JP2005502701A - 3−ブロモメチル安息香酸の製造方法 - Google Patents

3−ブロモメチル安息香酸の製造方法 Download PDF

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Abstract

本発明は、対応する3−メチル安息香酸を臭素化することによって、一般式(II)の3−ブロモメチル安息香酸を製造するための方法に関する。本発明はまた、R1がフッ素、塩素または臭素であり、そしてR2が(C1−C4)アルキルである、一般式(II)の化合物に関する。

Description

【技術分野】
【0001】
本発明は、対応する3−メチル安息香酸を臭素化することによって3−ブロモメチル安息香酸を製造するための方法に関する。本発明はさらに、特定の3−ブロモメチル安息香酸類に関する。
【背景技術】
【0002】
3−ブロモメチル安息香酸の誘導体は、特定の除草剤の合成において有用な反応物質の構成要素となる。ブロモメチル芳香族化合物は基本的に、対応するメチル芳香族化合物を側鎖で臭素化することにより製造される;この問題については、Houben−Weyl、Vol.5、331ページ以下(1960)を参照。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0003】
しかし、カルボキシル、アルキルカルボニル、シアノおよびニトロのような電気陰性の置換基が反応を際立って阻害し、したがって、低収率しか達成できないことが知られている。WO99/06339は、アゾカルボン酸エステルまたはアゾニトリルの存在下および酸化剤の存在下において、対応するメチル芳香族化合物を臭素化することによる置換された臭化ベンジルの製造方法を開示している。この場合、一つの置換基が電気陰性であり、フッ素、塩素、臭素、アルコキシカルボニル、シアノおよびニトロから成る群由来である。この方法の不利点は、追加の酸化剤を使用することおよび常に十分な収率が得られるとは限らないことである。EP−A0292944は、四塩化炭素中でのメチル2−クロロ−3−メチル−4−メチルスルホニルベンゾエートのラジカル開始剤誘導臭素化によるメチル3−ブロモメチル−2−クロロ−4−メチルスルホニルベンゾエートの製造を開示している。次に、この後者の化合物を加水分解することにより、遊離酸、3−ブロモメチル−2−クロロ−4−メチルスルホニル安息香酸が得られる。
【課題を解決するための手段】
【0004】
具体的には、特定の除草剤の製造に関しては、直接的に3−ブロモメチル安息香酸を製造する方法が望ましい。
【0005】
2−ハロ−3−メチル−4−アルキルスルホニル安息香酸は、臭素化により非常に高い収率および非常に高い純度で対応する3−ブロモメチル−2−ハロ−4−アルキルスルホニル安息香酸に転換されることが見出された。
【0006】
したがって、本発明は、式I
【化1】
Figure 2005502701
の3−メチル安息香酸を
A)ラジカル開始剤存在下のN−ブロモスクシンイミド、または
B)元素状態で存在する臭素およびフォトランプの照射
を用いて臭素化することによって、式II
【化2】
Figure 2005502701
の3−ブロモメチル安息香酸を製造するための方法を提供するものであり、
ここで、式IおよびIIにおいて、
1はフッ素、塩素または臭素であり、そして、
2は(C1−C4)アルキルである。
【発明を実施するための最良の形態】
【0007】
変形方法A)の臭素化に適したラジカル開始剤は、ジアロイルペルオキシド、アゾカルボン酸エステルおよびアゾニトリルなどの、市販されていて、かつ当業者に知られているラジカル開始剤である。例えば、アゾイソブチルニトリルおよびジベンゾイルペルオキシドが含まれる。変形方法B)の光の照射は、市販のフォトランプで達成され、基本的に当業者に知られている。
【0008】
非常に高い収率および非常に高い純度に加え、本発明に係る方法のさらなる利点は、毒性の低い溶媒を使用すること、および最終生成物の後処理が特に簡単であることと考えられる。
【0009】
本発明の方法に適した溶媒は、臭素化の条件において不活性であると考えられるものであることが分かった。これには、例えば、塩化メチレン、クロロフォルム、四塩化炭素、1,2−ジクロロエタンおよびクロロベンゼンなどのハロゲン化炭化水素、およびアセトニトリルなどの化合物もまた含まれる。溶媒クロロベンゼンおよびアセトニトリルは変形方法A)に都合が良く、溶媒クロロベンゼン、塩化メチレンおよび1,2−ジクロロエタンは変形方法B)に都合が良い。これらの溶媒の混合物もまた使用できることも理解されるであろう。
【0010】
両変形方法において、反応は通常、40から100℃の温度、好ましくは70から100℃の温度で実施される。低沸点の溶媒アセトニトリル、1,2−ジクロロエタンおよび塩化メチレンの場合は、還流下で行うのが好ましい。
【0011】
変形方法A)においては、式Iの化合物をN−ブロモスクシンイミド(NBS)およびラジカル開始剤と共に溶媒に加え、次に徐々に加熱することが適当である。少量の臭素を添加することにより、任意で反応を促進してもよい。過剰のNBSを使用することが好ましい。
【0012】
変形方法B)においては、式Iの化合物を最初に溶媒に加え、次にフォトランプの照射下で加熱した後に、臭素を滴下することが適当である。過剰の臭素を使用することが好ましい。
【0013】
使用される溶媒に対する式IおよびIIの化合物の溶解度に依存して、これらの化合物は完全にまたは部分的に溶解する。一般に、これらは部分的に溶解し、故に一部は懸濁状態である。通常は、両変形方法における反応は、約2から6時間後に完了する。反応が完了する正確な時間は、例えば薄層クロマトグラフィーまたはHPLCによってモニターすることができる。
【0014】
後処理のために、反応混合物を冷却する。臭素化を変形方法A)によって達成するときは、亜硫酸水素ナトリウム溶液を最初に添加し、場合により溶媒を添加することが適当である。そして更なる後処理は生成物の溶解度および純度に依存する。変形方法A)の場合、一般に反応生成物は、冷却後に吸引ろ過することにより直接分離される。両方の場合において、反応生成物は洗浄され、必要な場合は、例えば酢酸エチルまたは酢酸ブチルからの再結晶によりさらに精製される。
【0015】
EP−A0292944に開示された化合物3−ブロモメチル−2−クロロ−4−メチルスルホニル安息香酸を除いては、式IIの化合物は新規である。したがって、本発明は更に、化合物3−ブロモメチル−2−クロロ−4−メチルスルホニル安息香酸を除く、式II
【化3】
Figure 2005502701
(式中、
1はフッ素、塩素または臭素であり、そして、
2は(C1−C4)アルキルである)
の化合物を提供する。
【0016】
本発明を説明する実施例は以下の通りである。
【実施例1】
【0017】
3−ブロモメチル−2−クロロ−4−メチルスルホニル安息香酸の製造
変形方法A):
1Lの攪拌器付き装置中で、2−クロロ−3−メチル−4−スルホニルメチル安息香酸100gをクロロベンゼン400mL中に懸濁した。室温で、N−ブロモスクシンイミド85.9gおよびアゾイソブチロニトリル6.6gを添加し、続いて混合物を60℃まで徐々に加熱した。その後、臭素2.6gを添加し、反応混合物をさらに90℃まで徐々に加熱した。混合物を90℃で2時間攪拌し、このときにHPLC分析は98%以上の転換を示した。反応混合物を冷却した後、2%亜硫酸水素ナトリウム溶液100mLおよび水400mLを連続して添加し、よく攪拌した。懸濁液をろ過し、固体を洗浄しそして減圧下60℃で乾燥した。
3−ブロモメチル−2−クロロ−4−メチルスルホニル安息香酸121.3gが得られた(理論値の88.4%)。
純度:96%(HPLC) 融点:207−208℃
【0018】
変形方法B):
250mLのガラスフラスコに、まず、塩化メチレン50mL中の2−クロロ−3−メチル−4−スルホニルメチル安息香酸5gおよび水50mLを加えた。300Wランプでの照射下で、臭素11gを3時間以上かけて徐々に加え、混合物を還流下で沸騰させた。さらに2時間照射した後、反応混合物を十分に脱色した。HPLC分析によれば、反応混合物は生成物87%および反応物質10%を含んでいた。
【実施例2】
【0019】
変形方法A):
3−ブロモメチル−2−クロロ−4−エチルスルホニル安息香酸の製造
0.5Lの攪拌器付き装置中で、2−クロロ−3−メチル−4−スルホニルエチル安息香酸20gをアセトニトリル150mL中に懸濁した。室温で、N−ブロモスクシンイミド17.6gおよびジベンゾイルペルオキシド0.7gを添加し、続いて混合物を加熱し、還流させた。それぞれの場合において、1時間後、さらにジベンゾイルペルオキシドを各0.7gずつ3回添加し、最後の添加の後混合物をさらに2時間攪拌した。この後、HPLC分析は転換が完了したことを示した。反応混合物を冷却した後、2%亜硫酸水素ナトリウム溶液100mLおよび酢酸エチル300mLを連続して添加した。有機相を除去し、洗浄し減圧下で濃縮した。固体残留物をジエチルエーテル50mLおよびヘプタン20mL中に懸濁し、ろ過し、乾燥した。3−ブロモメチル−2−クロロ−4−エチルスルホニル安息香酸28.2gが得られた(理論値の95.6%)。
純度:88%(HPLC) 融点:103℃

Claims (5)

  1. 式I
    Figure 2005502701
    の3−メチル安息香酸を、
    A)ラジカル開始剤存在下のN−ブロモスクシンイミド、または
    B)元素状態で存在する臭素およびフォトランプの照射
    を用いて臭素化することによって、式II
    Figure 2005502701
    (式IおよびIIにおいて、
    1はフッ素、塩素または臭素であり、そして、
    2は(C1−C4)アルキルである)
    の3−ブロモメチル安息香酸を製造する方法。
  2. 変形方法A)の臭素化のために用いられるラジカル開始剤がアゾイソブチロニトリルまたはジベンゾイルペルオキシドである、請求項1に記載の製造方法。
  3. 用いられる溶媒が、変形方法A)ではクロロベンゼンまたはアセトニトリルであり、変形方法B)ではクロロベンゼンまたは塩化メチレンであることを特徴とする請求項1または2に記載の製造方法。
  4. 反応が70から100℃の温度で実施され、溶媒がアセトニトリルおよび塩化メチレンの場合は還流温度で実施される、請求項1〜3のいずれか1項に記載の製造方法。
  5. 3−ブロモメチル−2−クロロ−4−メチルスルホニル安息香酸を除く、式II
    Figure 2005502701
    (式中、
    1はフッ素、塩素または臭素であり、そして、
    2は(C1−C4)アルキルである)
    の化合物。
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