JP2005303327A - 集積回路製造のための低誘電率材料 - Google Patents
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Abstract
【課題】 高密度集積回路における電気的アイソレーションのための低誘電率を有する絶縁材料を提供する。
【解決手段】 集積回路内の誘電性エレメント間に電気的アイソレーションを形成する方法であって、一部製造された集積回路を有する基板を提供すること、オルガノシランガス・ソースを酸化剤と反応させて基板上に層を形成すること、形成された層は主として水酸化珪素からなり炭素原子を含有する;及びプラズマ処理の間その上に層を形成することなく水酸化珪素層をプラズマ処理し、それによって水酸化珪素層をより低い誘電率を有する絶縁体に変換すること、を包含する方法。
【選択図】図2
【解決手段】 集積回路内の誘電性エレメント間に電気的アイソレーションを形成する方法であって、一部製造された集積回路を有する基板を提供すること、オルガノシランガス・ソースを酸化剤と反応させて基板上に層を形成すること、形成された層は主として水酸化珪素からなり炭素原子を含有する;及びプラズマ処理の間その上に層を形成することなく水酸化珪素層をプラズマ処理し、それによって水酸化珪素層をより低い誘電率を有する絶縁体に変換すること、を包含する方法。
【選択図】図2
Description
本発明は、一般に、集積回路に使用される材料及びその製造方法に関する。特に、高密度集積回路における電気的アイソレーションのための低誘電率を有する絶縁材料に関する。
集積回路(IC)を作製するとき、絶縁体、導体及び半導体からなる各層を順にデポジションし、パターンを形成する。IC中の最下部のレベル又は層は、トランジスタ等のフィールドアイソレーションエレメントによって分離された電子的素子を絶縁スペーサに保護されたゲート電極とともに形成する。記憶セルキャパシタも、特定の回路のために下部層と連結する。これらの電子的素子は、一般にはパターン形成された配線層によって内部接続され、レベル間コンタクトが素子上に形成される。
トランジスタ活性領域のような導電性エレメントならびにゲート、コンデンサ、コンタクト及び配線層は、それぞれ適切な回路作動のために互いに電気的に分離されなければならない。フィールドアイソレーションエレメント(例えば、フィールド酸化物(field oxide))及びゲートスペーサは、トランジスタエレメントのアイソレーションに寄与する。上部の配線層は、絶縁体を配線層間及び金属線間に含み、あるいはランナを配線層間に含む。そのような絶縁層は、しばしばレベル間絶縁膜(interlevel dielectrics;ILDs)と呼ばれる。
ICにおける絶え間ない小型化は、とりわけ隣接線(adjacent lines)間の間隔の短縮をもたらす。線間スペースのスケーリングは寄生容量の増加をもたらし、それはシグナル伝送を遅らせる。シグナル伝送の遅れは、スケーリングが達成しようとする本来の特徴である、より高い作動速度及びより低い電力消費の実現を妨げる。同様に、下部層での電子的素子間のより薄い分離も、スケールダウンされるにつれて寄生容量を現出する。
IC作動速度は、金属線間の寄生容量を減少させることにより増強できる。一般的には、寄生容量を減少させる1つの方法として、低い誘電率(k)を有する材料(低誘電材料)を使用することが提案されている。
しかしながら、低誘電材料を製造する公知の方法では、誘電率を(例えば、公知の酸化膜に比較して)十分に低下させることができず、また他の必要な又は望ましい製造方法で統合されるときに障害をもたらすので、不十分である。
このため、低誘電率を有する材料を提供する改良された方法が必要とされている。そのような方法は、公知の製造方法と適合し、既存の技術と容易に統合されることが望ましい。
本発明は、IC内で絶縁体を電気的に分離するための低誘電率を有する材料及びその製造方法を提供することによって、前述の要求を満たすものである。有利なことに、保護膜層(cap layer)を必要とすることなく低誘電率を有する材料を形成できる。
本発明の1つの特徴によれば、集積回路内の導電性エレメント間に電気的絶縁分離を提供する方法は、部分的に製造された集積回路を有する基板を準備することを包含する。オルガノシランガス・ソース(organosilane gas source)を酸化剤と反応させて基板上に層を形成する。この層は、主として水酸化珪素から構成されており、炭素を含有する。次に、この層を、プラズマ処理の間に層を形成することなく、プラズマ処理する。その処理では、水酸化珪素膜をより低い誘電率を有する絶縁材料に変換する。
本発明の他の側面に従うと、低誘電材料を形成する方法が開示される。オルガノシランガスを反応させて、基板上に第一の材料を形成する。続いて、その第一の材料を酸素含有プラズマにさらし、第一材料上に層を形成することなく、第一材料を第二の材料に変換する。第二材料は約3.5未満の誘電率を有する。
本発明の他の側面に従うと、低誘電材料を形成する方法は、炭素を含有する水酸化珪素層を形成することを包含する。続いて、この層を約500℃以上の温度でアニールする。
本発明の他の側面に従うと、集積回路内の導電性エレメント間に絶縁材料を導入する。この絶縁材料は、炭素−珪素結合を含むポリシロキサン網状構造を含み、その誘電率は約3.3未満である。
本発明の他の側面に従うと、集積回路が提供される。この回路は、第一及び第二の導電性エレメントを含み、これらのエレメントは回路の第一及び第二の電気的経路をそれぞれ提供する。単位絶縁層は、第一及び第二導電性エレメントに直接接触し、両者間に挟まれている。絶縁層は、炭素含有ポリシロキサンを含み、約3.5未満の誘電率を有する。
この方法は、水を蒸発させて、炭素含有ポリシロキサン網状構造を残す。有利なことに、上記材料は低誘電率を示し、また上記方法は様々なIC製造方法と容易に適合・統合される。
好ましい実施態様を、集積回路内の金属線又はランナを絶縁分離するのに使用されるレベル間絶縁物(interlevel dielectric;ILD)について説明する。しかしながら、好ましい方法及び材料が、後記でさらに考察されるように、シャロウトレンチアイソレーション(shallow trench isolation)、ゲートスペーサ(gate speacers)、埋込みディジットスペーサ(buried digit line spacers)等のようなIC製造におけるフロントエンド方法にとっても特に有用であることは、本明細書の開示に照らして理解される。さらに、当業者は、低誘電率の材料によるアイソレーションが望ましいときはいつでも本明細書に開示される材料及び方法を適用できる。
図1には、ILDのような低誘電材料を形成する方法を示す。オルガノシラン、特にメチルシラン(SiH3CH3)を室温又はそれ以下で酸化剤と反応させ、炭素を含有する水酸化珪素(Si(OH)4)の層を形成する。次いで、この層を水が蒸発するように処理して、高密度IC内の電気的アイソレーションに好適である安定な低誘電率材料を形成する。
図1には、デポジションされた層に慣用されているデポジション後処理(post-deposition treatment)も示す。この処理は、プラズマ反応器中のシランとN2Oとの反応による保護膜層のプラズマ増速化学蒸着法(PECVD)を包含し、シリコン窒化酸化膜(SiOxNy)を形成する。これらの層を約450℃の温度で窒素ガス(N2)雰囲気中でアニールする。この方法は、堆積層中の水を蒸発させ、酸化膜様の層を形成する一方、SiOxNyは水吸収に対して下層をシールする。比較的低いアニール温度は、比較的低い温度で溶融するアルミニウムのような慣用されている金属に適合し得る。
しかしながら、慣用されているポストデポジション処理は、いくつかの不利な点を必然的に伴う。例えば、保護膜層は、下層の低誘電材料よりも高い誘電率を有し、その結果として両層を含有するILDは、低誘電材料単独よりも高い実効誘電率を有する。換言すれば、低誘電材料の利点は十分認識されていない。例えば、波状模様(damascene)又は二重波状模様(dual damascene)電極形成法において、保護膜層(cap layer)は一般に金属研磨後に残り、金属層間の絶縁体は、全体としてより高い誘電率を示す。
さらに、保護膜(cap)及び低誘電率層は、異なる速度でエッチング又は研磨され、得られたILDの平坦化はその制御が困難であり、望ましい深さで停止することが難しい。そのような平坦化は、電極形成法がギャップ充填統合(gap fillintegration)により実施される場合に一般に必要であり、これにより金属が最初にデポジション及びエッチングされ、ILDがその上に堆積される。当業者は、低誘電絶縁材料によって均一なエッチング速度が望まれる、別のいくつかの状況を認識する。
低誘電材料を形成する好ましい方法
図2には、前述の慣用されているポストデポジション処理の不利な点なしに、低誘電率材料(低k材料)を形成する改善された方法を示す。例示された方法では、オルガノシランが反応して、水酸化珪素(シラノール又は「フローフィル酸化物(flowfill oxide)」として公知でもある)を形成し、炭素を含有している。好ましくは、このデポジション後に、プラズマ処理及び熱アニーリングをする。デポジションを行なう際には、1種以上の基板を公知の化学蒸着(CVD)反応チャンバーに装填する。この基板は、図3〜8の下記の説明からも明らかなように、通常は一部製造された集積回路である。しかしながら、当業者は、炭素含有する好ましい水酸化珪素を形成するのに他の手段が使用できることを理解する。
図2には、前述の慣用されているポストデポジション処理の不利な点なしに、低誘電率材料(低k材料)を形成する改善された方法を示す。例示された方法では、オルガノシランが反応して、水酸化珪素(シラノール又は「フローフィル酸化物(flowfill oxide)」として公知でもある)を形成し、炭素を含有している。好ましくは、このデポジション後に、プラズマ処理及び熱アニーリングをする。デポジションを行なう際には、1種以上の基板を公知の化学蒸着(CVD)反応チャンバーに装填する。この基板は、図3〜8の下記の説明からも明らかなように、通常は一部製造された集積回路である。しかしながら、当業者は、炭素含有する好ましい水酸化珪素を形成するのに他の手段が使用できることを理解する。
オルガノシランは、好ましくは酸素ソースガスと基板表面で反応する。オルガノシランは、好ましくはアルキルシランを含み、最も好ましくはメチルシラン(CH3SiH3)を含む。他方、酸化ソースは、最も好ましくは過酸化水素を含む。しかしながら、当業者は、他の反応物が炭素を含んだ水酸化珪素を生成できることを認識する。とりわけ、ジメチルシラン((CH3)2SiH2)及びトリメチルシラン((CH3)3SiH)も、反応して所望の層を形成することができる。
チャンバーへのガス流入速度は、他のファクターの中でも低誘電材料の望ましい誘電率及び厚さに依存する。メチルシランは、通常50〜500sccm程度、好ましくは約50sccm〜300sccm、より好ましくは約80sccm〜150sccmの流入速度でチャンバー内に導入される。液体ソースからの過酸化水素を気化し、1分当り通常0.2〜1.28グラム(g/分)、好ましくは0.3g/分〜1g/分の速度、より好ましくは0.5g/分〜0.75g/分の速度で反応チャンバーに導入する。チャンバー圧力は、好ましくは約400mTorr〜約1.5Torrに維持する。基板温度は、約−5℃〜100℃、好ましくは約0℃〜50℃に維持する。Trikon Technology, Inc.によって開発された代表的なデポジション法は当業者に容易に入手される文献に記載され、その開示は本明細書中に参考(S.McClatchie, K.Beekmann, A.Kiermasz, C.Dobson,European Semiconductor, V.17, pp.3 (1995))として援用される。
メチルシランと過酸化水素とは基板表面で反応して、図4に示される層14のような水酸化珪素又はシラノール(Si(OH)4)層を形成し、メチル基(CH3)の形態で炭素が含まれる。この反応は、以下のような反応式で示される: CH3SiH3 +H2O2 →CH3Si(OH)3 +Si(OH)4 (式1)ここで、堆積された生成物は主としてSi(OH)4である。好ましくは、水酸化珪素中の珪素原子の約5%〜20%が炭素原子と会合している。所望の生成物が基板上に堆積される。上記反応は、反応物の特性及び反応条件によって、H2、H2O、CO、CO2等の揮発性の副生成物も生成することがわかる。そのような副生成物は排気中に運び去られる。
メチルシランと過酸化水素とが反応してシラノールを形成した後、層をプラズマ処理する。プラズマ「処理」とは、本明細書で使用されるとき、水酸化珪素の層上に認識可能な層を堆積しないプラズマ法を指す。プラズマ処理は、好ましくは酸素成分を含み、特に好ましくはO2、O3、N2O、N2O/N2のようなソースガス又はその混合物から選ばれる。好ましくはプラズマ処理を約5秒〜90秒間、より好ましくは約30秒〜60秒間維持する。
1つの例示的なプラズマ処理では、N2Oを約100sccm〜5,000sccm、好ましくは2,000sccmの速度で提供する一方、N2を100sccm〜5,000sccm、好ましくは約1,000sccmの速度で提供される。構成ガスを解離するのに十分なRF電力をプラズマ反応器の電極に印加した。例えば、英国、ブリストルのTrikon Technology, Inc.から市販されているPlanner 200TMクラスターツールのプラズマモジュールでは、約0.1kW〜1kW、より好ましくは約0.5kWのRF電力でN2O/N2ガスをイオン化する。しかしながら、当業者は、マイクロ波プラズマ又は誘導結合プラズマによっても、イオン化電力が上記ガスに結合できることを認識する。チャンバー内圧力は、約300mTorr〜1,500mTorr、好ましくは、約750mTorrに維持する。
他の代表的プラズマ処理では、O2プラズマを適用した。約100sccm〜1,000sccm、より好ましくは約400sccm〜600sccmの速度で、上記プラズマモジュールに酸素を流入する一方、0.1kW〜1kWの範囲、より好ましくは約0.5kWのRF電力を電極に印加した。チャンバー圧力は、上記N2O/N2の実施態様に記載される通りである。当業者は、異なる電力を認識し、圧力は異なる反応器コンフィギュレーションで反応物ガスを解離するように変更することができる。
プラズマ処理の後、処理された層を、好ましくは非反応性雰囲気(例えば、N2O、N2、O2、O3等)内で、大気圧近くで熱アニールに供する。熱アニールは、高温アニールであり、基板を好ましくは約400℃を超え、約800℃未満で加熱する。より好ましくは、低誘電材料に関する特定の用途に応じて、約500℃〜700℃、より好ましくは約500℃〜600℃で基板をアニールする。例えば、急速熱加工システム(rapid thermal processing system;RTP)では、アニールは約5秒〜3分間維持でき、他方、炉アニールは約5分〜40分間、より好ましくは約20分〜30分間維持できる。
他のアレンジメントでは、プラズマ処理を高温アニールと同時に実施することができる。水酸化珪素が形成される基板は、プラズマ処理の間、熱プロセスに供される。例えば、当業者に理解されるように、ペデスタルは耐熱エレメントを含み、又は反応器は透明なチャンバー壁の外側に放射ヒーターを含む。あるいは、上記プラズマ処理は高温アニールなしに使用することができる。高温アニールにさらされる場合にそれとは違って溶融する公知の金属をインプロセスICがすでに含んでいる場合、上記方法はバックエンド作製プロセスに好ましい。
ポストデポジション処理がシラノールから水を駆出し、炭素−珪素結合を含有するポリシロキサン網状構造を残すことを見い出した。望ましくは、この材料は、二酸化珪素のものに類似する多くの特徴を有するが、より低い誘電率を有する。好ましくは、ポリシロキサン網状構造の好ましい誘電率は約3.5未満、より好ましくは約3.2未満、最も好ましくは約3.0未満である。
図9は、様々な製造方法で作られる材料の誘電率を表示する棒グラフである。公知の材料又は方法と比較すると、記載されたプラズマ処理及び高温アニールのそれぞれは、独立して、処理された水酸化珪素の誘電率を低下させることが明らかである。テトラエチルオルトシリケート(TEOS)を分解して形成される炭素ドープ酸化膜は約4.25の誘電率を示す。図9で”FF”と示される「フローフィル(flow fill)」酸化膜((炭素を含まない)Si(OH)4)は、約3.6の誘電率を有する。保護膜層デポジションで処理され、その後に400℃アニールされた水酸化珪素は、約3.4というより低い誘電率を示す。
しかしながら、図9にも示されるように、保護膜デポジション後に続く熱アニール温度の上昇は、誘電率をさらに低下させる。従って、450℃のアニールでは誘電率はさらに約3.25まで下がるが、500℃アニールでは誘電率を約3.0に下げる。従って、水酸化珪素材料上で保護膜層を使用したとしても、500℃以上の高温アニールでは、得られるポリシロキサン網状構造の誘電率を好適に低下させる。そのような方法は、波状模様方法(保護膜層は平坦化される必要はない)及びCVDチタン又は珪化チタン堆積のような高温の電極形成(metallization)(高温アニールはすでに堆積された金属層に支障をもたらさない)に特に適合する。保護膜層が、高温アニールと組合せて望まれるとき、PECVDSiOxNyは、前記のように使用できる。しかしながら、保護膜層の使用は、ILDに関する実行誘電率(k)を本明細書で述べられた以上に上昇させる。
図10には、好ましい低誘電材料の誘電率のアニール温度との関係をグラフで示す。400℃を超える温度では一般に誘電率の低下をもたらすが、800℃を超える温度では、ILD中の炭素量の損失をもたらすことが見い出された。従って、上記のように、アニール温度は好ましくは約450℃〜800℃である。より好ましくは、低誘電材料に関する用途に応じて約500℃〜700℃、より好ましくは500℃〜600℃で基板をアニールする。
同様に、周囲材料との化学的及び機械的適合性を維持しながら、誘電率を大幅に低下させるための高温アニールの使用は、フロントエンド方法にとって特に好適である。例えば、ゲートを分離するために使用されるシャロウトレンチアイソレーション(STI)及びサイドウォールスペーサはそれぞれ本明細書に開示される低誘電率材料を用いて好ましい高温アニールで製造される。そのようなステージでは、高温加工は、任意の速度によるこれら構造物の形成の後になる傾向があり、その結果、先に作製された構造は比較的高温のサイクリングに耐えることができる。さらに、今日の速度での絶え間ないスケーリングにより、寄生容量を低減させるため、そのようなフロントエンドアイソレーションエレメントがより低い誘電率を有することが重要となる。
図9を再び参照すると、高温アニールの必要性なく、本願の意味の範囲内においてプラズマ処理によっても誘電率の低減を達成できる。従って、N2O/N2プラズマによるポストデポジション後のプラズマ処理は、約3.2の誘電率を有する材料をもたらすが、O2プラズマではN2O/N2処理のそれよりも僅かに低い誘電率(約3.15)を示した。そのような方法は、ほとんどのバックエンド製造方法で特に望ましく、そこでは一部製造された集積回路における融点金属の存在により、熱の蓄えが特に減少する。保護膜層なしのプラズマ処理も、高温アニールの使用の有無にかかわらず、ゲート又は桁線スペーサ(digit lines spacer)を形成するようなフロントエンド方法において、特に望ましい。そのような用途には、スケーリングされる回路デザインにより、より薄いフィルムが要求される。保護膜層デポジションに代わるプラズマ処理は、保護膜層によって生じるより高い実効性のk(誘電率)よりもむしろ、より低いkを有する材料の十分な利点を認識させる。
低いKを有する誘電率材料を用いる波状模様方法
図3〜8には、代表的な電極形成法における、レベル間絶縁(ILD)としての上記低いkを有する誘電材料の使用を例示する。例示された方法は、IC作製技術において「波状模様(damascene)」方法として公知である。
図3〜8には、代表的な電極形成法における、レベル間絶縁(ILD)としての上記低いkを有する誘電材料の使用を例示する。例示された方法は、IC作製技術において「波状模様(damascene)」方法として公知である。
図3には、部分的に組み立てられた工作物又は基板アセンブリー5を示す。これは、絶縁層10を形成するホウリン酸シリケートガラス(boron phosphous silicate glass;BPSG)等の汎用ICアイソレーション材料を含む。当業者に理解されるように、絶縁層10は、電子的素子が形成される半導体基板の上にある。基板は、通常はエピタキシアルシリコンの層又はシリコンウェハを含む。複数のコンタクト12は予め形成され、絶縁層10を通って下方に及び、基板内の下部の金属層又は活性領域と接触する。代表的なコンタクト12の材料は、タングステン(W)プラグを含む。基板5は、適当な加工チャンバー内に設置される。上記チャンバーは、反応ガス、好ましくはメチルシラン及び過酸化水素をチャンバー内に導入するガス流入口を含む。ガスは、チャンバーに導入する前に予め混合されないことが好ましい。チャンバー圧力及びガス流入速度は、前記と同様にすることができる。
図4を参照すると、メチルシランと過酸化水素は反応し、炭素を含む水酸化珪素又はシラノール(Si(OH)4)層14を形成する。通常は、Si原子の約5%〜20%が炭素と会合し、そこではメチル基(CH3)はシリコン原子価サイトを占有してCH3Si(OH)3を形成する。
図5に示すように、層14を絶縁層10上に堆積した後、好ましい実施態様に従って層14を処理してポリシロキサン網状構造を形成する。前記のように、この処理は、最も好ましくは保護膜層を形成することなくプラズマ処理後に高温アニールすることを含む。
図6を参照すると、次いで低いkをもつILD16をエッチングし、トレンチ17を所望の配線パターンで形成する。当該分野で公知のように、感光性材料(レジスト)を堆積し、公知のフォトリソグラフ技術に従ってパターン形成し、レジストを現像し、耐性マスクを通してエッチングすることによって、トレンチを明確にすることができる。
好ましい方法で形成された低k誘電材料は、化学的に二酸化珪素に酷似している。このため、フルオロカーボン・プラズマエッチング等の標準的酸化エッチング化学は、ILD16の低いkを有する誘電率材料にトレンチをエッチングするために使用できる。当業者は、そのようなエッチング化学にCFH3、CF2H2、CF3H等が含まれることを認識できる。通常は、このように形成されたトレンチ17は、図示されるように、先に形成されたコンタクト12を露出させる。エッチングは、ILD16の厚さを通して及び得るように時間調節することができ、あるいは光学的エンドストップ技術を採用することができる。いずれの場合にも、上記の選択的エッチング化学は、下層の絶縁層10の消費を最少にする。
図7に示されるように、次に、導電層18をILD16上及びトレンチ17中に堆積する。代表的には、配線材料18は金属を含み、例示される実施態様ではアルミニウム/銅合金である。導電層18は、使用される材料に応じてCVD、PECVD、スパッタリング、蒸着等により堆積される。
図8を参照すると、次いで金属層18はILD16の表面までエッチング又は研磨され、トレンチ内に金属ランナ又は金属線20を残す。上記エッチバック法では、適切な回路作動のために、互いに電気的に分離されたランナ20を残す。望ましくは、上記線20間のスペースを、低いkを有する上記材料16で充填し、これにより上記線20間の寄生容量を最少にする。エッチバックは、当分野で公知の様々な方法によって達成できるが、当業者にも理解されるように、化学的機械的平坦化(chemical mechanical planarization;CMP)を使用して、ILD16上で停止することが好ましい。
低いKを有する誘電材料を用いる二重波状模様方法
保護膜層(cap layer)なしに低いkを有するILDを形成する好ましい方法も、二重波状模様電極形成法(dual damascene metallization process)に有利である。図11及び図12は、その方法の2つの工程を示す。この実施態様のために、前記の実施態様のものと同様のエレメントを、参照番号のように、その後にプライム符号(’)を付けて示す。
保護膜層(cap layer)なしに低いkを有するILDを形成する好ましい方法も、二重波状模様電極形成法(dual damascene metallization process)に有利である。図11及び図12は、その方法の2つの工程を示す。この実施態様のために、前記の実施態様のものと同様のエレメントを、参照番号のように、その後にプライム符号(’)を付けて示す。
図11を参照すると、パターン形成されたILD16’は、BPSGのような絶縁層10’上に示される。図11の構造は、図6のそれと類似していて、上記の好ましいデポジション及びポストデポジション方法に従って形成されたILD16’を有する。トレンチ17’も、回路デザインによって定められ、フォトリソグラフ技術及びエッチング技術によってILD付与された配線パターン中のILD16’を通してエッチングされている。しかしながら、図6の構造と異なり、コンタクトは、絶縁層10’を通して下層の回路エレメント(例えば、基板内の下部金属層又は電子的素子)まで未だ形成されていない。むしろ、そのようなコンタクトは、金属ランナのためのトレンチ17’が形成された後で作製される。
図12を参照すると、トレンチ17’が形成された後、ウェーハを再びマスクし、コンタクトバイアス22’をトレンチ17’の底部から下部までエッチングし、導電性エレメント(図示せず)に露出させる。当業者に理解されるように、その後に金属をコンタクトバイアス22’及び金属トレンチ17’中に同時に堆積させる。通常は、堆積はウェハ全体を覆い、次いで好ましくはCMPによりILD16’のトップまでエッチバックする。前記実施態様にあるように、次に、集積回路は、例えばさらなる配線層(必要ならば)及び最終パッシベーションを付与して完成できる。
前記のように高温アニールを用いる好ましい低誘電率材料は、二重波状模様コンテキストに特に有利である。通常は、二重波状模様電極形成は、高温工程を用いて高度な共形を有する金属を堆積し、高いアスペクト比のコンタクトバイアスをトレンチ内に満たす。例えば、TiSi2は、シリサイド化アニール(自己整列シリサイド(self-aligned silicide))及び/又はグレイン再オリエンテーション・アニール(grain reorientation anneal)のいずれかを必要とする。CVDによるTi堆積は、一般に高温で行われる。いずれの場合も、約600℃を超える温度で行われる。これらの高温工程は、低誘電率材料のための高温アニールとして機能し、これにより低kプロセスをつくるために1回だけアニール工程が要求される。これに対し、他の公知の低k材料では、より高い誘電率を生じる分解なしでは、そのような高温加工に耐えることはできない。
ギャップ充填電極形成
低誘電率をつくる好ましい方法は、ギャップ充填統合方法(gap fill integration process)において、金属層間で使用されるときに同様の利点を示す。前記の実施態様のように、先の実施態様のものと同様のエレメントを、参照番号のように、その後にプライム符号(”)を付けて示す。
低誘電率をつくる好ましい方法は、ギャップ充填統合方法(gap fill integration process)において、金属層間で使用されるときに同様の利点を示す。前記の実施態様のように、先の実施態様のものと同様のエレメントを、参照番号のように、その後にプライム符号(”)を付けて示す。
図13を参照すると、コンタクト12”を絶縁層10”中に形成する一方、金属線20”は公知の電極形成法により絶縁層10”上にパターン形成されている。通常は、ブランケット金属層を堆積した後、公知のフォトリトグラフ技術によってパターン形成し、エッチングされる。
図14を参照すると、低k材料16”を前記の方法に従って金属線20”上に形成する。好ましくは、前駆体材料を堆積し、プラズマ処理することにより低k材料16”を形成する。低k材料16”は、必要に応じて、デポジションの直後に熱アニールできる。しかしながら、後記に示すように、低k材料16”を後者の方法でアニールに供して、上記の別のアニールを不要にする。材料16”は、先に定義された金属線20”間を流れ、その間のスペースを充たすことから、この方法は「ギャップ充填統合」方法と称される。
図15を参照すると、次に低k材料16”は平坦化され、コンタクト17”(1つ図示)を通してエッチングする。図6からわかるように、フルオロカーボン・プラズマエッチングのような標準的酸化エッチング化学は、低k材料16”を通してエッチングするのに使用できる。
図16に示されるように、続いて、第二の金属又は金属2の層30を、低k材料16”上及びコンタクト17”中に堆積する。現在の回路密度(current circuit density)に従うと、コンタクト17”は標準的な物理蒸着(PVD)技術を用いて充填するのは困難である。従って、第二金属層30を、好ましくは約550℃を超える温度でのアルミニウム堆デポジション等のホットメタル方法によって堆積する。上記の二重波状模様方法のように、金属デポジションは低k材料16”の誘電率をさらに低下させるアニールとして有効に機能する。
従って、ギャップ充填電極形成コンテキストは、本発明に従う低k材料が、分解することなく、実際に誘電率の有利な低下を達成して、高温工程を有する方法の流れに統合し得る、さらに他のコンテキストを示す。
低k誘電率材料のためのフロントエンド用途
上述のように、好ましい低k材料も、フロントエンドプロセスにおいて、電子的素子を分離するのに使用できる。例えば、基板内のトランジスタ活性領域は、シャロウトレンチアイソレーション(STI)法において、基板内にトレンチをエッチングし、トレンチを好ましい低k材料で充填することによって分離することができる。高レベルドーピング及び電極形成法は、集積回路製造のそのようなステージでさらに行なわれなければならないので、低k材料は高温アニールのための好ましい範囲の上限値の温度にさらすことができる。
上述のように、好ましい低k材料も、フロントエンドプロセスにおいて、電子的素子を分離するのに使用できる。例えば、基板内のトランジスタ活性領域は、シャロウトレンチアイソレーション(STI)法において、基板内にトレンチをエッチングし、トレンチを好ましい低k材料で充填することによって分離することができる。高レベルドーピング及び電極形成法は、集積回路製造のそのようなステージでさらに行なわれなければならないので、低k材料は高温アニールのための好ましい範囲の上限値の温度にさらすことができる。
図17を参照すると、フロントエンド導体が示される。例示される実施態様では、導体は珪素基板32、特に基板のチャネル領域34の上にあるトランジスタゲート電極30を含む。チャネル34は基板の活性領域36間に定められる。ダイナミックランダムアクセスメモリー(DRAM)アレー(array)では、トランジスタゲート30も、アレーのためのワード線(word line)として機能する。あるいは、導体は、DRAM内にディジット線(digit line)を含む。
図示されるように、導体を保護し、好ましい低k材料をそれぞれ構成する保護膜スペーサ38及び一対のサイドウォールスペーサ40によって、周囲の電気的層から導体を電気的に分離する。当該分野で公知のように、サイドウォールスペーサ40は、低k材料のブランケット層を形成した後、ブランケット層の水平表面をエッチングしながら垂直スペーサ40を残す異方性エッチングによって形成できる。次に、絶縁充填層42(例えば、BPSG)を基板30上にブランケット堆積し、導電性コンタクト44を形成して活性領域36の1つ(例えば、トランジスタドレイン領域)を上部の配線層まで電気的に接続する。
回路デザインは絶え間なく縮小されているので、コンタクト44及びゲート30のような導電性エレメントは互いにより接近し、電荷キャリヤを緊密にし、回路作動を遅くする寄生容量が絶縁スペーサ40を横断して現われる傾向がある。例示される実施態様では、コンタクト44は、サイドウォール40上に実際に侵入し、その結果スペーサ40の反対側は、導電性エレメント30及び44によって直接接触する。従って、低k材料は、絶縁電極スペーサを貫くそのような寄生容量を低下させるのに特に有利である。
同様に、いくつかの回路デザインは、記憶セルのコンデンサの下に形成された埋め込み型桁線(buried digit lines)を使用する。そのような場合、桁線も、記憶セルを詰め込む導電性エレメントから絶縁されなければならない。従って、好ましくは、低k材料を使用するサイドウォールスペーサも、そのような桁線を保護するのに特に有効である。
任意の上記の実施態様での低k材料は、保護膜層なしに形成できるので有利である。従って、保護膜は誘電率を低下させるためには必要とされないことから、低k材料は集積回路中の導電性エレメント間の絶縁材料のみ、少なくとも1ヶ所で形成することができる。例えば、図17に示されるように、ポリシリコン・コンタクト44は、基板32近くで低kサイドウォールスペーサ40と直接接触する一方、ゲート電極30はスペーサー40の反対側で直接接触する。同様に、図8に例示される実施態様において、ILDセグメント16の反対側は、金属ランナ20により直接接触する。
本発明は、特定の好ましい実施態様に関して記載され、それへの可能な改変を示唆したが、それ自身示唆でき、当業者に明らかであり得る他の実施態様及び改変も本発明の思想及び範囲内にある。従って、本発明の範囲は、添付の特許請求の範囲により明らかにされることが意図される。
本発明の側面は、好ましい実施態様の詳細な説明及び添付の図面から明らかになり、それらは本発明の例示を意図するもので、これにより本発明が制限されることはない。
5 基板
10 絶縁層
12 コンタクト
14 層
16 低k材料
17 トレンチ
18 導電層
20 ランナ
22 コンタクトバイアス
30 第二金属層
32 珪素基板
34 チャネル領域
36 有効領域
38 保護膜スペーサ
40 サイドウォールスペーサ
42 絶縁充填層
44 コンタクト
10 絶縁層
12 コンタクト
14 層
16 低k材料
17 トレンチ
18 導電層
20 ランナ
22 コンタクトバイアス
30 第二金属層
32 珪素基板
34 チャネル領域
36 有効領域
38 保護膜スペーサ
40 サイドウォールスペーサ
42 絶縁充填層
44 コンタクト
Claims (9)
- 集積回路内の導電性エレメント間に形成される絶縁材料であって、当該材料が炭素−珪素結合を有するポリシロキサン網状構造を有し、当該材料は保護膜層を有しておらず、かつ、誘電率が3.0未満である絶縁材料。
- 珪素含有量に対して5%〜20%の炭素を含有する請求項1記載の絶縁材料。
- 導電性エレメントが金属ランナを含む請求項1記載の絶縁材料。
- 集積回路であって、集積回路の第一の電気的経路(first electrical path)を提供する第一導電性エレメント;集積回路の第二の電気的経路(second electrical path)を提供する第二導電性エレメント;第一及び第二導電性エレメント間に直接接触しながら挟まれている単位絶縁層であって、当該絶縁層は、その中に炭素を含有するポリシロキサンを含み、かつ、3.5未満の誘電率を有する、ことを特徴とする集積回路。
- 絶縁層が3.3未満の誘電率を有する請求項4記載の集積回路。
- 第一及び第二導電性エレメントが金属ランナである請求項5記載の集積回路。
- 第一及び第二導電性エレメントが半導体基板内のトランジスタ活性領域である請求項5記載の集積回路。
- 絶縁層がサイドウォールスペーサ(sidewall spacer)を含む請求項7記載の集積回路。
- 第一導電性エレメントがトランジスタゲート電極であり、第二導電性エレメントがトランジスタ活性領域へのコンタクトである請求項8記載の集積回路。
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Cited By (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013074237A (ja) * | 2011-09-29 | 2013-04-22 | Tokyo Electron Ltd | シリコン酸化膜の形成方法およびその形成装置 |
US9101397B2 (en) | 1999-04-07 | 2015-08-11 | Intuitive Surgical Operations, Inc. | Real-time generation of three-dimensional ultrasound image using a two-dimensional ultrasound transducer in a robotic system |
US9138129B2 (en) | 2007-06-13 | 2015-09-22 | Intuitive Surgical Operations, Inc. | Method and system for moving a plurality of articulated instruments in tandem back towards an entry guide |
US9333042B2 (en) | 2007-06-13 | 2016-05-10 | Intuitive Surgical Operations, Inc. | Medical robotic system with coupled control modes |
US9345387B2 (en) | 2006-06-13 | 2016-05-24 | Intuitive Surgical Operations, Inc. | Preventing instrument/tissue collisions |
US9469034B2 (en) | 2007-06-13 | 2016-10-18 | Intuitive Surgical Operations, Inc. | Method and system for switching modes of a robotic system |
US9492927B2 (en) | 2009-08-15 | 2016-11-15 | Intuitive Surgical Operations, Inc. | Application of force feedback on an input device to urge its operator to command an articulated instrument to a preferred pose |
US9516996B2 (en) | 2008-06-27 | 2016-12-13 | Intuitive Surgical Operations, Inc. | Medical robotic system providing computer generated auxiliary views of a camera instrument for controlling the position and orienting of its tip |
US9622826B2 (en) | 2010-02-12 | 2017-04-18 | Intuitive Surgical Operations, Inc. | Medical robotic system providing sensory feedback indicating a difference between a commanded state and a preferred pose of an articulated instrument |
US9717563B2 (en) | 2008-06-27 | 2017-08-01 | Intuitive Surgical Operations, Inc. | Medical robotic system providing an auxilary view including range of motion limitations for articulatable instruments extending out of a distal end of an entry guide |
US9718190B2 (en) | 2006-06-29 | 2017-08-01 | Intuitive Surgical Operations, Inc. | Tool position and identification indicator displayed in a boundary area of a computer display screen |
US9789608B2 (en) | 2006-06-29 | 2017-10-17 | Intuitive Surgical Operations, Inc. | Synthetic representation of a surgical robot |
US9788909B2 (en) | 2006-06-29 | 2017-10-17 | Intuitive Surgical Operations, Inc | Synthetic representation of a surgical instrument |
US9795446B2 (en) | 2005-06-06 | 2017-10-24 | Intuitive Surgical Operations, Inc. | Systems and methods for interactive user interfaces for robotic minimally invasive surgical systems |
US9956044B2 (en) | 2009-08-15 | 2018-05-01 | Intuitive Surgical Operations, Inc. | Controller assisted reconfiguration of an articulated instrument during movement into and out of an entry guide |
US10008017B2 (en) | 2006-06-29 | 2018-06-26 | Intuitive Surgical Operations, Inc. | Rendering tool information as graphic overlays on displayed images of tools |
US10258425B2 (en) | 2008-06-27 | 2019-04-16 | Intuitive Surgical Operations, Inc. | Medical robotic system providing an auxiliary view of articulatable instruments extending out of a distal end of an entry guide |
US10507066B2 (en) | 2013-02-15 | 2019-12-17 | Intuitive Surgical Operations, Inc. | Providing information of tools by filtering image areas adjacent to or on displayed images of the tools |
US10603127B2 (en) | 2005-06-06 | 2020-03-31 | Intuitive Surgical Operations, Inc. | Laparoscopic ultrasound robotic surgical system |
US11259870B2 (en) | 2005-06-06 | 2022-03-01 | Intuitive Surgical Operations, Inc. | Interactive user interfaces for minimally invasive telesurgical systems |
Families Citing this family (212)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6287990B1 (en) | 1998-02-11 | 2001-09-11 | Applied Materials, Inc. | CVD plasma assisted low dielectric constant films |
US6593247B1 (en) * | 1998-02-11 | 2003-07-15 | Applied Materials, Inc. | Method of depositing low k films using an oxidizing plasma |
US6303523B2 (en) | 1998-02-11 | 2001-10-16 | Applied Materials, Inc. | Plasma processes for depositing low dielectric constant films |
US6627532B1 (en) | 1998-02-11 | 2003-09-30 | Applied Materials, Inc. | Method of decreasing the K value in SiOC layer deposited by chemical vapor deposition |
US6054379A (en) | 1998-02-11 | 2000-04-25 | Applied Materials, Inc. | Method of depositing a low k dielectric with organo silane |
US6660656B2 (en) | 1998-02-11 | 2003-12-09 | Applied Materials Inc. | Plasma processes for depositing low dielectric constant films |
US6274292B1 (en) * | 1998-02-25 | 2001-08-14 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor processing methods |
US7804115B2 (en) * | 1998-02-25 | 2010-09-28 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor constructions having antireflective portions |
US6800571B2 (en) * | 1998-09-29 | 2004-10-05 | Applied Materials Inc. | CVD plasma assisted low dielectric constant films |
US6303972B1 (en) | 1998-11-25 | 2001-10-16 | Micron Technology, Inc. | Device including a conductive layer protected against oxidation |
US7067861B1 (en) * | 1998-11-25 | 2006-06-27 | Micron Technology, Inc. | Device and method for protecting against oxidation of a conductive layer in said device |
US6828683B2 (en) * | 1998-12-23 | 2004-12-07 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor devices, and semiconductor processing methods |
US7067414B1 (en) * | 1999-09-01 | 2006-06-27 | Micron Technology, Inc. | Low k interlevel dielectric layer fabrication methods |
KR100363081B1 (ko) * | 1999-09-16 | 2002-11-30 | 삼성전자 주식회사 | 박막 형성장치 |
US6440860B1 (en) * | 2000-01-18 | 2002-08-27 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor processing methods of transferring patterns from patterned photoresists to materials, and structures comprising silicon nitride |
JP3615979B2 (ja) * | 2000-01-18 | 2005-02-02 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置及びその製造方法 |
JP4368498B2 (ja) * | 2000-05-16 | 2009-11-18 | Necエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置、半導体ウェーハおよびこれらの製造方法 |
US6762132B1 (en) * | 2000-08-31 | 2004-07-13 | Micron Technology, Inc. | Compositions for dissolution of low-K dielectric films, and methods of use |
US6472333B2 (en) | 2001-03-28 | 2002-10-29 | Applied Materials, Inc. | Silicon carbide cap layers for low dielectric constant silicon oxide layers |
US7183201B2 (en) * | 2001-07-23 | 2007-02-27 | Applied Materials, Inc. | Selective etching of organosilicate films over silicon oxide stop etch layers |
US6632735B2 (en) | 2001-08-07 | 2003-10-14 | Applied Materials, Inc. | Method of depositing low dielectric constant carbon doped silicon oxide |
US6762127B2 (en) * | 2001-08-23 | 2004-07-13 | Yves Pierre Boiteux | Etch process for dielectric materials comprising oxidized organo silane materials |
US6500770B1 (en) * | 2002-04-22 | 2002-12-31 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd | Method for forming a multi-layer protective coating over porous low-k material |
US6613637B1 (en) * | 2002-05-31 | 2003-09-02 | Lsi Logic Corporation | Composite spacer scheme with low overlapped parasitic capacitance |
US7105460B2 (en) * | 2002-07-11 | 2006-09-12 | Applied Materials | Nitrogen-free dielectric anti-reflective coating and hardmask |
US6927178B2 (en) * | 2002-07-11 | 2005-08-09 | Applied Materials, Inc. | Nitrogen-free dielectric anti-reflective coating and hardmask |
US6806149B2 (en) * | 2002-09-26 | 2004-10-19 | Texas Instruments Incorporated | Sidewall processes using alkylsilane precursors for MOS transistor fabrication |
US6770570B2 (en) * | 2002-11-15 | 2004-08-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method of forming a semiconductor device with a substantially uniform density low-k dielectric layer |
US7205248B2 (en) * | 2003-02-04 | 2007-04-17 | Micron Technology, Inc. | Method of eliminating residual carbon from flowable oxide fill |
US7138158B2 (en) * | 2003-02-28 | 2006-11-21 | Intel Corporation | Forming a dielectric layer using a hydrocarbon-containing precursor |
US6939817B2 (en) * | 2003-05-08 | 2005-09-06 | Micron Technology, Inc. | Removal of carbon from an insulative layer using ozone |
US7033897B2 (en) * | 2003-10-23 | 2006-04-25 | Texas Instruments Incorporated | Encapsulated spacer with low dielectric constant material to reduce the parasitic capacitance between gate and drain in CMOS technology |
US20050230350A1 (en) * | 2004-02-26 | 2005-10-20 | Applied Materials, Inc. | In-situ dry clean chamber for front end of line fabrication |
US20060051966A1 (en) * | 2004-02-26 | 2006-03-09 | Applied Materials, Inc. | In-situ chamber clean process to remove by-product deposits from chemical vapor etch chamber |
US7582555B1 (en) | 2005-12-29 | 2009-09-01 | Novellus Systems, Inc. | CVD flowable gap fill |
US7524735B1 (en) | 2004-03-25 | 2009-04-28 | Novellus Systems, Inc | Flowable film dielectric gap fill process |
US9257302B1 (en) | 2004-03-25 | 2016-02-09 | Novellus Systems, Inc. | CVD flowable gap fill |
US7071093B2 (en) | 2004-03-26 | 2006-07-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Integrated treatment method for obtaining robust low dielectric constant materials |
US7018941B2 (en) | 2004-04-21 | 2006-03-28 | Applied Materials, Inc. | Post treatment of low k dielectric films |
US7081393B2 (en) * | 2004-05-20 | 2006-07-25 | International Business Machines Corporation | Reduced dielectric constant spacer materials integration for high speed logic gates |
US7253123B2 (en) * | 2005-01-10 | 2007-08-07 | Applied Materials, Inc. | Method for producing gate stack sidewall spacers |
US20070202640A1 (en) * | 2006-02-28 | 2007-08-30 | Applied Materials, Inc. | Low-k spacer integration into CMOS transistors |
US7790634B2 (en) * | 2006-05-30 | 2010-09-07 | Applied Materials, Inc | Method for depositing and curing low-k films for gapfill and conformal film applications |
US9245739B2 (en) | 2006-11-01 | 2016-01-26 | Lam Research Corporation | Low-K oxide deposition by hydrolysis and condensation |
US7888273B1 (en) | 2006-11-01 | 2011-02-15 | Novellus Systems, Inc. | Density gradient-free gap fill |
KR100870271B1 (ko) * | 2007-06-28 | 2008-11-25 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 금속배선 및 그의 형성 방법 |
KR101015534B1 (ko) * | 2008-10-15 | 2011-02-16 | 주식회사 동부하이텍 | 저유전 상수를 갖는 절연막 및 이를 이용한 에어갭 제조 방법 |
US8557712B1 (en) | 2008-12-15 | 2013-10-15 | Novellus Systems, Inc. | PECVD flowable dielectric gap fill |
KR20100079200A (ko) * | 2008-12-30 | 2010-07-08 | 주식회사 동부하이텍 | 반도체 소자의 제조 방법 |
US8278224B1 (en) | 2009-09-24 | 2012-10-02 | Novellus Systems, Inc. | Flowable oxide deposition using rapid delivery of process gases |
KR101758944B1 (ko) | 2009-12-09 | 2017-07-18 | 노벨러스 시스템즈, 인코포레이티드 | 신규한 갭 충진 집적화 |
US8436404B2 (en) | 2009-12-30 | 2013-05-07 | Intel Corporation | Self-aligned contacts |
US9324576B2 (en) | 2010-05-27 | 2016-04-26 | Applied Materials, Inc. | Selective etch for silicon films |
US8685867B1 (en) | 2010-12-09 | 2014-04-01 | Novellus Systems, Inc. | Premetal dielectric integration process |
US9719169B2 (en) | 2010-12-20 | 2017-08-01 | Novellus Systems, Inc. | System and apparatus for flowable deposition in semiconductor fabrication |
US10283321B2 (en) | 2011-01-18 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma |
US8771539B2 (en) | 2011-02-22 | 2014-07-08 | Applied Materials, Inc. | Remotely-excited fluorine and water vapor etch |
US8999856B2 (en) | 2011-03-14 | 2015-04-07 | Applied Materials, Inc. | Methods for etch of sin films |
US9064815B2 (en) | 2011-03-14 | 2015-06-23 | Applied Materials, Inc. | Methods for etch of metal and metal-oxide films |
US8771536B2 (en) | 2011-08-01 | 2014-07-08 | Applied Materials, Inc. | Dry-etch for silicon-and-carbon-containing films |
US8679982B2 (en) | 2011-08-26 | 2014-03-25 | Applied Materials, Inc. | Selective suppression of dry-etch rate of materials containing both silicon and oxygen |
US8679983B2 (en) | 2011-09-01 | 2014-03-25 | Applied Materials, Inc. | Selective suppression of dry-etch rate of materials containing both silicon and nitrogen |
US8927390B2 (en) | 2011-09-26 | 2015-01-06 | Applied Materials, Inc. | Intrench profile |
US8808563B2 (en) | 2011-10-07 | 2014-08-19 | Applied Materials, Inc. | Selective etch of silicon by way of metastable hydrogen termination |
WO2013070436A1 (en) | 2011-11-08 | 2013-05-16 | Applied Materials, Inc. | Methods of reducing substrate dislocation during gapfill processing |
WO2013089687A1 (en) * | 2011-12-13 | 2013-06-20 | Empire Technology Development Llc | Elastomer adhesions |
US8846536B2 (en) | 2012-03-05 | 2014-09-30 | Novellus Systems, Inc. | Flowable oxide film with tunable wet etch rate |
US9267739B2 (en) | 2012-07-18 | 2016-02-23 | Applied Materials, Inc. | Pedestal with multi-zone temperature control and multiple purge capabilities |
US9373517B2 (en) | 2012-08-02 | 2016-06-21 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing with DC assisted RF power for improved control |
US9034770B2 (en) | 2012-09-17 | 2015-05-19 | Applied Materials, Inc. | Differential silicon oxide etch |
US9023734B2 (en) | 2012-09-18 | 2015-05-05 | Applied Materials, Inc. | Radical-component oxide etch |
US9390937B2 (en) | 2012-09-20 | 2016-07-12 | Applied Materials, Inc. | Silicon-carbon-nitride selective etch |
US9132436B2 (en) | 2012-09-21 | 2015-09-15 | Applied Materials, Inc. | Chemical control features in wafer process equipment |
US8765574B2 (en) | 2012-11-09 | 2014-07-01 | Applied Materials, Inc. | Dry etch process |
US8969212B2 (en) | 2012-11-20 | 2015-03-03 | Applied Materials, Inc. | Dry-etch selectivity |
US9064816B2 (en) | 2012-11-30 | 2015-06-23 | Applied Materials, Inc. | Dry-etch for selective oxidation removal |
US8980763B2 (en) | 2012-11-30 | 2015-03-17 | Applied Materials, Inc. | Dry-etch for selective tungsten removal |
US9111877B2 (en) | 2012-12-18 | 2015-08-18 | Applied Materials, Inc. | Non-local plasma oxide etch |
US8921234B2 (en) | 2012-12-21 | 2014-12-30 | Applied Materials, Inc. | Selective titanium nitride etching |
US10256079B2 (en) | 2013-02-08 | 2019-04-09 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations |
US9362130B2 (en) | 2013-03-01 | 2016-06-07 | Applied Materials, Inc. | Enhanced etching processes using remote plasma sources |
US9040422B2 (en) | 2013-03-05 | 2015-05-26 | Applied Materials, Inc. | Selective titanium nitride removal |
US8801952B1 (en) | 2013-03-07 | 2014-08-12 | Applied Materials, Inc. | Conformal oxide dry etch |
US10170282B2 (en) | 2013-03-08 | 2019-01-01 | Applied Materials, Inc. | Insulated semiconductor faceplate designs |
US20140271097A1 (en) | 2013-03-15 | 2014-09-18 | Applied Materials, Inc. | Processing systems and methods for halide scavenging |
US8895449B1 (en) | 2013-05-16 | 2014-11-25 | Applied Materials, Inc. | Delicate dry clean |
US9114438B2 (en) | 2013-05-21 | 2015-08-25 | Applied Materials, Inc. | Copper residue chamber clean |
US9493879B2 (en) | 2013-07-12 | 2016-11-15 | Applied Materials, Inc. | Selective sputtering for pattern transfer |
US9773648B2 (en) | 2013-08-30 | 2017-09-26 | Applied Materials, Inc. | Dual discharge modes operation for remote plasma |
US8956980B1 (en) | 2013-09-16 | 2015-02-17 | Applied Materials, Inc. | Selective etch of silicon nitride |
US9847222B2 (en) | 2013-10-25 | 2017-12-19 | Lam Research Corporation | Treatment for flowable dielectric deposition on substrate surfaces |
US8951429B1 (en) | 2013-10-29 | 2015-02-10 | Applied Materials, Inc. | Tungsten oxide processing |
US9576809B2 (en) | 2013-11-04 | 2017-02-21 | Applied Materials, Inc. | Etch suppression with germanium |
US9236265B2 (en) | 2013-11-04 | 2016-01-12 | Applied Materials, Inc. | Silicon germanium processing |
US9520303B2 (en) | 2013-11-12 | 2016-12-13 | Applied Materials, Inc. | Aluminum selective etch |
US9245762B2 (en) | 2013-12-02 | 2016-01-26 | Applied Materials, Inc. | Procedure for etch rate consistency |
US9117855B2 (en) | 2013-12-04 | 2015-08-25 | Applied Materials, Inc. | Polarity control for remote plasma |
US9263278B2 (en) | 2013-12-17 | 2016-02-16 | Applied Materials, Inc. | Dopant etch selectivity control |
US9287095B2 (en) | 2013-12-17 | 2016-03-15 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor system assemblies and methods of operation |
US9190293B2 (en) | 2013-12-18 | 2015-11-17 | Applied Materials, Inc. | Even tungsten etch for high aspect ratio trenches |
US9287134B2 (en) | 2014-01-17 | 2016-03-15 | Applied Materials, Inc. | Titanium oxide etch |
US9293568B2 (en) | 2014-01-27 | 2016-03-22 | Applied Materials, Inc. | Method of fin patterning |
US9396989B2 (en) | 2014-01-27 | 2016-07-19 | Applied Materials, Inc. | Air gaps between copper lines |
US9385028B2 (en) | 2014-02-03 | 2016-07-05 | Applied Materials, Inc. | Air gap process |
US9499898B2 (en) | 2014-03-03 | 2016-11-22 | Applied Materials, Inc. | Layered thin film heater and method of fabrication |
US9299575B2 (en) | 2014-03-17 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Gas-phase tungsten etch |
US9299538B2 (en) | 2014-03-20 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves |
US9299537B2 (en) | 2014-03-20 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves |
US9136273B1 (en) | 2014-03-21 | 2015-09-15 | Applied Materials, Inc. | Flash gate air gap |
US9903020B2 (en) | 2014-03-31 | 2018-02-27 | Applied Materials, Inc. | Generation of compact alumina passivation layers on aluminum plasma equipment components |
US9269590B2 (en) | 2014-04-07 | 2016-02-23 | Applied Materials, Inc. | Spacer formation |
US9309598B2 (en) | 2014-05-28 | 2016-04-12 | Applied Materials, Inc. | Oxide and metal removal |
US9847289B2 (en) | 2014-05-30 | 2017-12-19 | Applied Materials, Inc. | Protective via cap for improved interconnect performance |
US9378969B2 (en) | 2014-06-19 | 2016-06-28 | Applied Materials, Inc. | Low temperature gas-phase carbon removal |
US9406523B2 (en) | 2014-06-19 | 2016-08-02 | Applied Materials, Inc. | Highly selective doped oxide removal method |
US9425058B2 (en) | 2014-07-24 | 2016-08-23 | Applied Materials, Inc. | Simplified litho-etch-litho-etch process |
US9159606B1 (en) | 2014-07-31 | 2015-10-13 | Applied Materials, Inc. | Metal air gap |
US9378978B2 (en) | 2014-07-31 | 2016-06-28 | Applied Materials, Inc. | Integrated oxide recess and floating gate fin trimming |
US9496167B2 (en) | 2014-07-31 | 2016-11-15 | Applied Materials, Inc. | Integrated bit-line airgap formation and gate stack post clean |
US9165786B1 (en) | 2014-08-05 | 2015-10-20 | Applied Materials, Inc. | Integrated oxide and nitride recess for better channel contact in 3D architectures |
US9659753B2 (en) | 2014-08-07 | 2017-05-23 | Applied Materials, Inc. | Grooved insulator to reduce leakage current |
US9553102B2 (en) | 2014-08-19 | 2017-01-24 | Applied Materials, Inc. | Tungsten separation |
US10049921B2 (en) | 2014-08-20 | 2018-08-14 | Lam Research Corporation | Method for selectively sealing ultra low-k porous dielectric layer using flowable dielectric film formed from vapor phase dielectric precursor |
US9355856B2 (en) | 2014-09-12 | 2016-05-31 | Applied Materials, Inc. | V trench dry etch |
US9355862B2 (en) | 2014-09-24 | 2016-05-31 | Applied Materials, Inc. | Fluorine-based hardmask removal |
US9368364B2 (en) | 2014-09-24 | 2016-06-14 | Applied Materials, Inc. | Silicon etch process with tunable selectivity to SiO2 and other materials |
US9613822B2 (en) | 2014-09-25 | 2017-04-04 | Applied Materials, Inc. | Oxide etch selectivity enhancement |
US9355922B2 (en) | 2014-10-14 | 2016-05-31 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment |
US9966240B2 (en) | 2014-10-14 | 2018-05-08 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment |
US11637002B2 (en) | 2014-11-26 | 2023-04-25 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems to enhance process uniformity |
US9299583B1 (en) | 2014-12-05 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Aluminum oxide selective etch |
US10573496B2 (en) | 2014-12-09 | 2020-02-25 | Applied Materials, Inc. | Direct outlet toroidal plasma source |
US10224210B2 (en) | 2014-12-09 | 2019-03-05 | Applied Materials, Inc. | Plasma processing system with direct outlet toroidal plasma source |
US9502258B2 (en) | 2014-12-23 | 2016-11-22 | Applied Materials, Inc. | Anisotropic gap etch |
US9343272B1 (en) | 2015-01-08 | 2016-05-17 | Applied Materials, Inc. | Self-aligned process |
US11257693B2 (en) | 2015-01-09 | 2022-02-22 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems to improve pedestal temperature control |
US9373522B1 (en) | 2015-01-22 | 2016-06-21 | Applied Mateials, Inc. | Titanium nitride removal |
US9449846B2 (en) | 2015-01-28 | 2016-09-20 | Applied Materials, Inc. | Vertical gate separation |
US9728437B2 (en) | 2015-02-03 | 2017-08-08 | Applied Materials, Inc. | High temperature chuck for plasma processing systems |
US20160225652A1 (en) | 2015-02-03 | 2016-08-04 | Applied Materials, Inc. | Low temperature chuck for plasma processing systems |
US9881805B2 (en) | 2015-03-02 | 2018-01-30 | Applied Materials, Inc. | Silicon selective removal |
KR102406977B1 (ko) * | 2015-07-16 | 2022-06-10 | 삼성전자주식회사 | 소자 분리막을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법 |
US9741593B2 (en) | 2015-08-06 | 2017-08-22 | Applied Materials, Inc. | Thermal management systems and methods for wafer processing systems |
US9691645B2 (en) | 2015-08-06 | 2017-06-27 | Applied Materials, Inc. | Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems |
US9349605B1 (en) | 2015-08-07 | 2016-05-24 | Applied Materials, Inc. | Oxide etch selectivity systems and methods |
US10504700B2 (en) | 2015-08-27 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection |
US10388546B2 (en) | 2015-11-16 | 2019-08-20 | Lam Research Corporation | Apparatus for UV flowable dielectric |
US9916977B2 (en) | 2015-11-16 | 2018-03-13 | Lam Research Corporation | Low k dielectric deposition via UV driven photopolymerization |
US10522371B2 (en) | 2016-05-19 | 2019-12-31 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection |
US10504754B2 (en) | 2016-05-19 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection |
US9865484B1 (en) | 2016-06-29 | 2018-01-09 | Applied Materials, Inc. | Selective etch using material modification and RF pulsing |
US10062575B2 (en) | 2016-09-09 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Poly directional etch by oxidation |
US10629473B2 (en) | 2016-09-09 | 2020-04-21 | Applied Materials, Inc. | Footing removal for nitride spacer |
US10546729B2 (en) | 2016-10-04 | 2020-01-28 | Applied Materials, Inc. | Dual-channel showerhead with improved profile |
US10062585B2 (en) | 2016-10-04 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Oxygen compatible plasma source |
US9934942B1 (en) | 2016-10-04 | 2018-04-03 | Applied Materials, Inc. | Chamber with flow-through source |
US9721789B1 (en) | 2016-10-04 | 2017-08-01 | Applied Materials, Inc. | Saving ion-damaged spacers |
US10062579B2 (en) | 2016-10-07 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Selective SiN lateral recess |
US9947549B1 (en) | 2016-10-10 | 2018-04-17 | Applied Materials, Inc. | Cobalt-containing material removal |
US10163696B2 (en) | 2016-11-11 | 2018-12-25 | Applied Materials, Inc. | Selective cobalt removal for bottom up gapfill |
US9768034B1 (en) | 2016-11-11 | 2017-09-19 | Applied Materials, Inc. | Removal methods for high aspect ratio structures |
US10026621B2 (en) | 2016-11-14 | 2018-07-17 | Applied Materials, Inc. | SiN spacer profile patterning |
US10242908B2 (en) | 2016-11-14 | 2019-03-26 | Applied Materials, Inc. | Airgap formation with damage-free copper |
US10566206B2 (en) | 2016-12-27 | 2020-02-18 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for anisotropic material breakthrough |
US10431429B2 (en) | 2017-02-03 | 2019-10-01 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity |
US10403507B2 (en) | 2017-02-03 | 2019-09-03 | Applied Materials, Inc. | Shaped etch profile with oxidation |
US10043684B1 (en) | 2017-02-06 | 2018-08-07 | Applied Materials, Inc. | Self-limiting atomic thermal etching systems and methods |
US10319739B2 (en) | 2017-02-08 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Accommodating imperfectly aligned memory holes |
US10943834B2 (en) | 2017-03-13 | 2021-03-09 | Applied Materials, Inc. | Replacement contact process |
US10319649B2 (en) | 2017-04-11 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Optical emission spectroscopy (OES) for remote plasma monitoring |
JP2018199863A (ja) * | 2017-05-02 | 2018-12-20 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | タングステン柱を形成する方法 |
US11276590B2 (en) | 2017-05-17 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone semiconductor substrate supports |
US11276559B2 (en) | 2017-05-17 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow |
US10497579B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-12-03 | Applied Materials, Inc. | Water-free etching methods |
US10049891B1 (en) | 2017-05-31 | 2018-08-14 | Applied Materials, Inc. | Selective in situ cobalt residue removal |
US10920320B2 (en) | 2017-06-16 | 2021-02-16 | Applied Materials, Inc. | Plasma health determination in semiconductor substrate processing reactors |
US10541246B2 (en) | 2017-06-26 | 2020-01-21 | Applied Materials, Inc. | 3D flash memory cells which discourage cross-cell electrical tunneling |
US10727080B2 (en) | 2017-07-07 | 2020-07-28 | Applied Materials, Inc. | Tantalum-containing material removal |
US10541184B2 (en) | 2017-07-11 | 2020-01-21 | Applied Materials, Inc. | Optical emission spectroscopic techniques for monitoring etching |
US10354889B2 (en) | 2017-07-17 | 2019-07-16 | Applied Materials, Inc. | Non-halogen etching of silicon-containing materials |
US10043674B1 (en) | 2017-08-04 | 2018-08-07 | Applied Materials, Inc. | Germanium etching systems and methods |
US10170336B1 (en) | 2017-08-04 | 2019-01-01 | Applied Materials, Inc. | Methods for anisotropic control of selective silicon removal |
US10297458B2 (en) | 2017-08-07 | 2019-05-21 | Applied Materials, Inc. | Process window widening using coated parts in plasma etch processes |
US10128086B1 (en) | 2017-10-24 | 2018-11-13 | Applied Materials, Inc. | Silicon pretreatment for nitride removal |
US10283324B1 (en) | 2017-10-24 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Oxygen treatment for nitride etching |
US10256112B1 (en) | 2017-12-08 | 2019-04-09 | Applied Materials, Inc. | Selective tungsten removal |
US10903054B2 (en) | 2017-12-19 | 2021-01-26 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone gas distribution systems and methods |
US11328909B2 (en) | 2017-12-22 | 2022-05-10 | Applied Materials, Inc. | Chamber conditioning and removal processes |
US10854426B2 (en) | 2018-01-08 | 2020-12-01 | Applied Materials, Inc. | Metal recess for semiconductor structures |
US10964512B2 (en) | 2018-02-15 | 2021-03-30 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods |
US10679870B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-06-09 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus |
TWI766433B (zh) | 2018-02-28 | 2022-06-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 形成氣隙的系統及方法 |
US10593560B2 (en) | 2018-03-01 | 2020-03-17 | Applied Materials, Inc. | Magnetic induction plasma source for semiconductor processes and equipment |
US10319600B1 (en) | 2018-03-12 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Thermal silicon etch |
US10497573B2 (en) | 2018-03-13 | 2019-12-03 | Applied Materials, Inc. | Selective atomic layer etching of semiconductor materials |
US10573527B2 (en) | 2018-04-06 | 2020-02-25 | Applied Materials, Inc. | Gas-phase selective etching systems and methods |
US10490406B2 (en) | 2018-04-10 | 2019-11-26 | Appled Materials, Inc. | Systems and methods for material breakthrough |
US10699879B2 (en) | 2018-04-17 | 2020-06-30 | Applied Materials, Inc. | Two piece electrode assembly with gap for plasma control |
US10886137B2 (en) | 2018-04-30 | 2021-01-05 | Applied Materials, Inc. | Selective nitride removal |
US10872778B2 (en) | 2018-07-06 | 2020-12-22 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods utilizing solid-phase etchants |
US10755941B2 (en) | 2018-07-06 | 2020-08-25 | Applied Materials, Inc. | Self-limiting selective etching systems and methods |
US10672642B2 (en) | 2018-07-24 | 2020-06-02 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for pedestal configuration |
US10892198B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-01-12 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved performance in semiconductor processing |
US11049755B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor substrate supports with embedded RF shield |
US11062887B2 (en) | 2018-09-17 | 2021-07-13 | Applied Materials, Inc. | High temperature RF heater pedestals |
US11417534B2 (en) | 2018-09-21 | 2022-08-16 | Applied Materials, Inc. | Selective material removal |
US11682560B2 (en) | 2018-10-11 | 2023-06-20 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for hafnium-containing film removal |
US11121002B2 (en) | 2018-10-24 | 2021-09-14 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for etching metals and metal derivatives |
US11437242B2 (en) | 2018-11-27 | 2022-09-06 | Applied Materials, Inc. | Selective removal of silicon-containing materials |
US11721527B2 (en) | 2019-01-07 | 2023-08-08 | Applied Materials, Inc. | Processing chamber mixing systems |
US10920319B2 (en) | 2019-01-11 | 2021-02-16 | Applied Materials, Inc. | Ceramic showerheads with conductive electrodes |
KR20210143943A (ko) | 2019-04-19 | 2021-11-29 | 램 리써치 코포레이션 | 원자층 증착 동안 급속 플러시 퍼징 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3242113A1 (de) | 1982-11-13 | 1984-05-24 | Ibm Deutschland Gmbh, 7000 Stuttgart | Verfahren zur herstellung einer duennen dielektrischen isolation in einem siliciumhalbleiterkoerper |
US5270267A (en) | 1989-05-31 | 1993-12-14 | Mitel Corporation | Curing and passivation of spin on glasses by a plasma process wherein an external polarization field is applied to the substrate |
US5219613A (en) | 1990-06-13 | 1993-06-15 | Wacker-Chemitronic Gesellschaft Fur Elektronik-Grundstoffe Mbh | Process for producing storage-stable surfaces of polished silicon wafers |
DE69130947T2 (de) | 1991-01-08 | 1999-07-08 | Fujitsu Ltd., Kawasaki, Kanagawa | Verfahren zur bildung eines siliciumoxid-filmes |
CA2056456C (en) | 1991-08-14 | 2001-05-08 | Luc Ouellet | High performance passivation for semiconductor devices |
US5217926A (en) | 1992-01-23 | 1993-06-08 | Micron Technology, Inc. | Method of passivating a semiconductor wafer |
EP0572704B1 (en) * | 1992-06-05 | 2000-04-19 | Semiconductor Process Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a semiconductor device including method of reforming an insulating film formed by low temperature CVD |
DE69327176T2 (de) | 1992-07-04 | 2000-05-31 | Trikon Equipments Ltd., Littleton-Upon-Severn | Behandlungsverfahren für eine halbleiterscheibe. |
JP3688726B2 (ja) | 1992-07-17 | 2005-08-31 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
US5858880A (en) | 1994-05-14 | 1999-01-12 | Trikon Equipment Limited | Method of treating a semi-conductor wafer |
JP3963961B2 (ja) * | 1994-08-31 | 2007-08-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
FR2734402B1 (fr) * | 1995-05-15 | 1997-07-18 | Brouquet Pierre | Procede pour l'isolement electrique en micro-electronique, applicable aux cavites etroites, par depot d'oxyde a l'etat visqueux et dispositif correspondant |
JP3061255B2 (ja) * | 1995-08-18 | 2000-07-10 | キヤノン販売株式会社 | 成膜方法 |
US5702976A (en) | 1995-10-24 | 1997-12-30 | Micron Technology, Inc. | Shallow trench isolation using low dielectric constant insulator |
JPH09219448A (ja) * | 1996-02-09 | 1997-08-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
FR2747511B1 (fr) * | 1996-04-10 | 1998-09-04 | Sgs Thomson Microelectronics | Interconnexions multicouches a faible capacite parasite laterale |
GB2331626B (en) | 1996-08-24 | 2001-06-13 | Trikon Equip Ltd | Method and apparatus for depositing a planarized dielectric layer on a semiconductor substrate |
JPH1126449A (ja) * | 1997-06-30 | 1999-01-29 | Sony Corp | 絶縁膜の成膜方法 |
US5869379A (en) * | 1997-12-08 | 1999-02-09 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method of forming air gap spacer for high performance MOSFETS' |
US6054379A (en) * | 1998-02-11 | 2000-04-25 | Applied Materials, Inc. | Method of depositing a low k dielectric with organo silane |
US6001741A (en) * | 1998-04-15 | 1999-12-14 | Lucent Technologies Inc. | Method for making field effect devices and capacitors with improved thin film dielectrics and resulting devices |
-
1998
- 1998-09-03 US US09/146,397 patent/US6383951B1/en not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-09-03 JP JP25086399A patent/JP3716404B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-12-27 US US10/033,656 patent/US6835995B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2005
- 2005-06-13 JP JP2005172406A patent/JP2005303327A/ja not_active Withdrawn
Cited By (57)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9101397B2 (en) | 1999-04-07 | 2015-08-11 | Intuitive Surgical Operations, Inc. | Real-time generation of three-dimensional ultrasound image using a two-dimensional ultrasound transducer in a robotic system |
US9232984B2 (en) | 1999-04-07 | 2016-01-12 | Intuitive Surgical Operations, Inc. | Real-time generation of three-dimensional ultrasound image using a two-dimensional ultrasound transducer in a robotic system |
US10271909B2 (en) | 1999-04-07 | 2019-04-30 | Intuitive Surgical Operations, Inc. | Display of computer generated image of an out-of-view portion of a medical device adjacent a real-time image of an in-view portion of the medical device |
US10433919B2 (en) | 1999-04-07 | 2019-10-08 | Intuitive Surgical Operations, Inc. | Non-force reflecting method for providing tool force information to a user of a telesurgical system |
US11259870B2 (en) | 2005-06-06 | 2022-03-01 | Intuitive Surgical Operations, Inc. | Interactive user interfaces for minimally invasive telesurgical systems |
US11399909B2 (en) | 2005-06-06 | 2022-08-02 | Intuitive Surgical Operations, Inc. | Laparoscopic ultrasound robotic surgical system |
US10646293B2 (en) | 2005-06-06 | 2020-05-12 | Intuitive Surgical Operations, Inc. | Laparoscopic ultrasound robotic surgical system |
US10603127B2 (en) | 2005-06-06 | 2020-03-31 | Intuitive Surgical Operations, Inc. | Laparoscopic ultrasound robotic surgical system |
US12108998B2 (en) | 2005-06-06 | 2024-10-08 | Intuitive Surgical Operations, Inc. | Laparoscopic ultrasound robotic surgical system |
US11717365B2 (en) | 2005-06-06 | 2023-08-08 | Intuitive Surgical Operations, Inc. | Laparoscopic ultrasound robotic surgical system |
US9795446B2 (en) | 2005-06-06 | 2017-10-24 | Intuitive Surgical Operations, Inc. | Systems and methods for interactive user interfaces for robotic minimally invasive surgical systems |
US9345387B2 (en) | 2006-06-13 | 2016-05-24 | Intuitive Surgical Operations, Inc. | Preventing instrument/tissue collisions |
US9718190B2 (en) | 2006-06-29 | 2017-08-01 | Intuitive Surgical Operations, Inc. | Tool position and identification indicator displayed in a boundary area of a computer display screen |
US9789608B2 (en) | 2006-06-29 | 2017-10-17 | Intuitive Surgical Operations, Inc. | Synthetic representation of a surgical robot |
US9788909B2 (en) | 2006-06-29 | 2017-10-17 | Intuitive Surgical Operations, Inc | Synthetic representation of a surgical instrument |
US10773388B2 (en) | 2006-06-29 | 2020-09-15 | Intuitive Surgical Operations, Inc. | Tool position and identification indicator displayed in a boundary area of a computer display screen |
US9801690B2 (en) | 2006-06-29 | 2017-10-31 | Intuitive Surgical Operations, Inc. | Synthetic representation of a surgical instrument |
US11865729B2 (en) | 2006-06-29 | 2024-01-09 | Intuitive Surgical Operations, Inc. | Tool position and identification indicator displayed in a boundary area of a computer display screen |
US10737394B2 (en) | 2006-06-29 | 2020-08-11 | Intuitive Surgical Operations, Inc. | Synthetic representation of a surgical robot |
US10008017B2 (en) | 2006-06-29 | 2018-06-26 | Intuitive Surgical Operations, Inc. | Rendering tool information as graphic overlays on displayed images of tools |
US10137575B2 (en) | 2006-06-29 | 2018-11-27 | Intuitive Surgical Operations, Inc. | Synthetic representation of a surgical robot |
US10730187B2 (en) | 2006-06-29 | 2020-08-04 | Intuitive Surgical Operations, Inc. | Tool position and identification indicator displayed in a boundary area of a computer display screen |
US11638999B2 (en) | 2006-06-29 | 2023-05-02 | Intuitive Surgical Operations, Inc. | Synthetic representation of a surgical robot |
US12097002B2 (en) | 2007-06-13 | 2024-09-24 | Intuitive Surgical Operations, Inc. | Medical robotic system with coupled control modes |
US11432888B2 (en) | 2007-06-13 | 2022-09-06 | Intuitive Surgical Operations, Inc. | Method and system for moving a plurality of articulated instruments in tandem back towards an entry guide |
US10271912B2 (en) | 2007-06-13 | 2019-04-30 | Intuitive Surgical Operations, Inc. | Method and system for moving a plurality of articulated instruments in tandem back towards an entry guide |
US11399908B2 (en) | 2007-06-13 | 2022-08-02 | Intuitive Surgical Operations, Inc. | Medical robotic system with coupled control modes |
US10188472B2 (en) | 2007-06-13 | 2019-01-29 | Intuitive Surgical Operations, Inc. | Medical robotic system with coupled control modes |
US9901408B2 (en) | 2007-06-13 | 2018-02-27 | Intuitive Surgical Operations, Inc. | Preventing instrument/tissue collisions |
US11751955B2 (en) | 2007-06-13 | 2023-09-12 | Intuitive Surgical Operations, Inc. | Method and system for retracting an instrument into an entry guide |
US9629520B2 (en) | 2007-06-13 | 2017-04-25 | Intuitive Surgical Operations, Inc. | Method and system for moving an articulated instrument back towards an entry guide while automatically reconfiguring the articulated instrument for retraction into the entry guide |
US9469034B2 (en) | 2007-06-13 | 2016-10-18 | Intuitive Surgical Operations, Inc. | Method and system for switching modes of a robotic system |
US9333042B2 (en) | 2007-06-13 | 2016-05-10 | Intuitive Surgical Operations, Inc. | Medical robotic system with coupled control modes |
US10695136B2 (en) | 2007-06-13 | 2020-06-30 | Intuitive Surgical Operations, Inc. | Preventing instrument/tissue collisions |
US9138129B2 (en) | 2007-06-13 | 2015-09-22 | Intuitive Surgical Operations, Inc. | Method and system for moving a plurality of articulated instruments in tandem back towards an entry guide |
US10368952B2 (en) | 2008-06-27 | 2019-08-06 | Intuitive Surgical Operations, Inc. | Medical robotic system providing an auxiliary view including range of motion limitations for articulatable instruments extending out of a distal end of an entry guide |
US9516996B2 (en) | 2008-06-27 | 2016-12-13 | Intuitive Surgical Operations, Inc. | Medical robotic system providing computer generated auxiliary views of a camera instrument for controlling the position and orienting of its tip |
US9717563B2 (en) | 2008-06-27 | 2017-08-01 | Intuitive Surgical Operations, Inc. | Medical robotic system providing an auxilary view including range of motion limitations for articulatable instruments extending out of a distal end of an entry guide |
US10258425B2 (en) | 2008-06-27 | 2019-04-16 | Intuitive Surgical Operations, Inc. | Medical robotic system providing an auxiliary view of articulatable instruments extending out of a distal end of an entry guide |
US11382702B2 (en) | 2008-06-27 | 2022-07-12 | Intuitive Surgical Operations, Inc. | Medical robotic system providing an auxiliary view including range of motion limitations for articulatable instruments extending out of a distal end of an entry guide |
US11638622B2 (en) | 2008-06-27 | 2023-05-02 | Intuitive Surgical Operations, Inc. | Medical robotic system providing an auxiliary view of articulatable instruments extending out of a distal end of an entry guide |
US10282881B2 (en) | 2009-03-31 | 2019-05-07 | Intuitive Surgical Operations, Inc. | Rendering tool information as graphic overlays on displayed images of tools |
US11941734B2 (en) | 2009-03-31 | 2024-03-26 | Intuitive Surgical Operations, Inc. | Rendering tool information as graphic overlays on displayed images of tools |
US10984567B2 (en) | 2009-03-31 | 2021-04-20 | Intuitive Surgical Operations, Inc. | Rendering tool information as graphic overlays on displayed images of tools |
US10271915B2 (en) | 2009-08-15 | 2019-04-30 | Intuitive Surgical Operations, Inc. | Application of force feedback on an input device to urge its operator to command an articulated instrument to a preferred pose |
US11596490B2 (en) | 2009-08-15 | 2023-03-07 | Intuitive Surgical Operations, Inc. | Application of force feedback on an input device to urge its operator to command an articulated instrument to a preferred pose |
US9956044B2 (en) | 2009-08-15 | 2018-05-01 | Intuitive Surgical Operations, Inc. | Controller assisted reconfiguration of an articulated instrument during movement into and out of an entry guide |
US10959798B2 (en) | 2009-08-15 | 2021-03-30 | Intuitive Surgical Operations, Inc. | Application of force feedback on an input device to urge its operator to command an articulated instrument to a preferred pose |
US10772689B2 (en) | 2009-08-15 | 2020-09-15 | Intuitive Surgical Operations, Inc. | Controller assisted reconfiguration of an articulated instrument during movement into and out of an entry guide |
US9492927B2 (en) | 2009-08-15 | 2016-11-15 | Intuitive Surgical Operations, Inc. | Application of force feedback on an input device to urge its operator to command an articulated instrument to a preferred pose |
US10537994B2 (en) | 2010-02-12 | 2020-01-21 | Intuitive Surgical Operations, Inc. | Medical robotic system providing sensory feedback indicating a difference between a commanded state and a preferred pose of an articulated instrument |
US9622826B2 (en) | 2010-02-12 | 2017-04-18 | Intuitive Surgical Operations, Inc. | Medical robotic system providing sensory feedback indicating a difference between a commanded state and a preferred pose of an articulated instrument |
US10828774B2 (en) | 2010-02-12 | 2020-11-10 | Intuitive Surgical Operations, Inc. | Medical robotic system providing sensory feedback indicating a difference between a commanded state and a preferred pose of an articulated instrument |
JP2013074237A (ja) * | 2011-09-29 | 2013-04-22 | Tokyo Electron Ltd | シリコン酸化膜の形成方法およびその形成装置 |
US11389255B2 (en) | 2013-02-15 | 2022-07-19 | Intuitive Surgical Operations, Inc. | Providing information of tools by filtering image areas adjacent to or on displayed images of the tools |
US10507066B2 (en) | 2013-02-15 | 2019-12-17 | Intuitive Surgical Operations, Inc. | Providing information of tools by filtering image areas adjacent to or on displayed images of the tools |
US11806102B2 (en) | 2013-02-15 | 2023-11-07 | Intuitive Surgical Operations, Inc. | Providing information of tools by filtering image areas adjacent to or on displayed images of the tools |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3716404B2 (ja) | 2005-11-16 |
US6835995B2 (en) | 2004-12-28 |
US20020105084A1 (en) | 2002-08-08 |
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US6383951B1 (en) | 2002-05-07 |
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