JP2005340625A5 - - Google Patents
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Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004159463A JP2005340625A (ja) | 2004-05-28 | 2004-05-28 | 窒化物半導体レーザ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004159463A JP2005340625A (ja) | 2004-05-28 | 2004-05-28 | 窒化物半導体レーザ素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005340625A JP2005340625A (ja) | 2005-12-08 |
JP2005340625A5 true JP2005340625A5 (ko) | 2007-07-12 |
Family
ID=35493824
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004159463A Pending JP2005340625A (ja) | 2004-05-28 | 2004-05-28 | 窒化物半導体レーザ素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005340625A (ko) |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007103814A (ja) | 2005-10-07 | 2007-04-19 | Sharp Corp | 窒化物半導体発光素子およびその製造方法 |
JP5191650B2 (ja) | 2005-12-16 | 2013-05-08 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体発光素子および窒化物半導体発光素子の製造方法 |
JP4776514B2 (ja) * | 2005-12-16 | 2011-09-21 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体レーザ素子 |
KR100853241B1 (ko) | 2005-12-16 | 2008-08-20 | 샤프 가부시키가이샤 | 질화물 반도체 발광소자 및 질화물 반도체 레이저 소자의제조방법 |
JP5766659B2 (ja) * | 2005-12-16 | 2015-08-19 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体発光素子 |
JP5004597B2 (ja) | 2006-03-06 | 2012-08-22 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体発光素子および窒化物半導体発光素子の製造方法 |
JP5430826B2 (ja) | 2006-03-08 | 2014-03-05 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体レーザ素子 |
KR100755649B1 (ko) * | 2006-04-05 | 2007-09-04 | 삼성전기주식회사 | GaN계 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
JP4444304B2 (ja) | 2006-04-24 | 2010-03-31 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体発光素子および窒化物半導体発光素子の製造方法 |
JP4514760B2 (ja) * | 2007-01-26 | 2010-07-28 | シャープ株式会社 | 半導体レーザ素子 |
JPWO2008093703A1 (ja) * | 2007-01-30 | 2010-05-20 | 日本電気株式会社 | 半導体レーザ |
JP4294699B2 (ja) | 2007-02-26 | 2009-07-15 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ装置 |
JP4310352B2 (ja) | 2007-06-05 | 2009-08-05 | シャープ株式会社 | 発光デバイスおよび発光デバイスの製造方法 |
JP5122337B2 (ja) * | 2007-06-13 | 2013-01-16 | シャープ株式会社 | 発光素子及び発光素子の製造方法 |
KR100945993B1 (ko) | 2008-03-06 | 2010-03-09 | 삼성전기주식회사 | 반도체 레이저 다이오드 |
JP2009231367A (ja) | 2008-03-19 | 2009-10-08 | Sharp Corp | 窒化物半導体レーザ素子および外部共振器型半導体レーザ装置 |
JP2013243217A (ja) * | 2012-05-18 | 2013-12-05 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Iii族窒化物半導体レーザ素子 |
US9310664B2 (en) * | 2013-12-20 | 2016-04-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Frequency-converted light source |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07283483A (ja) * | 1994-04-15 | 1995-10-27 | Hitachi Ltd | 半導体レーザ素子の製造方法 |
JP2003142780A (ja) * | 1996-01-25 | 2003-05-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ装置 |
JP3774503B2 (ja) * | 1996-04-17 | 2006-05-17 | 日本オプネクスト株式会社 | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
JPH11312841A (ja) * | 1998-04-28 | 1999-11-09 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体レーザ素子 |
JP2000022269A (ja) * | 1998-07-02 | 2000-01-21 | Nec Corp | 青色半導体レーザ素子 |
JP2000196143A (ja) * | 1998-12-25 | 2000-07-14 | Sharp Corp | 半導体発光素子 |
JP2001144378A (ja) * | 1999-08-31 | 2001-05-25 | Sharp Corp | 化合物半導体発光素子及びその製造方法 |
JP2001210913A (ja) * | 1999-11-17 | 2001-08-03 | Nichia Chem Ind Ltd | レーザ素子の製造方法 |
JP4066317B2 (ja) * | 1999-11-30 | 2008-03-26 | 松下電器産業株式会社 | 半導体レーザ素子、その製造方法及び光ディスク装置 |
JP2001223429A (ja) * | 2000-02-09 | 2001-08-17 | Fuji Photo Film Co Ltd | 半導体レーザ装置 |
JP2002043692A (ja) * | 2000-05-17 | 2002-02-08 | Sony Corp | 半導体レーザおよびその製造方法 |
JP2002016312A (ja) * | 2000-06-27 | 2002-01-18 | Sanyo Electric Co Ltd | 窒化物系半導体素子およびその製造方法 |
JP2002164617A (ja) * | 2000-09-18 | 2002-06-07 | Fuji Photo Film Co Ltd | 半導体レーザ素子 |
JP2002208724A (ja) * | 2001-01-09 | 2002-07-26 | Osaka Gas Co Ltd | 半導体素子およびその製造方法 |
JP2002246679A (ja) * | 2001-02-14 | 2002-08-30 | Sony Corp | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
JP2003124561A (ja) * | 2001-10-11 | 2003-04-25 | Sony Corp | 光学被膜、光学被膜の成膜方法、半導体レーザ素子及びshgデバイス |
JP3878868B2 (ja) * | 2002-03-01 | 2007-02-07 | シャープ株式会社 | GaN系レーザ素子 |
JP2004140203A (ja) * | 2002-10-18 | 2004-05-13 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法 |
JP2004158800A (ja) * | 2002-11-08 | 2004-06-03 | Sharp Corp | 窒化物半導体レーザ素子および光学式情報記録再生装置 |
-
2004
- 2004-05-28 JP JP2004159463A patent/JP2005340625A/ja active Pending
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