DE69327176T2 - Behandlungsverfahren für eine halbleiterscheibe. - Google Patents

Behandlungsverfahren für eine halbleiterscheibe.

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Description

  • Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Behandlung einer Halbleiterscheibe und im besonderen, jedoch nicht ausschließlich, auf die als solche bekannte Planarisation.
  • Es ist übliche Praxis in der Halbleiterindustrie, Schichten aus isolierendem Material zwischen leitenden Schichten einzubringen, um Kurzschlüsse zu verhindern. Wenn eine Schicht aus isolierendem Material lediglich in der normalen Weise aufgebracht wird, beginnen sich Wellen aufzubauen, wenn die Schichten über die metallischen Leiter hinweggehen, die sie isolieren sollen. Verschiedene Verfahren sind entwickelt worden, um zu versuchen dieses Problem zu beheben, indem man die Gräben oder Täler zwischen den Leitern ausfüllt bis zu einer Höhe oberhalb der Obergrenze der Leier, so daß nach der Behandlung eine im wesentlichen ebene Schicht vorliegt oben auf der Scheibe. Ein Beispiel für ein solches Verfahren liegt darin, Schichten aus Polyimid aufzuschleudern, um die Oberflächen zu glätten. In der Praxis neigen jedoch enge Gräben dazu, daß sie unvollständig ausgefüllt werden, während breite Täler nicht vollständig auf das Niveau gebracht werden. Wenn die 2-D Dimensionen der Einrichtungen reduziert werden, werden diese Probleme akzentuiert.
  • Die US-AA 812 325 beschreibt ein Verfahren zum Aufbringen eines Filmes unter Einsatz von Silanen und Peroxiden als Ausgangsmaterialien zur Bildung eines Filmes auf einem Substrat. Die sich ergebenden Filme leiden unter Verteilungsunregelmäßigkeiten der Filmdicke.
  • Hinweise in der Beschreibung dahingehend, daß das Polymere flüssig ist, sollen lediglich anzeigen, daß es im Augenblick des Aufbringens weder gasförmig noch fest ist.
  • Unter einem Aspekt liegt die Erfindung in einem Verfahren zur Behandlung einer Halbleiterscheibe einschließlich der Positionierung der Scheibe auf einer Platte in einer Kammer, dem Einführen eines Silicium enthaltenden Gases oder Dampfes sowie einer Verbindung, die eine Peroxid-Bindung enthält, in Dampfform in die Kammer hinein, des Haltens der Platte bei oder unterhalb des Taupunktes des Silicium enthaltenden Gases, der Reaktion des Silicium enthaltenden Gases oder Dampfes mit der Verbindung zur Bildung als Kondensat, ein flüssiges kurzkettiges Polymeres auf der Scheibe zur Bildung einer allgemein ebenen Schicht.
  • Das Silcium enthaltende Gas und die Verbindung können in einem chemischen Bedampfungsverfahren reagieren. Die Reaktion kann stattfinden zwischen Elektroden, wobei in diesem Fall das Silicium enthaltende Gas und die Verbindung getrennt voneinander gehalten werden, bis sie zwischen die Elektroden eingeführt werden.
  • Das Silicium enthaltende Gas oder der Dampf können anorganisch sein und sind vorzugsweise Silan oder ein höheres Silan, welches in die Kammer mit einem inerten Gas, beispielsweise Stickstoff, eingeführt wird. Die Verbindung kann beispielsweise Wasserstoffperoxid oder Ethandiol sein. Das Wasserstoffperoxid kann eine Konzentration zwischen 45% und 55% besitzen und liegt vorzugsweise bei einer Konzentration von 50%.
  • Das Verfahren kann darüber hinaus die Entfernung von Wasser und/oder OH aus der Schicht umfassen. Beispielsweise kann die Schicht einem reduzierten Druck ausgesetzt werden (zweckmäßigerweise zwischen 1,5 und 2,5 Minuten) und/oder einem Plasma mit niedriger Energiedichte ausgesetzt werden, die die Schicht von 40º bis 120ºC aufheizen kann.
  • Das Verfahren kann darüber hinaus die Bildung oder den Niederschlag einer Unterschicht umfassen vor dem Aufbringen des Polymeren. Die Unterschicht kann aufgebracht werden durch ein chemisches Bedampfungsverfahren und die Scheibe kann vorerhitzt werden vor dem Aufbringen der Unterschicht. Diese Unterschicht kann Siliciumdioxid sein und eine Dicke von zwischen 1000 und 3000 Å. Sie kann beispielsweise 2000 Å dick sein. Die Unterschicht kann zweckmäßigerweise durch ein Plasma verstärktes chemisches Bedampfungsverfahren aufgebracht werden. Entweder die Unterschicht und/oder die Scheibe können vorerhitzt werden, beispielsweise durch ein Plasma zur Entfernung von Verunreinigungen. In diesem Fall kann sie mit einem Plasma vorerhitzt werden, beispielsweise unter Einsatz von Sauerstoff als Reaktionsgas.
  • In einer ähnlichen Weise kann die Oberfläche der aufgebrachten Polymerschicht in einem Plasma behandelt werden unter Einsatz eines reagierenden Sauerstoffgases, um die Kettenverlängerung und das Quervernetzen innerhalb des Polymeren zu unterstützen. Dieses Gas kann beispielsweise Sauerstoff, Stickstoff oder Wasserstoffperoxiddampf sein, wobei auch andere Gase geeignet sein können. Das Plasma besitzt einen Aufheizeffekt, welcher die Quervernetzung verstärkt, wobei jedoch auch ein Strahlungseffekt von verschiedenen Gasen vorliegen kann. Diese Kettenvernetzung kann alternativ katalysiert werden, indem man die Polymerschicht einem UV-Licht, Röntgenstrahlen oder einem Ionenbombardement aussetzt. In vielen Anwendungen mag jedoch eine Beschleunigung der Kettenvernetzung nicht erstrebenswert sein. Stattdessen kann es erstrebenswert sein, daß sich die polymeren Molekülpartikel absetzen bevor eine signifikante Quervemetzung eintritt.
  • Das Verfahren kann darüber hinaus das Aufbringen oder Bilden einer Deckschicht auf der Oberfläche der aufgebrachten Schicht umfassen. Diese Deckschicht kann Siliciumdioxid sein. Die Deckschicht wird aufgebracht nachdem ein Teil der Kondensationsreaktionen eingetreten ist und im wesentlichen das gesamte Wasser aus der Polymerschicht entfernt ist.
  • Das Verfahren kann darüber hinaus das Erhitzen der Polymerschicht umfassen, wobei diese Erhitzung vorzugsweise nach dem Aufbringen der Deckschicht erfolgt. Die Polymerschicht kann erhitzt werden auf zwischen 180 und 220ºC für eine Zeitdauer zwischen 50 und 70 Minuten. Beispielsweise kann sie erhitzt wer den auf 220ºC 60 Minuten lang. Die Schicht kann man anschließend auf Umgebungstemperatur abkühlen lassen und dann erneut erhitzen auf 430-470ºC für eine Zeitdauer von 30-50 Minuten. Beispielsweise kann das zweite Erhitzen 40 Minuten dauern bei 450ºC. In der Tat kann dieses zweite Erhitzen ausreichen und kann unter Einsatz eines Ofens, Heizlampen, einer Heizplatte oder Plasmaerhitzen erfolgen.
  • Gemäß einer bevorzugten Ausgestaltung kann die Polymerschicht erhitzt werden auf zwischen 200 und 450ºC vor dem Aufbringen der Deckschicht, um zu erreichen, daß die Deckschicht bei erhöhten Temperaturen aufgebracht werden kann. Obwohl die Deckschicht in einem oder mehreren Schritten aufgebracht werden kann, läßt sich beispielsweise eine "kalte" Deckschicht bei der Temperatur der planarisierenden Schicht aufbringen, gefolgt von einer heißen Deckschicht, wobei die Polymerschicht zunächst auf 200-450ºC erhitzt worden ist, wie dies oben beschrieben wurde.
  • Die Dichte des Wasserstoffperoxids kann im Bereich von 1,20 - 1,35 g/cm³ liegen, wobei eine Dichte von 1,25 g/cm&supmin;³ besonders bevorzugt wird. Das Wasserstoffperoxid besitzt vorzugsweise eine Konzentration von 50%, wenn es in die Kammer eingeführt wird.
  • Die Umgebungstemperatur innerhalb der Kammer kann im Bereich von 0-80ºC während des Aufbringens der Polymerschicht liegen, wobei jedoch die Scheibe vorzugsweise eine Temperatur von 0ºC besitzt oder beim Taupunkt des Polymeren liegt, wenn dies in Dampfform vorliegt. Ein niedriger Druck ist ebenfalls erstrebenswert aber erfordert niedrige Temperaturen (z. B. 400 mT, -10ºC).
  • Um zu vermeiden, daß die Platte erhitzt wird, hebt man die Scheibe vorzugsweise von der Platte für jeden Verfahrensschritt ab, wie ein Erhitzen umfaßt. Die angehobene Position kann zwischen der Platte und einer Scheibenbelastungs- /Unbelastungsposition liegen.
  • Das Verfahren kann eingesetzt werden zur Erzielung einer Planarisation oder einer Zwischenraumausfüllung. Im letzteren Fall liegt die umgebende Kammertemperatur zweckmäßigerweise sogar höher.
  • Die Erfindung umfaßt auch Scheiben, die durch irgendeines der Verfahren behandelt wurden, wie sie oben beschrieben wurden und Halbleitereinrichtungen mit Polymerschichten, die durch das oben beschriebene Verfahren gebildet wurden.
  • Die Erfindung kann auf unterschiedliche Art und Weise ausgeführt werden und eine spezielle Ausführungsform soll nun beschrieben werden anhand eines Beispiels unter Bezugnahme auf die nachfolgenden Zeichnungen:
  • Fig. 1 ist eine schematische Ansicht eines Gerätes zur Durchführung des Behandlungsverfahrens;
  • Fig. 2A und 2B sind stark vergrößerte Fotografien von Querschnitten einer Scheibe, die durch das Verfahren behandelt wurde und
  • Fig. 3A bis 3E zeigen schematisch die Verfahrensschritte.
  • Die Vorrichtung zur Behandlung von Halbleiterscheiben ist schematisch durch die Bezugsziffer 10 in Fig. 1 angegeben. Es leuchtet ein, daß nur die Merkmale, welche besonders für das Verständnis der Erfindung erforderlich sind, beschrieben und erläutert werden. Der allgemeine Aufbau einer solchen Vorrichtung ist im Stand der Technik hinlänglich bekannt.
  • Die Vorrichtung 10 umfaßt dementsprechend eine Kammer 11 mit einem Duplexduschkopf 12 und einer Scheibenabstützung oder Platte 13. Der Duschkopf 12 ist an eine Hochfrequenzquelle 14 angeschlossen zur Bildung einer Elektrode, während die Abstützung 13 geerdet ist und die andere Elektrode bildet. Alternativ kann die Hochfrequenzquelle 14 an die Abstützung 13 angeschlossen sein, währen der Duschkopf 12 geerdet ist. Der Duschkopf 12 ist über entsprechende Rohrleitungen 15 und 16 an eine Quelle von SiH&sub4; in N&sub2; oder einem anderen inerten Träger sowie eine Quelle von H&sub2;O&sub2; angeschlossen. Das Trägergas wird zweckmäßigerweise eingesetzt zur Erleichterung des Betriebes der Ausrüstung und man geht davon aus, daß das Verfahren auch ohne dieses ausgeführt werden kann.
  • Die Quelle 16 umfaßt ein Reservoir 17 von H&sub2;O&sub2;, ein Auslaßrohr 18, eine Pumpe 19 sowie ein Glühheizgerät 20 zur Verdampfung des H&sub2;O&sub2;.
  • Beim Einsatz wird die Vorrichtung so ausgelegt, daß sie ein kurzkettiges anorganisches Polymeres deponiert, welches ursprünglich eine Flüssigkeit ist, zwischen den Anschlüssen auf einem Halbleiterchip zur Erzeugung einer Planarisation, entweder lokal oder global oder zum "Spaltfüllen". Das Polymere wird gebildet durch die Einführung des Silans und des Wasserstoffperoxids in Dampfform in die Kammer und deren spontane Reaktion innerhalb der Kammer. Nachdem das sich ergebende Polymere auf der Scheibe niedergeschlagen ist, zeigt sich daß seine Viskosität derart ist, daß es sowohl kleine als auch große Geometrien oder Spalte ausfüllt und sich im allgemeinen selbst ausgleicht. Man geht davon aus, daß effektiv ein Absetzvorgang stattfindet, während sich die Polymerisation vollzieht. Je stärker das Absetzen vorliegt, welches vor der vollständigen Polymerisation eintritt, um so geringer ist die Wahrscheinlichkeit des Reißens. Spalte von sehr kleinen Dimensionen können ausgefüllt werden und infolge der Füllschichteigenschaften können diese Spalte sogar unter bestimmten Umständen geschlossen werden.
  • Wie bereits erwähnte wurde, werden die Ketten innerhalb des Polymeren, falls solche übrig sind, sich langsam verlängern und quervernetzen. Unter manchen Umständen kann es erstrebenswert sein, diesen /organg durch Plasmabehandlung zu beschleunigen. Diese Behandlung erzeugt UV-Strahlung und man geht davon aus, daß es diese Strahlung ist, die verantwortlich ist für das Ansteigen der Geschwindigkeit der Kettenverlängerung und der Quervernetzung. Andere Formen der Strahlungsbehandlung können dementsprechend in gleicher Weise anwendbar sein. Unterschiedliche Gase können für den Einsatz in diesem Stadium geeignet sein, wie beispielsweise jegliches Inertgas oder Wasserstoff, Stickstoff oder Sauerstoff enthaltende Gase.
  • Für Filme guter Qualität ist es erstrebenswert, soviel Wasser und OH wie möglich aus dem Film in einem frühen Stadium zu entfernen. Dies kann ausgeführt werden, indem man die Schicht einem reduzierten Druck aussetzt, wodurch die Schicht veranlaßt wird, Wasser herauszupumpen und anschließend die Schicht erhitzt zwischen etwa 40ºC und 120ºC. Eine Pumpe 22 ist vorgesehen zur Reduzierung des Kammerdruckes.
  • Um jedoch die Polymerschicht vollständig zu verfestigen, hat sich gezeigt, daß es im allgemeinen erforderlich ist, die Schicht einer stärkeren Wärmebehandlung auszusetzen. Unter manchen Bedingungen ist es erforderlich oder erstrebenswert, zunächst eine Deckschicht auf das Polymere aufzubringen. Man geht davon aus, daß dieses hilft, die mechanische Stabilität für die Polymerschicht während der Quervernetzung zur Verfügung zu stellen. Es kann auch helfen, die Geschwindigkeit zu steuern mit welcher die Schicht Wasser verliert während des Heizvorganges, um somit einen Steuerungseffekt zu besitzen auf das Schrumpfen und Reißen.
  • Eine geeignete Deckschicht würde Siliciumdioxid sein.
  • Die Wärmebehandlungsstufe nach dem Abdecken umfaßt die Entfernung von Überschußwasser aus der Schicht, welches ein Nebenprodukt der Quervernetzungsreaktion ist. Das Backen entfernt auch SiOH-Bindungen. Die Geschwindigkeit, mit welcher das Wasser entfernt wird, kann wichtig sein und verschiedene Wege das Wasser zu entfernen, haben sich als erfolgreich erwiesen. Eine geeignete Folge umfaßt das Backen der Schicht 60 Minuten lang bei 200ºC, das Abkühlen auf Umgebungstemperatur und dann erneutes Backen 40 Minuten lang bei 450ºC. Eine Mikrowellenerhitzung hat sich ebenfalls als erfolgreich erwiesen. Ein einfaches Backen bei 450ºC reicht oft ebenfalls aus oder das Backen kann ersetzt werden durch die folgenden Schritte:
  • 1. 2000 Å "kaltes" Abdecken, niedergeschlagen zwischen 20 und 40ºC.
  • 2. Plasmabehandlung in N&sub2;O, wodurch die Temperatur auf 300-400ºC angehoben wird.
  • 3. 4000-6000 Å "heiße" Abdeckung wird deponiert.
  • Alternativ reicht in manchen Fällen eine einzige Stufe "Heißabdeckung" bei 300 - 400ºC aus.
  • Es hat sich gezeigt, daß die Adhäsion der Polymerschicht auf dem unterliegenden Substratmaterial verstärkt werden kann durch Deponieren einer Unterschicht, beispielsweise aus Siliciumdioxid. Typischerweise sollte dies in der Größenordnung von 2000 Å Dicke sein und die Schicht kann aufgebracht werden durch plasmaverstärkte chemische Bedampfung.
  • Beispiele aktuell deponierter Schichten sind in den Fotografien der Fig. 2A und 2B gezeigt. Es ergibt sich, daß die obere Oberfläche des Schichten 21 allgemein eben sind, trotz der vorliegenden starken Vergrößerung.
  • Obwohl sich SiH&sub4; als besonders erfolgreich erwiesen hat, geht man davon aus, daß dieses Verfahren mit den meisten Silicium enthaltenden Gasen oder Dämpfen durchführbar ist. Es hat sich gezeigt, daß in einem gewissen Ausmaß ein geeignetes Polymeres erhalten werden kann mit jeder Konzentration oder Dichte von H&sub2;O&sub2;, wobei sich jedoch der Dichtebereich von 1,20 - 1,35 g/cm³ als besonders erfolgreich erwiesen hat. Die am stärksten bevorzugte Dichte von H&sub2;O&sub2; liegt bei 1,25 g/cmt Eine H&sub2;O&sub2;Konzentration von 50% ist sehr wirksam, man geht jedoch davon aus, daß die bevorzugte Konzentration variieren kann in Abhängigkeit davon, ob das Ziel ist, eine Planarisation oder eine Spaltfüllung zu erreichen. Man bevorzugt daß mehr H&sub2;O&sub2; zugeführt wird als SiH&sub4; und es wird besonders bevorzugt, daß das H&sub2;O&sub2;: SiH&sub4;-Verhältnis in der Größenordnung von 3 : 1 liegt.
  • Für den Fall, daß die Scheibe aus der Kammer herausgenommen werden muß zwischen den einzelnen Verfahrensstufen, kann es erstrebenswert sein, die exponierte Oberfläche vorzuerhitzen, wenn die Scheibe in die Kammer zurückgebracht wird, um alle organischen oder andere Verunreinigungen von der freigesetzten Oberfläche zu entfernen.
  • Die Fig. 3A - E zeigen den bevorzugten Verfahrensablauf schematisch und geben den wahrscheinlichen chemischen Ablauf an. Es kann vorteilhaft sein, die Kammer mit H&sub2;O&sub2; oder einer anderen Zusammensetzung, die eine Peroxid-Bindung enthält, welche zum Einsatz kommt, auszuwaschen zwischen mindestens einigen der Verfahrensstufen.
  • Da es erstrebenswert ist, die Platte oder Abstützung 13 um etwa 0ºC zu halten, kann die Scheibe von der Abstützung 13 während jedes Heizvorganges angehoben werden, so daß die Wärme der Scheibe nicht signifikant auf die Abstützung 13 übertragen wird. Dies läßt sich erzielen durch die Anordnung einer Zwischenposition 23 für die Scheibenladeeinrichtung 21.

Claims (23)

1. Verfahren zur Behandlung einer Halbleiterscheibe, einschließlich der Positionierung der Scheibe auf einer Platte in einer Kammer, Einführung eines Silicium enthaltenden Gases oder eines Dampfes sowie einer Verbindung, die eine Peroxid-Bindung in Dampfform enthält, in die Kammer, Aufrechterhalten der Platte bei dem oder unterhalb des Taupunktes des Silicium enthaltenden Gases, Reagieren des Silicium enthaltenden Gases oder Dampfes mit der Zusammensetzung zur Bildung als Kondensat eines flüssigen kurzkettigen Polymeren auf der Scheibe unter Ausbildung einer im allgemeinen ebenen Schicht.
2. Verfahren nach Anspruch 2, wobei das Silicium enthaltende Gas oder der Dampf ein Silan oder höheres Silan ist.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, wobei die Verbindung Wasserstoffperoxid oder Ethandiol ist.
4. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei darüber hinaus Wasser und/oder OH aus der Schicht entfernt wird.
5. Verfahren nach Anspruch 4, wobei der Schritt zur Entfernung des Wassers und/oder des OH das Aussetzen der Schicht einen reduzierten Druck einschließt.
6. Verfahren nach Anspruch 5, wobei die Schicht einem reduzierten Druck ausgesetzt wird zwischen 1,5 und 2,5 Minuten.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 4 bis 6, wobei der Schritt des Entfernens des Wassers und/oder des OH das Aussetzen der Schicht einem Plasma mit niedriger Energiedichte entspricht
8. Verfahren nach Anspruch 7, wobei das Plasma die Schicht auf zwischen 40º und 120ºC aufheizt.
9. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei welchem man darüber hinaus eine Unterschicht vor dem Aufbringen der Polymerschicht ausbildet oder deponiert.
10. Verfahren nach Anspruch 9, wobei die Unterschicht durch chemisches Aufdampfen deponiert wird.
11. Verfahren nach Anspruch 10, wobei die Scheibe vor dem Aufbringen der Unterschicht vorerhitzt wird.
12. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei man darüber hinaus eine Deckschicht auf der Polymerschicht aufbringt, nachdem im wesentlichen das gesamte Wasser aus der Polymerschicht entfernt wurde.
13. Verfahren nach Anspruch 12, wobei die Deckschicht SiO&sub2; ist.
14. Verfahren nach Anspruch 12 oder Anspruch 13, welches eine Wärmebehandlung der Scheibe einschließt, nachdem die Deckschicht deponiert worden ist.
15. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei die Scheibe von der Platte für jeden Verfahrensschritt angehoben wird, welcher ein Erhitzen der Scheibe einschließt oder verursacht.
16. Verfahren nach Anspruch 15, bei welchem die angehobene Position zwischen der Platte und der Scheibenbelade-/Entladeposition liegt.
17. Verfahren nach Anspruch 3 und den Ansprüchen 4 bis 16 in Abhängigkeit von Anspruch 4, wobei die Zusammensetzung Wasserstoffperoxid ist mit einer Konzentration zwischen 45% und 55%.
18. Verfahren nach Anspruch 17, wobei die Konzentration des Wasserstoffperoxid 50% ist.
19. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 18, wobei das Silicium enthaltende Gas oder der Dampf und die Zusammensetzung in einem chemischen Bedampfungsverfahren reagieren.
20. Verfahren nach Anspruch 19, wobei die Reaktion zwischen Elektroden stattfindet, und wobei das Silicium enthaltende Gas oder der Dampf und die Zusammensetzung getrennt gehalten werden, bis sie zwischen die Elektroden eingeführt werden.
21. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei das Gas SiH&sub4; und die Zusammensetzung H&sub2;O&sub2; sind und mehr H&sub2;O&sub2; als SiH&sub4; vorliegt.
22. Verfahren nach Anspruch 21, wobei das H&sub2;O&sub2;: SiH&sub4;-Verhältnis in der Größenordnung von 3 : 1 liegt.
23. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei die Kammer mit der Zusammensetzung zumindest zwischen zwei Verfahrensschritten ausgewaschen wird.
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US (2) US5874367A (de)
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DE (1) DE69327176T2 (de)
TW (1) TW253974B (de)
WO (1) WO1994001885A1 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10036867B4 (de) * 1999-07-30 2006-04-13 Tokyo Electron Ltd. Substrat-Bearbeitungsverfahren und -vorrichtung

Families Citing this family (130)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69327176T2 (de) 1992-07-04 2000-05-31 Trikon Equipments Ltd., Littleton-Upon-Severn Behandlungsverfahren für eine halbleiterscheibe.
US5858880A (en) * 1994-05-14 1999-01-12 Trikon Equipment Limited Method of treating a semi-conductor wafer
GB9409713D0 (en) * 1994-05-14 1994-07-06 Electrotech Equipments Ltd A method of treating a semi-conductor wafer
JPH08181276A (ja) * 1994-12-26 1996-07-12 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
KR100345663B1 (ko) * 1995-04-11 2002-10-30 주식회사 하이닉스반도체 반도체소자의층간절연막평탄화방법
FR2734402B1 (fr) * 1995-05-15 1997-07-18 Brouquet Pierre Procede pour l'isolement electrique en micro-electronique, applicable aux cavites etroites, par depot d'oxyde a l'etat visqueux et dispositif correspondant
GB9515449D0 (en) * 1995-07-27 1995-09-27 Electrotech Equipments Ltd Monitoring apparatus and methods
JPH0951035A (ja) * 1995-08-07 1997-02-18 Mitsubishi Electric Corp 層間絶縁膜の形成方法
JPH0992717A (ja) * 1995-09-21 1997-04-04 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置およびその製造方法
JP3522917B2 (ja) 1995-10-03 2004-04-26 株式会社東芝 半導体装置の製造方法および半導体製造装置
JPH09205087A (ja) * 1996-01-26 1997-08-05 Sony Corp 絶縁膜の形成方法
US6114186A (en) * 1996-07-30 2000-09-05 Texas Instruments Incorporated Hydrogen silsesquioxane thin films for low capacitance structures in integrated circuits
DE19781956T1 (de) 1996-08-24 1999-07-08 Trikon Equip Ltd Verfahren und Vorrichtung zum Aufbringen einer planarisierten dielektrischen Schicht auf einem Halbleitersubstrat
JPH1126449A (ja) * 1997-06-30 1999-01-29 Sony Corp 絶縁膜の成膜方法
US6455394B1 (en) * 1998-03-13 2002-09-24 Micron Technology, Inc. Method for trench isolation by selective deposition of low temperature oxide films
GB9801359D0 (en) * 1998-01-23 1998-03-18 Poulton Limited Methods and apparatus for treating a substrate
GB9801655D0 (en) 1998-01-28 1998-03-25 Trikon Equip Ltd Method and apparatus for treating a substrate
US6413583B1 (en) 1998-02-11 2002-07-02 Applied Materials, Inc. Formation of a liquid-like silica layer by reaction of an organosilicon compound and a hydroxyl forming compound
US6054379A (en) * 1998-02-11 2000-04-25 Applied Materials, Inc. Method of depositing a low k dielectric with organo silane
US6593247B1 (en) 1998-02-11 2003-07-15 Applied Materials, Inc. Method of depositing low k films using an oxidizing plasma
US6287990B1 (en) 1998-02-11 2001-09-11 Applied Materials, Inc. CVD plasma assisted low dielectric constant films
US6303523B2 (en) 1998-02-11 2001-10-16 Applied Materials, Inc. Plasma processes for depositing low dielectric constant films
US6340435B1 (en) 1998-02-11 2002-01-22 Applied Materials, Inc. Integrated low K dielectrics and etch stops
US6627532B1 (en) * 1998-02-11 2003-09-30 Applied Materials, Inc. Method of decreasing the K value in SiOC layer deposited by chemical vapor deposition
US6660656B2 (en) 1998-02-11 2003-12-09 Applied Materials Inc. Plasma processes for depositing low dielectric constant films
US7804115B2 (en) * 1998-02-25 2010-09-28 Micron Technology, Inc. Semiconductor constructions having antireflective portions
US6274292B1 (en) * 1998-02-25 2001-08-14 Micron Technology, Inc. Semiconductor processing methods
US6068884A (en) * 1998-04-28 2000-05-30 Silcon Valley Group Thermal Systems, Llc Method of making low κ dielectric inorganic/organic hybrid films
GB9810917D0 (en) * 1998-05-21 1998-07-22 Trikon Technologies Ltd Method and apparatus for treating a semi-conductor substrate
US7923383B2 (en) 1998-05-21 2011-04-12 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for treating a semi-conductor substrate
US6667553B2 (en) 1998-05-29 2003-12-23 Dow Corning Corporation H:SiOC coated substrates
US6159871A (en) 1998-05-29 2000-12-12 Dow Corning Corporation Method for producing hydrogenated silicon oxycarbide films having low dielectric constant
US6281100B1 (en) 1998-09-03 2001-08-28 Micron Technology, Inc. Semiconductor processing methods
US6383951B1 (en) 1998-09-03 2002-05-07 Micron Technology, Inc. Low dielectric constant material for integrated circuit fabrication
US6136703A (en) * 1998-09-03 2000-10-24 Micron Technology, Inc. Methods for forming phosphorus- and/or boron-containing silica layers on substrates
US6323101B1 (en) * 1998-09-03 2001-11-27 Micron Technology, Inc. Semiconductor processing methods, methods of forming silicon dioxide methods of forming trench isolation regions, and methods of forming interlevel dielectric layers
US6268282B1 (en) 1998-09-03 2001-07-31 Micron Technology, Inc. Semiconductor processing methods of forming and utilizing antireflective material layers, and methods of forming transistor gate stacks
US6800571B2 (en) 1998-09-29 2004-10-05 Applied Materials Inc. CVD plasma assisted low dielectric constant films
US6171945B1 (en) 1998-10-22 2001-01-09 Applied Materials, Inc. CVD nanoporous silica low dielectric constant films
US6372301B1 (en) * 1998-12-22 2002-04-16 Applied Materials, Inc. Method of improving adhesion of diffusion layers on fluorinated silicon dioxide
US6828683B2 (en) 1998-12-23 2004-12-07 Micron Technology, Inc. Semiconductor devices, and semiconductor processing methods
US7235499B1 (en) 1999-01-20 2007-06-26 Micron Technology, Inc. Semiconductor processing methods
DE10083897T1 (de) 1999-02-26 2002-06-27 Trikon Holdings Ltd Verfahren zum Bearbeiten einer Polymerschicht
DE10081808T1 (de) 1999-06-26 2002-11-07 Trikon Holdings Ltd Verfahren und Vorrichtung zur Ausbildung eines Filmes auf einem Substrat
US7067414B1 (en) 1999-09-01 2006-06-27 Micron Technology, Inc. Low k interlevel dielectric layer fabrication methods
US6395647B1 (en) * 1999-09-02 2002-05-28 Micron Technology, Inc. Chemical treatment of semiconductor substrates
US6156743A (en) * 1999-10-18 2000-12-05 Whitcomb; John E. Method of decreasing fatigue
US6391795B1 (en) * 1999-10-22 2002-05-21 Lsi Logic Corporation Low k dielectric composite layer for intergrated circuit structure which provides void-free low k dielectric material between metal lines while mitigating via poisoning
US6423628B1 (en) 1999-10-22 2002-07-23 Lsi Logic Corporation Method of forming integrated circuit structure having low dielectric constant material and having silicon oxynitride caps over closely spaced apart metal lines
US6756674B1 (en) 1999-10-22 2004-06-29 Lsi Logic Corporation Low dielectric constant silicon oxide-based dielectric layer for integrated circuit structures having improved compatibility with via filler materials, and method of making same
US6316354B1 (en) 1999-10-26 2001-11-13 Lsi Logic Corporation Process for removing resist mask of integrated circuit structure which mitigates damage to underlying low dielectric constant silicon oxide dielectric layer
US6399489B1 (en) 1999-11-01 2002-06-04 Applied Materials, Inc. Barrier layer deposition using HDP-CVD
US6147012A (en) * 1999-11-12 2000-11-14 Lsi Logic Corporation Process for forming low k silicon oxide dielectric material while suppressing pressure spiking and inhibiting increase in dielectric constant
US6759337B1 (en) 1999-12-15 2004-07-06 Lsi Logic Corporation Process for etching a controllable thickness of oxide on an integrated circuit structure on a semiconductor substrate using nitrogen plasma and plasma and an rf bias applied to the substrate
US6440860B1 (en) 2000-01-18 2002-08-27 Micron Technology, Inc. Semiconductor processing methods of transferring patterns from patterned photoresists to materials, and structures comprising silicon nitride
US6346490B1 (en) 2000-04-05 2002-02-12 Lsi Logic Corporation Process for treating damaged surfaces of low k carbon doped silicon oxide dielectric material after plasma etching and plasma cleaning steps
US6426286B1 (en) 2000-05-19 2002-07-30 Lsi Logic Corporation Interconnection system with lateral barrier layer
US6365528B1 (en) 2000-06-07 2002-04-02 Lsi Logic Corporation Low temperature process for forming a low dielectric constant fluorine and carbon-containing silicon oxide dielectric-material characterized by improved resistance to oxidation and good gap-filling capabilities
US6346488B1 (en) 2000-06-27 2002-02-12 Lsi Logic Corporation Process to provide enhanced resistance to cracking and to further reduce the dielectric constant of a low dielectric constant dielectric film of an integrated circuit structure by implantation with hydrogen ions
US6492731B1 (en) 2000-06-27 2002-12-10 Lsi Logic Corporation Composite low dielectric constant film for integrated circuit structure
US6350700B1 (en) 2000-06-28 2002-02-26 Lsi Logic Corporation Process for forming trenches and vias in layers of low dielectric constant carbon-doped silicon oxide dielectric material of an integrated circuit structure
US6368979B1 (en) 2000-06-28 2002-04-09 Lsi Logic Corporation Process for forming trenches and vias in layers of low dielectric constant carbon-doped silicon oxide dielectric material of an integrated circuit structure
US6489242B1 (en) 2000-09-13 2002-12-03 Lsi Logic Corporation Process for planarization of integrated circuit structure which inhibits cracking of low dielectric constant dielectric material adjacent underlying raised structures
US6391768B1 (en) 2000-10-30 2002-05-21 Lsi Logic Corporation Process for CMP removal of excess trench or via filler metal which inhibits formation of concave regions on oxide surface of integrated circuit structure
US6531398B1 (en) 2000-10-30 2003-03-11 Applied Materials, Inc. Method of depositing organosillicate layers
US6423630B1 (en) 2000-10-31 2002-07-23 Lsi Logic Corporation Process for forming low K dielectric material between metal lines
US6537923B1 (en) 2000-10-31 2003-03-25 Lsi Logic Corporation Process for forming integrated circuit structure with low dielectric constant material between closely spaced apart metal lines
US6420277B1 (en) 2000-11-01 2002-07-16 Lsi Logic Corporation Process for inhibiting crack formation in low dielectric constant dielectric films of integrated circuit structure
US6572925B2 (en) 2001-02-23 2003-06-03 Lsi Logic Corporation Process for forming a low dielectric constant fluorine and carbon containing silicon oxide dielectric material
US6858195B2 (en) 2001-02-23 2005-02-22 Lsi Logic Corporation Process for forming a low dielectric constant fluorine and carbon-containing silicon oxide dielectric material
US6649219B2 (en) 2001-02-23 2003-11-18 Lsi Logic Corporation Process for forming a low dielectric constant fluorine and carbon-containing silicon oxide dielectric material characterized by improved resistance to oxidation
US6472333B2 (en) 2001-03-28 2002-10-29 Applied Materials, Inc. Silicon carbide cap layers for low dielectric constant silicon oxide layers
US6709721B2 (en) 2001-03-28 2004-03-23 Applied Materials Inc. Purge heater design and process development for the improvement of low k film properties
US6503840B2 (en) 2001-05-02 2003-01-07 Lsi Logic Corporation Process for forming metal-filled openings in low dielectric constant dielectric material while inhibiting via poisoning
US6624091B2 (en) * 2001-05-07 2003-09-23 Applied Materials, Inc. Methods of forming gap fill and layers formed thereby
US6559048B1 (en) 2001-05-30 2003-05-06 Lsi Logic Corporation Method of making a sloped sidewall via for integrated circuit structure to suppress via poisoning
US6583026B1 (en) 2001-05-31 2003-06-24 Lsi Logic Corporation Process for forming a low k carbon-doped silicon oxide dielectric material on an integrated circuit structure
US6562700B1 (en) 2001-05-31 2003-05-13 Lsi Logic Corporation Process for removal of resist mask over low k carbon-doped silicon oxide dielectric material of an integrated circuit structure, and removal of residues from via etch and resist mask removal
US6566171B1 (en) 2001-06-12 2003-05-20 Lsi Logic Corporation Fuse construction for integrated circuit structure having low dielectric constant dielectric material
US6486082B1 (en) 2001-06-18 2002-11-26 Applied Materials, Inc. CVD plasma assisted lower dielectric constant sicoh film
US6930056B1 (en) 2001-06-19 2005-08-16 Lsi Logic Corporation Plasma treatment of low dielectric constant dielectric material to form structures useful in formation of metal interconnects and/or filled vias for integrated circuit structure
US6559033B1 (en) 2001-06-27 2003-05-06 Lsi Logic Corporation Processing for forming integrated circuit structure with low dielectric constant material between closely spaced apart metal lines
US6673721B1 (en) 2001-07-02 2004-01-06 Lsi Logic Corporation Process for removal of photoresist mask used for making vias in low k carbon-doped silicon oxide dielectric material, and for removal of etch residues from formation of vias and removal of photoresist mask
US6723653B1 (en) 2001-08-17 2004-04-20 Lsi Logic Corporation Process for reducing defects in copper-filled vias and/or trenches formed in porous low-k dielectric material
US6881664B2 (en) * 2001-08-28 2005-04-19 Lsi Logic Corporation Process for planarizing upper surface of damascene wiring structure for integrated circuit structures
US6926926B2 (en) 2001-09-10 2005-08-09 Applied Materials, Inc. Silicon carbide deposited by high density plasma chemical-vapor deposition with bias
US6511925B1 (en) 2001-10-19 2003-01-28 Lsi Logic Corporation Process for forming high dielectric constant gate dielectric for integrated circuit structure
US6613665B1 (en) 2001-10-26 2003-09-02 Lsi Logic Corporation Process for forming integrated circuit structure comprising layer of low k dielectric material having antireflective properties in an upper surface
US6528423B1 (en) 2001-10-26 2003-03-04 Lsi Logic Corporation Process for forming composite of barrier layers of dielectric material to inhibit migration of copper from copper metal interconnect of integrated circuit structure into adjacent layer of low k dielectric material
US6537896B1 (en) 2001-12-04 2003-03-25 Lsi Logic Corporation Process for treating porous low k dielectric material in damascene structure to form a non-porous dielectric diffusion barrier on etched via and trench surfaces in the porous low k dielectric material
US6562735B1 (en) 2001-12-11 2003-05-13 Lsi Logic Corporation Control of reaction rate in formation of low k carbon-containing silicon oxide dielectric material using organosilane, unsubstituted silane, and hydrogen peroxide reactants
US6936309B2 (en) 2002-04-02 2005-08-30 Applied Materials, Inc. Hardness improvement of silicon carboxy films
US20030194496A1 (en) * 2002-04-11 2003-10-16 Applied Materials, Inc. Methods for depositing dielectric material
US20030194495A1 (en) * 2002-04-11 2003-10-16 Applied Materials, Inc. Crosslink cyclo-siloxane compound with linear bridging group to form ultra low k dielectric
US20030211244A1 (en) * 2002-04-11 2003-11-13 Applied Materials, Inc. Reacting an organosilicon compound with an oxidizing gas to form an ultra low k dielectric
US6815373B2 (en) * 2002-04-16 2004-11-09 Applied Materials Inc. Use of cyclic siloxanes for hardness improvement of low k dielectric films
US6566244B1 (en) 2002-05-03 2003-05-20 Lsi Logic Corporation Process for improving mechanical strength of layers of low k dielectric material
US20030206337A1 (en) * 2002-05-06 2003-11-06 Eastman Kodak Company Exposure apparatus for irradiating a sensitized substrate
US20040033371A1 (en) * 2002-05-16 2004-02-19 Hacker Nigel P. Deposition of organosilsesquioxane films
US7105460B2 (en) * 2002-07-11 2006-09-12 Applied Materials Nitrogen-free dielectric anti-reflective coating and hardmask
US6927178B2 (en) * 2002-07-11 2005-08-09 Applied Materials, Inc. Nitrogen-free dielectric anti-reflective coating and hardmask
DE10249649A1 (de) * 2002-10-24 2004-05-13 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Herstellung einer flachen Grabenisolation
US6897163B2 (en) * 2003-01-31 2005-05-24 Applied Materials, Inc. Method for depositing a low dielectric constant film
US7205248B2 (en) * 2003-02-04 2007-04-17 Micron Technology, Inc. Method of eliminating residual carbon from flowable oxide fill
US6838379B1 (en) 2003-09-30 2005-01-04 Lsi Logic Corporation Process for reducing impurity levels, stress, and resistivity, and increasing grain size of copper filler in trenches and vias of integrated circuit structures to enhance electrical performance of copper filler
US7582555B1 (en) 2005-12-29 2009-09-01 Novellus Systems, Inc. CVD flowable gap fill
US7524735B1 (en) 2004-03-25 2009-04-28 Novellus Systems, Inc Flowable film dielectric gap fill process
US9257302B1 (en) 2004-03-25 2016-02-09 Novellus Systems, Inc. CVD flowable gap fill
US7288205B2 (en) * 2004-07-09 2007-10-30 Applied Materials, Inc. Hermetic low dielectric constant layer for barrier applications
TW200631095A (en) * 2005-01-27 2006-09-01 Koninkl Philips Electronics Nv A method of manufacturing a semiconductor device
WO2008009898A1 (en) * 2006-07-20 2008-01-24 Aviza Technology Limited Ion sources
WO2008009889A1 (en) * 2006-07-20 2008-01-24 Aviza Technology Limited Ion deposition apparatus
WO2008009892A1 (en) * 2006-07-20 2008-01-24 Aviza Technology Limited Plasma sources
US7888273B1 (en) 2006-11-01 2011-02-15 Novellus Systems, Inc. Density gradient-free gap fill
US9245739B2 (en) 2006-11-01 2016-01-26 Lam Research Corporation Low-K oxide deposition by hydrolysis and condensation
EP2330928B1 (de) 2008-08-29 2016-02-24 Tropicana Products, Inc. Natürlich gesüsste saftgetränkprodukte
US8557712B1 (en) 2008-12-15 2013-10-15 Novellus Systems, Inc. PECVD flowable dielectric gap fill
US8278224B1 (en) 2009-09-24 2012-10-02 Novellus Systems, Inc. Flowable oxide deposition using rapid delivery of process gases
KR101758944B1 (ko) 2009-12-09 2017-07-18 노벨러스 시스템즈, 인코포레이티드 신규한 갭 충진 집적화
US8685867B1 (en) 2010-12-09 2014-04-01 Novellus Systems, Inc. Premetal dielectric integration process
US9719169B2 (en) 2010-12-20 2017-08-01 Novellus Systems, Inc. System and apparatus for flowable deposition in semiconductor fabrication
US8846536B2 (en) 2012-03-05 2014-09-30 Novellus Systems, Inc. Flowable oxide film with tunable wet etch rate
US8937011B2 (en) 2012-12-18 2015-01-20 Sandisk 3D Llc Method of forming crack free gap fill
US9847222B2 (en) 2013-10-25 2017-12-19 Lam Research Corporation Treatment for flowable dielectric deposition on substrate surfaces
US10343907B2 (en) 2014-03-28 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Method and system for delivering hydrogen peroxide to a semiconductor processing chamber
US9431238B2 (en) 2014-06-05 2016-08-30 Asm Ip Holding B.V. Reactive curing process for semiconductor substrates
US10049921B2 (en) 2014-08-20 2018-08-14 Lam Research Corporation Method for selectively sealing ultra low-k porous dielectric layer using flowable dielectric film formed from vapor phase dielectric precursor
US10388546B2 (en) 2015-11-16 2019-08-20 Lam Research Corporation Apparatus for UV flowable dielectric
US9916977B2 (en) 2015-11-16 2018-03-13 Lam Research Corporation Low k dielectric deposition via UV driven photopolymerization
KR102895401B1 (ko) 2019-04-19 2025-12-03 램 리써치 코포레이션 원자층 증착 동안 급속 플러시 퍼징

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3822928A (en) 1971-08-02 1974-07-09 Bell Telephone Labor Inc Thin film light guide
US4096315A (en) 1976-12-15 1978-06-20 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Process for producing a well-adhered durable optical coating on an optical plastic substrate
US4397722A (en) 1981-12-31 1983-08-09 International Business Machines Corporation Polymers from aromatic silanes and process for their preparation
CA1204527A (en) 1982-08-13 1986-05-13 Theodore F. Retajczyk, Jr. Polymeric films for electronic circuits
JPS5957437A (ja) * 1982-09-28 1984-04-03 Fujitsu Ltd 酸化珪素膜の形成方法
US4494303A (en) * 1983-03-31 1985-01-22 At&T Bell Laboratories Method of making dielectrically isolated silicon devices
US4759993A (en) * 1985-04-25 1988-07-26 Ovonic Synthetic Materials Co., Inc. Plasma chemical vapor deposition SiO2-x coated articles and plasma assisted chemical vapor deposition method of applying the coating
JPS61250032A (ja) * 1985-04-30 1986-11-07 Hitachi Chem Co Ltd シラノ−ルオリゴマ−液の製造法
US4812325A (en) * 1985-10-23 1989-03-14 Canon Kabushiki Kaisha Method for forming a deposited film
US4781942A (en) 1985-12-19 1988-11-01 Hughes Aircraft Company Process for the photochemical vapor deposition of siloxane polymers
JPS63110642A (ja) * 1986-10-28 1988-05-16 Seiko Epson Corp 分子層エピタキシヤル法
IT1226701B (it) 1988-07-29 1991-02-05 Eniricerche Spa Procedimento per la deposizione di organosilani su substrati di silicio o di ossido di silicio per dispositivi del tipo eos o chemfet.
CA1334911C (en) 1989-02-15 1995-03-28 David M. Dobuzinsky Process for the vapor deposition of polysilanes
JPH02278850A (ja) * 1989-04-20 1990-11-15 Fuji Electric Co Ltd 半導体装置の製造方法
EP0462893B1 (de) 1990-06-19 1995-04-12 Fujikura Ltd. Verfahren zum Spleissen und Haltbarmachen von kohlenstoffbeschichteten optischen Glasfasern
EP0519079B1 (de) 1991-01-08 1999-03-03 Fujitsu Limited Verfahren zur bildung eines siliciumoxid-filmes
US5525550A (en) * 1991-05-21 1996-06-11 Fujitsu Limited Process for forming thin films by plasma CVD for use in the production of semiconductor devices
DE4202652C2 (de) 1992-01-30 1996-03-28 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zum Aufbringen einer UV- und/oder elektronenstrahlempfindlichen Lackschicht
US5439780A (en) 1992-04-29 1995-08-08 At&T Corp. Energy sensitive materials and methods for their use
EP0572704B1 (de) * 1992-06-05 2000-04-19 Semiconductor Process Laboratory Co., Ltd. Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mittels eines Verfahren zur Reformierung einer Isolationsschicht die bei niederiger Temperatur durch CVD hergestellt ist
DE69327176T2 (de) 1992-07-04 2000-05-31 Trikon Equipments Ltd., Littleton-Upon-Severn Behandlungsverfahren für eine halbleiterscheibe.
JPH0795548B2 (ja) * 1992-09-10 1995-10-11 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 二酸化珪素膜の気相成長法
JP3439493B2 (ja) * 1992-12-01 2003-08-25 沖電気工業株式会社 半導体記憶装置の製造方法
JP3045928B2 (ja) * 1994-06-28 2000-05-29 松下電子工業株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP3281209B2 (ja) 1995-01-30 2002-05-13 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
FR2734402B1 (fr) 1995-05-15 1997-07-18 Brouquet Pierre Procede pour l'isolement electrique en micro-electronique, applicable aux cavites etroites, par depot d'oxyde a l'etat visqueux et dispositif correspondant

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10036867B4 (de) * 1999-07-30 2006-04-13 Tokyo Electron Ltd. Substrat-Bearbeitungsverfahren und -vorrichtung
US7191785B2 (en) 1999-07-30 2007-03-20 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus for resist film removal

Also Published As

Publication number Publication date
KR100286192B1 (ko) 2001-04-16
TW253974B (de) 1995-08-11
WO1994001885A1 (en) 1994-01-20
DE69327176D1 (de) 2000-01-05
JP3262334B2 (ja) 2002-03-04
EP0731982A1 (de) 1996-09-18
JPH09502301A (ja) 1997-03-04
CA2137928A1 (en) 1994-01-20
ATE187277T1 (de) 1999-12-15
EP0731982B1 (de) 1999-12-01
CN1042577C (zh) 1999-03-17
CN1089757A (zh) 1994-07-20
US5874367A (en) 1999-02-23
AU4506993A (en) 1994-01-31
CA2137928C (en) 2002-01-29
US6287989B1 (en) 2001-09-11

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