JP2005526338A - 読出しモード電圧の供給電圧変動を補償するための供給電圧検出を用いた電圧ブースト回路 - Google Patents
読出しモード電圧の供給電圧変動を補償するための供給電圧検出を用いた電圧ブースト回路 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005526338A JP2005526338A JP2003517883A JP2003517883A JP2005526338A JP 2005526338 A JP2005526338 A JP 2005526338A JP 2003517883 A JP2003517883 A JP 2003517883A JP 2003517883 A JP2003517883 A JP 2003517883A JP 2005526338 A JP2005526338 A JP 2005526338A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- power supply
- supply voltage
- boost
- circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/08—Address circuits; Decoders; Word-line control circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/30—Power supply circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C8/00—Arrangements for selecting an address in a digital store
- G11C8/08—Word line control circuits, e.g. drivers, boosters, pull-up circuits, pull-down circuits, precharging circuits, for word lines
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Read Only Memory (AREA)
Abstract
Description
本発明の他の態様は単一ビットセルよりも高いビット線読出し電圧を要するデュアルビットメモリセルを含むデバイスの応用例を提供し、電源電圧が変動する用途で用いられるメモリデバイスとの関係における応用例を提供する。
本発明は、電源電圧よりも高い、ブーストされた電圧を供給する電圧ブースト回路を含む。Vcc電源は電圧ブースト回路に与えられて、ブースト動作のために電力を供給する。従来は電圧ブースト回路の出力に反映されていたVccの変動が特定され、そのような変動のための補償が生成されて、これにより読出しモードの際にVccの変動に実質的に影響されないワード線電圧が生成される。
Q=CVとすると
QB=CBVcc および QL=CLVcc となる。
VBOOSTが安定した後、全体の電荷は、
QTOTAL(最後)=QTOTAL(最初)
QTOTAL(最後)=(VBOOST−Vcc)CB+VBOOSTCL
従って、
(VBOOST−Vcc)CB+VBOOSTCL=(CB+CL)Vcc
これをVBOOSTについて解いて、
VBOOST=((2CB+CL)/(CB+CL))Vcc
CB=CL=Cの単純な場合を考えると
VBOOST=(3C/2C)Vcc
VBOOST=(3/2)Vcc
となる。
したがって、直感的に、従来技術の電圧ブースターのVBOOSTはVccと2Vccの中間の電圧になることが証明できる。しかしながら、VBOOSTはCBやCLの値とともに、Vccの関数であることに注意してもらいたい。従って、Vccが変化すると、ブースト電圧出力VBOOSTもまた変化する。上述したように、そのようなVBOOSTの変化は、読出しエラーにつながるので、望ましくない。
図7は、本発明の実施例として、図6の回路410に対応する、電源電圧レベル検出回路575(例えば、アナログ・デジタルコンバータ、デジタル温度計)を示す。回路575では、Vcc電源電圧レベルがサンプリングされ、基準電圧回路580(例えば、おおよそ1.2ボルトのバンドギャップ基準回路)から出力される基準電圧FVREF585によって設定される基準レベルに対して比較される。電源電圧は比較器590によって、基準電圧FVREF585に対して比較される。比較は、nビットA/Dコンバータ575および分離した出力595、AD0からADn(596,597,598)によって示される所望の解像度を達成するために必要なだけの数の独立した区切り(ビット)において行われる。簡略回路図575において、サンプリングされたVccが電圧分配器を介して比較器590の反転(インバータ)入力に与えられる。基準電圧FVREF585は非反転入力に印加される。しかしながら、Vccに関する値をつきとめるのに使用可能な、電圧検出回路575から一つまたはそれ以上の出力を生成するための、その他の電源電圧をバイアスし分割する技術もよく知られている。そのような代替の検出回路も本発明の範疇に入るものである。時間t2(357)に始まる、図5bのLATCH_ENタイミング375の間に、A/Dコンバータ上のVcc測定データは、A/Dコンバータの出力にラッチされ、これによって図8の補償コンデンサ520のセットをイネーブルにする(A/D出力データが安定しているときにラッチする)。図7において、ラッチ機構が複数の比較器590に内在しており、しかしながら後述するように、そのようなラッチ機能が、もし必要であれば、個別回路として実現することもできる。
VBOOST=((2CB+CL)/(CB+CL))Vcc とすると、
VBOOST=((2CBeff+CLeff)/(CBeff+CLeff))Vcc となる。
ここで、 CBeff=CB+C0+...Cn (電圧検出器によって選択されたコンデンサ)
さらに、 CLeff=CL+C1+...Cn+1 (電圧検出器によって選択されなかったコンデンサ)
この解法において用いられたコンデンサの数は一定であることに注意してもらいたい。
[R1/(R0+R1)]Vcc=FVREF であって、
R0+R1=10Kオーム,Vcc=2.65ボルト、およびFVREF=1.15ボルト(この例において)を置換して、最初にR1について、次にR0について解くと、
[R1/10KΩ](2.65V)=1.15V, R1≒14.34KΩ
よって、R0≒5.66KΩ
Claims (10)
- 読出し動作のための調整ブーストワード線電圧を生成するシステムであって、
電源電圧の値(415)を検出して、それに関連する1またはそれ以上の出力信号(435)を生成するように構成された電源電圧検出回路(410)と、
電源電圧を受信して、前記電源電圧よりも大きな値を持つ、ブーストされたワード線電圧(470)を生成することが可能な電圧ブースト回路(450)と、
前記電源電圧検出回路(410)および前記電圧ブースト回路(450)に動作可能に結合され、前記電源電圧検出回路(410)からの1またはそれ以上の出力信号(435)を受信して、この1またはそれ以上の出力信号(435)に基いて前記電圧ブースト回路(450)に関する負荷を変化させることが可能であり、これによって前記ブーストされたワード線電圧(470)を前記電源電圧の値(415)から実質的に独立したものとする、システム(400)。 - 前記電源電圧検出回路(410,575)は、アナログ入力として前記電源電圧の値(415,578)を受信し、前記電源電圧の値(415,578)を表す多ビットワード(435,595)を生成することができる、アナログ・デジタルコンバータ(410,577)を含む、請求項1記載のシステム(400,500)。
- 前記電源電圧検出回路(575)は、
電圧基準回路(580)と、
前記電圧基準回路(580)に結合された第1入力と、前記電源電圧(578)に関係する複数の電圧(591,592,593)のうちの1つに結合された第2入力とをそれぞれ有する複数の比較器(577)であって、前記各比較器の出力の集合は、前記電源電圧の値(578,415)を表すデジタルワード(595,435)を形成する複数の比較器とを含む、請求項1記載のシステム(400)。 - 前記電圧ブースト回路(450,505)はさらに、
スイッチ(514)を介して前記電源電圧に選択的に結合される第1端子(510)と、ブースト信号(527)に結合される第2端子とを有するブーストコンデンサ(525)と、
前記ブーストコンデンサ(525)の第1端子に結合され、前記電圧ブースト回路(510)の出力を形成する第1端子(510)と、回路の接地電位に結合される第2端子とを有する負荷コンデンサ(540)とを含み、
前記スイッチが閉じると(514)、前記ブースト信号(527)がローになり、前記ブーストコンデンサ(525)および負荷コンデンサ(540)がおおよそ前記電源電圧の電圧値にまで充電され、前記スイッチ(514)が開くと、前記ブースト信号(510)がおおよそ前記電源電圧と同じハイレベルになり、前記ブーストコンデンサおよび前記負荷コンデンサは電荷の共有を行い、それによって前記第1端子それ自身を前記電源電圧の値よりも大きいブースト電圧値にまで上昇させ、このブースト電圧値は前記ブーストコンデンサ(525)および前記負荷コンデンサ(540)のキャパシタンスの関数である、請求項1記載のシステム(400)。 - 前記電圧ブースト補償回路(505)は、
それぞれ、前記ブーストコンデンサ(525)および前記負荷コンデンサ(540)の第1端子に結合された第1端子(510)と、前記電源電圧検出回路(575)からの1またはそれ以上の出力信号(595)に基いて、回路の接地電位または前記電源電圧におおよそ等しい電位に選択的に結合される第2端子とを有する複数の補償コンデンサ(520)であって、前記複数の補償コンデンサ(520)の1またはそれ以上を前記ブーストコンデンサ(525)または前記負荷コンデンサ(540)と並列に結合させ、前記電源電圧の値(578)に基き前記電圧ブースト回路(500)の負荷を調整する、複数の補償コンデンサ(520)を含む、請求項4記載のシステム(500)。 - 前記電源電圧検出回路(410,610)はさらに、
電源電圧の値(415)に関連する1またはそれ以上の電圧(661,662,663)との比較のための基準電圧(425,655)を供給可能な基準電圧回路(430,652)を含み、
前記基準電圧と前記電源電圧の値に関連する1またはそれ以上の電圧との比較によって、前記電源電圧の値(415)に関連する1またはそれ以上の出力信号(435,635)を生成する、請求項1記載のシステム(400,600)。 - 電源電圧の変動から実質的に独立している、フラッシュメモリ装置のワード線読出し電圧を生成する方法であって、
前記電源電圧(904)の値を検出するステップと、
前記検出された電源電圧の値に応答して、前記ワード線読出し電圧(904)の生成に用いられる電圧ブースト回路(910,912)の負荷状態を変化させて、この負荷状態の変化が、前記電源電圧の変動から前記ワード線読出し電圧を実質的に独立させるステップとを含む方法(900)。 - 前記電源電圧(904)の値を検出するステップは、
前記電源電圧の値(904)をアナログ・デジタルコンバータに入力するステップと、
前記電源電圧の値に関連する多ビットデジタルワード(906)を生成するステップを含む、請求項7記載の方法(900)。 - 前記電源電圧(904)の値を検出するステップは、
前記電源電圧の値に関連する複数の電圧値を生成するステップと、
前記複数の電圧値のそれぞれを基準電圧値と比較するステップと、
前記比較(906)のそれぞれに関係したデジタル出力値を生成して、それによって多ビットデジタルワードを生成し、前記電源電圧値を表すステップとを含む、請求項7記載の方法(900)。 - 前記電圧ブースト回路が、前記電圧ブースト回路の出力ノードに結合される第1端子と、ブースト信号に結合される第2端子とを有するブーストコンデンサと、回路の接地電位に結合される第1端子と、前記出力ノードに結合される第2端子とを有する負荷コンデンサとを含み、前記負荷状態を変化させるステップ(910,912)は、
複数の補償コンデンサの第1端子を前記電圧ブースト回路(908)の前記出力ノードに結合するステップと、
前記ブースト信号が前記電源電圧のレベルにおおよそ等しいレベルにまで遷移するのを許可するステップと、
前記検出された電源電圧の値に応じて、前記複数の補償コンデンサ(912)のうちの1または2以上の第2端子を電源電圧レベルに結合し、残りの前記補償コンデンサの第2端子を回路接地電位に結合し、それによって、前記検出された電源電圧の値に応じて、前記ブーストコンデンサおよび前記負荷コンデンサに関連する有効キャパシタンスを変化させるステップとを含む、請求項7記載の方法(900)。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US09/915,018 US6535424B2 (en) | 2001-07-25 | 2001-07-25 | Voltage boost circuit using supply voltage detection to compensate for supply voltage variations in read mode voltage |
PCT/US2002/007642 WO2003012793A1 (en) | 2001-07-25 | 2002-03-14 | A voltage boost circuit using supply voltage detection to compensate for supply voltage variations in read mode voltages |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005526338A true JP2005526338A (ja) | 2005-09-02 |
Family
ID=25435088
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003517883A Pending JP2005526338A (ja) | 2001-07-25 | 2002-03-14 | 読出しモード電圧の供給電圧変動を補償するための供給電圧検出を用いた電圧ブースト回路 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6535424B2 (ja) |
EP (1) | EP1410396B1 (ja) |
JP (1) | JP2005526338A (ja) |
KR (1) | KR100865587B1 (ja) |
CN (1) | CN100557701C (ja) |
DE (1) | DE60202077T2 (ja) |
TW (1) | TW563136B (ja) |
WO (1) | WO2003012793A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006526862A (ja) * | 2003-04-03 | 2006-11-24 | アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド | A/dコンバータを用いた高速、精確、低消費電力の電圧ブースター |
Families Citing this family (50)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB9007791D0 (en) * | 1990-04-06 | 1990-06-06 | Foss Richard C | High voltage boosted wordline supply charge pump and regulator for dram |
DE10234181B3 (de) * | 2002-07-26 | 2004-04-08 | Infineon Technologies Ag | Adaptive Spannungsüberwachung |
US7849332B1 (en) | 2002-11-14 | 2010-12-07 | Nvidia Corporation | Processor voltage adjustment system and method |
US7882369B1 (en) | 2002-11-14 | 2011-02-01 | Nvidia Corporation | Processor performance adjustment system and method |
US7886164B1 (en) | 2002-11-14 | 2011-02-08 | Nvidia Corporation | Processor temperature adjustment system and method |
WO2004072854A1 (en) * | 2003-02-13 | 2004-08-26 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Arrangement for compensation of ground offset in a data bus system |
EP1627266A1 (en) * | 2003-05-27 | 2006-02-22 | Georgia Tech Research Corporation | Floating-gate reference circuit |
US6973003B1 (en) | 2003-10-01 | 2005-12-06 | Advanced Micro Devices, Inc. | Memory device and method |
US7161833B2 (en) * | 2004-02-06 | 2007-01-09 | Sandisk Corporation | Self-boosting system for flash memory cells |
US7466590B2 (en) * | 2004-02-06 | 2008-12-16 | Sandisk Corporation | Self-boosting method for flash memory cells |
US7085190B2 (en) * | 2004-09-16 | 2006-08-01 | Stmicroelectronics, Inc. | Variable boost voltage row driver circuit and method, and memory device and system including same |
US7154794B2 (en) * | 2004-10-08 | 2006-12-26 | Lexmark International, Inc. | Memory regulator system with test mode |
US7864597B2 (en) * | 2004-11-29 | 2011-01-04 | Stmicroelectronics, Inc. | Method and circuit for controlling generation of a boosted voltage in devices receiving dual supply voltages |
KR101149051B1 (ko) * | 2005-04-27 | 2012-05-25 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 소자 |
US7200066B2 (en) * | 2005-07-18 | 2007-04-03 | Dialog Semiconductor Manufacturing Ltd. | Accurate power supply system for flash-memory including on-chip supply voltage regulator, reference voltage generation, power-on reset, and supply voltage monitor |
US7348836B1 (en) * | 2005-08-15 | 2008-03-25 | Nvidia Corporation | Integrated circuit core power supply event monitor |
US20070076513A1 (en) * | 2005-10-04 | 2007-04-05 | Nian Yang | Decoder for memory device with loading capacitor |
US7551489B2 (en) * | 2005-12-28 | 2009-06-23 | Intel Corporation | Multi-level memory cell sensing |
US7428165B2 (en) | 2006-03-30 | 2008-09-23 | Sandisk Corporation | Self-boosting method with suppression of high lateral electric fields |
US7511995B2 (en) * | 2006-03-30 | 2009-03-31 | Sandisk Corporation | Self-boosting system with suppression of high lateral electric fields |
ITMI20060880A1 (it) * | 2006-05-05 | 2007-11-06 | St Microelectronics Srl | Circuito di lettura migliorato per memoria a semiconduttore |
US7626865B2 (en) * | 2006-06-13 | 2009-12-01 | Micron Technology, Inc. | Charge pump operation in a non-volatile memory device |
KR100859832B1 (ko) * | 2006-09-21 | 2008-09-23 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리 장치의 내부전위 모니터 장치 및 모니터방법 |
KR100809071B1 (ko) * | 2006-09-25 | 2008-03-03 | 삼성전자주식회사 | 고전압 발생 회로를 구비하는 반도체 장치 및 그 전압 발생방법 |
KR100908527B1 (ko) * | 2007-04-25 | 2009-07-20 | 주식회사 하이닉스반도체 | 불휘발성 메모리 장치의 독출 전압 발생장치 |
US9134782B2 (en) | 2007-05-07 | 2015-09-15 | Nvidia Corporation | Maintaining optimum voltage supply to match performance of an integrated circuit |
US7532515B2 (en) * | 2007-05-14 | 2009-05-12 | Intel Corporation | Voltage reference generator using big flash cell |
KR100875012B1 (ko) * | 2007-07-25 | 2008-12-19 | 주식회사 하이닉스반도체 | 전압 제공 회로와 이를 구비하는 플래시 메모리 소자 및동작 전압 제공 방법 |
US7558116B2 (en) * | 2007-08-13 | 2009-07-07 | Spansion Llc | Regulation of boost-strap node ramp rate using capacitance to counter parasitic elements in channel |
US8370663B2 (en) | 2008-02-11 | 2013-02-05 | Nvidia Corporation | Power management with dynamic frequency adjustments |
CN101521044B (zh) * | 2008-02-28 | 2012-04-04 | 华邦电子股份有限公司 | 存储器及其电压监控装置 |
US9256265B2 (en) | 2009-12-30 | 2016-02-09 | Nvidia Corporation | Method and system for artificially and dynamically limiting the framerate of a graphics processing unit |
US9830889B2 (en) | 2009-12-31 | 2017-11-28 | Nvidia Corporation | Methods and system for artifically and dynamically limiting the display resolution of an application |
US8839006B2 (en) | 2010-05-28 | 2014-09-16 | Nvidia Corporation | Power consumption reduction systems and methods |
US8618869B2 (en) * | 2010-12-30 | 2013-12-31 | Rambus Inc. | Fast power-on bias circuit |
US8780666B2 (en) * | 2011-12-30 | 2014-07-15 | Nanya Technology Corp. | Decoupling capacitance calibration devices and methods for DRAM |
TWI475565B (zh) * | 2012-09-06 | 2015-03-01 | Univ Nat Chiao Tung | 靜態隨機存取記憶體的控制電路及其操作方法 |
US9311980B1 (en) * | 2012-10-11 | 2016-04-12 | Everspin Technologies, Inc. | Word line supply voltage generator for a memory device and method therefore |
KR102090677B1 (ko) * | 2013-09-16 | 2020-03-18 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 장치 및 그것의 동작 방법 |
US9285424B2 (en) * | 2014-07-25 | 2016-03-15 | Freescale Semiconductor,Inc. | Method and system for logic built-in self-test |
US9659620B2 (en) * | 2015-03-26 | 2017-05-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Memory device with self-boosted mechanism |
SG10202111399YA (en) * | 2015-12-22 | 2021-11-29 | Immatics Biotechnologies Gmbh | Peptides and combination of peptides for use in immunotherapy against breast cancer and other cancers |
US10366734B2 (en) * | 2017-02-03 | 2019-07-30 | Advanced Micro Devices, Inc. | Programmable write word line boost for low voltage memory operation |
US10236053B1 (en) * | 2017-10-17 | 2019-03-19 | R&D 3 Llc | Method and circuit device incorporating time-to-transition signal node sensing |
CN108344892B (zh) * | 2018-04-16 | 2019-05-03 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 电荷泵电压检测电路 |
US11300988B2 (en) | 2018-08-07 | 2022-04-12 | Battery Savers Inc. | Method and system to boost battery voltage |
US11061646B2 (en) * | 2018-09-28 | 2021-07-13 | Intel Corporation | Compute in memory circuits with multi-Vdd arrays and/or analog multipliers |
CN109473136B (zh) * | 2018-12-24 | 2023-08-29 | 北京时代全芯存储技术股份有限公司 | 记忆体驱动装置 |
CN110168467A (zh) * | 2019-04-10 | 2019-08-23 | 长江存储科技有限责任公司 | 可重新配置的电压调节器 |
CN112908387B (zh) * | 2021-03-04 | 2021-12-17 | 长江存储科技有限责任公司 | 三维非易失性存储器及其控制方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB9007791D0 (en) | 1990-04-06 | 1990-06-06 | Foss Richard C | High voltage boosted wordline supply charge pump and regulator for dram |
JP2838344B2 (ja) * | 1992-10-28 | 1998-12-16 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
JP3129131B2 (ja) * | 1995-02-01 | 2001-01-29 | 日本電気株式会社 | 昇圧回路 |
EP0766256B1 (en) | 1995-09-29 | 1999-12-01 | STMicroelectronics S.r.l. | Voltage regulator for semiconductor non-volatile electrically programmable memory devices |
US5726944A (en) | 1996-02-05 | 1998-03-10 | Motorola, Inc. | Voltage regulator for regulating an output voltage from a charge pump and method therefor |
US5818288A (en) | 1996-06-27 | 1998-10-06 | Advanced Micro Devices, Inc. | Charge pump circuit having non-uniform stage capacitance for providing increased rise time and reduced area |
KR980005006A (ko) * | 1996-06-29 | 1998-03-30 | 김주용 | Vcc 검출수단을 이용한 비트라인 전압 보상회로 |
JP3293577B2 (ja) * | 1998-12-15 | 2002-06-17 | 日本電気株式会社 | チャージポンプ回路、昇圧回路及び半導体記憶装置 |
KR100555460B1 (ko) * | 1998-12-18 | 2006-04-21 | 삼성전자주식회사 | 승압회로 및 그 구동방법 |
IT1306964B1 (it) | 1999-01-19 | 2001-10-11 | St Microelectronics Srl | Circuito a boosting capacitivo per la regolazione della tensione dilettura di riga in memorie non-volatili |
KR200252133Y1 (ko) * | 1999-03-15 | 2001-11-16 | 박종섭 | 초기 전압 보상형 Vpp발생회로 |
-
2001
- 2001-07-25 US US09/915,018 patent/US6535424B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-03-14 EP EP02721396A patent/EP1410396B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-03-14 JP JP2003517883A patent/JP2005526338A/ja active Pending
- 2002-03-14 KR KR1020047001100A patent/KR100865587B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2002-03-14 WO PCT/US2002/007642 patent/WO2003012793A1/en active IP Right Grant
- 2002-03-14 DE DE60202077T patent/DE60202077T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2002-03-14 CN CNB028144171A patent/CN100557701C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2002-06-12 TW TW091112756A patent/TW563136B/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006526862A (ja) * | 2003-04-03 | 2006-11-24 | アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド | A/dコンバータを用いた高速、精確、低消費電力の電圧ブースター |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE60202077D1 (de) | 2004-12-30 |
CN1541393A (zh) | 2004-10-27 |
TW563136B (en) | 2003-11-21 |
US6535424B2 (en) | 2003-03-18 |
KR20040043165A (ko) | 2004-05-22 |
CN100557701C (zh) | 2009-11-04 |
KR100865587B1 (ko) | 2008-10-28 |
US20030021152A1 (en) | 2003-01-30 |
EP1410396B1 (en) | 2004-11-24 |
DE60202077T2 (de) | 2005-11-03 |
EP1410396A1 (en) | 2004-04-21 |
WO2003012793A1 (en) | 2003-02-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2005526338A (ja) | 読出しモード電圧の供給電圧変動を補償するための供給電圧検出を用いた電圧ブースト回路 | |
JP2005514718A (ja) | マイクロフルイディック処理方法及びシステム | |
US6515903B1 (en) | Negative pump regulator using MOS capacitor | |
US8614924B2 (en) | Non-volatile memory systems and methods | |
US7149110B2 (en) | Seek window verify program system and method for a multilevel non-volatile memory integrated circuit system | |
US7031214B2 (en) | Digital multilevel memory system having multistage autozero sensing | |
EP0783754B1 (en) | Sensing state of a memory by variable gate voltage | |
US7139196B2 (en) | Sub-volt sensing for digital multilevel flash memory | |
US7158431B2 (en) | Single transistor sensing and double transistor sensing for flash memory | |
US20030161183A1 (en) | Digital multilevel non-volatile memory system | |
US9939831B2 (en) | Fast settling low dropout voltage regulator | |
US6798275B1 (en) | Fast, accurate and low power supply voltage booster using A/D converter | |
KR100589925B1 (ko) | 비휘발성 반도체 기억 장치 | |
US7196927B2 (en) | Wide dynamic range and high speed voltage mode sensing for a multilevel digital non-volatile memory | |
US7630250B2 (en) | Controlled ramp rates for metal bitlines during write operations from high voltage driver for memory applications | |
US6980472B2 (en) | Device and method to read a 2-transistor flash memory cell | |
JP2007294109A (ja) | メモリ素子およびデータ読出方法 | |
US7057949B1 (en) | Method and apparatus for pre-charging negative pump MOS regulation capacitors | |
US6829168B2 (en) | Power supply circuit structure for a row decoder of a multilevel non-volatile memory device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070327 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20070329 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20070425 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070927 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080122 |