JP2005294304A - 電磁デバイスの駆動制御回路 - Google Patents

Abstract

【課題】駆動電圧が変動しても、大きな発熱抑制効果を期待できる、保持駆動方式の電磁デバイスの駆動制御回路を提供する。
【解決手段】駆動電圧の供給端と接地端との間に電磁デバイスの電磁石コイルを設ける。電磁デバイスの電磁石コイルと直列に、制御信号により抵抗値が可変される可変抵抗素子を接続すると共に、駆動電圧の変動を検出する検出手段を設ける。制御回路部は、電磁石コイルに電流を流して電磁デバイスの駆動を開始させるときには、可変抵抗素子の抵抗値を小さくし、その後、所定時間経過後には可変抵抗素子の抵抗値を大きくすると共に、当該抵抗値が大きくされているときに、検出手段で検出された駆動電圧の変動に応じて、可変抵抗素子の抵抗値を、電磁石コイルに流れる電流が一定となるように制御する。
【選択図】図１

Description

この発明は、自動車、産業用制御機械、コンピュータ周辺機器、家庭電化製品などの機器に使用される電磁リレーや電磁アクチュエータ（電磁ソレノイド）などの電磁デバイスの駆動制御回路に関し、特に、電磁デバイスの発熱抑制のための発明に関する。

電磁リレーや電磁アクチュエータなどの電磁デバイスは電磁石を用いており、電磁石のコイル（以下、電磁石コイルという）に駆動電流を流してそれらを駆動するものであるため、駆動の際には、電磁石コイルの発熱を伴なう。そこで、従来から、この発熱を抑制する発明が種々提案されている。

コイルなどの素子に電流が流れることにより当該素子に発生する発熱量は、電流が流れる素子の抵抗値と、流れる電流値の２乗との積に比例する。電磁石コイルの抵抗値は定まっているため、できるだけ電磁石コイルに流す駆動電流の電流値を減少させることにより、発熱を抑制するようにする必要がある。

例えば、電磁リレーの場合には、リレースイッチをオンにして、そのオンを保持するためには、電磁石コイルに駆動電流を流し続ける必要があるが、その際に、終始、同じ電流値で駆動電流を流し続けるのではなく、電磁リレーを駆動して可動接点を動作させてから接点状態が安定な状態になるまでは、比較的大きな電流値とし、接点状態が安定な状態になった後には、電流値を減少させるようにすることにより、電磁リレーにおける発熱を抑制する保持駆動方式が提案されている。

ここで、この保持駆動方式において、電磁石コイルに流す駆動電流の電流値を制御する方法としては、例えば特許文献１（特開２００３−３２９１９号公報）に記載されている電磁石コイルに直列に半導体スイッチング素子を接続し、この半導体スイッチング素子をパルス幅変調信号によりスイッチング駆動する方法や、電磁石コイルに直列に接続する抵抗を切り換える方法などが提案されている。

図４および図５は、後者の方法を適用した電磁リレー駆動制御回路の従来例を説明するための図であり、図４は、その回路構成例のブロック図であり、図５は、図４の回路の動作説明のためのタイミングチャートである。

図４に示すように、この例においては、電磁リレーの電磁石コイル１の一端は、直流電源電圧である駆動電圧Ｅｐｗが供給される駆動電圧端子２に接続される。駆動電圧Ｅｐｗは、自動車の場合には、自動車用バッテリーから供給されるもので、例えば１２ボルトとされる。また、電源として商用交流電源が用いられる場合には、駆動電圧Ｅｐｗは、当該商用交流電源電圧から生成される直流電圧である。

電磁石コイル１の他端は、Ｎチャンネル型のＰｏｗｅｒ ＭＯＳ（Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ） ＦＥＴ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ；電界効果トランジスタ）３のドレイン−ソース間を介して接地されると共に、抵抗器４およびＮチャンネル型のＰｏｗｅｒ ＭＯＳ ＦＥＴ５のドレイン−ソース間の直列回路を介して接地されている。また、電磁石コイル１の両端間には、逆電圧抑制のための保護ダイオード６が接続されている。

そして、電磁リレーを駆動するためのリレー駆動信号ＤＲＶが、入力端子７を通じてＦＥＴ制御信号生成回路部８に供給される。ＦＥＴ制御信号生成回路部８は、リレー駆動信号ＤＲＶから、ＦＥＴ３およびＥＦＴ５のゲートに供給するスイッチング制御信号ＦＤＲＶ１およびＦＤＲＶ２を生成する。

この図４の電磁リレー駆動制御回路において、電磁リレーが駆動されるタイミングになると、図５（Ａ）に示すように、リレー駆動信号ＤＲＶがローレベルからハイレベルに立ち上がる。リレー駆動信号ＤＲＶは、電磁リレーを駆動する全期間において、ハイレベル状態を維持する。

ＦＥＴ制御信号生成回路部８は、リレー駆動信号ＤＲＶがハイレベルに立ち上がると、これに同期して、ＦＥＴ３のゲートに供給するスイッチング制御信号ＦＤＲＶ１をハイレベルに立ち上げる（図５（Ｂ）参照）。しかし、ＦＥＴ制御信号生成回路部８は、ＦＥＴ５のゲートに供給するスイッチング制御信号ＦＤＲＶ２は、リレー駆動信号ＤＲＶがハイレベルに立ち上がってもローレベルのままとする（図５（Ｃ）参照）。

このため、電磁リレーを駆動するためにリレー駆動信号ＤＲＶがハイレベルに立ち上がると、スイッチング制御信号ＦＤＲＶ１によりＦＥＴ３がオンとなるが、ＦＥＴ５はオフのままとなる。そして、ＦＥＴ３がオンになることにより、駆動電圧Ｅｐｗにより、駆動電流が電磁リレーの電磁石コイル１およびＦＥＴ３を通じて流れて、電磁リレーの可動接点が駆動される。

そして、ＦＥＴ制御信号生成回路部８は、予め定められた、可動接点が駆動されてから接点状態が安定な状態になるまでの時間Ｐｓｔ、スイッチング制御信号ＦＤＲＶ１をハイレベルに維持して、上述の動作を継続する。この時間Ｐｓｔの期間を、以下、図５にも示すように、初期駆動期間と呼ぶことにする。

次に、リレー駆動信号ＤＲＶの立ち上がりから前記時間Ｐｓｔの時間が経過すると、ＦＥＴ制御信号生成回路部８は、図５（Ｂ）および（Ｃ）に示すように、ＦＥＴ３のスイッチング制御信号ＦＤＲＶ１をローレベルに立ち下げると共に、ＦＥＴ５のスイッチング制御信号ＦＤＲＶ２をハイレベルに立ち上げる。そして、ＦＥＴ制御信号生成回路部８は、スイッチング制御信号ＦＤＲＶ２は、リレー駆動信号ＤＲＶの立ち下げに同期して、立ち下げるようにする。

これにより、リレー駆動信号ＤＲＶの立ち上がりから前記時間Ｐｓｔの時間が経過すると、つまり、初期駆動期間が終了すると、ＦＥＴ３はオフになり、その代わりにＦＥＴ５がオンになる。スイッチング制御信号ＦＤＲＶ２によりＦＥＴ５がオンになる期間は、図５（Ｄ）に示すように、保持駆動期間と呼ぶことにする。

以上のことから、初期駆動期間では、電磁リレーの電磁石コイル１を流れていた駆動電流は、保持駆動期間では、抵抗器４およびＦＥＴ５を通じて流れるようになる。すると、図５（Ｄ）に示すように、電磁石コイル１の両端電圧は、初期駆動期間では、ＦＥＴ３のオン状態での抵抗を無視すると、駆動電圧Ｅｐｗそのものであったのに対して、保持駆動期間では、駆動電圧Ｅｐｗが、電磁石コイル１と、この電磁石コイル１に直列の抵抗器４とで、分圧されることになるので、駆動電圧Ｅｐｗよりも低い中間電圧となる。

このため、電磁石コイル１に流れる駆動電流は、保持駆動期間では、初期駆動期間よりも減少し、その分、電磁リレーからの発熱が抑制される。電磁リレーからの発熱を抑制する効果は、電磁リレー自身の信頼性向上、安定化が期待でき、電磁リレー周囲の他の部品および電磁リレーを格納する筐体全体の温度上昇を抑制することが期待でき、装置全体の信頼性向上につながる。

上記の特許文献は、次の通りである。
特開２００３−３２９１９号公報

上述の従来の回路においては、電磁石コイル１に直列に接続する抵抗器４は、抵抗値が固定の抵抗器を用いている。この抵抗器４の抵抗値は、保持駆動期間において、接点状態を安定に保持するために必要な駆動電流が電磁石コイル１に流れるように定める必要がある。

駆動電圧Ｅｐｗが、安定な電圧値を維持するものである場合には、電磁石コイル１と抵抗値が固定の抵抗器４とで分圧する電圧値も固定的に定まるので、保持駆動期間において、電磁石コイル１に流れる、接点状態を安定に保持するために必要な駆動電流も一定とすることができ、抵抗器４の抵抗値も、上記のことを考慮して、比較的大きく定めることができ、電磁リレーにおける発熱抑制効果も期待できる。

しかしながら、例えば自動車のように、駆動電圧Ｅｐｗの電圧値が大幅に変動するような場合には、当該電圧変動分をも考慮して、抵抗器４の抵抗値を小さめに定めなければならない。このため、電磁リレーの電磁石コイルに流れる駆動電流を、あまり、減少させることはできず、大きな発熱抑制効果を期待できないという問題がある。

この発明は、以上の点にかんがみ、駆動電圧が変動しても、大きな発熱抑制効果を期待できる電磁デバイスの駆動制御回路を提供することを目的とする。

上記の課題を解決するために、この発明による電磁デバイスの駆動制御回路は、
駆動電圧の供給端と接地端との間に設けられる電磁デバイスの電磁石コイルと、
前記電磁デバイスの電磁石コイルと直列に接続され、制御信号により抵抗値が可変される可変抵抗素子と、
前記駆動電圧の変動を検出する検出手段と、
前記検出手段の検出出力に基づいて、前記可変抵抗素子に供給する前記制御信号を生成する制御回路部と、
を備え、前記制御回路部は、前記制御信号により、
前記電磁石コイルに電流を流して前記電磁デバイスの駆動を開始させるときには、前記可変抵抗素子の抵抗値を小さくし、前記電磁デバイスが駆動された後、所定時間経過後には前記可変抵抗素子の抵抗値を大きくすると共に、前記抵抗値が大きくされているときに、前記検出手段で検出された前記駆動電圧の変動に応じて、前記可変抵抗素子の抵抗値を、前記電磁石コイルに流れる電流が一定となるように変更制御する
ことを特徴とする。

上述の構成の発明においては、電磁石コイルに直列に可変抵抗素子が接続され、この可変抵抗素子の抵抗値が、電磁デバイスの駆動開始時の初期駆動期間では小さく、その後の保持駆動期間では大きくなるように制御されると共に、保持駆動期間では、駆動電圧の変動に応じて、可変抵抗素子の抵抗値が、電磁石コイルに流れる電流が一定となるように変更制御される。

したがって、駆動電圧が変動しても、その変動分を可変抵抗素子の抵抗値による変更制御により吸収して、保持駆動期間において、電磁石コイルに流れる駆動電流値を一定の小さい電流値とすることができ、大きな発熱抑制効果を期待することができる。

この発明によれば、電磁石コイルに駆動電流を供給する駆動電圧に変動があっても、電磁石コイルに保持駆動期間において流す駆動電流値を小さい一定値とすることができるので、電磁デバイスに大きな発熱抑制効果を期待することができる。

以下、この発明による電磁デバイスの駆動制御回路の実施形態を、電磁デバイスが電磁リレーである場合を例にとって図を参照しながら説明する。

図１は、この発明の実施形態の、電磁リレーの駆動制御回路の回路図を示す図である。図１に示すように、この例においては、電磁リレーの電磁石コイル１１の一端は、電磁リレーの駆動に使用する直流電源電圧である駆動電圧Ｅｐｗが供給される駆動電圧端子１２に接続される。駆動電圧Ｅｐｗは、この例では、自動車用バッテリーから供給されるもので、例えば＋１２ボルトとされる。

この例では、端子１２からの駆動電圧Ｅｐｗは、定電圧化回路２１０に供給される。定電圧化回路２１０は、駆動電圧Ｅｐｗを定電圧化して、この例の駆動制御回路の電源電圧を生成すると共に、基準電圧発生源としての役割も備える。定電圧化回路２１０の出力電圧は、この例では、＋５ボルトとされている。

電磁石コイル１１の他端は、電磁リレー駆動用のＮチャンネル型Ｐｏｗｅｒ ＭＯＳ ＦＥＴ２０１のドレインに接続される。このＦＥＴ２０１は、可変抵抗素子としても用いられるものである。電磁石コイル１１の両端間には、逆電圧抑制のための保護ダイオード１３が接続されている。ＦＥＴ２０１のソースは、抵抗器１４を通じて接地される。

この実施形態では、抵抗器１４は、駆動電圧Ｅｐｗの変動検出用とされている。すなわち、この例では、駆動電圧Ｅｐｗの変動は、電磁石コイル１１を流れる駆動電流の変化を、この抵抗器１４の両端電圧の変化として検出するようにする。つまり、抵抗器１４は、電磁石コイル１１を流れる駆動電流の検出用抵抗器であり、この例では、１〜２Ω程度の抵抗値を有するものとされている。

抵抗器１４の一端および他端は、差動アンプ２０２の一方および他方の入力端に接続される。つまり、差動アンプ２０２は、電磁石コイル１１を流れる駆動電流の検出用抵抗器１４の両端電圧を増幅する。この差動アンプ２０２の出力端は、差動アンプ２０３の非反転入力端に接続されると共に、スイッチング素子としてのＮチャンネル型のＦＥＴ２０４のドレイン−ソース間を通じて接地される。

そして、入力端子１５を通じて入力されるリレー駆動信号ＤＲＶが、遅延回路２０５により遅延されて、ＦＥＴ２０４のゲートに供給される。この遅延回路２０５は、リレー駆動信号ＤＲＶを、初期駆動期間分、遅延させるもので、この遅延回路２０５の出力信号ＤＲＶＤＬによりＦＥＴ２０４は、初期駆動期間ではオンとされて、差動アンプ２０２の出力電圧が、初期駆動期間では差動アンプ２０３の非反転入力端に供給されないようにされる。

この遅延回路２０５の遅延時間は、電磁リレーが駆動開始されてからリレー接点が動作安定になる時間、例えば１００ミリ秒程度とされる。なお、遅延回路２０５は、通常の論理回路技術で作成され、この例では、ＴＴＬ準拠のインターフェース仕様を持つものとされている。

また、基準電圧発生源としての定電圧化回路２１０の出力端は、抵抗器２０６および抵抗器２０７の直列回路を通じて接地されている。そして、抵抗器２０６と２０７の接続中点が、差動アンプ２０３の反転入力端に接続されている。抵抗器２０６と２０７との接続中点には、定電圧化回路２１０の出力電圧が分圧された所定の基準電圧が得られ、この基準電圧が差動アンプ２０３の反転入力端に供給される。この例では、抵抗器２０６と２０７との接続中点に、例えば＋１．５ボルト程度の電圧が得られるように、抵抗器２０６，２０７の抵抗値が定められている。

したがって、差動アンプ２０３からは、差動アンプ２０２の出力電圧と、基準電圧との差として、駆動電圧Ｅｐｗの電圧変動に応じた出力電圧が得られる。この差動アンプ２０３の出力電圧は、スイッチング素子としてのＰチャンネル型のＦＥＴ２０８を通じて、ＦＥＴ２０１のゲートに供給される。ＦＥＴ２０８のゲートには、入力端子１５を通じて入力されるリレー駆動信号ＤＲＶが、インバータ２０９により極性反転されて供給される。

図１の例の以上のような接続構成により、駆動電流検出用の抵抗器１４を流れる電流を一定にするように、可変抵抗素子としてのＦＥＴ２０１の抵抗値を制御する定電流駆動フィードバックループが構成される。つまり、電磁リレーの可動接点保持に最適な電流が流れるように回路定数を決定すれば、電磁リレーの駆動電圧Ｅｐｗが変動しても常に設定した保持電流で電磁リレーを駆動状態に保持できる。

ＦＥＴ２０４は、このフィードバックループを切るためのスイッチの役目を持ち、ＦＥＴ２０４がオンされると、差動アンプ２０３の反転入力端が接地レベルになり、差動アンプ２０３の出力は、定電圧化回路２１０の出力電圧側に飽和する。その結果、ＦＥＴ２０８がオンであるときには、ＦＥＴ２０１のゲート電圧は＋５Ｖ近くに達し、ＦＥＴ２０１は低抵抗状態になる。

前述したように、ＦＥＴ２０４は初期駆動期間ではオン、保持駆動期間ではオフとなるように制御される。また、ＦＥＴ２０８は、リレー駆動信号ＤＲＶと同一タイミングでオン、オフされ、オン状態で、差動アンプ２０３の出力電圧をＦＥＴ２０１のゲートに伝え、オフ状態ではＦＥＴ２０１のゲート電圧を接地レベルにする働きを持っている。なお、ＦＥＴ２０１のゲートは、保護用抵抗器２１１を通じて接地されている。

また、遅延回路２０５は、初期駆動期間から保持駆動期間に移るタイミングを生成する。

以上のような構成の電磁リレーの駆動制御回路の動作タイミングを、図２のタイミングチャートを参照しながら以下に説明する。

入力端子１５を通じて入力されるリレー駆動信号ＤＲＶ（図２（Ｂ）参照）が、電磁リレーを駆動すべく、ハイレベルに立ち上がると、このタイミングと同時にインバータ２０９の反転出力（図２（Ｄ）参照）がローレベルになるので、ＦＥＴ２０８がオンとなる。

遅延回路２０５の出力信号ＤＲＶＤＬ（図２（Ｃ）参照）は、通常、ハイレベルとされており、リレー駆動信号ＤＲＶがハイレベルとなると、当該ハイレベルへの立ち上がり時点よりも、前記遅延時間分、つまり、初期駆動期間分経過後、ローレベルに立ち下がる。そして、リレー駆動信号ＤＲＶがローレベルに立ち下がると、それに同期して、遅延回路２０５の出力信号ＤＲＶＤＬはハイレベルに戻る。

ＦＥＴ２０４は、この遅延回路２０５の出力信号ＤＲＶＤＬによりゲート制御されるため、初期駆動期間ではオンとなり、前述した保持電流制御ループは切られる。そして、前述したように、このときには、ＦＥＴ２０１のゲート電圧Ｅｇ（図２（Ｆ）参照）は、＋５Ｖ近くに達し、ＦＥＴ２０１は低抵抗状態になる。

したがって、初期駆動期間では、電磁石コイル１１の両端電圧（図２（Ｅ）参照）は駆動電圧Ｅｐｗとなり、リレー駆動電流ＩＬ（図２（Ｇ）参照）は、電磁リレーを駆動するのに十分に大きい電流値となる。そして、その大きい駆動電流が電磁石コイル１１に流れて、電磁リレーの可動接点が駆動される。

そして、初期駆動期間が経過して保持駆動期間になると、遅延回路２０５の出力信号ＤＲＶＤＬがローレベルとなる。すると、ＦＥＴ２０４がオフとなるので、前述した保持電流制御ループが動作し、可変抵抗素子としてのＦＥＴ２０１の抵抗値を制御する定電流駆動フィードバック制御がかかる。

このとき、ＦＥＴ２０１のゲート電圧Ｅｇ（図２（Ｆ）参照）は中間電圧になり、また、電磁石コイル１１の両端電圧（図２（Ｅ）参照）も駆動電圧Ｅｐｗより低い中間となる。このため、リレー駆動電流ＩＬ（図２（Ｇ）参照）は、電磁リレーを保持駆動するのに十分な小さい電流値となり、電磁リレーは保持駆動される。

そして、これ以降の保持駆動期間においては、定電流駆動制御ループの働きにより、駆動電圧Ｅｐｗ（図２（Ａ）参照）が、図２（Ａ）に示すように変動しても、図２（Ｅ）〜（Ｇ）に示すように、リレー端子間電圧が駆動電圧Ｅｐｗに応じて変化し、電磁リレーの電磁石コイル１１の駆動電流を、常に設定された保持電流値とすることができる。

そして、図２（Ｂ）に示すように、保持駆動期間が終了して、リレー駆動信号ＤＲＶがローレベルに戻ると、これと同時に、インバータ２０９の出力信号がハイレベルとなって、ＦＥＴ２０８はオフとされると共に、遅延回路２０５の出力信号ＤＲＶＤＬがハイレベルとなって、ＦＥＴ２０４がオンとされ、電磁リレーの駆動は解除される。

この図１の例の駆動制御回路においては、電磁石コイル１１に流れる駆動電流を小さくするように制限するためには、図４の従来回路の抵抗器４は不要になると共に、駆動電流を流すためのＰｏｗｅｒ ＭＯＳ ＦＥＴは、一つで良くなる。そして、スイッチング用ＦＥＴ２０４および２０８は、極めて小さな容量の素子を利用できることも相俟って、電磁リレーの駆動制御回路を、簡単かつ小型に実装できる効果がある。そして、図１において、点線で示す枠線で囲んだ回路部分を集積回路化することにより、より小型に実装できる。

この実施形態の電磁リレーの駆動制御回路を用いることにより、電磁リレーの発熱が抑制され、電磁リレー自体の設計自由度が拡大し、より小型な電磁リレーの出現が期待される。また、この実施形態の電磁リレーの駆動制御回路によれば、自動車内部など、電源電圧変動の大きい条件下や周囲温度条件の悪い条件下でも、発熱抑制効果が大きいので、電磁リレーの保持駆動方式を採用できる。

なお、上述の実施形態の説明においては、図２に示したように、駆動電圧Ｅｐｗが＋１２ボルトから低下する変動の場合について示したが、例えば、自動車用のバッテリー（＋１２ボルト）の場合、バッテリーを搭載した初期には、１４ボルトから１６ボルトの出力電圧値になることがある。この発明は、このように駆動電圧Ｅｐｗが上昇する変動の場合においても定電流駆動による発熱抑制効果を発揮することは言うまでもない。

［他の実施形態や変形例］
図１の実施形態では、電磁石コイルを流れる駆動電流を検出することにより、駆動電圧Ｅｐｗの変動を検出して、電磁リレー駆動用のＦＥＴ２０１の抵抗値を制御するようにしたが、駆動電圧Ｅｐｗの変動の検出方法は、これに限られるものではない。

例えば、図３の示す例においては、駆動電圧Ｅｐｗが得られる端子１２を抵抗器１６および１７の直列回路を介して接地し、これら抵抗器１６と抵抗器１７との接続中点に得られる抵抗分圧電圧を、差動アンプ２０２の非反転入力端にするようにする。この例の場合には、ＦＥＴ２０１のソースは、抵抗器を介さずに、直接に接地される。

この例においても、上述の実施形態と同様に、保持駆動期間においては、駆動電圧Ｅｐｗの変動が抵抗器１６と抵抗器１７との中点電圧として検出され、当該検出された変動分に基づいて、ＦＥＴ２０１のゲートが制御されて、前記駆動電圧Ｅｐｗの変動分の影響を除去して、電磁石コイルに流れる駆動電流が一定となるように制御される。

また、この発明が適用される電磁石を用いる電磁デバイスは、電磁リレーに限られるものではなく、保持電流駆動が要求される電磁デバイスであればどのようなものでも適用可能である。例えば、電磁石を用いた電磁アクチュエータ（電磁ソレノイド）にも適用できる。

なお、可変抵抗素子としては、上述の実施形態のようなＦＥＴに限定されるものではないことは言うまでもない。

この発明による電磁デバイスを駆動制御回路の実施形態を示す図である。 図１の実施形態の動作タイミングを説明するためのタイミングチャートである。 この発明による電磁デバイスを駆動制御回路の他の実施形態を示す図である。 従来の電磁リレーの駆動制御回路を示す図である。 図４の従来の電磁リレーの駆動制御回路の動作タイミングを説明するためのタイミングチャートである。

符号の説明

１１ 電磁リレーの電磁石コイル
１４ 電流検出用の抵抗器
２０１，２０４，２０８ ＦＥＴ
２０２，２０３ 差動アンプ
Ｅｐｗ 駆動電圧
ＤＲＶ リレー駆動信号

Claims (5)

1. 駆動電圧の供給端と接地端との間に設けられる電磁デバイスの電磁石コイルと、
   前記電磁デバイスの電磁石コイルと直列に接続され、制御信号により抵抗値が可変される可変抵抗素子と、
   前記駆動電圧の変動を検出する検出手段と、
   前記検出手段の検出出力に基づいて、前記可変抵抗素子に供給する前記制御信号を生成する制御回路部と、
   を備え、前記制御回路部は、前記制御信号により、
   前記電磁石コイルに電流を流して前記電磁デバイスの駆動を開始させるときには、前記可変抵抗素子の抵抗値を小さくし、前記電磁デバイスが駆動された後、所定時間経過後には前記可変抵抗素子の抵抗値を大きくすると共に、前記抵抗値が大きくされているときに、前記検出手段で検出された前記駆動電圧の変動に応じて、前記可変抵抗素子の抵抗値を、前記電磁石コイルに流れる電流が一定となるように変更制御する
   ことを特徴とする電磁デバイスの駆動制御回路。
2. 請求項１に記載の電磁デバイスの駆動制御回路において、
   前記電磁デバイスは、電磁リレーである
   ことを特徴とする電磁デバイスの駆動制御回路。
3. 請求項１に記載の電磁デバイスの駆動制御回路において、
   前記電磁デバイスは、電磁アクチュエータである
   ことを特徴とする電磁デバイスの駆動制御回路。
4. 請求項１、請求項２または請求項３のいずれかに記載の電磁デバイスの駆動制御回路において、
   前記可変抵抗素子は、半導体素子である
   ことを特徴とする電磁デバイスの駆動制御回路。
5. 請求項１、請求項２、請求項３または請求項４のいずれかに記載の電磁デバイスの駆動制御回路において、
   前記検出手段は、前記可変抵抗素子に直列に接続された抵抗器であって、前記電磁石コイルに流れる電流を検出することにより、前記駆動電圧の変動を検出する
   ことを特徴とする電磁デバイスの駆動制御回路。
   

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