JP2005525699A - 光増幅器用光ファイバー及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
なかでも、光信号を伝達する受動素子である光ファイバーは、短波長の場合には、ガラスの陽イオンによるイオン遷移によって光信号が吸収され、長波長の場合には、分子振動によって光信号が吸収され、よって、約1200nm〜1700nmの波長領域が光通信に使用されることができる。
しかしながら、実際には、母材(preform)のガラスに含まれているOH−基及び転移金属などの不純物の影響から、約1300nm帯域の波長と1550nm波長近傍の帯域のみが光通信に使用される。
しかしながら、シリカガラス光ファイバーは、光を透過させる一方で、光を吸収もするが、この吸収から、損失が蓄積されて、信号光の強度は伝送距離が増加するにつれて指数関数的に減少することになる。
このように減少する信号を増幅するためには、光ファイバーネットワークの数十km区間ごとに信号光の強度を増幅する増幅器を設置しなけばならないが、かかる増幅器は、まず、光信号を電気的信号に変えた後に増幅させる方法を使用するので、増幅過程で誤りが生じ、かつ、光信号を増幅させるのに長い遅延時間がかかる結果、実用化には至らなかった。
最初の光ファイバー増幅器としては、バリウムクラウンガラスを基材とし、ネオジミウム(Neodymium)を添加した光増幅器が研究された(C.J.Koesterand E.Snitzer,Appl.Opt.,Vol.3,pp1182-1186,1964)。
その後、1980年代後半に、高い利得と低い損失を持ち、シリカ光ファイバーの信号損失が最も小さい1550nm帯域を増幅させるエルビウム(Erbium)のドープされた光ファイバー増幅器(Erbium doped fiber amplifier:EDFA)が開発されて商用化した(W.J.Miniscalco,J.Lightwave Technol., Vol.9, pp234-250,1991)。
まず、Gain-Shifted EDFAを用いて、1550nm波長帯域よりも長波長である1600nmに使用可能波長帯域を広めたが、これもまた飽和され、他の波長帯域で使用可能な光ファイバー増幅器が要求されている実情である。
Tm3+の3H4準位から3F4準位に遷移する過程で発生する蛍光は、その中心波長が1480nmと、S帯域で光増幅可能である。
しかしながら、Tm3+の遷移は、3H4準位からその下位準位の3H5間の間隔が約4200cm-1と小さいので、約1100cm-1の格子振動エネルギーをもつシリカガラスでは、3H4準位から3F4準位に遷移して発生する1480nmの蛍光が得難い。すなわち、3H4準位から3F4準位に遷移されず、すぐ下位準位の3H5準位に熱的遷移が起こるので、ガラス母材の格子振動に吸収される。
したがって、現在の研究・開発の目的は、格子振動エネルギーの小さいフッ化物系ガラスと硫化物系ガラスを用いてTm3+の3H4準位から3F4準位への遷移による1480nmの蛍光を得ることにある。
そして、Y.B.Shinの論文(Multiphonon and cross relaxation phenomena in Ge-As(or Ga)-S glasses doped with Tm3+, Journal of Non-Crystalline Solids, 208, pp29-35, 1996)では、硫化物系ガラスからの1480nmの蛍光発現とそのメカニズムについて説明している。
他の研究結果として、米国特許第6266181号では、基材としてテルライト(tellurite)系ガラスを使用する光ファイバー増幅器が提示されたし、Y.G.Choiの論文(Influence of 4f absorption transitions of Dy3+ on the emission spectra of TM3+-doped tellurite glasses, Journal of Non-Crystalline Solids, 276, pp1-7,2000)では、1480nmの蛍光が得られた。
すなわち、それらの屈折率が高いので、既存のシリカ光ファイバーと接続した場合に、信号光が伝えられなく、散乱などに起因して損失されることがあり、フッ化物系ガラスと硫化物系ガラスの溶融点とシリカ光ファイバーの溶融点との差が大きいので、溶融による接続がし難しい。
のみならず、光ファイバー製造にあたり、原料を炉に入れ溶かした後に、光ファイバーを引き出す溶融法が使用されるので、OH−基と転移金属などの不純物による汚染の可能性が高く、かつ、光ファイバーに欠陥が生じる可能性も極めて高い。
したがって、光損失が約200dB/mにも達し、また、製造された光ファイバーは、OH−基の侵入などにより化学的耐久性が劣化し、実用化し難い、という問題点があった。
本発明の他の目的は、高くかつ安定したドーピング濃度が得られ、ドーピングイオン濃度の調節及び屈折率プロファイルの調節によって、適宜の光増幅特性が得られる光増幅器用光ファイバーを提供することにある。
本発明のさらに他の目的は、上述した低い格子振動エネルギーをもつフッ化物系ガラスと硫化物系ガラスにおいてのみ、Tm3+イオンが1480nm帯域で蛍光を発する問題点を克服することによって、1480nm帯域で光増幅可能な光増幅器用シリカ光ファイバーを提供することにある。
また、本発明では、上記の光ファイバーを使用した光増幅器を提供する。
なお、下記の実施形態は、本発明の一例を示すもので、本発明の権利範囲を限定するためのものではない。
図1は、本発明による光増幅器用光ファイバーの概略構成を示す図であり、図2は、本発明による光増幅器用光ファイバーの概略的な製造方法を示すフローチャートである。
好ましくは、ドープされる不純物は、Ho、Tb、Eu、Dy、Yb、Er、Pr及びその混合物よりなる群から選ばれた希土類イオンをさらに含む。
また、金属イオンは、Al、La、Te及びその混合物よりなる群から選ばれ、好ましくは、前記金属イオンとしてTeイオンを使用する。
また、当該光増幅器用光ファイバーの励起光源として、Tm3+イオンの吸収が発生する波長を有するレーザー及びレーザーダイオードを使用することが好ましい。
まず、シリカ基板チューブ1に、四塩化シリコン、四塩化ゲルマニウム及びフッ素を気相状態に供給し、この基板チューブ1を回転させると同時に外部の加熱源を左・右方向へ移動させつつ加熱し、基板チューブ1の内壁に微粒子を焼結し堆積することによって、屈折率が基板チューブ1に比べて約0.2%小さいクラッド層2を形成するか、あるいは、基板チューブ1と同一の屈折率を有するクラッド層2を形成する。
このようなホストは、蒸着される化学物質が不純物に対して多孔性構造を持つように、最適化せねばならない。
このように部分焼結する理由は、完全焼結すると、第1のコア層4の部分に空間を形成し難く、よって、ドーピングが効率よくできないためである。
好ましくは、金属イオンは、Al、Te、La及びその混合物よりなる群から選ばれる。第1のコア層4にドープされる溶液は、Pr、Er、Nd、Eu、Tb、Dy、Ho、Yb及びその混合物よりなる群から選ばれた希土類金属イオンをさらに含むと好ましい。
このドープされる溶液は、水、アセトンまたはアルコールのように、希土類イオン及び金属イオンを溶解可能な溶媒を用いて作る。
このように製造された光ファイバーは、コア層の直径が約1〜6μmで、光ファイバーの直径は125μmであると好ましい。また、この光ファイバーは、コア層の直径及び屈折率を調節することによって、1250nm以下の遮断波長(cutoff wavelength)を持つことができる。
上記の式において、V値が2.405よりも小さいときのλ値が、遮断波長となる。
したがって、
すなわち、1430nm〜1530nmの波長帯域において、Tm3+の3H4準位から3H5準位への遷移によるエネルギーが、格子振動によって基材に吸収されるのを防止するために、第1のコア層4が、Teイオンでドープされることが好ましい。また、第1のコア層4は、ドープされる希土類イオンの溶解度を増加させ、光増幅範囲を増やすために、金属イオン、Al、またはLaでドープされることが好ましい。
ここで、添加される希土類イオンの含有量は、0.01〜5mol%が好ましい。
そこで、フッ化物系ガラスと硫化物系ガラスについての研究がなされているが、米国特許第6266181号には、基材としてテルライト(tellurite)系ガラスを使用する光ファイバー増幅器が提示されており、Y.G.Choiの論文(Influence of 4f absorption transitions of Dy3+ on the emission spectra of Tm3+-doped tellurite glasses, Journal of Non-Crystalline Solids, 276, pp.1-7, 2000)では、1480nmの蛍光が得られた。
しかも、光ファイバーは、原料を炉に入れ溶かした後に、光ファイバーを引き出す溶融法で製造するので、OH−基と転移金属などの不純物により汚染する可能性が高く、光ファイバーに欠陥が生じる可能性も極めて高い。
そして、1064nmの励起光によってTm3+イオンが3H5準位に励起され、再び3F2準位に励起された後に、自発的に3H4準位に格子振動によって遷移され、3F4準位に遷移されて1480nmの蛍光を発する。
一方、上述の光ファイバーを使って周知の構成を持つ光増幅器の生産が可能なので、この光増幅器に使用される励起光源としては、Tm3+イオンの吸収ピークに該当する波長を有する励起信号を提供するレーザー及びレーザーダイオードを使用することが好ましい。
図4は、本発明の実施例によって製造された光増幅器用母材の蛍光測定装置を示す図であり、コアにTm、Tb、Al及びTeイオンを添加して光ファイバーの母材14を製造し、測定に適する試験片を作って蛍光スペクトラムと吸収スペクトラムを測定した。
試験片は、直径15mm、高さ20mmの大きさにし、コアの大きさは1.13mmにした。Tm3+イオンの濃度は、EPMA(Electron Probe Micro Analysis)を用いて測定した結果、0.16wt%だった。そして、試験片の断面は1μm以下に光学研磨したし、実験は常温で進行した。
すなわち、800nmの波長を持ち、入射光の強度が1.3WであるTi-Sapphireレーザー12の光源を、製造された母材14のコア部分に入射することによって、550nm〜2800nm領域の光を検出しうるInSbディテクタ(EG&G社製)17を使用して、自発的に発される蛍光から蛍光スペクトラムを得た。
また、吸収スペクトラムは、母材を円盤状に加工し、PerkinElmer社のLambda 900 UV/VIS/NIR spectrometerを使って測定した。
未説明の参照符号16は、モノクロメータコントローラーであり、参照符号18は、前置増幅器である。
図6は、本発明の実施形態によって製造された光増幅器用母材において、Tm3+の600nm〜850nm波長帯域における吸収スペクトラムである。ここて、熱的に相互に接続された3F3と3F2準位及びTm3+イオンの3H4準位が、650nm〜700nm波長及び800nm波長でそれぞれ観察される。
図7は、本発明の実施形態によって製造された光増幅器用母材において、Tm3+の1150nm〜1250nm波長帯域における吸収スペクトラムであり、ここでは、1210nm波長でTm3+イオンの3H5準位が観察される。
また、本発明によれば、高くかつ安定したドーピング濃度が得られ、ドーピングイオンの濃度と屈折率プロファイルを調節することによって、適宜の光増幅特性を得ることが可能になる。
本発明によれば、低い格子振動エネルギーを持つフッ化物系ガラスと硫化物系ガラスでのみTm3+イオンが1480nm帯域で蛍光を発する問題を克服し、1480nm帯域で光増幅可能な光増幅器用シリカ光ファイバーを提供することが可能になる。
Claims (10)
- 基板チューブ、クラッド層、及びコア層を含む光ファイバーであって、
Tm3+イオン及び金属イオンを含む不純物がドープされた第1のコア層と;
前記第1のコア層の外周面に形成され、不純物のドープされなかった第2のコア層と;を含み、
前記光ファイバーは、1430nm〜1530nmの領域で光増幅器に使用されるように、基材としてシリカ、ゲルマニウム及びフッ素を含有することを特徴とする光増幅器用光ファイバー。 - 前記ドープされる不純物に、Ho、Tb、Eu、Dy、Yb、Er、Pr及びその混合物よりなる群から選ばれた希土類イオンがさらに含まれることを特徴とする請求項1に記載の光増幅器用光ファイバー。
- 前記金属イオンは、Al、La、Te及びその混合物よりなる群から選ばれることを特徴とする請求項1に記載の光増幅器用光ファイバー。
- 前記コア層の直径と屈折率を調節することによって、1250nm以下の遮断波長(cutoff wavelength)を保持することを特徴とする請求項1に記載の光増幅器用光ファイバー。
- 前記第1のコア層と第2のコア層は、不純物のドープされる単一層からなることを特徴とする請求項1に記載の光増幅器用光ファイバー。
- 前記光増幅器用光ファイバーの励起光源として、Tm3+イオンが吸収される波長を有するレーザー及びレーザーダイオードを使用することを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の光増幅器用光ファイバー。
- 請求項1ないし5のいずれか一項に記載された光ファイバーを使用した光増幅器。
- MCVD法を用いて光ファイバーの母材を製造するために、シリカ基板チューブの内部にクラッド層と第2のコア層を形成する段階(S10)と;
前記第2のコア層の内面に、部分焼結されてTm3+イオン及び金属イオンに対してホスト(Host)を提供する第1のコア層を形成する段階(S20)と;
前記第1のコア層に、Tm3+イオン及び金属イオンを含む溶液を、均一にドープする段階(S30)と;
前記母材を崩壊させて、Tm3+イオン及び金属イオンが含有されたガラス棒を製造し、該ガラス棒を一定の直径を有する光ファイバーに引き出す段階(S40)と;
からなることを特徴とする光増幅器用光ファイバーの製造方法。 - 前記ドープされる不純物に、Ho、Tb、Eu、Dy、Yb、Er、Pr及びその混合物よりなる群から選ばれた希土類イオンをさらに含めることを特徴とする請求項8に記載の光増幅器用光ファイバーの製造方法。
- 前記金属イオンは、Al、La、Te及びその混合物よりなる群から選ばれたものであることを特徴とする請求項8に記載の光増幅器用光ファイバーの製造方法。
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