JP2005316117A - 感光性樹脂組成物 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明の感光性樹脂組成物の(A)成分であるポリベンゾオキサゾール前駆体は、下記一般式(1)で示される繰り返し単位を有するものである。
上記式(1)中A1は4価の芳香族基を表し、該芳香族基には、炭素環式の又は環中に窒素、酸素及び硫黄原子より選ばれるヘテロ原子を少なくとも1個、好ましくは1〜3個含有する複素環式の、単環状もしくは多環状で、場合により縮合環を形成していてもよい芳香族基が包含される。そのような芳香族基A1としては、具体的には、例えば、下記の構造をもつものを挙げることができる。
上記式中、Xは熱で重合しうる官能基及びA1に直結する窒素原子を有する窒素含有有機基を表し、Yは熱で重合しうる官能基を有する1価の有機基を表す。該熱で重合しうる官能基としては、特に炭素−炭素二重結合及び/又は炭素−炭素三重結合であることが好ましい。
本発明の感光性樹脂組成物の(B)成分である一分子中に少なくとも2個のビニルエーテル基を有する化合物は、下記式(4)で表されるビニルエーテル基を少なくとも2個、好ましくは2〜4個有するものである。
本発明の感光性樹脂組成物の(C)成分である光酸発生化合物は、活性光線により酸を発生する化合物であり、この発生した酸を触媒として、上記ポリベンゾオキサゾール前駆体(A)の水酸基とビニルエーテル基を有する化合物(B)との反応により生成した結合を分解、水酸基を再生させるものであり、感放射線性の酸発生剤化合物として従来から公知のものを使用することができる。
本発明の感光性樹脂組成物は、ポリベンゾオキサゾール前駆体(A)、一分子中に少なくとも2個のビニルエーテル基を有する化合物(B)および光酸発生化合物(C)を含有してなるものであり、該感光性樹脂組成物を塗装することにより形成された感光性被膜は、加熱処理することでそのポリベンゾオキサゾール前駆体(A)中のフェノール性水酸基とビニルエーテル基を有する化合物(B)中のビニルエーテル基とが付加反応することによりアルカリ現像液に不溶の架橋被膜が形成される。該架橋被膜を活性光線にて露光した場合、該架橋被膜に含有される光酸発生剤(C)から酸が発生し、それによって架橋被膜の架橋結合部が分解してフェノール性水酸基が再生成し、露光部の被膜だけがアルカリ可溶性となるものであり、本発明では、この原理を用いて活性光線によりポジ型のパターンを形成するものである。露光後に、分解反応を促進させるため加熱処理を行うことが好ましい。
製造例1
窒素気流下、回転子を入れ、三方コックをつけたナス型フラスコに塩化リチウム0.093g(2.2mmol)、2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン0.366g(1.0mmol)及び乾燥N−メチル−2−ピロリドン1.5mlを添加し、攪拌して溶解した後、1,3−アダマンチルジカルボン酸クロリド0.26g(1.0mmol)を固体のまま加えて、氷冷下、12時間攪拌させた。得られた反応溶液を蒸留水に注ぎ沈澱させた。沈殿したポリマーを濾別し、減圧乾燥することでポリベンゾオキサゾール前駆体(A−1)を得た。得られた前駆体について赤外線分光分析(IR分析)及び核磁気共鳴分析(NMR分析)を行って構造を解析した。その結果、IR分析チャートにおいて、6432cm-1(OH);2915cm-1、2857cm-1(CH2、CH);1654cm-1(C=O)及び1253cm-1(CF3)に吸収ピークが認められ、また、1H−NMR分析(DMSO−d6)チャートにおいて、10.28(s、2H、OH)、8.53(s、2H、NHCO)、8.08(s、2H、Ar)、6.95-6.84(dd、J=8.4、4H、Ar)、2.19-1.67(m、14H、CH2 or CH)にスペクトルのピークが認められ、目的のポリヒドロキシアミドであることを確認した。また、前駆体(A−1)の数平均分子量は約10,000であった。
窒素気流下、回転子を入れ、三方コックをつけたナス型フラスコに2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン0.732g(2mmol)を入れ、これにピリジン0.316g(4mmol)をN−メチル−2−ピロリドン1mlに溶解させた溶液を加え、氷冷下で30分間攪拌した。次に、氷冷下でイソフタル酸ジクロライド0.406g(2mmol)をN−メチル−2−ピロリドン1mlに溶解させた溶液をゆっくり滴下し、その後室温にして10時間攪拌した。反応溶液を多量のメタノール中に注ぎポリマーを沈殿させた。沈殿したポリマーを濾別し、メタノールで洗浄後、減圧乾燥を行い、ポリベンゾオキサゾール前駆体(A−2)を得た。前駆体(A−2)の数平均分子量は約10,000であった。
製造例2において、イソフタル酸ジクロライドの代りに4,4’−オキシビス安息香酸クロリドを用いる以外は製造例2と同様に行い、ポリベンゾオキサゾール前駆体(A−3)を得た。前駆体(A−3)の数平均分子量は約10,000であった。
窒素気流下、回転子を入れ、三方コックをつけたナス型フラスコに2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン1.47g(4mmol)、ジフェニルイソフタル酸1.27g(4mmol)及びN−メチル−2−ピロリドン5.3mlを添加し、攪拌して溶解させた後、180℃まで昇温し、同温度で攪拌しながら7時間反応させた。次に、5−ノルボルネン−2,3−ジカルボン酸無水物0.135gを加え、170℃で2時間撹拌して反応させた。反応溶液をメタノール:水混合溶液(体積比=1:9)中に注ぎ、ポリマーを沈殿させた。沈殿したポリマーを濾別し、少量のテトラヒドロキシフランで溶解し、メタノール:水混合溶液中に注ぎ、ポリマーを再度沈殿させた。沈殿したポリマーを濾別し、減圧乾燥を行いポリベンゾオキサゾール前駆体(A−4)を得た。前駆体(A−4)の数平均分子量は約8,000であった。
窒素気流下、回転子を入れ、三方コックをつけたナス型フラスコに2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン1.46g(4.0mmol)、5−ノルボルネン−2,3−ジカルボン酸無水物0.131g(0.80mmol)及びN−メチル−2−ピロリドン3mlを添加し、攪拌して溶解させた後、120℃まで昇温し、同温度で攪拌しながら2時間反応させた。次に窒素封入後、氷冷下でこの反応混合物にイソフタル酸クロリド0.727g(3.6mmol)及びピリジン0.316g(4mmol)をN−メチル−2−ピロリドン1.5mlに溶解した溶液をゆっくり滴下して加え、さらに室温で12時間攪拌して反応させた。得られた反応溶液をメタノール:水混合溶液(体積比=1:9)中に注ぎ、ポリマーを沈殿させた。沈殿したポリマーを濾別し、少量のテトラヒドロキシフランで溶解しメタノール:水混合溶液中に注ぎポリマーを再度沈殿させた。沈殿したポリマーを濾別し、減圧乾燥を行いポリベンゾオキサゾール前駆体(A−5)を得た。前駆体(A−5)の数平均分子量は約4,000であった。
窒素気流下、回転子を入れ、三方コックをつけたナス型フラスコに2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン1.464g(4.00mmol)を入れ、そこにピリジン0.316g(4mmol)をN−メチル−2−ピロリドン2mlに溶解した溶液を加え、氷冷下で30分間攪拌した。氷冷下でこの反応混合物にイソフタル酸ジクロライド0.727g(3.60mmol)をN−メチル−2−ピロリドン1mlに溶解させた溶液とピリジン0.316g(4mmol)をゆっくり滴下して加え、その後室温にて10時間攪拌した。得られた反応溶液を蒸留水に注ぎ沈澱させた。沈殿したポリマーを濾別し、減圧乾燥することでポリベンゾオキサゾール前駆体(A−6)を得た。前駆体(A−6)の数平均分子量は約4,000であった。
回転子を入れた三角フラスコに、製造例2のポリベンゾオキサゾール前駆体(A−2)0.994g(2mmol)及びN,N−ジメチルアミノピリジン0.049g(0.4mmol)をN−メチル−2−ピロリドン1.5mlに溶解した溶液とdi−tert−ブチルジカーボネート1.09g(5mmol)を加え室温にて1時間攪拌した。得られた反応溶液をメタノール:水混合溶液(体積比=1:1)100mlに注ぎ沈澱させた後、沈殿物をフィルター濾過して取り出しポリベンゾオキサゾール前駆体(A−7)を得た。
実施例1
製造例1で得られたポリベンゾオキサゾール前駆体(A−1)0.25g、下記式(10)で示す3官能ビニルエーテル0.047g及び光酸発生剤ジフェニルヨードニウム−8−アニリノナフタレン−1−スルホネート0.016gをN−メチル−2−ピロリドン1mlに溶解した。その後、0.5μmのPTFEフィルター(四フッ化エチレン繊維を主として使用したフィルター)を通して不溶物を除去し、感光性樹脂組成物を得た。
実施例1の多官能ビニルエーテル化合物を上記式(10)の化合物から下記式(11)の化合物に置き換える以外は実施例1と同様にして感光性樹脂組成物を得た。得られた感光性樹脂組成物を用いて実施例1と同様にしてパターンの形成を行った。その結果、膜厚1.8μmで線幅6μmの良好なパターンが得られた。さらに得られたパターンを350℃で1時間加熱し、SEMにて観察したところ、パターン崩れのない形状が確認された。
実施例2においてポリベンゾオキサゾール前駆体(A−1)の代りにポリベンゾオキサゾール前駆体(A−2)を用いる以外は実施例2と同様にして感光性樹脂組成物を得た。得られた感光性樹脂組成物を用いて実施例2と同様にしてパターンの形成を行った。その結果、膜厚1.8μmで線幅6μmの良好なパターンが得られた。さらに得られたパターンを350℃で1時間加熱し、SEMにて観察したところ、パターン崩れのない形状が確認された。
実施例2のポリベンゾオキサゾール前駆体(A−1)代りにポリベンゾオキサゾール前駆体(A−3)を用いる以外は実施例2と同様にして感光性樹脂組成物を得た。得られた感光性樹脂組成物を用いて実施例2と同様にしてパターンの形成を行った。その結果、1.8μm膜厚で線幅6μmの良好なパターンが得られた。さらに得られたパターンを350℃で1時間加熱し、SEMにて観察したところ、パターン崩れのない形状が確認された。
実施例2で用いたポリベンゾオキサゾール前駆体(A−2)代りに、両末端を不飽和基含有化合物で封止したポリベンゾオキサゾール前駆体(A−4)を用いる以外は実施例2と同様にして感光性樹脂組成物を得た。得られた感光性樹脂組成物を用いて実施例2と同様にしてパターンの形成を行った。その結果、膜厚1.8μmで線幅6μmの良好なパターンが得られた。さらに得られたパターンを350℃で1時間加熱し、SEMにて観察したところ、パターン崩れのない形状が確認された。
ポリベンゾオキサゾール前駆体(A−2)0.25gおよびN−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)−1,8−ナフタレンジカルボキシイミド)0.0278gとN−メチル−2−ピロリドン1mlを、光を遮断したサンプル瓶に入れ30分間攪拌した。その後、0.5μmのPTFEフィルターを通して不溶物を除去し、感光性樹脂組成物を得た。これを予備乾燥の乾燥膜厚が18μmになるようアプリケーターを用いてガラス基板上に塗布し、90℃で5分間加熱し、次に120℃で5分間予備乾燥を行い感光性被膜を得た。次に、該感光性被膜をパターンマスクで覆い、UV照射装置によりg線を500mJ/cm2照射し、さらに120℃で5分間焼付けを行った後、2.38%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で現像を行った。その結果、線幅20μmの良好なパターンが得られた。さらに得られたパターンを350℃で1時間加熱し、SEMにて観察したところ、パターン崩れのない形状が確認された。
実施例2においてポリベンゾオキサゾール前駆体(A−2)に代えて、両末端を不飽和基含有化合物で封止したポリベンゾオキサゾール前駆体(A−4)を用いる以外は実施例2と同様にして感光性樹脂組成物を得た。得られた感光性樹脂組成物を用いて実施例2と同様にしてパターンの形成を行った。その結果、膜厚1.8μmで線幅6μmの良好なパターンが得られた。さらに得られたパターンを350℃で1時間加熱し、SEMにて観察したところ、パターン崩れのない形状が確認された。
製造例1で得られたポリベンゾオキサゾール前駆体(A−1)0.25g及び光酸発生剤ジフェニルヨードニウム−8−アニリノナフタレン−1−スルホネート0.016gをN−メチル−2−ピロリドン1mlに溶解した。その後、0.5μmのPTFEフィルター(四フッ化エチレン繊維を主として使用したフィルター)を通して不溶物を除去し、感光性樹脂組成物を得た。
実施例2において、ポリベンゾオキサゾール前駆体(A-2)に代えて、製造例6で得られたポリベンゾオキサゾール前駆体(A-6)を用いた以外は実施例2と同様にして感光性樹脂組成物を得た。得られた感光性樹脂組成物を用いて実施例2と同様にしてパターンの形成を行った。その結果、膜厚1.8μmで線幅6μmのパターンが得られた。さらに得られたパターンを350℃で1時間加熱し、SEMにて観察したところ、パターンが崩れていることが確認された。
製造例5で得られたt−ブトキシカルボニル基で保護されたポリベンゾオキサゾール前駆体(A−5)0.25g、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)−1,8−ナフタレンジカルボキシイミド)0.0278g及びN−メチル−2−ピロリドン1mlを、光を遮断したサンプル瓶に入れ30分間攪拌した。その後、0.5μmのPTFEフィルターを通して不溶物を除去し、感光性樹脂組成物を得た。これを予備乾燥後の乾燥膜厚が18μmになるようアプリケーターを用いてガラス基板上に塗布し、90℃で5分間加熱し、次に120℃で5分間予備乾燥を行い感光性被膜を得た。次に、該感光性被膜をパターンマスクで覆い、UV照射装置によりg線を500mJ/cm2照射し、さらに120℃で5分間焼付けを行なった後、2.38%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で現像を行った。その結果、線幅20μmの良好なパターンが得られた。さらに得られたパターンを350℃で1時間加熱し、SEMにて観察したところ、気泡の発生による欠陥に基づくパターン崩れが確認された。
Claims (8)
- ビニルエーテル基を有する化合物(B)の含有量が、ポリベンゾオキサゾール前駆体(A)100重量部に対して1〜50重量部の範囲内である請求項1〜3のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物。
- 光酸発生化合物(C)の含有量が、ポリベンゾオキサゾール前駆体(A)及びビニルエーテル基を有する化合物(B)の合計量100重量部に対して0.1〜40重量部の範囲内である請求項1〜4のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物。
- 請求項1〜5のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物を基板に塗布する工程、該基板を加熱する工程、活性エネルギー線を選択的に照射する工程、照射後に基板を加熱する工程、及び塩基性現像液で現像する工程を順次行うことを特徴とするパターンの形成方法。
- 請求項6に記載のパターンの形成方法を用いて得られたパターンを200〜500℃で加熱することにより得られることを特徴とするパターン形成基板。
- 請求項6で得られたパターンを200℃〜500℃で加熱する事により得られる樹脂被膜。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004133765A JP4499471B2 (ja) | 2004-04-28 | 2004-04-28 | 感光性樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004133765A JP4499471B2 (ja) | 2004-04-28 | 2004-04-28 | 感光性樹脂組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005316117A true JP2005316117A (ja) | 2005-11-10 |
JP4499471B2 JP4499471B2 (ja) | 2010-07-07 |
Family
ID=35443631
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004133765A Expired - Fee Related JP4499471B2 (ja) | 2004-04-28 | 2004-04-28 | 感光性樹脂組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4499471B2 (ja) |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091127 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130423 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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