素の屈折率を、代表的な色素の屈折率に相当する2.24〜0.02iとしたアゾ色素層を設ける。
5〜50nmのSiO2 層を設ける。他の誘電体も使用することができる。
Claims (11)
- 記録及び読み出し用のマルチスタック光学データ記憶媒体であって、記録及び読み出しの際に、この媒体の入射面を介して入射する集束した放射ビームを使用する当該マルチスタック光学データ記憶媒体は、
第1基板であって、この第1基板の一方の面にL0と称する第1記録スタックが設けられ、この第1記録スタックは、第1L0案内溝の形態に形成された記録可能型の第1L0記録層と、この第1L0記録層及び前記第1基板間に設けられた第1反射層とを有するようにした当該第1基板と、
第2基板であって、この第2基板の一方の面にL1と称する第2記録スタックが設けられ、この第2記録スタックは、記録可能型の第2L1記録層を有するとともに、前記第1L0記録スタックより入射面に近い位置に存在しており、且つ第2L1案内溝の形態に形成されている当該第2基板と、
これら第1及び第2記録スタック間に挟まれた透明スペーサ層であって、前記集束した放射ビームの焦点の深度よりも充分に厚い透明スペーサ層と
を有するマルチスタック光学データ記憶媒体において、
前記第1L0案内溝の深さGL0が、GL0<100nmであることを特徴とするマルチスタック光学データ記憶媒体。 - 請求項1に記載のマルチスタック光学データ記憶媒体において、
前記第1L0案内溝の深さGL0がGL0<80nmであり、前記第1L0案内溝の半値全幅WL0がWL0<350nmであるマルチスタック光学データ記憶媒体。 - 請求項1又は2に記載のマルチスタック光学データ記憶媒体において、
前記第1L0案内溝の深さGL0が25nm<GL0<40nmであり、前記第1反射層が金属を有し且つ当該第1反射層の厚さが50nmより厚いマルチスタック光学データ記憶媒体。 - 請求項1〜3のいずれか一項に記載のマルチスタック光学データ記憶媒体において、
前記記録可能型の第1L0記録層が色素を有し、前記第1案内溝のランド部上で測定した当該記録層の厚さが70nm〜150nmの範囲内にあるマルチスタック光学データ記憶媒体。 - 請求項1〜4のいずれか一項に記載のマルチスタック光学データ記憶媒体において、
前記第1L0記録層の、前記第1反射層がある側とは反対側に、誘電体層が設けられているマルチスタック光学データ記憶媒体。 - 請求項5に記載のマルチスタック光学データ記憶媒体において、
前記誘電体層の厚さが5nm〜120nmの範囲内にあるマルチスタック光学データ記憶媒体。 - 請求項1〜4のいずれか一項に記載のマルチスタック光学データ記憶媒体において、
前記第1L0記録層の、前記第1反射層がある側とは反対側に、金属を有する第2反射層が設けられているマルチスタック光学データ記憶媒体。 - 請求項7に記載のマルチスタック光学データ記憶媒体において、
前記第2反射層の厚さが5nm〜15nmの範囲内にあるマルチスタック光学データ記憶媒体。 - 請求項7又は8に記載のマルチスタック光学データ記憶媒体において、
前記第2反射層が、Ag、Au、Cu及びAlから成る群から選択した金属を主として有するマルチスタック光学データ記憶媒体。 - 請求項1〜9のいずれか一項に記載のマルチスタック光学データ記憶媒体において、
放射ビームの波長を約655nmとした際の前記第1及び第2記録スタックの有効反射率のレベルが少なくとも0.18であるマルチスタック光学データ記憶媒体。 - 請求項1〜10のいずれか一項に記載のマルチスタック光学データ記憶媒体をマルチスタック記録に使用して、放射ビームの波長を約655nmとした際の、前記第1L0記録スタック自体の反射率のレベルが少なくとも0.5であり、前記第1L0記録層の記録マークの変調率が少なくとも0.6になるようにするマルチスタック光学データ記憶媒体の使用方法。
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