JP2005251890A - 上面入射型受光素子アレイ - Google Patents
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- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims abstract description 42
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 69
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims description 56
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 34
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 39
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 abstract description 12
- 230000001788 irregular Effects 0.000 abstract description 2
- 102100040678 Programmed cell death protein 1 Human genes 0.000 description 27
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 7
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 5
- 101710089372 Programmed cell death protein 1 Proteins 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N triethylgallium Chemical compound CC[Ga](CC)CC RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N arsane Chemical compound [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
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- H01L27/144—Devices controlled by radiation
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- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L27/14629—Reflectors
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14694—The active layers comprising only AIIIBV compounds, e.g. GaAs, InP
Abstract
【課題】 二次元的或いは一次元的に複数の受光素子を1チップ上に並列させた上面入射型受光素子アレイにおいて裏面の共通電極で乱反射されて近接素子のpn接合へ入り近接素子で光電流を発生させる漏れ光がある。それが光学的クロストークを引き起こす。近接素子間の光学的クロストークを低減することが目的である。
【解決手段】 受光層と同じ程度のバンドギャップか、それより狭いバンドギャップの光吸収層を、裏面電極と受光層の間に設ける。漏れ光は裏面電極で反射される前後で光吸収層を通るから2回吸収されて減衰し光学的クロストークは低減する。
【選択図】 図6
Description
InGaAs受光層は基板のInPと格子定数も違い、あまり厚いものをエピタキシャル成長させることができない。10μmもの厚いInGaAs層を付けようとすると不整合が顕著になって結晶性が劣化し不良となる。だから、せいぜい2μm〜4μm程度の厚みのInGaAs受光層をエピタキシャル成長させることが多い。
吸収層は裏面電極と受光層の間にあれば良い。だから3通りの場合がある。また基板、受光層、窓層がn型であり上面からp領域を拡散またはエピ成長で作るn型の受光素子アレイと、基板、受光層、窓層がp型であり上面からn領域を拡散又はエピ成長で作るp型の受光素子アレイとの場合がある。全部を列挙するのは煩雑であるから以下にはn型の受光素子アレイの分類を示す。
光吸収層が基板の上にあるもの。図5に示すように、n型基板2の上に光吸収層25を設け、その上にバッファ層30、受光層3、窓層4をエピタキシャル成長によって設ける。そして絶縁物のマスクを通して上面からp型ドーパントを拡散して窓層4を貫き受光層3に至るp型領域5を必要数だけ形成する。p領域5とn型領域の境界がpn接合6である。p領域5の上面の一部にp電極7をオーミック接合させる。その他のp領域の上面は反射防止膜9で覆う。それぞれのp領域5、p電極7、反射防止膜9の組み合わせが受光素子単位PD1、PD2、PD3、PD4となる。n型基板2の裏面はn電極8を全面に付ける。それは共通のn電極(カソード)となる。
p電極7 AuZn 反射防止膜 SiON、SiO2
p領域5 Zn拡散
窓層4 n型InP
受光層3 n型InGaAs
バッファ層30 n型InP
光吸収層25 n型InGaAs
基板2 n型InP
n電極8 AuGeNi
のような層の構成とする。n型InP窓層4がない構造でも良い。
光吸収層が基板の下にあるもの。図7に示すように、n型基板2の下に光吸収層26をエピタキシャル成長によって設ける。n型基板2の上にバッファ層30、受光層3、窓層4をエピタキシャル成長によって設ける。そして絶縁物のマスクを通して上面からp型ドーパントを拡散して窓層4を貫き受光層3に至るp型領域5を必要数だけ形成する。p領域5とn型領域4、3の境界がpn接合6である。p領域5の上面の一部にp電極7をオーミック接合させる。その他のp領域の上面は反射防止膜9で覆う。それぞれのp領域5、p電極7、反射防止膜9の組み合わせが受光素子単位PD1、PD2、PD3、PD4となる。n型基板2の裏面の光吸収層26にはn電極8を全面に付ける。それは共通のn電極(カソード)となる。
p電極7 AuZn 反射防止膜 SiON、SiO2
p領域5 Zn拡散
窓層4 n型InP
受光層3 n型InGaAs
バッファ層30 n型InP
基板2 n型InP
光吸収層26 n型InGaAs
n電極8 AuGeNi
のような層の構成とする。n型InP窓層4がない構造でも良い。
光吸収層が基板の上にも下にもあるもの。図8に示すように、n型基板2の下に第2光吸収層28をエピタキシャル成長によって設ける。n型基板2の上に第1光吸収層27、バッファ層30、受光層3、窓層4をエピタキシャル成長によって設ける。そして絶縁物のマスクを通して上面からp型ドーパントを拡散して窓層4を貫き受光層3に至るp型領域5を作る。p領域5とn型領域4、3の境界がpn接合6である。p領域5の上面の一部にp電極7をオーミック接合させる。その他のp領域の上面は反射防止膜9で覆う。それぞれのp領域5、p電極7、反射防止膜9の組み合わせが受光素子単位PD1、PD2、PD3、PD4…となる。n型基板2の裏面の第2光吸収層28にはn電極8を全面に付ける。それは共通のn電極(カソード)となる。
p電極7 AuZn 反射防止膜 SiON、SiO2
p領域5 Zn拡散
窓層4 n型InP
受光層3 n型InGaAs
バッファ層30 n型InP
第1光吸収層27 n型InGaAs
基板2 n型InP
第2光吸収層28 n型InGaAs
n電極8 AuGeNi
のような層の構成とする。n型InP窓層4がない構造でも良い。
この場合、上面から1.3μmの波長の信号光をPD1に入射したとして、隣接素子PD2単位に入射するのは、最大でも0.00023%である。これは受光層(dr)の4μm、吸収層(da)の3μmの2倍で合計厚み(2da+dr)が10μmになり、減衰係数をα=1.3μm−1として計算したものである。exp{−α(2da+dr)}=exp(−1.3×10)=2.3×10−6となる。極めて小さい漏れ光パワーである。
図9によって本発明の上タイプの実施例(図5:基板の上に光吸収層)にかかる受光素子アレイを述べる。図9では4つの単位素子を図示しているが、もっと数が多くても良い。8、16、32…というように2の累乗個の単位を含むものを作ると光通信の受信部に好適である。ピッチは光ファイバクラッドの直径125μmかその整数倍にするとよい。一次元の光センサとする場合は個数M、ピッチPともに目的に応じて自在に決めれば良い。
チップをパッケージに取り付けワイヤボンディングしシールした。こうしてPD1、PD2、PD3、PD4を含む4素子のアレイができた。
本発明は上面入射型受光素子の二次元アレイにも適用できる。図10にその一部平面図を、図11に一部断面図を示す。これは1チップ上にM×N個の受光素子単位を形成したものである。上面には縦横に並ぶ、p領域5、p電極7が見える。上面は実際には反射防止膜9とp電極7で相補的に覆われている。チップの1辺、2辺、3辺あるいは4辺にp電極につながる電極パッド40が数多く設けられる。電極パッド40は配線42によって個々の受光素子単位のp電極7に接続される。n電極8は共通でチップの底面にあるからパッケージのステムにボンディングされる。電極パッド40はワイヤボンディングによってパッケージのピンに接続される。
3 受光層
4 窓層
5 p領域
6 pn接合
7 p電極
8 n電極
9 反射防止膜
22 分離溝
25 光吸収層
26 光吸収層
27 第1光吸収層
28 第2光吸収層
40 電極パッド
42 配線
Claims (6)
- 第1導電型の半導体基板と、半導体基板の裏面に設けられた第1導電型の電極と、基板表面側に形成された第1導電型の受光層と、一次元的又は二次元的に配列するように受光層の中に複数個離隔して形成された第2導電型領域と、複数の第2導電型領域の一部に設けられた個別の第2導電型電極と、第2導電型領域の残りの部分を覆い入射光の反射を防ぐ反射防止膜と、受光層の吸収端波長λgrと同じか、またはそれよりも長い吸収端波長λga(λga≧λgr)をもつ光吸収層を第1導電型電極と受光層の間に少なくとも一つ設けたことを特徴とする上面入射型受光素子アレイ。
- 受光層の吸収端波長λgrよりも短い吸収端波長λgbをもつバッファ層(λgb<λgr)を、受光層と光吸収層の間に設けたことを特徴とする請求項1に記載の上面入射型受光素子アレイ。
- 受光層の吸収端波長λgrよりも短い吸収端波長λgwをもつ窓層(λgw<λgr)を受光層の上に設け、受光層、窓層ともに一次元的又は二次元的に配列するように第2導電型領域が複数個離隔して形成されていることを特徴とする請求項1または2に記載の上面入射型受光素子アレイ。
- 受光層、光吸収層、窓層及びバッファ層が半導体基板の上にエピタキシャル成長によって形成されたことを特徴とする請求項3に記載の上面入射型受光素子アレイ。
- n型InP基板と、n型InP基板の裏面に設けられた共通のn電極と、n型InP基板の表面側にエピタキシャル成長した受光層の吸収端波長と同じか、またはそれよりも長い吸収端波長をもつn型InGaAs光吸収層と、n型InGaAs光吸収層の上にエピタキシャル成長したn型InPバッファ層と、n型InPバッファ層の上にエピタキシャル成長したn型InGaAs受光層と、n型InGaAs受光層の上にエピタキシャル成長したn型InP窓層と、n型InGaAs受光層とn型InP窓層の中に一次元的または二次元的に配列された複数個のp領域及びpn接合と、個個のp領域の上面一部に設けられたp電極と、p電極以外のp領域上面を覆う反射防止膜とよりなることを特徴とする上面入射型受光素子アレイ。
- n型InP基板上と、n型InP基板の裏面に設けられた共通のn電極と、n型InP基板の表面側にエピタキシャル成長した受光層の吸収端波長と同じか、またはそれよりも長い吸収端波長をもつn型InGaAs光吸収層と、n型InGaAs光吸収層の上にエピタキシャル成長したn型InPバッファ層と、n型InPバッファ層の上にエピタキシャル成長したn型InGaAs受光層と、n型InGaAs受光層の中に一次元的または二次元的に配列された複数個のp領域及びpn接合と、個個のp領域の上面一部に設けられたp電極と、p電極以外のp領域上面を覆う反射防止膜とよりなることを特徴とする上面入射型受光素子アレイ。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004058482A JP2005251890A (ja) | 2004-03-03 | 2004-03-03 | 上面入射型受光素子アレイ |
US11/072,572 US7274081B2 (en) | 2004-03-03 | 2005-03-03 | Front-illuminated-type photodiode array |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004058482A JP2005251890A (ja) | 2004-03-03 | 2004-03-03 | 上面入射型受光素子アレイ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005251890A true JP2005251890A (ja) | 2005-09-15 |
Family
ID=34909124
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004058482A Pending JP2005251890A (ja) | 2004-03-03 | 2004-03-03 | 上面入射型受光素子アレイ |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7274081B2 (ja) |
JP (1) | JP2005251890A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008047587A (ja) * | 2006-08-11 | 2008-02-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光検出装置 |
WO2009025048A1 (ja) * | 2007-08-22 | 2009-02-26 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | 光半導体装置 |
JP2009093131A (ja) * | 2007-10-11 | 2009-04-30 | Global Fiber Optics:Kk | アレイ型タップフォトダイオードモジュールおよびその製造方法 |
WO2011155230A1 (ja) * | 2010-06-08 | 2011-12-15 | 京セミ株式会社 | 受光素子アレイ |
WO2018168597A1 (ja) * | 2017-03-17 | 2018-09-20 | 国立研究開発法人情報通信研究機構 | 高速フォトディテクターアレー |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005259829A (ja) * | 2004-03-10 | 2005-09-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 裏面入射型受光素子アレイ |
CA2588290A1 (en) | 2004-12-01 | 2006-06-08 | Haldex Hydraulics Corporation | Hydraulic drive system |
JP2006253548A (ja) * | 2005-03-14 | 2006-09-21 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体受光素子 |
JP2007324572A (ja) * | 2006-05-02 | 2007-12-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 受光素子アレイ、その製造方法、および光計測システム |
US8198112B2 (en) * | 2010-04-14 | 2012-06-12 | Corning Incorporated | Laser diodes comprising QWI output window and waveguide areas and methods of manufacture |
US8598673B2 (en) * | 2010-08-23 | 2013-12-03 | Discovery Semiconductors, Inc. | Low-noise large-area photoreceivers with low capacitance photodiodes |
JP5486542B2 (ja) * | 2011-03-31 | 2014-05-07 | 浜松ホトニクス株式会社 | フォトダイオードアレイモジュール及びその製造方法 |
JP6457755B2 (ja) * | 2014-07-10 | 2019-01-23 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
JP6398409B2 (ja) * | 2014-07-16 | 2018-10-03 | 三菱電機株式会社 | 受光素子 |
FR3050572B1 (fr) * | 2016-04-26 | 2018-04-13 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Dispositif de photo-detection a reseau inter-diodes sur-dope et procede de fabrication |
US11769782B2 (en) * | 2018-05-02 | 2023-09-26 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Solid-state imaging element and imaging apparatus |
CN110061076A (zh) * | 2018-12-25 | 2019-07-26 | 深圳市芯思杰智慧传感技术有限公司 | 背入射式共面电极多单元芯片及其制备方法 |
CN109659379A (zh) * | 2018-12-25 | 2019-04-19 | 深圳市芯思杰智慧传感技术有限公司 | 正入射式多单元光电芯片及其制备方法 |
CN115706175B (zh) * | 2021-08-09 | 2024-02-27 | 北京一径科技有限公司 | 光电探测阵列、光电探测器、及激光雷达 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63144564A (ja) * | 1986-12-09 | 1988-06-16 | Fujitsu Ltd | 半導体撮像装置 |
JPH04293264A (ja) * | 1991-03-20 | 1992-10-16 | Mitsubishi Electric Corp | 赤外線固体撮像素子 |
CA2307745A1 (en) * | 1999-07-15 | 2001-01-15 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Photodiode |
JP2001144278A (ja) | 1999-11-12 | 2001-05-25 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 受光素子アレイ |
JP2001352094A (ja) | 2000-04-06 | 2001-12-21 | Hamamatsu Photonics Kk | ホトダイオードアレイ |
JP2002050785A (ja) * | 2000-08-01 | 2002-02-15 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体受光素子 |
US7008814B2 (en) * | 2002-08-23 | 2006-03-07 | Motorola, Inc. | Method and apparatus for increasing digital color imaging utilizing tandem RGB photodiodes |
JP2005259829A (ja) * | 2004-03-10 | 2005-09-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 裏面入射型受光素子アレイ |
-
2004
- 2004-03-03 JP JP2004058482A patent/JP2005251890A/ja active Pending
-
2005
- 2005-03-03 US US11/072,572 patent/US7274081B2/en active Active
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008047587A (ja) * | 2006-08-11 | 2008-02-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光検出装置 |
WO2009025048A1 (ja) * | 2007-08-22 | 2009-02-26 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | 光半導体装置 |
JP2009093131A (ja) * | 2007-10-11 | 2009-04-30 | Global Fiber Optics:Kk | アレイ型タップフォトダイオードモジュールおよびその製造方法 |
WO2011155230A1 (ja) * | 2010-06-08 | 2011-12-15 | 京セミ株式会社 | 受光素子アレイ |
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JP2018157117A (ja) * | 2017-03-17 | 2018-10-04 | 国立研究開発法人情報通信研究機構 | 高速フォトディテクターアレー |
US10911153B2 (en) | 2017-03-17 | 2021-02-02 | National Institute Of Information And Communications Technology | High-speed photodetector array |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7274081B2 (en) | 2007-09-25 |
US20050194654A1 (en) | 2005-09-08 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Request for written amendment filed |
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