JP2005340625A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2005340625A5
JP2005340625A5 JP2004159463A JP2004159463A JP2005340625A5 JP 2005340625 A5 JP2005340625 A5 JP 2005340625A5 JP 2004159463 A JP2004159463 A JP 2004159463A JP 2004159463 A JP2004159463 A JP 2004159463A JP 2005340625 A5 JP2005340625 A5 JP 2005340625A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
nitride semiconductor
light
layer
semiconductor laser
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2004159463A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2005340625A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2004159463A priority Critical patent/JP2005340625A/ja
Priority claimed from JP2004159463A external-priority patent/JP2005340625A/ja
Publication of JP2005340625A publication Critical patent/JP2005340625A/ja
Publication of JP2005340625A5 publication Critical patent/JP2005340625A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

JP2004159463A 2004-05-28 2004-05-28 窒化物半導体レーザ素子 Pending JP2005340625A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004159463A JP2005340625A (ja) 2004-05-28 2004-05-28 窒化物半導体レーザ素子

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004159463A JP2005340625A (ja) 2004-05-28 2004-05-28 窒化物半導体レーザ素子

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2005340625A JP2005340625A (ja) 2005-12-08
JP2005340625A5 true JP2005340625A5 (ko) 2007-07-12

Family

ID=35493824

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004159463A Pending JP2005340625A (ja) 2004-05-28 2004-05-28 窒化物半導体レーザ素子

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2005340625A (ko)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007103814A (ja) 2005-10-07 2007-04-19 Sharp Corp 窒化物半導体発光素子およびその製造方法
JP5191650B2 (ja) 2005-12-16 2013-05-08 シャープ株式会社 窒化物半導体発光素子および窒化物半導体発光素子の製造方法
JP4776514B2 (ja) * 2005-12-16 2011-09-21 シャープ株式会社 窒化物半導体レーザ素子
KR100853241B1 (ko) 2005-12-16 2008-08-20 샤프 가부시키가이샤 질화물 반도체 발광소자 및 질화물 반도체 레이저 소자의제조방법
JP5766659B2 (ja) * 2005-12-16 2015-08-19 シャープ株式会社 窒化物半導体発光素子
JP5004597B2 (ja) 2006-03-06 2012-08-22 シャープ株式会社 窒化物半導体発光素子および窒化物半導体発光素子の製造方法
JP5430826B2 (ja) 2006-03-08 2014-03-05 シャープ株式会社 窒化物半導体レーザ素子
KR100755649B1 (ko) * 2006-04-05 2007-09-04 삼성전기주식회사 GaN계 반도체 발광소자 및 그 제조방법
JP4444304B2 (ja) 2006-04-24 2010-03-31 シャープ株式会社 窒化物半導体発光素子および窒化物半導体発光素子の製造方法
JP4514760B2 (ja) * 2007-01-26 2010-07-28 シャープ株式会社 半導体レーザ素子
JPWO2008093703A1 (ja) * 2007-01-30 2010-05-20 日本電気株式会社 半導体レーザ
JP4294699B2 (ja) 2007-02-26 2009-07-15 三菱電機株式会社 半導体レーザ装置
JP4310352B2 (ja) 2007-06-05 2009-08-05 シャープ株式会社 発光デバイスおよび発光デバイスの製造方法
JP5122337B2 (ja) * 2007-06-13 2013-01-16 シャープ株式会社 発光素子及び発光素子の製造方法
KR100945993B1 (ko) 2008-03-06 2010-03-09 삼성전기주식회사 반도체 레이저 다이오드
JP2009231367A (ja) 2008-03-19 2009-10-08 Sharp Corp 窒化物半導体レーザ素子および外部共振器型半導体レーザ装置
JP2013243217A (ja) * 2012-05-18 2013-12-05 Sumitomo Electric Ind Ltd Iii族窒化物半導体レーザ素子
US9310664B2 (en) * 2013-12-20 2016-04-12 Sharp Kabushiki Kaisha Frequency-converted light source

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07283483A (ja) * 1994-04-15 1995-10-27 Hitachi Ltd 半導体レーザ素子の製造方法
JP2003142780A (ja) * 1996-01-25 2003-05-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体レーザ装置
JP3774503B2 (ja) * 1996-04-17 2006-05-17 日本オプネクスト株式会社 半導体レーザ素子およびその製造方法
JPH11312841A (ja) * 1998-04-28 1999-11-09 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物半導体レーザ素子
JP2000022269A (ja) * 1998-07-02 2000-01-21 Nec Corp 青色半導体レーザ素子
JP2000196143A (ja) * 1998-12-25 2000-07-14 Sharp Corp 半導体発光素子
JP2001144378A (ja) * 1999-08-31 2001-05-25 Sharp Corp 化合物半導体発光素子及びその製造方法
JP2001210913A (ja) * 1999-11-17 2001-08-03 Nichia Chem Ind Ltd レーザ素子の製造方法
JP4066317B2 (ja) * 1999-11-30 2008-03-26 松下電器産業株式会社 半導体レーザ素子、その製造方法及び光ディスク装置
JP2001223429A (ja) * 2000-02-09 2001-08-17 Fuji Photo Film Co Ltd 半導体レーザ装置
JP2002043692A (ja) * 2000-05-17 2002-02-08 Sony Corp 半導体レーザおよびその製造方法
JP2002016312A (ja) * 2000-06-27 2002-01-18 Sanyo Electric Co Ltd 窒化物系半導体素子およびその製造方法
JP2002164617A (ja) * 2000-09-18 2002-06-07 Fuji Photo Film Co Ltd 半導体レーザ素子
JP2002208724A (ja) * 2001-01-09 2002-07-26 Osaka Gas Co Ltd 半導体素子およびその製造方法
JP2002246679A (ja) * 2001-02-14 2002-08-30 Sony Corp 半導体レーザ素子およびその製造方法
JP2003124561A (ja) * 2001-10-11 2003-04-25 Sony Corp 光学被膜、光学被膜の成膜方法、半導体レーザ素子及びshgデバイス
JP3878868B2 (ja) * 2002-03-01 2007-02-07 シャープ株式会社 GaN系レーザ素子
JP2004140203A (ja) * 2002-10-18 2004-05-13 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法
JP2004158800A (ja) * 2002-11-08 2004-06-03 Sharp Corp 窒化物半導体レーザ素子および光学式情報記録再生装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2005340625A5 (ko)
JP5527327B2 (ja) 発光素子、光源装置及び投射型表示装置
US20120112218A1 (en) Light Emitting Diode with Polarized Light Emission
JP5605427B2 (ja) 発光素子、光源装置及び投射型表示装置
TW200707805A (en) Nitride semiconductor light emitting element
JP2007036298A5 (ko)
KR100624448B1 (ko) 반도체 발광소자 및 그 제조방법
WO2014171467A1 (ja) Led素子及びその製造方法
ATE546869T1 (de) Oberflächenemissionslaser
JP2004296903A5 (ko)
KR100886821B1 (ko) 전기적 특성을 향상한 광자결정 발광 소자 및 제조방법
JP2004253811A5 (ko)
JP2008521245A5 (ko)
JP2010226056A (ja) 半導体レーザ装置
JP2010123819A (ja) レーザ媒質
TW200935632A (en) Optoelectronic component
JP4048056B2 (ja) 半導体発光素子及びその製造方法
JP2004509478A5 (ko)
JP2010219436A5 (ko)
JP2008181910A (ja) GaN系発光ダイオード素子の製造方法
KR20070095089A (ko) 절연체 반사면을 구비하는 플립칩 발광소자
CN107591463B (zh) 发光组件及发光组件的制造方法
JP2006229008A5 (ko)
JP2008294090A (ja) 半導体レーザ素子
JP2005197650A (ja) 発光素子