JP5219391B2 - モータ拘束検出回路 - Google Patents

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Description

本発明は、モータの拘束を検出するモータ拘束検出回路および該モータ拘束検出回路を備えたモータ制御回路に関する。
自動車等の車両において、ラジエータへ外気を供給するモータファンは、冷却水の水温に応じてオンオフ動作を行なうように制御されている。このモータファンは車両に装備されるため、例えば、車両が水没する等によってモータファンに負荷がかかってしまった際に、過電流が流れてモータの界磁コイルやハーネス等が焼損してしまうことのないように保護することが要求される。また、モータファンに異物が挟まることでロック(拘束)した場合でも、ロックが解除された後はモータファンが正常に動作することを保証する必要がある。そこで、モータファンがロックした際に、モータの界磁コイルへの電流供給を速やかに遮断、または低減するためのモータ拘束検出回路が求められていた。
図6に、従来のモータ拘束検出回路の一例を示す。同図に示すモータ拘束検出回路は、FET(即ち、Field Effect Transistor:電界効果トランジスタ)61を用いてモータ51bのPWM(即ち、Pulse Wide Modulation:パルス幅変調)制御を行なう際、PWM制御信号のオン区間の一部に検知区間を設定し、この検知区間におけるFET61のゲートソース間電圧Vgsを低い電圧に制限する。そして、次の式によって表されるFET61のドレインソース間の電圧Vdsを所定のしきい値と比較することにより、モータ51bの拘束を検出している。
Vds=Ron×Iload
ここで、RonはFET61のオン抵抗、Iloadはモータ51bからFET61に流れる電流である(例えば、特許文献1参照)。
特開2005−151766号公報
しかしながら、FET61のオン抵抗Ronには、一般に±25%程度の個体差があり、更に+0.5%/℃程度の温度依存性がある。また、検出感度を高めるために、ゲートソース間電圧Vgsを一定期間低い電圧に制限すると、ゲート遮断電圧や順電圧アドミタンス等FETの電気的特性のばらつきに加え、電圧制限用ツェナーダイオードのツェナー電圧のばらつきもあるので、FET61のオン抵抗Ronのばらつきが更に拡大してしまう。
図6に示す従来のモータ拘束検出回路では、0.05〜0.5Vの微小な電圧でモータ51bの拘束を検出しているので、FET61のオン抵抗Ronのばらつきの影響を無視することができず、個別に調整を行なうための回路を追加したり、或いは、温度補正回路を備える必要があった。このため、モータ拘束検出回路が複雑化し、ひいてはモータ制御回路の小型・軽量化が困難であった。
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、回路規模の小型・軽量化を図ることが可能であるとともに、モータの拘束を正確に検知することのできるモータ拘束検出回路およびモータ制御回路を提供することにある。
前述した目的を達成するために、本発明に係るモータ拘束検出回路は、下記(1)〜(3)を特徴としている。
(1)直流モータの拘束を検出するモータ拘束検出回路であって、
前記直流モータに並列に接続された逆起電圧抑制ダイオードと、
前記直流モータに直列に接続され、前記直流モータに供給される負荷電流を制御するFETと、
前記FETを導通/遮断状態に制御するために、前記FETのゲートに入力する電圧を電源電圧および接地電位に切り替えるオンオフ手段と、
所定の周期で所定幅のパルスを生成し、前記FETのゲートに入力する電圧を前記パルスのパルス幅の期間、接地電位とする発振手段と、
所定のしきい値電圧を生成するしきい値電圧生成手段と、
前記しきい値電圧と前記FETのドレイン電圧を比較して、前記しきい値電圧より前記FETのドレイン電圧が高いとき出力するコンパレータと、
前記コンパレータの出力と前記FETのゲートに入力する電圧とのAND論理をとることによりロック異常信号を出力するANDロジックと、
を備えていること。
(2)上記(1)の構成のモータ拘束検出回路において、
前記発振手段によって生成されるパルスのパルス幅は、前記直流モータの界磁コイルのインダクタンスと、前記直流モータが正常に回転している際の前記負荷電流との積よりも大きいこと。
(3)上記(1)または(2)の構成のモータ拘束検出回路において、
前記オンオフ手段と前記発振手段が、PWMコントローラの一部であること。
上記(1)の構成のモータ拘束検出回路によれば、発振手段から生成したパルスによってFETが遮断状態になった際に、FETのドレイン電圧が一旦上昇し、その後直流モータの発電作用で下降するか否かを検知することでロック異常信号を生成するので、回路規模の小型・軽量化を図ることが可能であるとともに、直流モータの拘束を正確に検知することができる。
上記(2)の構成のモータ拘束検出回路によれば、FETのドレイン電圧が一旦上昇した時刻から最も離れた位置でロックを判定するので、直流モータの拘束を正確に検知することができる。
上記(3)の構成のモータ拘束検出回路によれば、PWM制御を行なうモータの場合に、PWMコントローラにオンオフ手段と発振手段を組み込むことで、モータ拘束検出回路が簡単になり、回路規模の小型・軽量化を図ることができる。
尚、本発明に係るモータ制御回路は、上記(1)〜(3)のいずれかのモータ拘束検出回路を備える。このモータ制御回路によれば、回路規模の小型・軽量化を図ることが可能であるとともに、回路規模の小型・軽量化を図ることが可能になるとともに、直流モータの拘束を正確に検知することができる。
本発明によれば、回路規模の小型・軽量化を図ることが可能であるとともに、モータの拘束を正確に検知することのできるモータ拘束検出回路およびモータ制御回路を提供できる。
以上、本発明について簡潔に説明した。更に、以下に説明される発明を実施するための最良の形態を添付の図面を参照して通読することにより、本発明の詳細は更に明確化されるであろう。
以下、本発明に係るモータ拘束検出回路およびモータ制御回路の実施形態について、図1および図2を参照しながら説明する。
図1は、本発明に係るモータ拘束検出回路およびモータ制御回路の実施形態であるモータ制御装置の構成を示す回路図、そして図2は、本実施形態のモータ駆動回路各部の信号の変化を示すタイミングチャートである。
本実施形態のモータ拘束検出回路およびモータ制御回路は、車両に搭載される電動ラジエータファン(以下、モータファンと呼ぶ)のモータ制御装置に適用される。
図1に示すモータ制御装置は、モータファン11と、モータ駆動回路12と、を備えた構成である。
モータファン11は、冷却ファン11aと直流モータ11bとを有し、直流モータ11bの一方の電線はバッテリ電源VBに電気的に接続され、他方の電線はモータ駆動回路12に電気的に接続される。また、直流モータ11bの両電線間には、界磁コイルから発生する逆起電圧を抑制するためのダイオードD1が電気的に接続されている。
モータ駆動回路12は、Nチャネル型パワーMOSFET(以下、単に“FET”と記述する。)21と、ロック検知回路22と、オンオフ手段23と、を備える。
FET21は、ゲート−ソース間の電圧VGSの増加に応じてドレイン−ソース間の動作抵抗が減少する特性を有するものであり、直流モータ11bに流れる負荷電流(駆動電流)IRを制御する。FET21のドレイン端子には直流モータ11bの一方の電線が電気的に接続されている。また、FET21のソース端子は接地されている。また、FET21のゲート端子には抵抗R1が電気的に接続されている。
ロック検知回路22は、コンパレータ31と、ANDロジック33と、発振手段34と、トランジスタQ2と、を有する。
コンパレータ31のマイナス(−)端子には、しきい値電圧生成回路32が電気的に接続されており、電源電圧VBからしきい値電圧生成回路32によって生成した電圧VREFを減じた電圧V3が入力される。尚、この電圧V3は、抵抗分圧等の手段により電源電圧を分圧することにより得てもよい。
また、コンパレータ31のプラス(+)端子には、ドレインと接地間に電気的に接続されたローパスフィルタC1と抵抗R2の中点が電気的に接続され、電圧VDをローパスフィルタC1と抵抗R2で変換した電圧V2が入力される。
発振手段34は、所定の周期で所定のパルス幅の正パルス信号を発振して出力する。この正パルス信号でトランジスタQ2がオンすると、オンオフ手段23によりオンの指示がされて電圧V1がHiレベルになっていても、これを強制的にLoレベルに下げることができる。
ANDロジック33は、コンパレータ31の出力と電圧V1の論理演算を行なうことにより、ロック異常信号を出力する。
オンオフ手段23は、周知の電子制御ユニット(ECU:Electronic Control Unit、不図示)の制御によって、コモン接点を電源電圧VB側と接地電位側のいずれかに切り替えることで、電圧V1、または接地電位0Vを出力する。
次に、上記構成を有するモータ制御装置の動作について、図2に示すタイミングチャートを用いて説明する。
まず、オンオフ手段23のコモン接点を電源電圧VB側に切り替えると、電圧V1がFET21のゲートに印加される。これによって、FET21は導通してドレイン電圧VDはほぼ0Vとなり、直流モータ11bには電源電圧VBによる電圧がかかってモータ負荷電流IRが流れ、回転する。尚、直流モータ11bの負荷電流IRは、小型自動車であれば、10A程度である。
このようにして、モータファン11が正常に回転している状態の場合に、発振手段34からHiレベルのパルスが出力されると(図2中、符号a参照)、トランジスタQ2がオンしてコレクタ電圧が略0Vになり、これに応じてV1も0Vに降下する(図2中、符号b参照)。すると、FET21のゲート電圧VGは、抵抗R1とゲート容量との時定数により遅延して立ち下がる(図2中、符号c参照)。
ゲート電圧VGが0Vに降下するとFET21はオフするので、直流モータ11bに流れる負荷電流IRが減少してドレイン電圧VDは上昇する。このとき、負荷電流IRの減少に伴い直流モータ11bの界磁コイルから逆起電力が発生してダイオードD1が導通するので、ドレイン電圧VDは電源電圧VBにダイオードD1の順方向電圧VFを加えた値(VB+VF)となる(図2中、符号d参照)。
逆起電力が収束するに伴ってドレイン電圧VDは低下するが、負荷電流IRが流れなくなった状態(図2中、符号f参照)でも直流モータ11bは惰性で回転するので、発電作用による電圧Eが直流モータ11bの両電線間に現れる。この電圧Eは、直流モータ11bの回転数に比例するが電源電圧VBを超えることはなく、電源電圧VBが12Vの場合では数V〜10V程度である。また、この発電作用による電圧Eは、電源電圧VBを打ち消すように作用するので、ドレイン電圧VDは電源電圧VBから電圧Eを減じた値(VB−E)となる(図2中、符号d参照)。
発振手段34から出力されるパルスのパルス幅は、発電作用による電圧Eによってドレイン電圧VDが低下するまでの時間であればよい。直流モータ11bの正常回転時における負荷電流をIR、界磁コイルのインダクタンスをLとすると、負荷電流IRが流れている時に界磁コイルに貯まったエネルギーPLは、次の式で表される。
PL=(1/2)*L*IR*IR
逆起電力によりダイオードD1に電流が流れることによって消費される電力PDは、ダイオードD1がオンしている時間をtとすると、
PL=(1/(2)*VF*IR*t
となる。
界磁コイルに貯まったエネルギーPLがダイオードD1で全て消費されるとすれば、PL=PDであるので、
t=L*IR/VF
である。
更に、ダイオードD1の順方向電圧VFを1V(一定)と近似すれば、
t=L*IR
となる。
以上のことから、発振手段34から出力されるパルスのパルス幅は、L*IRより長ければよいということになる。実際は、界磁コイルの直流抵抗成分によるエネルギー消費も加算されるので、ダイオードD1がオンしている時間tは更に短くなる。従って、発振手段34から出力されるパルスのパルス幅は、L*IRであれば十分である。例えば、界磁コイルのインダクタンスLが200μH、負荷電流IRが10Aであるとすれば、パルス幅は2msとなる。
発電作用による電圧Eによってドレイン電圧VDが低下している間は、コンパレータ31の(+)端子にかかる電圧V2が(−)端子にかかる電圧V3を下回るので(図2中、符号e参照)、コンパレータ31の出力はLoとなり、ANDロジック33からHiレベルのロック異常信号が出力されることはない(図2中、符号h参照)。
一方、ドレイン電圧VDが低下して(VB+VF)となっている期間(図2中、符号d参照)は、コンパレータ31の出力はHiとなるが、ANDロジック33によるV1とのAND論理によってロック異常信号が出力されることはない(図2中、符号h参照)。
このように、ロック異常信号が出力されない間は、直流モータ11bは正常に回転を続けていると判断することができる。
発振手段34から出力されるパルスの周期は、モータの回転に影響を与えることがなく、かつ妥当な時間遅れでモータのロックを検出できる時間に設定する。例えば、パルス周期を1秒に設定した場合は、このパルスによってモータの負荷電流が2ms流れないとしても、このときのデューティ比は99.8%であり、モータに加えられる電力は100%に極めて近く、そのために回転が遅くなるということはない。更に、1秒間モータがロックして通常の3倍程度の負荷電流が流れても、電力の損失は軽微であり、パルス周期を2msに設定することは妥当であるといえる。また、ファンモータは、一旦定常回転に達した後で負荷電流の通電を遮断しても、その後数秒程度は慣性で回転を続けるので、モータの負荷電流が2ms流れないとしても、一時的に回転が低下することもない。
次に、モータファン11がロックした場合の動作について説明する。
前述したように、モータファン11が正常な回転状態にある場合に、車両の水没やファン11aに異物が挟まるなど不測の原因によって直流モータ11bの回転が突然停止すると、負荷電流IRは正常回転時の3倍程度に増加する(図2中、符号n参照)。
このとき、発振手段34からHiレベルのパルスが出力されると(図2中、符号i参照)、モータファン11が正常な回転状態にある場合と同様に、ドレイン電圧はVD+VFまで上昇した後で低下する。しかし、直流モータ11bが回転していないので発電作用が起こることはなく、電圧Eは0となってドレイン電圧VDは電源電圧VBと等しくなる(図2中、符号l参照)。
これに伴って、ローパスフィルタC1と抵抗R2の中点における電圧V2が、コンパレータ31のマイナス(−)端子に入力される電圧V3よりも高くなり(図2中、符号m参照)、コンパレータ31の出力はHiとなる(図2中、符号o参照)。
そして、ANDロジック33により発振手段34の出力がLoになるのと同期して、ロック異常信号が出力される(図2中、符号p参照)。このように、ロック異常信号を、ドレイン電圧VDがVB+VFとなっている期間から最も離れた時刻で出力することで、ロックの誤判定を回避することができる。
ANDロジック33からロック異常信号が連続して出力されている間は、直流モータ11bが完全に停止しているか、または、異常と見なせるほど遅い回転になっていると判断することができる。
ANDロジック33から出力されたロック異常信号は、不図示のECUに通知され、表示やアラーム音により車両の運転者に通報される。運転者はロックしたモータファン11をそのまま動作させてもよいが、電力消費を抑えるため、ECUの制御の下にオンオフ手段23のコモン接点を接地電位に切り替え、FET21をオフして直流モータ11bへの負荷電流IRを遮断するようにしてもよい。
そして、ロックによって温度が上昇した直流モータ11bが冷却してから、再びオンオフ手段23のコモン接点を電源電圧VB側に切り替え、直流モータ11bへの負荷電流の供給を再開すればよい。このとき、ロックの原因が取り除かれていなければ、ANDロジック33から再びロック異常信号が出力されるので、直流モータ11bへの負荷電流IRを再度遮断する等の処置を講ずる必要がある。
以上説明したように、本実施形態のモータ拘束検出回路およびモータ制御回路によれば、コンパレータ31と発振手段34、及びANDロジック33を備え、発振手段34で定期的に生成した所定幅のパルスによってパワーMOSFET21のゲートが接地電位にされ、FET21がオフして直流モータ11bの負荷電流が遮断された際のドレイン電圧に基づいて、ロックの有無を検出する。
モータが正常に回転している場合と、ロックして回転していない場合とでは、モータの発電作用によってドレイン電圧に差異が生ずるので、これをコンパレータ31でしきい値電圧と比較し、ANDロジック33でFET21のゲートにかかる電圧とAND論理をとることによってロック異常信号の出力を制御する。
本実施形態のモータ拘束検出回路は、FETの個体差や回路のばらつきを無視することができるとともに、個別に調整を行なうための回路を追加したり、温度補正回路を備える必要がないので、回路構成が簡単になり、モータ制御回路の小型・軽量化が可能となる。
また、モータのロックを確実に検出して、無駄な電力消費を抑えることができるので、自動車等車両の省燃費化に貢献することができる。
本発明は、本実施形態の構成に限られるものではなく、特許請求の範囲で示した機能、または本実施形態の構成が持つ機能が達成できる構成であれば、どのようなものであっても適用可能である。
図3は、本発明に係るモータ拘束検出回路およびモータ制御回路の他の実施例を示す回路図である。尚、図1に示したモータ制御装置の構成を示す回路図と同一の構成要素については、同一符号を付してある。
図3において、本実施例のモータ拘束検出回路およびモータ制御回路は、モータを可変速駆動するPWMコントローラ41と組み合わせて構成されている。
PWMコントローラ41からは、ロック検知用のオフ期間を含むPWMゲート駆動信号と、ANDロジック33でコンパレータ31の出力と論理演算を行ない、ロック異常信号を生成するための同期信号が供給される。
PWMコントローラ41は、ANDロジック33からロック異常信号を入力されると、前述した実施形態と同様にファンモータ11の駆動を停止し、直流モータ11bが冷却するまでの時間をおいた後に駆動を再開するようにしてもよい。または、PWMゲート駆動信号のデューティ比をファンモータ11の発熱を許容できる程度にまで下げて駆動を継続し、ロック異常信号を入力しなくなった時点で正常時のデューティ比に戻すようにしてもよい。
図4は、PWMの周波数が低く、Loレベルの期間が(L*IR)以上の時間を確保できるような場合の実施例を示す回路図であり、図3に示したPWMコントローラ41の同期信号を省略することができる。
例えば、PWM周波数が25Hzであれば、デューティ比が95%であってもLoレベルの期間が2msになるので、ゲート駆動信号にロック検知用のオフ期間を設けなくても、モータの発電作用によるドレイン電圧の低下(図2中、符号d参照)を見ることができる。これにより、回路を簡単化することができる。
図5は、Pチャネル型パワーMOSFET24を用いてファンモータ11を駆動する場合の実施例である。同図において、直流モータ11bをFET24の下流側に配置することにより、回路動作の論理が、ロック検知回路25の構成からもわかるように、図1の場合とは逆になる。
本発明は、回路規模の小型・軽量化を図ることが可能であるとともに、モータの拘束を正確に検知することができるモータ拘束検出回路およびモータ制御回路を提供できる効果を有し、自動車等の車両用として有用である。
尚、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、適宜、変形、改良、等が可能である。その他、上述した実施形態における各構成要素の材質、形状、寸法、数、配置箇所、等は本発明を達成できるものであれば任意であり、限定されない。
本発明に係るモータ拘束検出回路およびモータ制御回路の実施形態であるモータ制御装置の構成を示す回路図である。 本発明に係る実施形態のモータ駆動回路各部の信号の変化を示すタイミングチャートである。 本発明に係るモータ拘束検出回路およびモータ制御回路の他の実施例であるモータ制御装置の構成を示す回路図である。 本発明に係るモータ拘束検出回路およびモータ制御回路の更に他の実施例であるモータ制御装置の構成を示す回路図である。 本発明に係るモータ拘束検出回路およびモータ制御回路の別の実施例であるモータ制御装置の構成を示す回路図である。 従来のモータ拘束検出回路の構成を示す回路図である。
符号の説明
11:モータファン
11b:直流モータ
12:モータ駆動回路
21:パワーMOSFET
22:ロック検知回路
23:オンオフ手段
31:コンパレータ
32:しきい値電圧生成回路
33:ANDロジック
34:発振手段
41、42:PWMコントローラ
D1:ダイオード

Claims (3)

  1. 直流モータの拘束を検出するモータ拘束検出回路であって、
    前記直流モータに並列に接続された逆起電圧抑制ダイオードと、
    前記直流モータに直列に接続され、前記直流モータに供給される負荷電流を制御するFETと、
    前記FETを導通/遮断状態に制御するために、前記FETのゲートに入力する電圧を電源電圧および接地電位に切り替えるオンオフ手段と、
    所定の周期で所定幅のパルスを生成し、前記FETのゲートに入力する電圧を前記パルスのパルス幅の期間、接地電位とする発振手段と、
    所定のしきい値電圧を生成するしきい値電圧生成手段と、
    前記しきい値電圧と前記FETのドレイン電圧を比較して、前記しきい値電圧より前記FETのドレイン電圧が高いとき出力するコンパレータと、
    前記コンパレータの出力と前記FETのゲートに入力する電圧とのAND論理をとることによりロック異常信号を出力するANDロジックと、
    を備えていることを特徴とするモータ拘束検出回路。
  2. 前記発振手段によって生成されるパルスのパルス幅は、前記直流モータの界磁コイルのインダクタンスと、前記直流モータが正常に回転している際の前記負荷電流との積よりも大きいことを特徴とする請求項1に記載したモータ拘束検出回路。
  3. 前記オンオフ手段と前記発振手段が、PWMコントローラの一部であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載したモータ拘束検出回路。
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