JP2005503631A - 同期型不揮発性記憶装置のための独立の非同期ブートブロック - Google Patents
同期型不揮発性記憶装置のための独立の非同期ブートブロック Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005503631A JP2005503631A JP2002575958A JP2002575958A JP2005503631A JP 2005503631 A JP2005503631 A JP 2005503631A JP 2002575958 A JP2002575958 A JP 2002575958A JP 2002575958 A JP2002575958 A JP 2002575958A JP 2005503631 A JP2005503631 A JP 2005503631A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- output
- block
- gate
- signal
- input
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/32—Timing circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/08—Address circuits; Decoders; Word-line control circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
- G11C7/1072—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers for memories with random access ports synchronised on clock signal pulse trains, e.g. synchronous memories, self timed memories
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/20—Memory cell initialisation circuits, e.g. when powering up or down, memory clear, latent image memory
Abstract
Description
【0001】
この発明は、不揮発性半導体記憶装置の分野、さらに特には、独立の非同期ブートブロックを有する同期型不揮発性記憶装置に関する。
【背景技術】
【0002】
不揮発性記憶装置は、チップから電源を切った場合にデータを保持するセルを有する種々の半導体記憶装置を含む。不揮発性記憶装置の種類には、フラッシュメモリおよび電気的に書込消去可能な読出専用メモリ(EEPROM)、ならびに種々の他の装置構造が含まれる。典型的には、これらの種類のメモリは、メモリアレイからデータを読出し、かつデータをメモリアレイにプログラミングする/書込むために、デバイスシステムクロックと同期して動作する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0003】
しばしば、不揮発性装置には、動作システム、BIOS(Basic Input Output System:基本入出力システム)などの特別のプログラムを記憶するのに用いられるメモリの専用領域であるブートブロックが含まれる。一般的に、これらのブートブロックにおけるデータは、残りのメモリアレイのために用いられるクロックと同期してアクセスされる。これに対する不利点は、クロック信号および読出コマンドを設定してからしか、ブートブロックからデータがアクセスできないことである。クロックまたは読出しコマンドをセットアップしなくても、電源投入後直ちにブートブロックからデータにアクセスできることは有利であろう。このようにするために、ブートブロックは、記憶装置の正規の同期型メインメモリ部と非同期的に動作する必要がある。
【0004】
アンドリッヒ(Andrich)他の米国特許第5,197,034号は、メインブロックおよびブートブロックを含む不揮発性メモリを開示する。回路手段が制御信号を制御入力として受けるように結合され、制御信号が第1の電圧状態にあるときブートブロックを更新可能にし、制御信号が別の電圧状態にあるとき電源遮断信号を生成してメモリを実質的に電源遮断状態に切換えるようにする。
【0005】
アカオギ(Akaogi)の米国特許第5,402,383号は、ブートブロック型または通常の型のフラッシュメモリ装置において選択的に用いるための、電気的に消去可能な不揮発性半導体記憶装置を開示する。この装置は、メモリセルアレイ、第1の消去部、第2の消去部、および動作設定部を有する。第1の動作モードが設定されると、メモリセルアレイの消去動作が、第1の消去部のみにより実行される。第2の動作モードが設定されると、第1の消去部の消去動作がディスエーブルされ、第2の消去部が活性化されて消去動作を実行する。したがって、ブートブロックフラッシュメモリと通常の型のフラッシュメモリとの間での切換は、動作モード部の設定値を変更することによって実現される。
【0006】
リ(Le)他の米国特許第5,502,835号は、メモリに同期的にアクセスするための方法を記載する。集積回路マイクロプロセッサが、外部記憶装置から、初期オーバラップメモリアクセスサイクルでデータを読出し、こうして低速メモリへの効率的なアクセスが可能となる。回路には、ブートルーチンを記憶するブート領域が含まれる。このブート領域は、リ他による特許の図13に示されるチップ選択生成部の一部であり、同期しているようである。
【0007】
この発明の目的は、非同期的にアクセス可能であるが、それでもなお同期動作においてプログラミング/消去が可能であるブートブロックを有する不揮発性記憶装置を提供することである。
【0008】
この発明のさらなる目的は、装置が最初に電源投入された後に非同期ブートブロックをアクティブにすることができる、または、正規の同期型メモリ動作コマンドをアサートすると同期動作から切換えて非同期ブートブロックを活性化することができる、不揮発性記憶装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0009】
上述の目的は、システムクロックと同期して動作するメインメモリブロックと独立の非同期ブートブロックとを有する不揮発性記憶装置により達成された。この装置構造は、この装置が用いられるマイクロプロセッサ/メモリコントローラの構成のために、最初の電源投入およびシステムリセット動作を行なってから用いることができる。不揮発性記憶装置は、制御論理回路を含む。この制御論理回路により、最初の電源投入後に非同期ブートブロックをアクティブにすることが可能となるか、または、ブートブロックを同期モードで活性化し、次いで非同期モードに切換えることが可能となる。これにより、クロックか読出コマンド信号が設定されるのを待たなくても、ブートブロックからデータを直ちに読出すことが可能となる。加えて、多くのマイクロプロセッサ/メモリコントローラは非同期的に動作するので、これにより、非同期型マイクロプロセッサと互換性のある不揮発性記憶装置が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0010】
図1には、この発明の不揮発性記憶装置が示される。この記憶装置は、正規の同期型不揮発性メモリブロック23および非同期ブートブロック25で構成される。正規の同期型不揮発性メモリブロック23および非同期ブートブロック25は共に、アドレス入力、xおよびyデコーダ、読出、プログラミングおよび消去のためのカラム選択、不揮発性メモリアレイ、センスアンプならびに出力バッファを含み得るメモリ回路のブロックである。記憶装置20には、記憶装置との間でコマンドを受取りおよび出力するための複数の入力ピン21および出力ピン27が含まれる。信号線31および33は、メインメモリブロック23と非同期ブートブロック25との間でコマンドを伝送する。ブートブロックイネーブル信号32は、非同期ブートブロック25に入力され、正規のメインメモリブロックに入力される前に反転される(35)。
【0011】
図2では、非同期ブートブロック25が、ブロック49のアドレス部分への信号41を受取り、x−デコーダ47およびy−デコーダ48がカラム選択44およびプログラミング/消去選択42とともに、メモリ領域43内のどのブロックが読出、プログラミングおよび消去動作のために選択されるかを判断する。ブートブロックはまた、センスアンプと、出力信号50をバッファリングするのに用いられる出力バッファとを含む。
【0012】
非同期ブートブロックは、少なくとも2つの方法で活性化され得る。1つの方法は、正規の同期メモリ動作コマンドである「モードレジスタセットコマンド」を発行して、非同期ブートブロックを活性化し、正規の同期型不揮発性メモリブロックをディスエーブルすることである。この場合、ブートブロックは同期モードで動作し、モードレジスタセットにより非同期モードで動作するようブートブロックを切換える。これにより、読出、プログラミングおよび消去等の殆どの機能動作が、正規のメインメモリブロックではなく非同期ブートブロックにアクセス可能となるだろう。非同期ブートブロックを活性化する第2の方法は、チップの電源投入時に、同期型不揮発性メモリブロックではなく、非同期ブートブロックをアクティブにしておくことである。同期メインメモリブロックをイネーブルすることが所望されるようなときに、モードレジスタセットコマンドを発行して、非同期ブートブロックを非活性化することができる。モードレジスタセットコマンドは、通常、同期チップ動作である。非同期ブートブロックの動作モードでこのコマンドを入力するので、クロック、ロウアクセス(RAS♯)およびカラムアクセス(CAS♯)等の入力ピンの機能のいくつかはディスエーブルすることができないが、これらを入力コマンドとして用いるまで、入力をそれぞれVILまたはVIHの非活性状態に設定できる。このようにして、チップが非同期ブートブロックの動作モードにあるが、プログラミングおよび消去の同期コマンドシーケンスは依然として発行され機能し得る。これにより、非同期ブートブロックをプログラミングし、かつ消去するための一組の非同期論理を設計するのに必要な多大な労力が省かれる。
【0013】
図3では、非同期ブートブロックをイネーブルおよびディスエーブルするのに用いられる制御論理回路が示される。図3に示される回路は、非同期ブートブロックにおけるx−デコーダであり、図4に示される回路は、同期メインメモリブロックにおけるx−デコーダである。図3では、x−デコーダ論理回路60には、ブートブロックイネーブル信号67を含む複数の入力61、69を有するNANDゲート65が含まれる。NANDゲート65の出力はインバータ66により反転されて、出力68が生成される。同様に図4では、NANDゲート75が、ブートブロックイネーブル信号77を含む複数の入力信号71、79を受取る。しかしながら、ブートブロックイネーブル信号77は、NANDゲート75に入る前に反転される。NANDゲート75の出力はインバータ76により反転されて、出力78が生成される。非同期ブートブロックが活性化されることを示すために、ブートブロックイネーブル信号を、モードレジスタセットコマンドでアクティブもしくは論理的にハイにするか、または電源投入後にハイにすることができる。非同期ブートブロックが活性化されない場合、ブートブロックイネーブル信号は、論理ロー状態にある。図3では、出力信号は、ブートブロックイネーブル信号67が論理ハイ状態にある場合に限り、61、69の入力A0ないしAnの論理組合せに従うだろう。そうでない場合、出力68は、ブートブロックイネーブル信号67が、非同期ブートブロックが活性化されないことを示す論理ロー状態に留まる限り、論理ロー状態に留まるだろう。図4では、同期メインメモリブロックのx−デコーダ回路ブロック70において、ブートブロックイネーブル信号77が論理ロー状態にあり、非同期ブートブロックが活性化されず、正規の同期メインメモリブロックがイネーブルされることを示している場合、出力信号78は、入力71、79の信号A0から信号Anの論理組合せに従うだろう。
【0014】
図5では、ブートブロックおよびメインメモリブロックの出力バッファが示される。非同期ブートブロックの出力バッファ制御論理回路80は、同期メインメモリブロックの出力バッファ90と組合され、各バッファの出力は、出力パッド100に出力信号99を供給する。非同期ブートブロックの出力バッファである第1の論理ブロック80は、第1のインバータ83を含む。第1のインバータ83は、1つの入力端子にブートブロックイネーブル信号87を受取り、インバータ83の出力端子に中間制御信号を生成する。NORゲート84は、第1のインバータ83の出力端子に結合される第1の入力端子を有し、その端子で中間制御信号を受取る。NORゲートは、NORゲートの第2の入力端子で、第1の入力信号81を受取る。NORゲートは、NOR出力で第1のゲート信号を生成する。NANDゲート82は、第1の端子でブートブロックイネーブル信号87を受取り、第2の端子で入力信号81を受取る。NANDゲート82の出力は、第2のゲート信号である。2つのゲート信号は、PMOSトランジスタおよびNMOSトランジスタ86からなるCMOSインバータのゲートに入力される。PMOSトランジスタは、NANDゲート82の出力信号を受取り、NMOSトランジスタ86は、NORゲート84の出力信号を受取る。PMOS85およびNMOSトランジスタ86により形成されるインバータの出力は、出力パッド100の出力信号99に送られる信号88を生成する。同期型不揮発性記憶装置ブロックの回路90は、入力端子にブートブロックイネーブル信号を受取り、その出力端子に中間制御信号を生成するインバータ93を有する。NANDゲート92は、第1のインバータ93の出力端子に結合される第1の入力端子を有し、第2の入力端子に第1の入力信号91を受取って、NAND出力に第1のゲート信号を生成する。NORゲート94は、第1の端子にブートブロックイネーブル信号97を受取り、第2の端子に入力信号91を受取り、その出力に第2のゲート制御信号を生成する。第1のゲート制御信号はPMOSトランジスタ95に進み、第2のゲート制御信号はNMOSトランジスタ96のゲートに進む。PMOSトランジスタ95およびNMOSトランジスタ96は、出力ピン100に進む出力98を生成するインバータを形成する。
【0015】
同期ブートブロックが活性化されると、ブートブロックイネーブル信号は、論理ハイとなり、入力信号により論理回路を制御して、出力100を駆動し、同時に論理ハイであるブートブロックイネーブル信号は論理回路90をオフ状態とすることにより、出力バッファおよび同期メインメモリブロックがディスエーブルされる。同期ブートブロックが活性化されない場合、ブートブロックイネーブル信号は論理ロー値となり、このため、非同期ブートブロック80の出力バッファがディスエーブルされ、同期メインメモリブロックの出力バッファ90へのロー信号がイネーブルされる。したがって、出力パッド100が両方の出力バッファにより駆動されるが、1度に1つの出力バッファしかパッドを駆動することができず、他方のバッファはトライステートモードとなる。これにより、同期メモリブロックが動作した後でも、非同期ブートブロックのイネーブルおよびディスエーブルが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【0016】
【図1】この発明の不揮発性記憶装置のブロック図である。
【図2】非同期ブートブロックのブロック図である。
【図3】非同期ブートブロックにおけるx−デコーダ回路ブロックの回路図である。
【図4】メインメモリブロックにおけるx−デコーダ回路の回路図である。
【図5】ブートブロックおよびメインメモリブロックの出力バッファの回路図である。
Claims (10)
- 不揮発性記憶装置であって、
同期メインメモリブロックおよび非同期ブートブロックを含むメモリアレイと、
メモリアレイに結合される複数の入力ピンおよび複数の出力ピンと、
アドレス信号、非同期制御信号、およびクロック信号を含む同期制御信号を受取るための制御論理回路と、
非同期ブートブロックを活性化および非活性化するための手段とを含む、不揮発性記憶装置。 - 非同期ブートブロックを活性化および非活性化するための手段は、制御論理回路に結合される第1の入力ピンに第1の制御信号を与える手段を含み、制御論理回路は、非同期ブートブロックが活性化されているかまたは非活性化されているかを示す出力を供給する、請求項1に記載の不揮発性記憶装置。
- 制御論理回路は、非同期ブートブロックにおける第1のx−デコーダ回路ブロックと、同期メインメモリブロックにおける第2のx−デコーダ回路ブロックとを含み、前記第1および第2のx−デコーダは第1の制御信号を受取り、各々は、それぞれ対応の非同期または同期ブロックがイネーブルされるかどうかを示す出力を供給する、請求項1に記載の不揮発性記憶装置。
- 第1のx−デコーダブロックの出力は、常に、第2のx−デコーダブロックの出力とは反対の論理状態にある、請求項3に記載の不揮発性記憶装置。
- 非同期ブートブロックは、入力ピンのうち1つにより電源投入信号を受取ると、活性化される、請求項1に記載の不揮発性記憶装置。
- 入力ピンのうち1つによりモードレジスタセット信号を受取ると、非同期ブートブロックが非活性化され、同期メインメモリブロックが活性化される、請求項5に記載の不揮発性記憶装置。
- 制御論理回路は、同期メインメモリブロックにおける出力バッファの第1の論理ブロックと、非同期ブートブロックにおける出力バッファの第2の論理ブロックとを含み、前記第1および第2の論理ブロックは、第1の制御信号と第1の入力信号とを受取り、出力ピンのうちの1つに出力を生成する、請求項1に記載の不揮発性記憶装置。
- 第1の論理ブロックの各々は、
入力端子に第1の制御信号を受取り、出力端子に中間制御信号を生成する第1のインバータと、
第1のインバータの出力端子に結合される第1の入力端子を有し、第1の入力端子で中間制御信号を受取るNANDゲートとを含み、前記NANDゲートは、第2の入力端子に第1の入力信号を受取り、NAND出力で第1のゲート信号を生成し、前記第1の論理ブロックの各々はさらに、
第1の入力に第1の制御信号を受取り、第2の入力に第1の入力信号を受取り、NOR出力に第2のゲート信号を生成するNORゲートと、
CMOSインバータとを含み、このCMOSインバータは、NAND出力に結合されるゲート、電圧源に結合されるドレインおよび前記出力ピンのうち1つに結合されるソースを有するPMOSトランジスタと、NOR出力に結合されるゲート、前記出力ピンのうち1つに結合されるドレインおよび接地電位に接続されるソースを有するNMOSトランジスタとを含み、前記PMOSトランジスタの前記ゲートは、前記第1のゲート信号を受取り、前記NMOSトランジスタの前記ゲートは、前記第2のゲート信号を受取り、前記出力は、前記出力ピンのうち1つで生成される、請求項1に記載の不揮発性記憶装置。 - 第2の論理ブロックの各々は、
入力端子に第1の制御信号を受取り、出力端子に中間制御信号を生成する第1のインバータと、
第1のインバータの出力端子に結合される第1の入力端子を有し、第1の入力端子に中間制御信号を受取るNORゲートとを含み、前記NORゲートは、第2の端子に第1の入力信号を受取り、NOR出力に第1のゲート信号を生成し、前記第2の論理ブロックの各々はさらに、
第1の入力に第1の制御信号を受取り、第2の入力に第1の入力信号を受取り、NAND出力で第2のゲート信号を生成するNANDゲートと、
CMOSインバータとを含み、このCMOSインバータは、NAND出力に結合されるゲート、電圧源に結合されるドレインおよび前記出力ピンのうち1つに結合されるソースを有するPMOSトランジスタと、NOR出力に結合されるゲート、前記出力ピンのうち1つに結合されるドレインおよび接地電位に接続されるソースを有するNMOSトランジスタとを含み、前記PMOSトランジスタの前記ゲートは、前記第1のゲート信号を受取り、前記NMOSトランジスタの前記ゲートは、前記第2のゲート信号を受取り、前記出力は、前記出力ピンのうち1つで生成される、請求項7に記載の不揮発性記憶装置。 - メモリアレイはフラッシュメモリ型である、請求項1に記載の不揮発性記憶装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US09/816,801 US6400611B1 (en) | 2001-03-23 | 2001-03-23 | Independent asynchronous boot block for synchronous non-volatile memory devices |
PCT/US2001/049013 WO2002078008A2 (en) | 2001-03-23 | 2001-12-19 | Independent asynchronous boot block for synchronous non-volatile memory devices |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005503631A true JP2005503631A (ja) | 2005-02-03 |
JP2005503631A5 JP2005503631A5 (ja) | 2005-12-22 |
Family
ID=25221638
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002575958A Pending JP2005503631A (ja) | 2001-03-23 | 2001-12-19 | 同期型不揮発性記憶装置のための独立の非同期ブートブロック |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6400611B1 (ja) |
EP (1) | EP1423848B1 (ja) |
JP (1) | JP2005503631A (ja) |
KR (1) | KR20030085046A (ja) |
CN (1) | CN100426419C (ja) |
AU (1) | AU2002231014A1 (ja) |
CA (1) | CA2441898A1 (ja) |
DE (1) | DE60128408T2 (ja) |
NO (1) | NO20034233L (ja) |
WO (1) | WO2002078008A2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010044822A (ja) * | 2008-08-12 | 2010-02-25 | Toppan Printing Co Ltd | 半導体メモリ |
JPWO2008117520A1 (ja) * | 2007-03-28 | 2010-07-15 | パナソニック株式会社 | メモリコントローラ、不揮発性メモリシステムおよびホスト装置 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100305033B1 (ko) * | 1999-06-24 | 2001-11-14 | 윤종용 | 블럭 아키텍츄어 옵션 회로를 구비하는 불휘발성 반도체 메모리 장치 |
US7257703B2 (en) * | 2003-11-18 | 2007-08-14 | Toshiba America Electronic Components, Inc. | Bootable NAND flash memory architecture |
US8375241B2 (en) * | 2009-04-02 | 2013-02-12 | Intel Corporation | Method and system to improve the operations of a registered memory module |
KR101113188B1 (ko) | 2010-09-30 | 2012-02-16 | 주식회사 하이닉스반도체 | 동작 속도가 가변되는 비휘발성 메모리 장치 및 이를 위한 상보신호 제어 방법 |
US8472267B2 (en) * | 2010-12-20 | 2013-06-25 | Apple Inc. | Late-select, address-dependent sense amplifier |
US20140089573A1 (en) * | 2012-09-24 | 2014-03-27 | Palsamy Sakthikumar | Method for accessing memory devices prior to bus training |
CN105355229A (zh) * | 2015-10-29 | 2016-02-24 | 同济大学 | 异步电路系统对同步随机存储器的写入电路和读取电路 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5197034A (en) | 1991-05-10 | 1993-03-23 | Intel Corporation | Floating gate non-volatile memory with deep power down and write lock-out |
JPH06119230A (ja) | 1992-10-06 | 1994-04-28 | Fujitsu Ltd | 半導体記憶装置 |
US5696917A (en) * | 1994-06-03 | 1997-12-09 | Intel Corporation | Method and apparatus for performing burst read operations in an asynchronous nonvolatile memory |
US5502835A (en) | 1994-08-31 | 1996-03-26 | Motorola, Inc. | Method for synchronously accessing memory |
US6097211A (en) * | 1996-07-18 | 2000-08-01 | Altera Corporation | Configuration memory integrated circuit |
JP4060442B2 (ja) * | 1998-05-28 | 2008-03-12 | 富士通株式会社 | メモリデバイス |
DE19917940A1 (de) * | 1999-04-21 | 2000-10-26 | Bosch Gmbh Robert | Speicherbauteil einer Rechnereinheit |
-
2001
- 2001-03-23 US US09/816,801 patent/US6400611B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-12-19 KR KR10-2003-7012390A patent/KR20030085046A/ko not_active Application Discontinuation
- 2001-12-19 AU AU2002231014A patent/AU2002231014A1/en not_active Abandoned
- 2001-12-19 CA CA002441898A patent/CA2441898A1/en not_active Abandoned
- 2001-12-19 JP JP2002575958A patent/JP2005503631A/ja active Pending
- 2001-12-19 DE DE60128408T patent/DE60128408T2/de not_active Expired - Fee Related
- 2001-12-19 CN CNB018231969A patent/CN100426419C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2001-12-19 WO PCT/US2001/049013 patent/WO2002078008A2/en active IP Right Grant
- 2001-12-19 EP EP01991275A patent/EP1423848B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-09-23 NO NO20034233A patent/NO20034233L/no not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2008117520A1 (ja) * | 2007-03-28 | 2010-07-15 | パナソニック株式会社 | メモリコントローラ、不揮発性メモリシステムおよびホスト装置 |
JP2010044822A (ja) * | 2008-08-12 | 2010-02-25 | Toppan Printing Co Ltd | 半導体メモリ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2002078008A2 (en) | 2002-10-03 |
CA2441898A1 (en) | 2002-10-03 |
KR20030085046A (ko) | 2003-11-01 |
CN1539148A (zh) | 2004-10-20 |
US6400611B1 (en) | 2002-06-04 |
NO20034233D0 (no) | 2003-09-23 |
EP1423848A2 (en) | 2004-06-02 |
NO20034233L (no) | 2003-09-23 |
DE60128408T2 (de) | 2008-01-10 |
CN100426419C (zh) | 2008-10-15 |
DE60128408D1 (de) | 2007-06-21 |
WO2002078008A3 (en) | 2004-03-25 |
EP1423848B1 (en) | 2007-05-09 |
AU2002231014A1 (en) | 2002-10-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4744765B2 (ja) | フラッシュ・メモリの複数バンク同時操作 | |
JPH06180999A (ja) | 同時読出し/書込み機能付きフローティングゲート非揮発型メモリ及びこれを備えたマイクロプロセッサ装置 | |
JP2766249B2 (ja) | Dramバスに接続可能な不揮発性半導体メモリ装置 | |
US5893135A (en) | Flash memory array with two interfaces for responding to RAS and CAS signals | |
KR100543461B1 (ko) | 가변 가능한 데이터 출력 기능을 갖는 플래시 메모리 장치및 그것을 포함한 메모리 시스템 | |
US6782498B2 (en) | Semiconductor memory device allowing mounting of built-in self test circuit without addition of interface specification | |
US7305514B2 (en) | Command sequence for optimized power consumption | |
JP4177027B2 (ja) | システムのブートアップメモリとして使用可能な不揮発性フラッシュメモリ装置及びその動作方法。 | |
EP1423848B1 (en) | Independent asynchronous boot block for synchronous non-volatile memory devices | |
JP7228657B2 (ja) | 半導体記憶装置 | |
JP2003187593A (ja) | 半導体装置及び不揮発性半導体記憶装置 | |
US6938117B2 (en) | Tri-stating output buffer during initialization of synchronous memory | |
JPH0736273B2 (ja) | 半導体集積回路 | |
US6052806A (en) | Method and apparatus for testing an integrated circuit device | |
JPH03296986A (ja) | 半導体記憶装置 | |
JPH09213092A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
JP2000173283A (ja) | 半導体記憶装置及びデータ処理装置 | |
TW541538B (en) | Independent asynchronous boot block for synchronous non-volatile memory devices | |
JPH07249979A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
JPH11242889A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置及びその消去方法 | |
JPH11185485A (ja) | 半導体記憶装置及びデータ処理装置 | |
JPH0973798A (ja) | フラッシュメモリ、及びデータ処理装置 | |
JP2002093179A (ja) | 不揮発性半導体メモリ | |
JP2002149486A (ja) | メモリシステム | |
JP2000123576A (ja) | 揮発性半導体記憶装置及びデータ処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041119 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041119 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070510 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070522 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20070821 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20070828 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20070921 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20071001 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20071019 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20071026 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071218 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20080317 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20080325 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20080417 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20080424 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080516 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080708 |