JP2005317962A - ヒートシンク及びその表面処理方法 - Google Patents
ヒートシンク及びその表面処理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005317962A JP2005317962A JP2005122488A JP2005122488A JP2005317962A JP 2005317962 A JP2005317962 A JP 2005317962A JP 2005122488 A JP2005122488 A JP 2005122488A JP 2005122488 A JP2005122488 A JP 2005122488A JP 2005317962 A JP2005317962 A JP 2005317962A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat sink
- heat
- fine wire
- base
- copper
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 15
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 15
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 claims description 14
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 10
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 9
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 8
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 8
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical group [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 claims description 6
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- SUKJFIGYRHOWBL-UHFFFAOYSA-N sodium hypochlorite Chemical compound [Na+].Cl[O-] SUKJFIGYRHOWBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 abstract description 15
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 3
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 210000004209 hair Anatomy 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000010301 surface-oxidation reaction Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4871—Bases, plates or heatsinks
- H01L21/4882—Assembly of heatsink parts
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K7/00—Constructional details common to different types of electric apparatus
- H05K7/20—Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
- H01L23/3677—Wire-like or pin-like cooling fins or heat sinks
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
Abstract
【課題】 体積を変化せずに表面積のみを広げるとともに、従来よりも表面の粗度を大きくすることで放熱性能を向上できるヒートシンク及びその表面処理方法を提供する。
【解決手段】 発熱素子に付着されたベース５２と、前記ベース５２に少なくとも一つ設置された放熱ピン５４と、を含み、前記ベース５２または放熱ピン５４の表面に多数の微細ワイヤー５６が形成されることでヒートシンクを構成する。
【選択図】 図３
【解決手段】 発熱素子に付着されたベース５２と、前記ベース５２に少なくとも一つ設置された放熱ピン５４と、を含み、前記ベース５２または放熱ピン５４の表面に多数の微細ワイヤー５６が形成されることでヒートシンクを構成する。
【選択図】 図３
Description
本発明は、発熱素子の放熱作用を行うヒートシンクに関するもので、詳しくは、表面に放熱可能な多数の微細ワイヤーが成長されたヒートシンク及びその表面処理方法に関するものである。
図１は、従来のヒートシンクを示した斜視図であり、図２は、従来のヒートシンクを示した断面図である。
図１及び図２に示したように、従来のヒートシンク１０は、印刷回路基板２に組込まれたパワーモジュール、ＣＰＵ及びトランジスタなどの発熱素子４に装着され、この発熱素子４の劣化を防止するために放熱を行う装置である。
このようなヒートシンク１０は、前記発熱素子４に装着されるベース１２と、このベース１２上に所定間隔を有して多数個設置された放熱ピン１４と、から構成されており、一般に、低廉でかつ放熱性の良いアルミニウム合金により成形される。
一方、前記ヒートシンク１０は、輻射による放熱が円滑に行われるように、アルミニウム合金の酸化被膜法であるアルマイト処理または陽極酸化処理により表面に酸化被膜１６を形成する。
すなわち、電解液中の陽極に前記ヒートシンク１０の表面に被覆する金属を連結し、陰極に不活性金属を連結した後、電解液に前記ヒートシンク１０を入れることで電解液に電流が流れると、前記ヒートシンク１０の表面に前記酸化被膜１６が形成される。
このように表面処理されたヒートシンク１０は、酸化被膜１６により酸化が抑制されて耐食性が良くなり、表面が無光沢であるため、表面から光線状に放出される輻射エネルギーが乱反射されて、放熱効果が表面処理前よりもほぼ３〜１０％向上する。
しかしながら、このような従来の技術は、前記酸化被膜１６の乱反射率を一層高めることが困難であるため、通常、前記ヒートシンク１０の放熱性が向上するように、前記ヒートシンク１０の容量を増大するか、または、前記放熱ピン１４の目を一層細かく設置して前記ヒートシンク１０の熱交換面積を広げているが、この場合、体積が膨大になるだけでなく、前記放熱ピン１４の目を細かく設置するのに空間的な制約が伴う、という問題点があった。
本発明は、このような従来の問題点を解決するためになされたもので、体積を変化せずに表面積のみを広げるとともに、従来よりも表面の粗度を大きくすることで放熱性能を向上できるヒートシンク及びその表面処理方法を提供することを目的とする。
このような目的を達成するために、本発明によるヒートシンクは、発熱素子に装着されたベースと、前記ベースに少なくとも一つ設置された放熱ピンと、を含んで構成されており、前記ベースまたは放熱ピンの表面には、多数の微細ワイヤーが形成されたことを特徴とする。
また、前記微細ワイヤーは、銅酸化物であることを特徴とする。
また、前記微細ワイヤーは、前記ベースまたは放熱ピンの表面から長さが０.１μｍ〜１００μｍであり、且つ微細ワイヤーの断面積の幅が１nm〜１００nmであることを特徴とする。
また、前記ベースまたは放熱ピンは、アルミニウムまたは銅材質により成形されたことを特徴とする。
また、前記微細ワイヤーは、前記ベースまたは放熱ピンの表面から長さが０.１μｍ〜１００μｍであり、且つ微細ワイヤーの断面積の幅が１nm〜１００nmであることを特徴とする。
また、前記ベースまたは放熱ピンは、アルミニウムまたは銅材質により成形されたことを特徴とする。
また、このような目的を達成するために、本発明によるヒートシンクは、銅材質により成形され、その表面には、銅酸化物である多数の微細ワイヤーが形成されたことを特徴とする。
ここで、前記微細ワイヤーは、前記ベースまたは放熱ピンの表面から長さが０.１μｍ〜１００μｍであり、断面積の幅が１nm〜１００nmであることを特徴とする。
ここで、前記微細ワイヤーは、前記ベースまたは放熱ピンの表面から長さが０.１μｍ〜１００μｍであり、断面積の幅が１nm〜１００nmであることを特徴とする。
また、このような目的を達成するために、本発明によるヒートシンクの表面処理方法は、ヒートシンクを酸化溶液に浸すことで、前記ヒートシンクの表面に酸化物である微細ワイヤーを成長させることを特徴とする。
また、前記ヒートシンクは、アルミニウム材質により成形され、前記微細ワイヤーが成長されるように、表面が銅材質によりコーティングされたことを特徴とする。
また、前記ヒートシンクは、表面の酸化により前記微細ワイヤーが成長されるように、銅材質により成形されたことを特徴とする。
また、前記ヒートシンクは、表面の酸化により前記微細ワイヤーが成長されるように、銅材質により成形されたことを特徴とする。
また、前記酸化溶液は、ＮａＯＨまたはＮａＣｌＯ2であることを特徴とする。
また、前記微細ワイヤーの成長温度は、６０℃〜１００℃であることを特徴とする。
また、前記微細ワイヤーの成長時間は、１分〜１０分であることを特徴とする。
また、前記微細ワイヤーの成長温度は、６０℃〜１００℃であることを特徴とする。
また、前記微細ワイヤーの成長時間は、１分〜１０分であることを特徴とする。
本発明によるヒートシンク及びその表面処理方法は、酸化過程により前記ヒートシンクのベース及び放熱ピンの表面にナノ及びマイクロ単位の多数の微細ワイヤーが成長されるため、前記ヒートシンクのベース及び放熱ピンの体積がほとんど変わらない場合でも、前記ヒートシンクのベース及び放熱ピンの表面積が大幅に広くなり、従来よりも表面粗度が増大して、前記ヒートシンクの単位体積当たりの放熱性を一層向上できるという効果がある。
以下、本発明の好ましい実施形態について、添付図面を参照しつつ詳細に説明する。
本発明によるヒートシンク及びその表面処理方法には、多数の実施形態があるが、このうち最も好ましい実施形態を説明する。ただ、ヒートシンクをなす基本的な構造は、前述した従来の技術と同一であるため、詳細な説明は省略する。
本発明によるヒートシンク及びその表面処理方法には、多数の実施形態があるが、このうち最も好ましい実施形態を説明する。ただ、ヒートシンクをなす基本的な構造は、前述した従来の技術と同一であるため、詳細な説明は省略する。
図３は、本発明によるヒートシンクを示した断面図である。
図３に示したように、本発明の一実施形態によるヒートシンク５０は、発熱素子に装着されるベース５２と、前記ベース５２に少なくとも一つ設置された放熱ピン５４と、から構成されており、特に、前記ベース５２または放熱ピン５４の表面には、表面積及び粗度を向上する微細ワイヤー５６が全面にかけて均一に分布される。
図３に示したように、本発明の一実施形態によるヒートシンク５０は、発熱素子に装着されるベース５２と、前記ベース５２に少なくとも一つ設置された放熱ピン５４と、から構成されており、特に、前記ベース５２または放熱ピン５４の表面には、表面積及び粗度を向上する微細ワイヤー５６が全面にかけて均一に分布される。
前記微細ワイヤー５６は、前記ヒートシンク５０の放熱効果を向上するように熱伝導効率の良い金属により形成される。ここで、熱伝導性の良い金属は、次の表<物質の熱伝導性>に示したとおりである。
表１：<物質の熱伝導性>
物質 熱伝導性(W/mK)
銀 ４２２
銅 ４０２
金 ２９８
アルミニウム ２２６
鋼鉄 ７３.３
鉛 ３４.８
物質 熱伝導性(W/mK)
銀 ４２２
銅 ４０２
金 ２９８
アルミニウム ２２６
鋼鉄 ７３.３
鉛 ３４.８
前記表１の<物質の熱伝導性>によると、金属のうち銀が最も熱伝導性に優れているが、銀は、高価であるため費用面で競争力が低下する。また、銅よりもアルミニウムや鉛などが一層低廉であるが、銅がアルミニウムや鉛よりもはるかに熱伝導性に優れているため、費用及び熱伝導性を全て考慮する場合、前記微細ワイヤー５６は、銅により形成されることが最も好ましい。
前記微細ワイヤー５６は、前記ヒートシンク５０の体積の変化なしに表面積のみを広げるとともに、表面粗度を増大するために、前記ヒートシンク５０の表面から長さが０.１μｍ〜１００μｍであり、且つ微細ワイヤーの断面積の幅が１nm〜１００nmであることが好ましい。
すなわち、前記微細ワイヤー５６が前述した大きさに形成されると、前記微細ワイヤー５６は、前記ヒートシンク５０の表面と密着して接触形成されるため、空気の抵抗をほとんど受けない。したがって、前記微細ワイヤー５６は、別途の接着剤に依存することなく、前記ヒートシンク５０の表面に堅固に付着される。
以下、本発明の一実施形態によるヒートシンクの表面処理過程を、図３乃至図７に基づいて説明する。
まず、前記ヒートシンク５０のベース５２及び放熱ピン５４を成形した形状を備える。このとき、前記ヒートシンク５０のベース５２及び放熱ピン５４は、良好な放熱性を有するとともに、低廉に成形されるように、全てアルミニウム材質により成形されることが好ましい。
まず、前記ヒートシンク５０のベース５２及び放熱ピン５４を成形した形状を備える。このとき、前記ヒートシンク５０のベース５２及び放熱ピン５４は、良好な放熱性を有するとともに、低廉に成形されるように、全てアルミニウム材質により成形されることが好ましい。
このように、前記ヒートシンク５２のベース５２及び放熱ピン５４がアルミニウム材質により成形されると、前記ヒートシンク５２のベース５２及び放熱ピン５４を銅電解液に入れた後、通電することで、前記ヒートシンク５０のベース５２及び放熱ピン５４の表面を銅によりコーティングする。その結果、前記ヒートシンク５０のベース５２及び放熱ピン５４の表面には、図４に示したように、銅コーティング膜５６’が形成される。
ここで、銅は、アルミニウム合金よりも熱伝導効率が良い反面に高価であるが、アルミニウム合金材質からなる前記ヒートシンク５０のベース５２及び放熱ピン５４は、その表面に銅が数um〜数十um程度の厚さでコーティングされると、銅材質からなるヒートシンクの熱伝導効率を有しつつ比較的低廉に実現される。
次に、前記銅コーティング膜５６’が形成されたヒートシンク５０のベース５２及び放熱ピン５４を所定温度の酸化溶液に所定時間の間浸す。すると、図５乃至図７に示したように、酸化時間の経過によって前記ヒートシンク５０の銅コーティング膜５６’が酸化されることで、銅酸化物である微細な毛がもじゃもじゃに起きるが、この銅酸化物が前記微細ワイヤー５６になる。
すなわち、前記酸化溶液は、銅酸化物である前記微細ワイヤー５６が良好に成長するように、ＮａＯＨまたはＮａＣｌＯ2からなる。また、前記微細ワイヤー５６は、酸化条件である酸化溶液の温度及び組成によって、大きさ、密度及び成長速度に影響を受けるが、産業現場で容易に実現するとともに、生産性にも符合するように、酸化溶液の温度は、約６０℃〜１００℃、酸化時間は、１分〜１０分にすることが好ましい。
最後に、前記ヒートシンク５０のベース５２及び放熱ピン５４の表面に前記微細ワイヤー５６が充分に成長された後、この微細ワイヤー５６の成長されたヒートシンク５０のベース５２及び放熱ピン５４の表面を洗浄して不純物を除去すると、前記ヒートシンク５０の表面処理過程が終了される。
以下、本発明の他の実施形態によるヒートシンクの表面処理方法を説明する。参考に、本発明の他の実施形態は、前述した本発明の一実施形態と技術的思想及び基本的な構造が同一であるため、その詳細な説明は省略し、本発明の一実施形態による図３乃至図７を引用する。
まず、前記ヒートシンク５０のベース５２及び放熱ピン５４を熱伝導性が良くて費用面で量産可能な銅材質により成形した後、このように成形されたヒートシンク５０のベース５２及び放熱ピン５４を直ちに所定温度の酸化溶液に所定時間の間浸す。
その結果、前記ヒートシンク５０のベース５２及び放熱ピン５４の表面が酸化されることで、銅酸化物である微細ワイヤー５６が成長される。このとき、前記ヒートシンク５０のベース５２及び放熱ピン５４の表面のみが軽く酸化されるように作業を行う。
一方、前記ヒートシンクのベース、放熱ピン、微細ワイヤーの材質、及びこの微細ワイヤーの成長条件である酸化溶液、酸化温度、酸化時間としては、好ましい一実施形態を述べただけで、本発明の技術的思想の範囲で前記ヒートシンクに要求される放熱性及び費用などの多様な要素を考慮して、当業者によって多様に応用される。
５０ ヒートシンク
５２ ベース
５４ 放熱ピン
５６ 微細ワイヤー
５２ ベース
５４ 放熱ピン
５６ 微細ワイヤー
Claims (11)
- 発熱素子に装着されたベースと、
前記ベースに少なくとも一つ設置された放熱ピンと、を含んで構成されており、
前記ベースまたは放熱ピンの表面には、多数の微細ワイヤーが形成されたことを特徴とするヒートシンク。 - 前記微細ワイヤーは、銅酸化物であることを特徴とする請求項１記載のヒートシンク。
- 前記微細ワイヤーは、前記ベースまたは放熱ピンの表面から長さが０.１μｍ〜１００μｍであることを特徴とする請求項１記載のヒートシンク。
- 前記微細ワイヤーは、断面積の幅が１nm〜１００nmであることを特徴とする請求項１記載のヒートシンク。
- 前記ヒートシンクは、表面の酸化により前記微細ワイヤーが形成されるように、銅材質により成形されたことを特徴とする請求項１記載のヒートシンク。
- ヒートシンクを所定温度の酸化溶液に浸すことで、前記ヒートシンクの表面に酸化物である微細ワイヤーを成長させることを特徴とするヒートシンクの表面処理方法。
- 前記ヒートシンクは、前記微細ワイヤーが成長されるように、表面が銅材質によりコーティングされたことを特徴とする請求項６記載のヒートシンクの表面処理方法。
- 前記ヒートシンクは、表面の酸化により前記微細ワイヤーが成長されるように、銅材質により成形されたことを特徴とする請求項６記載のヒートシンクの表面処理方法。
- 前記微細ワイヤーの成長温度は、６０〜１００℃であることを特徴とする請求項６記載のヒートシンクの表面処理方法。
- 前記微細ワイヤーの成長時間は、１分〜１０分であることを特徴とする請求項６記載のヒートシンクの表面処理方法。
- 前記酸化溶液は、ＮａＯＨまたはＮａＣｌＯ2であることを特徴とする請求項６記載のヒートシンクの表面処理方法。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020040030097A KR100712837B1 (ko) | 2004-04-29 | 2004-04-29 | 히트 싱크 및 그 표면처리방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2005317962A true JP2005317962A (ja) | 2005-11-10 |
Family
ID=34933755
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005122488A Pending JP2005317962A (ja) | 2004-04-29 | 2005-04-20 | ヒートシンク及びその表面処理方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20050253251A1 (ja) |
| EP (1) | EP1592059A3 (ja) |
| JP (1) | JP2005317962A (ja) |
| KR (1) | KR100712837B1 (ja) |
| CN (1) | CN1694245A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011054647A (ja) * | 2009-08-31 | 2011-03-17 | Nittoh Kogaku Kk | 放熱器およびその製造方法 |
| JP2012246518A (ja) * | 2011-05-26 | 2012-12-13 | Nissan Motor Co Ltd | 導電性凹凸層 |
| JP2014041929A (ja) * | 2012-08-22 | 2014-03-06 | Stanley Electric Co Ltd | ヒートシンク及びこれを備えた高効率放熱構造 |
| JP2014099414A (ja) * | 2014-02-04 | 2014-05-29 | Nitto Kogaku Kk | 放熱器および照明装置 |
| JP2015504593A (ja) * | 2011-10-20 | 2015-02-12 | クルーシブル インテレクチュアル プロパティ エルエルシーＣｒｕｃｉｂｌｅ Ｉｎｔｅｌｌｅｃｔｕａｌ Ｐｒｏｐｅｒｔｙ Ｌｌｃ | バルクアモルファス合金ヒートシンク |
| KR20190130950A (ko) * | 2018-05-15 | 2019-11-25 | 주식회사 네패스 | 반도체 패키지 |
| US11404347B2 (en) | 2018-05-15 | 2022-08-02 | Nepes Co., Ltd. | Semiconductor package |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100885270B1 (ko) * | 2007-08-08 | 2009-02-23 | 문대식 | 히트 싱크 |
| KR100880607B1 (ko) * | 2008-11-27 | 2009-01-30 | 주식회사 소입 | 파워 서플라이 |
| CN101915409A (zh) * | 2010-06-29 | 2010-12-15 | 梅州江南电器有限公司 | Led灯具环保型散热结构及其制造方法 |
| KR101230062B1 (ko) * | 2010-11-08 | 2013-02-05 | 한국표준과학연구원 | 금속산화물의 나노구조물 제조방법 및 나노구조의 금속산화물 박막 |
| JP5618331B2 (ja) * | 2010-12-23 | 2014-11-05 | シチズン電子株式会社 | 照明装置 |
| KR200469325Y1 (ko) * | 2011-01-27 | 2013-10-11 | 주식회사 주경 | 방열 효율을 개선한 엘이디 장치 |
| TW201334678A (zh) * | 2012-02-15 | 2013-08-16 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | 散熱器組件 |
| CN202565644U (zh) * | 2012-02-16 | 2012-11-28 | 中兴通讯股份有限公司 | 散热器及终端 |
| CN102720965A (zh) * | 2012-06-05 | 2012-10-10 | 苏州晶品光电科技有限公司 | 一种全方位出光的led节能灯 |
| KR101233001B1 (ko) * | 2012-08-06 | 2013-02-13 | 최애남 | 원전용 엘이디 램프 및 이의 피막 공법 |
| DE102018101453A1 (de) * | 2018-01-23 | 2019-07-25 | Borgwarner Ludwigsburg Gmbh | Heizvorrichtung und Verfahren zum Herstellung eines Heizstabes |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR0159985B1 (ko) * | 1995-07-05 | 1998-12-01 | 황인길 | 반도체 패키지 히트싱크구조 |
| JPH11145352A (ja) * | 1997-11-04 | 1999-05-28 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | ヒートスプレッダー |
| JPH11211376A (ja) * | 1998-01-27 | 1999-08-06 | Mitsubishi Materials Corp | 伝熱部材及びその製造方法 |
| JP3452015B2 (ja) | 2000-02-07 | 2003-09-29 | 株式会社日立製作所 | ヒートシンク及びその製造方法 |
| US7044212B1 (en) * | 2000-08-25 | 2006-05-16 | Net Nanofiltertechnik Gmbh | Refrigeration device and a method for producing the same |
| US6894397B2 (en) * | 2001-10-03 | 2005-05-17 | International Rectifier Corporation | Plural semiconductor devices in monolithic flip chip |
| KR100873630B1 (ko) * | 2002-01-16 | 2008-12-12 | 삼성에스디아이 주식회사 | 방열 구조체 및 그의 제조방법 |
| JP2003298264A (ja) * | 2002-04-05 | 2003-10-17 | Nippon Light Metal Co Ltd | 熱交換器 |
| JP4237975B2 (ja) | 2002-04-24 | 2009-03-11 | 株式会社神戸製鋼所 | 電子機器用アルミニウム板及びこれを用いた電子機器用成形品 |
| KR100502821B1 (ko) * | 2002-12-26 | 2005-07-22 | 이호영 | 구리산화물 또는 구리 나노와이어로 이루어진 전자방출팁의 저온 형성 방법 및 이 방법에 의해 제조된 전자방출팁을 포함하는 디스플레이 장치 또는 광원 |
| US20050129928A1 (en) * | 2003-09-16 | 2005-06-16 | Koila, Inc. | Nanostructure augmentation of surfaces for enhanced thermal transfer with increased surface area |
-
2004
- 2004-04-29 KR KR1020040030097A patent/KR100712837B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2005
- 2005-02-11 US US11/055,079 patent/US20050253251A1/en not_active Abandoned
- 2005-02-15 EP EP05003160A patent/EP1592059A3/en not_active Withdrawn
- 2005-04-18 CN CNA2005100673322A patent/CN1694245A/zh active Pending
- 2005-04-20 JP JP2005122488A patent/JP2005317962A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011054647A (ja) * | 2009-08-31 | 2011-03-17 | Nittoh Kogaku Kk | 放熱器およびその製造方法 |
| JP2012246518A (ja) * | 2011-05-26 | 2012-12-13 | Nissan Motor Co Ltd | 導電性凹凸層 |
| JP2015504593A (ja) * | 2011-10-20 | 2015-02-12 | クルーシブル インテレクチュアル プロパティ エルエルシーＣｒｕｃｉｂｌｅ Ｉｎｔｅｌｌｅｃｔｕａｌ Ｐｒｏｐｅｒｔｙ Ｌｌｃ | バルクアモルファス合金ヒートシンク |
| US10433463B2 (en) | 2011-10-20 | 2019-10-01 | Crucible Intellectual Property, Llc | Bulk amorphous alloy heat sink |
| JP2014041929A (ja) * | 2012-08-22 | 2014-03-06 | Stanley Electric Co Ltd | ヒートシンク及びこれを備えた高効率放熱構造 |
| JP2014099414A (ja) * | 2014-02-04 | 2014-05-29 | Nitto Kogaku Kk | 放熱器および照明装置 |
| KR20190130950A (ko) * | 2018-05-15 | 2019-11-25 | 주식회사 네패스 | 반도체 패키지 |
| KR102131268B1 (ko) | 2018-05-15 | 2020-07-08 | 주식회사 네패스 | 반도체 패키지 |
| US11404347B2 (en) | 2018-05-15 | 2022-08-02 | Nepes Co., Ltd. | Semiconductor package |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20050253251A1 (en) | 2005-11-17 |
| KR20050104712A (ko) | 2005-11-03 |
| KR100712837B1 (ko) | 2007-05-02 |
| EP1592059A3 (en) | 2011-01-26 |
| CN1694245A (zh) | 2005-11-09 |
| EP1592059A2 (en) | 2005-11-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2005317962A (ja) | ヒートシンク及びその表面処理方法 | |
| JP3936308B2 (ja) | フィン一体型ヒートシンクおよびその製造方法 | |
| TWI442014B (zh) | 散熱元件及散熱元件的處理方法 | |
| JP5450473B2 (ja) | 放熱基板及びその製造方法 | |
| KR20030024916A (ko) | 냉각장치와 그 제조방법 | |
| US20120067623A1 (en) | Heat-radiating substrate and method for manufacturing the same | |
| JP2002314280A (ja) | 回路基板の冷却構造及び冷却方法 | |
| JP5023436B2 (ja) | 紫外線照射装置 | |
| JP5676025B2 (ja) | 放熱器および照明装置 | |
| JPWO2005015112A1 (ja) | 放熱部材、及びその放熱部材を用いた装置、筐体、コンピュータ支持台、放熱部材製造方法 | |
| TWI779869B (zh) | 浸沒式多孔散熱結構 | |
| KR101831774B1 (ko) | 광원모듈, 및 광원모듈의 제조방법 | |
| TW200938766A (en) | An illumination block and suction cooling system therefor | |
| TWI805496B (zh) | 新型微米與奈米線嵌入式均熱片及其製作方式 | |
| EP3116039A1 (en) | Light source module, fabrication method therefor, and lighting device including the same | |
| JP2002261216A (ja) | 冷却装置 | |
| JPH06181397A (ja) | 回路基板のヒートパイプ式冷却装置 | |
| JP3183661U (ja) | 端子固定構造およびｌｅｄモジュール | |
| CN210668341U (zh) | 散热结构 | |
| TW201439732A (zh) | 散熱裝置 | |
| JP2001291806A (ja) | ヒートシンク | |
| JP2004096035A (ja) | モジュール構造体の製造方法並びに回路基板の固定方法及び回路基板 | |
| JP2022053206A (ja) | 銅材料製の放熱部材およびその製造方法 | |
| JP2010261324A (ja) | ファンの製造方法 | |
| KR20060010628A (ko) | 마이크로-나노 구리 구조물이 형성된 방열판 및 그 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080409 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080513 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090106 |