JP2005510089A - 半導体デバイスの製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
前記半導体ボディの表面に第1のマスキング材料層を形成するステップであって、前記マスキング材料層が、少なくとも1つのトポグラフィカル輪郭、劈開マーキング領域の輪郭、および前記トポグラフィカル輪郭とは別個の少なくとも1つのアライメントまたはレジストレーションフィーチャの輪郭を提供するステップと、
前記少なくとも1つのトポグラフィカル輪郭から少なくとも1つのトポグラフィカルフィーチャを形成し、前記劈開マーキング領域から劈開マーキングノッチを形成し、前記少なくとも1つのアライメントまたはレジストレーションフィーチャの前記少なくとも1つの輪郭から少なくとも1つのアライメントまたはレジストレーションフィーチャを形成する1つまたは複数のプロセスを実行するステップと、
前記半導体ボディの前記表面の第2のマスキング材料層に第2の劈開マーキング領域の輪郭を形成するステップであって、前記第2の劈開マーキング領域が前記劈開マーキング領域に形成された前記ノッチと重なるステップと、
結晶学的エッチングを使用したエッチングを実行して、劈開マーキングフィーチャを形成するステップとを含み、
前記少なくとも1つのトポグラフィカルフィーチャ、劈開マーキングフィーチャ、および前記少なくとも1つのアライメントまたはレジストレーションフィーチャが互いに整列する方法であり、前記半導体デバイスがオプトエレクトロニクデバイスである半導体デバイスの製造方法である。
前記少なくとも1つのトポグラフィカル輪郭から少なくとも1つのトポグラフィカルフィーチャを形成し、前記劈開マーキング領域から劈開マーキングノッチを形成する1つまたは複数のプロセスを実行するステップと、
前記半導体ボディの前記表面の第2のマスキング材料層に第2の劈開マーキング領域の輪郭を形成するステップであって、前記第2の劈開マーキング領域が前記劈開マーキング領域に形成された前記ノッチと重なるステップと、
結晶学的エッチングを使用したエッチングを実行して、劈開マーキングフィーチャを形成するステップと、
前記劈開マーキングフィーチャを使用して前記デバイスをシンギュレートし、劈開させ、または分離するステップと、
前記デバイスを、その上に形成されたアライメントまたはレジストレーションフィーチャのパターンを有する第2のデバイスまたは表面に配置するステップと
を含み、前記材料によって形成される前記パターンが、前記半導体デバイスの前記少なくとも1つのトポグラフィカルフィーチャの前記輪郭に対応し、前記半導体デバイスあるいは前記第2のデバイスまたは表面の前記アライメントまたはレジストレーションフィーチャ上に接合材料の層が、前記接合材料中の力によって、前記半導体デバイスの少なくとも1つのトポグラフィカルフィーチャと前記第2のデバイスまたは表面が互いに整列するように、予め選択的に配置される半導体デバイスの製造方法である。ここで、前記半導体デバイスがオプトエレクトロニクデバイスであり、前記第1のトポグラフィカルフィーチャがウェーブガイドを画定し、前記ウェーブガイドがその中に形成された関連欠陥を有し、劈開マーキングフィーチャが前記関連欠陥と整列する、あるいは、前記半導体デバイスがレーザであり、前記半導体デバイスがリッジレーザである半導体デバイスの製造方法である。
Claims (31)
- 半導体ボディから半導体デバイスを製造する方法であって、
前記半導体ボディの表面に第1のマスキング材料層を形成するステップであって、前記マスキング材料層が、少なくとも1つのトポグラフィカル輪郭、劈開マーキング領域の輪郭、および前記トポグラフィカル輪郭とは別個の少なくとも1つのアライメントまたはレジストレーションフィーチャの輪郭を提供するステップと、
前記少なくとも1つのトポグラフィカル輪郭から少なくとも1つのトポグラフィカルフィーチャを形成し、前記劈開マーキング領域から劈開マーキングノッチを形成し、前記少なくとも1つのアライメントまたはレジストレーションフィーチャの前記少なくとも1つの輪郭から少なくとも1つのアライメントまたはレジストレーションフィーチャを形成する1つまたは複数のプロセスを実行するステップと、
前記半導体ボディの前記表面の第2のマスキング材料層に第2の劈開マーキング領域の輪郭を形成するステップであって、前記第2の劈開マーキング領域が前記劈開マーキング領域に形成された前記ノッチと重なるステップと、
結晶学的エッチングを使用したエッチングを実行して、劈開マーキングフィーチャを形成するステップとを含み、
前記少なくとも1つのトポグラフィカルフィーチャ、劈開マーキングフィーチャ、および前記少なくとも1つのアライメントまたはレジストレーションフィーチャが互いに整列する半導体デバイスの製造方法。 - 前記半導体デバイスがオプトエレクトロニクデバイスである、請求項1に記載の半導体デバイスの製造方法。
- 前記第1のトポグラフィカルフィーチャがウェーブガイドを画定する、請求項2に記載の半導体デバイスの製造方法。
- 前記ウェーブガイドがその中に形成された関連欠陥を有する、請求項3に記載の半導体デバイスの製造方法。
- 劈開マーキングフィーチャが前記関連欠陥と整列する、請求項4に記載の半導体デバイスの製造方法。
- 前記半導体デバイスがレーザである、請求項4に記載の半導体デバイスの製造方法。
- 前記半導体デバイスがリッジレーザである、請求項6に記載の半導体デバイスの製造方法。
- 前記欠陥が、前記リッジレーザの前記リッジに形成されたスロットである、請求項7に記載の半導体デバイスの製造方法。
- 前記少なくとも1つのトポグラフィカルフィーチャ、前記劈開マーキングノッチ、および前記少なくとも1つのアライメントまたはレジストレーションフィーチャを形成する1つまたは複数のプロセスを実行する前記ステップが、単一のエッチングプロセスを含む、先行するいずれかの請求項に記載の半導体デバイスの製造方法。
- 前記第2のレジスト材料層に前記輪郭を形成する前記ステップと結晶学的エッチングを使用する前記ステップとの間に第2のエッチングプロセスを実行する、先行するいずれかの請求項に記載の半導体デバイスの製造方法。
- 少なくとも1つの前記アライメント/レジストレーションフィーチャの表面に接合材料を選択的に適用することを含む、先行するいずれかの請求項に記載の半導体デバイスの製造方法。
- 前記半導体デバイスを、前記半導体デバイスの前記アライメントまたはレジストレーションフィーチャと整合した少なくとも1つのアライメントまたはレジストレーションフィーチャを有する第2のデバイスまたは表面に配置するステップを含む、請求項11に記載の方法。
- 前記半導体デバイスの前記少なくとも1つのアライメントまたはレジストレーションフィーチャの前記パターンが、前記第2のデバイス/表面の前記少なくとも1つのアライメント/レジストレーションフィーチャの鏡像である、請求項12に記載の方法。
- 前記接合材料がはんだまたは接着材料を含む、請求項11または請求項12に記載の方法。
- 前記マスキング材料がフォトレジスト材料である、先行するいずれかの請求項に記載の方法。
- 前記半導体デバイスの前記アライメントまたはレジストレーションフィーチャと前記第2のデバイス/表面の対応するフィーチャの間の相互アライメントを生じさせるためのリフロープロセスの使用をさらに含む、請求項12に記載の方法。
- 半導体ボディから半導体デバイスを製造する方法であって、前記半導体ボディの表面に第1のマスキング材料層を形成するステップであって、前記マスキング材料層が、少なくとも1つのトポグラフィカル輪郭、劈開マーキング領域の輪郭を提供するステップと、
前記少なくとも1つのトポグラフィカル輪郭から少なくとも1つのトポグラフィカルフィーチャを形成し、前記劈開マーキング領域から劈開マーキングノッチを形成する1つまたは複数のプロセスを実行するステップと、
前記半導体ボディの前記表面の第2のマスキング材料層に第2の劈開マーキング領域の輪郭を形成するステップであって、前記第2の劈開マーキング領域が前記劈開マーキング領域に形成された前記ノッチと重なるステップと、
結晶学的エッチングを使用したエッチングを実行して、劈開マーキングフィーチャを形成するステップと、
前記劈開マーキングフィーチャを使用して前記デバイスをシンギュレートし、劈開させ、または分離するステップと、
前記デバイスを、その上に形成されたアライメントまたはレジストレーションフィーチャのパターンを有する第2のデバイスまたは表面に配置するステップと
を含み、前記材料によって形成される前記パターンが、前記半導体デバイスの前記少なくとも1つのトポグラフィカルフィーチャの前記輪郭に対応し、前記半導体デバイスあるいは前記第2のデバイスまたは表面の前記アライメントまたはレジストレーションフィーチャ上に接合材料の層が、前記接合材料中の力によって、前記半導体デバイスの少なくとも1つのトポグラフィカルフィーチャと前記第2のデバイスまたは表面が互いに整列するように、予め選択的に配置されることを特徴とする半導体デバイスの製造方法。 - 前記半導体デバイスがオプトエレクトロニクデバイスである、請求項17に記載の半導体デバイスの製造方法。
- 前記第1のトポグラフィカルフィーチャがウェーブガイドを画定する、請求項17に記載の半導体デバイスの製造方法。
- 前記ウェーブガイドがその中に形成された関連欠陥を有する、請求項18に記載の半導体デバイスの製造方法。
- 劈開マーキングフィーチャが前記関連欠陥と整列する、請求項19に記載の半導体デバイスの製造方法。
- 前記半導体デバイスがレーザである、請求項19に記載の半導体デバイスの製造方法。
- 前記半導体デバイスがリッジレーザである、請求項21に記載の半導体デバイスの製造方法。
- 前記欠陥が、前記リッジレーザの前記リッジに形成されたスロットである、請求項22に記載の半導体デバイスの製造方法。
- 前記少なくとも1つのトポグラフィカルフィーチャおよび前記劈開マーキングノッチを形成する1つまたは複数のプロセスを実行する前記ステップが、単一のエッチングプロセスを含む、請求項17に記載の半導体デバイスの製造方法。
- 前記第2のレジスト材料層に前記輪郭を形成する前記ステップと結晶学的エッチングを使用する前記ステップとの間に第2のエッチングプロセスを実行する、請求項17に記載の半導体デバイスの製造方法。
- 少なくとも1つの前記トポグラフィカルフィーチャの表面に接合材料を選択的に適用することを含む、請求項17に記載の半導体デバイスの製造方法。
- 前記半導体デバイスの前記少なくとも1つのトポグラフィカルフィーチャの前記パターンが、前記第2のデバイス/表面の前記少なくとも1つのアライメント/レジストレーションフィーチャの鏡像である、請求項17に記載の半導体デバイスの製造方法。
- 前記接合材料がはんだまたは接着材料を含む、請求項17に記載の半導体デバイスの製造方法。
- 前記マスキング材料がフォトレジスト材料である、請求項17に記載の半導体デバイスの製造方法。
- 前記半導体デバイスの前記少なくとも1つのトポグラフィカルフィーチャと前記第2のデバイス/表面の対応するフィーチャの間の相互アライメントを生じさせるためのリフロープロセスの使用をさらに含む、請求項17に記載の半導体デバイスの製造方法。
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