JP2005513899A - 撮像装置およびこれを備えるカメラ - Google Patents
撮像装置およびこれを備えるカメラ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005513899A JP2005513899A JP2003555551A JP2003555551A JP2005513899A JP 2005513899 A JP2005513899 A JP 2005513899A JP 2003555551 A JP2003555551 A JP 2003555551A JP 2003555551 A JP2003555551 A JP 2003555551A JP 2005513899 A JP2005513899 A JP 2005513899A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pixel
- transistor
- imaging device
- voltage
- charge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N3/00—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages
- H04N3/10—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical
- H04N3/14—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical by means of electrically scanned solid-state devices
- H04N3/15—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical by means of electrically scanned solid-state devices for picture signal generation
- H04N3/155—Control of the image-sensor operation, e.g. image processing within the image-sensor
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/766—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors comprising control or output lines used for a plurality of functions, e.g. for pixel output, driving, reset or power
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
Description
−スイッチ411を用いて、全てのロウ選択バス406を電圧源410に結合させて、これにより全てのロウ選択バスにVLOWを供給する;
−リセット信号を全てのリセットバス405に供給して、これにより全ての画素301のフローティング伝播部304をVLOWにプログラムして、その後、全ての画素のソースフォロワトランジスタ305をオフにさせる;
−スイッチ411を用いて、読み出されるべき画素301のロウのロウ選択バス406を電圧源409に結合させて、これにより読み出されるべき画素のロウにおけるロウ選択バス406にVHIGHを供給する;
−読み出されるべき画素301のロウのリセットバス406にリセット信号を供給し、これによりこれらの画素のフローティング伝播部304をVHIGHにプログラムして、その後読み出されるべき画素のソースフォロワトランジスタ305を効果的にオンさせる;
読み出されるべき画素301のフローティング伝播部304の参照レベルをサンプリングする;
−フォトダイオード302内に蓄積された電荷を読み出されるべき画素301のフローティング伝播部304に転送する;
−読み出されるべき画素301のフローティング伝播部304の信号プラス参照レベルをサンプリングする。
302 感光素子
303 転送トランジスタ
304 電荷−電圧変換ノード
305 増幅トランジスタ
306 リセットトランジスタ
309 第1の外部ノード
310 第2の外部ノード
401 撮像装置
406,409,410,411 バイアス手段
Claims (9)
- 複数の画素を備え、少なくとも1つの画素が、光を電荷へと変換する感光素子と、前記電荷を電圧レベルへと変換する電荷−電圧変換ノードと、前記感光画素と前記電荷−電圧変換ノードとの間に接続された主要導電性チャネルを有する転送トランジスタと、前記電荷−電圧変換ノードとに接続された制御電極と前記画素の第1の外部ノードに接続された主要導電性チャネルを有すると共に前記画素の第2の外部ノードに結合された増幅トランジスタと、および、前記電荷−電圧変換ノードと前記第2の外部ノードとの間に接続された主要導電性チャネルを有するリセットトランジスタと、を備える撮像装置において、
前記第2の外部ノードは、前記増幅トランジスタをそれぞれオフモードおよびオンモードにバイアスさせるために、少なくとも2つの異なる電圧レベルを前記電荷−電圧変換ノードに供給するバイアス手段に結合されていることを特徴とする撮像装置。 - 前記画素はマトリックスを構成するロウ(列)とカラム(行)とに配置されると共に、複数の画素における前記第2の外部ノードはロウ方向であってロウ選択バスに接続されていることを特徴とする請求項1に記載の撮像装置。
- 前記バイアス手段は、第1のバイアス電圧を供給する第1の電圧源と、第2のバイアス電圧源を供給する第2の電圧源と、および、前記第1の電圧源または前記第2の電圧源のいずれかを前記ロウ選択バスへと結合させるための選択スイッチと、を備えることを特徴とする請求項2に記載の撮像装置。
- 前記感光素子はフォトダイオードを含むことを特徴とする請求項1に記載の撮像装置。
- 前記感光素子はフォトゲートを含むことを特徴とする請求項1に記載の撮像装置。
- 前記増幅トランジスタは、絶縁ゲート電界効果トランジスタであることを特徴とする請求項1に記載の撮像装置。
- 前記リセットトランジスタは、絶縁ゲート電界効果トランジスタであることを特徴とする請求項1に記載の撮像装置。
- 前記転送トランジスタは、絶縁ゲート電界効果トランジスタであることを特徴とする請求項1に記載の撮像装置。
- 画像を撮像装置の画像部上に合焦させるための光学手段を備えるカメラにおいて、前記撮像装置は、請求項1乃至請求項8の何れかに記載された撮像装置であることを特徴とするカメラ。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP01205135.5 | 2001-12-21 | ||
EP01205135 | 2001-12-21 | ||
PCT/IB2002/005138 WO2003054922A2 (en) | 2001-12-21 | 2002-12-03 | Image pick-up device and camera system comprising an image pick-up device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005513899A true JP2005513899A (ja) | 2005-05-12 |
JP2005513899A6 JP2005513899A6 (ja) | 2005-08-04 |
Family
ID=8181529
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003555551A Pending JP2005513899A (ja) | 2001-12-21 | 2002-12-03 | 撮像装置およびこれを備えるカメラ |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7277130B2 (ja) |
EP (1) | EP1459356A2 (ja) |
JP (1) | JP2005513899A (ja) |
KR (1) | KR20040069183A (ja) |
CN (1) | CN100409448C (ja) |
AU (1) | AU2002351116A1 (ja) |
TW (1) | TWI284417B (ja) |
WO (1) | WO2003054922A2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007251481A (ja) * | 2006-03-15 | 2007-09-27 | Nissan Motor Co Ltd | 赤外線検出装置、赤外線検出装置のオフセット補正方法 |
JP2008160133A (ja) * | 2006-12-22 | 2008-07-10 | Magnachip Semiconductor Ltd | Cmosイメージセンサのための、小サイズ、高利得及び低ノイズのピクセル |
Families Citing this family (40)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3750502B2 (ja) * | 2000-08-03 | 2006-03-01 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置およびカメラシステム |
JP3988189B2 (ja) * | 2002-11-20 | 2007-10-10 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置 |
JP4355148B2 (ja) * | 2003-02-28 | 2009-10-28 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置の駆動方法 |
US7196304B2 (en) | 2004-01-29 | 2007-03-27 | Micron Technology, Inc. | Row driver for selectively supplying operating power to imager pixel |
JP4717879B2 (ja) * | 2004-05-05 | 2011-07-06 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 処理ユニットのアレイを備える電子デバイス |
JP2006019343A (ja) * | 2004-06-30 | 2006-01-19 | Pentax Corp | 固体撮像素子 |
KR100656666B1 (ko) * | 2004-09-08 | 2006-12-11 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 이미지 센서 |
KR100591075B1 (ko) | 2004-12-24 | 2006-06-19 | 삼성전자주식회사 | 커플드 게이트를 가진 전송 트랜지스터를 이용한 액티브픽셀 센서 |
KR20070108875A (ko) * | 2005-02-22 | 2007-11-13 | 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 | 고체 촬상장치의 구동방법 및 고체 촬상장치 |
US20060203114A1 (en) * | 2005-03-08 | 2006-09-14 | Eastman Kodak Company | Three-transistor CMOS active pixel |
DE102005025641A1 (de) * | 2005-06-03 | 2006-12-07 | MAX-PLANCK-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. | Srahlungsdetektor zur Detektion intensitätsarmer Strahlung |
GB2429864B (en) | 2005-09-01 | 2008-09-24 | Micron Technology Inc | Method and apparatus providing pixel array having automatic light control pixels and image capture pixels |
DE112005003698B4 (de) * | 2005-09-15 | 2016-10-13 | Volkswagen Aktiengesellschaft | Erfassung optischer Strahlung |
KR100734288B1 (ko) | 2005-11-17 | 2007-07-02 | 삼성전자주식회사 | Cis회로 및 cis회로의 초기전하 공급방법 |
JP4818018B2 (ja) | 2006-08-01 | 2011-11-16 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及びそれを用いた撮像システム |
US7692130B2 (en) * | 2006-11-01 | 2010-04-06 | International Business Machines Corporation | CMOS imaging sensor having a third FET device with a gate terminal coupled to a second diffusion region of a first FET device and a first terminal coupled to a row select signal |
JP4979375B2 (ja) * | 2006-12-28 | 2012-07-18 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及び撮像システム |
JP4058459B1 (ja) * | 2007-03-02 | 2008-03-12 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及び撮像システム |
US20090040351A1 (en) * | 2007-08-09 | 2009-02-12 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for reducing noise in a pixel array |
US20090115878A1 (en) * | 2007-11-07 | 2009-05-07 | Micron Technology, Inc. | Method, system and apparatus to boost pixel floating diffusion node voltage |
US7858914B2 (en) * | 2007-11-20 | 2010-12-28 | Aptina Imaging Corporation | Method and apparatus for reducing dark current and hot pixels in CMOS image sensors |
US7655966B2 (en) * | 2008-03-19 | 2010-02-02 | International Business Machines Corporation | High efficiency CMOS image sensor pixel employing dynamic voltage supply |
JP2010213043A (ja) * | 2009-03-11 | 2010-09-24 | Renesas Electronics Corp | トラックアンドホールド回路及びa/dコンバータ |
CN102725637B (zh) | 2010-01-25 | 2015-02-25 | 松下健康医疗控股株式会社 | 在自组装单层上固定a蛋白的方法 |
DE102010022184B4 (de) * | 2010-05-21 | 2013-04-04 | Bruker Daltonik Gmbh | Mischfrequenz-Stabsystem als Ionenreaktor |
WO2012029202A1 (en) | 2010-08-30 | 2012-03-08 | Panasonic Corporation | A method for immobilizing streptavidin on a self-assembled monolayer |
US20120049047A1 (en) * | 2010-09-01 | 2012-03-01 | Himax Imaging, Inc. | Sensing Devices |
CN103124786A (zh) | 2010-10-19 | 2013-05-29 | 松下电器产业株式会社 | 将葡萄糖氧化酶固定在自组装膜上的方法 |
CN102487436A (zh) * | 2010-12-01 | 2012-06-06 | 英属开曼群岛商恒景科技股份有限公司 | 感测像素阵列及感测装置 |
KR101736321B1 (ko) | 2010-12-22 | 2017-05-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 엑스레이 검출기용 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 엑스레이 검출기 |
US8847136B2 (en) * | 2011-01-02 | 2014-09-30 | Pixim, Inc. | Conversion gain modulation using charge sharing pixel |
CN103067676B (zh) * | 2013-01-16 | 2016-03-30 | 北京思比科微电子技术股份有限公司 | 高动态图像传感器及其有源像素 |
KR102102702B1 (ko) * | 2013-06-19 | 2020-04-21 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서의 단위 픽셀 및 이를 포함하는 이미지 센서 |
KR102131327B1 (ko) * | 2013-08-16 | 2020-07-07 | 삼성전자 주식회사 | 소스 팔로워를 포함하는 이미지 센서 |
JP6370044B2 (ja) * | 2013-12-25 | 2018-08-08 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、撮像システム、撮像装置の駆動方法 |
JP6324184B2 (ja) * | 2014-04-18 | 2018-05-16 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、撮像システム、および光電変換装置の駆動方法 |
TWI596946B (zh) * | 2016-08-18 | 2017-08-21 | 友達光電股份有限公司 | 訊號讀取電路 |
US10917596B2 (en) * | 2018-08-29 | 2021-02-09 | Himax Imaging Limited | Pixel circuit for generating output signals in response to incident radiation |
US10890482B2 (en) * | 2019-01-18 | 2021-01-12 | Himax Imaging Limited | Pixel circuit for generating an output signal in response to incident radiation |
KR20210028308A (ko) | 2019-09-03 | 2021-03-12 | 삼성전자주식회사 | 증폭기 및 그것을 포함하는 이미지 센서 장치 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5541402A (en) * | 1994-10-17 | 1996-07-30 | At&T Corp. | Imaging active pixel device having a non-destructive read-out gate |
EP0739039A3 (en) * | 1995-04-18 | 1998-03-04 | Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw | Pixel structure, image sensor using such pixel, structure and corresponding peripheric circuitry |
US5917547A (en) * | 1997-07-21 | 1999-06-29 | Foveonics, Inc. | Two-stage amplifier for active pixel sensor cell array for reducing fixed pattern noise in the array output |
JP3466886B2 (ja) | 1997-10-06 | 2003-11-17 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
US6222175B1 (en) * | 1998-03-10 | 2001-04-24 | Photobit Corporation | Charge-domain analog readout for an image sensor |
US6111245A (en) * | 1998-04-22 | 2000-08-29 | National Science Council Of Republic Of China | Low voltage reverse bias arrangement for an active pixel sensor |
US6097022A (en) * | 1998-06-17 | 2000-08-01 | Foveon, Inc. | Active pixel sensor with bootstrap amplification |
US6043478A (en) * | 1998-06-25 | 2000-03-28 | Industrial Technology Research Institute | Active pixel sensor with shared readout structure |
US6587146B1 (en) * | 1998-11-20 | 2003-07-01 | Eastman Kodak Company | Three transistor active pixel sensor architecture with correlated double sampling |
US6624850B1 (en) | 1998-12-30 | 2003-09-23 | Eastman Kodak Company | Photogate active pixel sensor with high fill factor and correlated double sampling |
US6704050B1 (en) * | 1999-04-23 | 2004-03-09 | Polaroid Corporation | Active-pixel image sensing device with linear mode voltage to current conversion |
US6727946B1 (en) * | 1999-12-14 | 2004-04-27 | Omnivision Technologies, Inc. | APS soft reset circuit for reducing image lag |
US6958776B2 (en) * | 2000-07-12 | 2005-10-25 | Vanguard International Semiconductor Corp. | Method and apparatus of controlling a pixel reset level for reducing an image lag in a CMOS sensor |
US6888572B1 (en) * | 2000-10-26 | 2005-05-03 | Rockwell Science Center, Llc | Compact active pixel with low-noise image formation |
JP3940618B2 (ja) * | 2002-03-01 | 2007-07-04 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置 |
US6911640B1 (en) * | 2002-04-30 | 2005-06-28 | Ess Technology, Inc. | Reducing reset noise in CMOS image sensors |
DE602004020444D1 (de) * | 2003-01-08 | 2009-05-20 | Cypress Semiconductor Corp | Aktiver cmos-pixel mit hard- und soft-reset |
US7215369B2 (en) * | 2003-04-02 | 2007-05-08 | Micron Technology, Inc. | Compact pixel reset circuits using reversed current readout |
US7652704B2 (en) * | 2004-08-25 | 2010-01-26 | Aptina Imaging Corporation | Pixel for boosting pixel reset voltage |
US20060203114A1 (en) * | 2005-03-08 | 2006-09-14 | Eastman Kodak Company | Three-transistor CMOS active pixel |
US7659928B2 (en) * | 2005-04-21 | 2010-02-09 | Aptina Imaging Corporation | Apparatus and method for providing anti-eclipse operation for imaging sensors |
-
2002
- 2002-12-03 WO PCT/IB2002/005138 patent/WO2003054922A2/en active Application Filing
- 2002-12-03 CN CNB02825662XA patent/CN100409448C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2002-12-03 JP JP2003555551A patent/JP2005513899A/ja active Pending
- 2002-12-03 EP EP02785829A patent/EP1459356A2/en not_active Ceased
- 2002-12-03 US US10/498,954 patent/US7277130B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-12-03 AU AU2002351116A patent/AU2002351116A1/en not_active Abandoned
- 2002-12-03 KR KR10-2004-7009690A patent/KR20040069183A/ko not_active Application Discontinuation
- 2002-12-12 TW TW091135962A patent/TWI284417B/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007251481A (ja) * | 2006-03-15 | 2007-09-27 | Nissan Motor Co Ltd | 赤外線検出装置、赤外線検出装置のオフセット補正方法 |
JP2008160133A (ja) * | 2006-12-22 | 2008-07-10 | Magnachip Semiconductor Ltd | Cmosイメージセンサのための、小サイズ、高利得及び低ノイズのピクセル |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
AU2002351116A8 (en) | 2003-07-09 |
CN1606810A (zh) | 2005-04-13 |
EP1459356A2 (en) | 2004-09-22 |
WO2003054922A2 (en) | 2003-07-03 |
CN100409448C (zh) | 2008-08-06 |
KR20040069183A (ko) | 2004-08-04 |
US7277130B2 (en) | 2007-10-02 |
TW200410406A (en) | 2004-06-16 |
TWI284417B (en) | 2007-07-21 |
WO2003054922A3 (en) | 2003-11-27 |
US20050128326A1 (en) | 2005-06-16 |
AU2002351116A1 (en) | 2003-07-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7277130B2 (en) | Image pick-up device and camera system comprising an image pick-up device | |
JP2005513899A6 (ja) | 撮像装置およびこれを備えるカメラ | |
US7324144B1 (en) | Solid image pickup device, image pickup system and method of driving solid image pickup device | |
US8026966B2 (en) | Method, apparatus and system providing a storage gate pixel with high dynamic range | |
US8120682B2 (en) | Solid-state image pickup device and method of resetting the same | |
US6624850B1 (en) | Photogate active pixel sensor with high fill factor and correlated double sampling | |
JP3827145B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
US6963371B2 (en) | Image pickup apparatus including a plurality of pixels, each having a photoelectric conversion element and an amplifier whose output is prevented from falling below a predetermined level | |
TWI382757B (zh) | 提供多像素整合週期之方法,裝置以及系統 | |
US6525769B1 (en) | Method and apparatus to compensate for dark current in an imaging device | |
US7710471B2 (en) | Pixel individual anti-eclipse circuit and its operation manner | |
US20120127355A1 (en) | Driving method of solid-state imaging apparatus and solid-state imaging apparatus | |
US7864238B2 (en) | Solid-state imaging device, driving method thereof, camera, and driving method thereof | |
US20050083421A1 (en) | Dynamic range enlargement in CMOS image sensors | |
US7427790B2 (en) | Image sensor with gain control | |
JP4770618B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
JP2007097127A (ja) | 固体撮像装置 | |
US20100079643A1 (en) | Active Pixel Sensor With Reduced Fixed Pattern Noise | |
US20080018762A1 (en) | Method, apparatus and system for charge injection suppression in active pixel sensors | |
US7372489B2 (en) | Signal processing circuit and solid-state image pickup device | |
JP4654783B2 (ja) | 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法および撮像装置 | |
KR100771117B1 (ko) | 이미지 센서 및 이의 제어 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20051201 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20070507 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080729 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081029 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090623 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20091124 |